JPS62219313A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPS62219313A JPS62219313A JP6080086A JP6080086A JPS62219313A JP S62219313 A JPS62219313 A JP S62219313A JP 6080086 A JP6080086 A JP 6080086A JP 6080086 A JP6080086 A JP 6080086A JP S62219313 A JPS62219313 A JP S62219313A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドに係り、特に平坦化能の高いポ
リイミド前駆体を加熱硬化したポリイミド樹脂で絶縁体
層を形成した薄膜磁気ヘッドに関する。
リイミド前駆体を加熱硬化したポリイミド樹脂で絶縁体
層を形成した薄膜磁気ヘッドに関する。
薄膜磁気ヘッドの絶縁体層に、縮合型または付加反応型
ポリイミド前駆体を加熱硬化したポリイミド樹脂を用い
ることが提案されている（特開昭５２−１３５７１３、
特開昭５６−９３１１３）。
ポリイミド前駆体を加熱硬化したポリイミド樹脂を用い
ることが提案されている（特開昭５２−１３５７１３、
特開昭５６−９３１１３）。
このように薄膜磁気ヘッドの絶縁体層に上記のポリイミ
ド前駆体を加熱硬化したポリイミド樹脂を用いると、無
機絶縁体層を真空蒸着法、スパッタ堆積法等によって形
成する場合に比べて、塗布。
ド前駆体を加熱硬化したポリイミド樹脂を用いると、無
機絶縁体層を真空蒸着法、スパッタ堆積法等によって形
成する場合に比べて、塗布。
熱硬化という量産性に優れた方法で容易に絶縁体層が形
成でき、しかも得られた絶縁体層の絶縁性。
成でき、しかも得られた絶縁体層の絶縁性。
耐熱性が他の有機絶縁膜より優れている。
しかし、上記従来技術は、以下に述べる問題点があり、
実用に供するには不十分であった。
実用に供するには不十分であった。
即ち、縮合型ポリイミド前駆体は、加熱硬化時に溶融し
にくいため、ポリイミド樹脂絶縁体層表面に下地に形成
されているコイル段差を反映した凸凹が生じてしまった
。このため、絶縁体層上に形成する磁性膜も凸凹になっ
てしまい、高い透磁率が得られなかった。
にくいため、ポリイミド樹脂絶縁体層表面に下地に形成
されているコイル段差を反映した凸凹が生じてしまった
。このため、絶縁体層上に形成する磁性膜も凸凹になっ
てしまい、高い透磁率が得られなかった。
また、付加反応型ポリイミド前駆体は、溶媒に対する溶
解性が低いため、その溶液中に不溶物があって均質な塗
膜を得ることが困難であり、実用に供するには不十分で
あった。
解性が低いため、その溶液中に不溶物があって均質な塗
膜を得ることが困難であり、実用に供するには不十分で
あった。
また、何れのポリイミド前駆体も熱硬化させた樹脂の接
着性が低いため、得られた磁気ヘッドの信頼性に問題が
あった。
着性が低いため、得られた磁気ヘッドの信頼性に問題が
あった。
本発明の目的はこのような従来技術の欠点をなくし、表
面が平坦でありかつ接着性の良好な絶縁体層を有する薄
膜磁気ヘッドを提供するにある。
面が平坦でありかつ接着性の良好な絶縁体層を有する薄
膜磁気ヘッドを提供するにある。
上記目的は、薄膜磁気ヘッドの絶縁体層に下記一般式（
Ｉ）で表わされるポリイミド前駆体、もしくは下記一般
式（Ｉ）、（■）で表わされるポリイミド前駆体の混合
物を加熱硬化したポリイミド樹脂を用いることにより達
成される。
Ｉ）で表わされるポリイミド前駆体、もしくは下記一般
式（Ｉ）、（■）で表わされるポリイミド前駆体の混合
物を加熱硬化したポリイミド樹脂を用いることにより達
成される。
・・・・・・（Ｉ）
（但し、上記一般式ＣＩ）中、Ｒは、
のうちから選ばれた少なくとも一種類の基であのうちか
ら選ばれた少なくとも一種類の基であｃ′°０ のうちから選ばれた少なくと も一種類の基であり、ｎは１〜１００である。）（但し
、上記一般式（Ｕ）中、Ａｒ”は、のうちから選ばれた
少なくとも一種類の基であ少なくとも一種類の基であり
、ｍは１０〜５００である。） そして、上記一般式（夏）、上記一般式（ＩＩ）で表わ
されるポリイミド前駆体の混合物を用いる場合、これら
両者の混合比が、固形成分換算重量比で下記式（ｍ）で
表わされた範囲であり。
ら選ばれた少なくとも一種類の基であｃ′°０ のうちから選ばれた少なくと も一種類の基であり、ｎは１〜１００である。）（但し
、上記一般式（Ｕ）中、Ａｒ”は、のうちから選ばれた
少なくとも一種類の基であ少なくとも一種類の基であり
、ｍは１０〜５００である。） そして、上記一般式（夏）、上記一般式（ＩＩ）で表わ
されるポリイミド前駆体の混合物を用いる場合、これら
両者の混合比が、固形成分換算重量比で下記式（ｍ）で
表わされた範囲であり。
５／９５〜９５１５ ・・・（ＤＩ）
好ましくは２０ ／ ８０〜８０／２０の範囲である。
また、前記ポリイミド前駆体（Ｉ）、（ＩＩ）は、溶媒
に対する溶解性が高く、均質で高濃度のポリアミド酸ワ
ニスとなることから、厚い膜厚を容易に形成することが
できる。
に対する溶解性が高く、均質で高濃度のポリアミド酸ワ
ニスとなることから、厚い膜厚を容易に形成することが
できる。
溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ベンジル
ピロリドン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の極性溶媒が
好ましく、特に後から述べるスピン塗布を行う場合には
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、 Ｎ、Ｎ’−ジメチルア
セトアミドが好ましい。
ピロリドン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の極性溶媒が
好ましく、特に後から述べるスピン塗布を行う場合には
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、 Ｎ、Ｎ’−ジメチルア
セトアミドが好ましい。
ポリアミド酸ワニスの通常濃度は１０〜５０ｗｔ％が良
く、更に好ましくは１５〜３５％が良い。１０ｗｔ％よ
り濃度かうずいと厚い塗膜が得られにくくなり、５０ｗ
ｔ％より濃い濃度になると粘度が高くなり基板面内にお
いて均一な厚さの塗膜が得られにくくなる。
く、更に好ましくは１５〜３５％が良い。１０ｗｔ％よ
り濃度かうずいと厚い塗膜が得られにくくなり、５０ｗ
ｔ％より濃い濃度になると粘度が高くなり基板面内にお
いて均一な厚さの塗膜が得られにくくなる。
磁気ヘッドの絶縁体層は、上記ポリアミド酸ワニスを磁
性体層、あるいは導体層が設けられた凸凹のある基板上
に塗布し、熱硬化処理するとポリイミド系樹脂膜が形成
される。
性体層、あるいは導体層が設けられた凸凹のある基板上
に塗布し、熱硬化処理するとポリイミド系樹脂膜が形成
される。
塗布法としてはスピン塗布法、ロールコート法。
ディップ法、印刷法等があるが、基板全面に均一に生産
性よく塗膜を形成するには、スピン塗布法が最も好まし
い。熱硬化処理は、温度が１４０〜４００℃、好ましく
は２５０〜４００℃９時間が１０〜１８０分。
性よく塗膜を形成するには、スピン塗布法が最も好まし
い。熱硬化処理は、温度が１４０〜４００℃、好ましく
は２５０〜４００℃９時間が１０〜１８０分。
好ましくは３０〜１２０分が良い。雰囲気は、Ａ ｒ、
Ｎ ２等の不活性ガス中、もしくは圧力０．ＩＰａ以下
の減圧状態である。また、熱硬化処理した含ケイ素ポリ
イミド樹脂は、基板などとの接着性にすぐれている。
Ｎ ２等の不活性ガス中、もしくは圧力０．ＩＰａ以下
の減圧状態である。また、熱硬化処理した含ケイ素ポリ
イミド樹脂は、基板などとの接着性にすぐれている。
本発明の薄膜磁気ヘッドの好ましい一態様を、第１図に
示す。第１図は、薄膜磁気ヘッドの部分断面図である。
示す。第１図は、薄膜磁気ヘッドの部分断面図である。
この薄膜磁気ヘッドは、基板１上にパーマロイ等で第一
の磁性体層２−１．ギャップ絶縁体層３．前記一般式（
Ｉ）で表わされるポリイミド前駆体を熱硬化させて得た
第一の絶縁体層４−１．アルミニウム、鋼、金等よりな
る導体５、第二の絶縁体層４−２．第二の磁性体層２−
２゜アルミナ等の無機絶縁材料からなる保護層６を順次
設けたものである。以上は１ターンコイル磁気ヘツドの
場合であるが、多層マルチターン磁気へラドは第二の絶
縁体層上に導体と絶縁体層を繰り返し形成して製造する
ことができる。絶縁体層のパターニングは、上記ヒドラ
ジン・ヒトラード系のエツチング液を用いる以外に酸素
プラズマでパターニングを行なってもよい。
の磁性体層２−１．ギャップ絶縁体層３．前記一般式（
Ｉ）で表わされるポリイミド前駆体を熱硬化させて得た
第一の絶縁体層４−１．アルミニウム、鋼、金等よりな
る導体５、第二の絶縁体層４−２．第二の磁性体層２−
２゜アルミナ等の無機絶縁材料からなる保護層６を順次
設けたものである。以上は１ターンコイル磁気ヘツドの
場合であるが、多層マルチターン磁気へラドは第二の絶
縁体層上に導体と絶縁体層を繰り返し形成して製造する
ことができる。絶縁体層のパターニングは、上記ヒドラ
ジン・ヒトラード系のエツチング液を用いる以外に酸素
プラズマでパターニングを行なってもよい。
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
実施例１
表面に１０μｍのアルミナをスパッタリングで堆゛＼１
積した厚さ４ｍｍ、直径３イ・１ンチのアルミナチタン
カーバイトの基板１上に、２μｍ厚さのパーマロイを基
板温度２８０℃でスパッタリングによって堆積し、フォ
トエツチング法でパターン形成し、第一の磁性体層２−
１を形成した。この後、０．５μｍ厚さのアルミナをス
パッタリングで堆積し、フォトエツチング法でパターン
形成し、ギャップ絶縁体層３を形成した６ 次の上式（ＩＶ）で表わされるポリアミド酸のジメチル
アセトアミド溶液（樹脂分３０ｖｔ％）を回転塗布し、
１０″′３〜１０−’ Ｐ ａの減圧下で加熱硬化した
。
カーバイトの基板１上に、２μｍ厚さのパーマロイを基
板温度２８０℃でスパッタリングによって堆積し、フォ
トエツチング法でパターン形成し、第一の磁性体層２−
１を形成した。この後、０．５μｍ厚さのアルミナをス
パッタリングで堆積し、フォトエツチング法でパターン
形成し、ギャップ絶縁体層３を形成した６ 次の上式（ＩＶ）で表わされるポリアミド酸のジメチル
アセトアミド溶液（樹脂分３０ｖｔ％）を回転塗布し、
１０″′３〜１０−’ Ｐ ａの減圧下で加熱硬化した
。
熱硬化は２００℃で３０分、更に３５０℃で３０分間行
った。
った。
この時の硬化膜のガラス転移温度は、２８０℃であった
。
。
硬化膜はヒドラジン・ヒトラード系の（ヒドラジン・ヒ
トラード）／（エチレンジアミン）−７／３（容積比）
のエツチング液を用いたフォトエツチング法で、膜厚１
．５μｍの所定のパターンを形成し、第一の絶縁体層４
−１を形成した。次にこの第一の絶縁体層４−１上に厚
さ１．５μｍの鋼をスパッタリングにより堆積し、フォ
トエツチング法でパターン化し、導体５を形成した。次
に第一の絶縁体層４−１と同様にして、厚さ４μｍの第
二の絶縁体層４−２を形成し、更にその上に第一の磁性
体層２−１と同様にして厚さ２μｍの第二の磁性体層２
−２を形成し、最後に３０μｍ厚さのアルミナをスパッ
タリングにより堆積し保！！ｌＩ層６を形成した。
トラード）／（エチレンジアミン）−７／３（容積比）
のエツチング液を用いたフォトエツチング法で、膜厚１
．５μｍの所定のパターンを形成し、第一の絶縁体層４
−１を形成した。次にこの第一の絶縁体層４−１上に厚
さ１．５μｍの鋼をスパッタリングにより堆積し、フォ
トエツチング法でパターン化し、導体５を形成した。次
に第一の絶縁体層４−１と同様にして、厚さ４μｍの第
二の絶縁体層４−２を形成し、更にその上に第一の磁性
体層２−１と同様にして厚さ２μｍの第二の磁性体層２
−２を形成し、最後に３０μｍ厚さのアルミナをスパッ
タリングにより堆積し保！！ｌＩ層６を形成した。
このようにして製造した薄膜磁気ヘッドの第二の磁性体
層２−２は、極めて平坦な面（うねり高さ０．１０〜０
．２０μＩ以下）を有しており、透磁率の高い磁気特性
の良好な薄膜磁気ヘッドが得られた。
層２−２は、極めて平坦な面（うねり高さ０．１０〜０
．２０μＩ以下）を有しており、透磁率の高い磁気特性
の良好な薄膜磁気ヘッドが得られた。
また１本素子は室温３０分〜３５０℃３０分のヒートサ
イクル試験をかけた場合にも、絶縁体層に剥がれなどの
膜欠陥が無く信頼性上も極めて良好な結果が得られた。
イクル試験をかけた場合にも、絶縁体層に剥がれなどの
膜欠陥が無く信頼性上も極めて良好な結果が得られた。
実施例２
表１の＆６（以下（Ａ）と略す）と表２中のＮα４（以
下〔Ｂ〕と略す）の混合割合を変えて、平坦性とガラス
転位温度変化を調べた。第２図に測定結果を示す。固形
成分換算重量比で［Ｂ］／（Ａｌ＝２０／８０〜８／２
０に混合した温合系は特に効果が顕著であり、平坦性０
．２２μｍ以下、熱硬化膜のガラス転位温度３１０℃以
上であった。
下〔Ｂ〕と略す）の混合割合を変えて、平坦性とガラス
転位温度変化を調べた。第２図に測定結果を示す。固形
成分換算重量比で［Ｂ］／（Ａｌ＝２０／８０〜８／２
０に混合した温合系は特に効果が顕著であり、平坦性０
．２２μｍ以下、熱硬化膜のガラス転位温度３１０℃以
上であった。
これらのポリアミド酸ワニスを用いて実施例１と同様に
して形成した薄膜磁気ヘッドは、実施例１と同様、非常
に良好な特性が得られた。
して形成した薄膜磁気ヘッドは、実施例１と同様、非常
に良好な特性が得られた。
（以下余白）
（注）表１中のＲ，Ａｒ１． Ａｒ’のポリマ骨格中に
占める位置 （以下余白） （注）表２中のＡｒ３． Ａｒ’のポリマ骨格中に占め
る位置 実施例３ 表１のＮＱ１〜５．Ｎα７，８と表２のＮα１〜３゜Ｎ
Ｑ５〜７とを種々組み合せて実施例２と同様に混合して
各種のポリアミド酸ワニスを作成し、これらを用いて実
施例１と同様にして形成した薄膜磁気ヘッドは、実施例
１と同様、非常に良好な特性が得られた。
占める位置 （以下余白） （注）表２中のＡｒ３． Ａｒ’のポリマ骨格中に占め
る位置 実施例３ 表１のＮＱ１〜５．Ｎα７，８と表２のＮα１〜３゜Ｎ
Ｑ５〜７とを種々組み合せて実施例２と同様に混合して
各種のポリアミド酸ワニスを作成し、これらを用いて実
施例１と同様にして形成した薄膜磁気ヘッドは、実施例
１と同様、非常に良好な特性が得られた。
比較例
付加反応型ポリイミド（ガルフ・オイル・ケミカル・カ
ンパニ製、商品名「サーミツド６００」をジメチルアセ
トアミドに溶解（樹脂分１５ｖｔ％）し実施例１と同様
に薄膜磁気ヘッドの絶縁体層を形成した。不溶分がある
ため、均質な塗膜が得られず、磁気特性が劣っていた。
ンパニ製、商品名「サーミツド６００」をジメチルアセ
トアミドに溶解（樹脂分１５ｖｔ％）し実施例１と同様
に薄膜磁気ヘッドの絶縁体層を形成した。不溶分がある
ため、均質な塗膜が得られず、磁気特性が劣っていた。
以上、詳述したように本発明によれば、末端をエンドキ
ャップしたポリアミド酸は溶解性が高いため、均質で平
坦性に優れた絶縁体層を得ることができ、磁気特性及び
、膜欠陥の無い信頼性に優れた薄膜磁気ヘッドを得るこ
とが出来る。なお、本発明による末端ケイ素系ポリアミ
ド酸は上述の長所を有するため、何層にも積層した他の
立体配線構造体に用いた場合にも優れた効果を奏する。
ャップしたポリアミド酸は溶解性が高いため、均質で平
坦性に優れた絶縁体層を得ることができ、磁気特性及び
、膜欠陥の無い信頼性に優れた薄膜磁気ヘッドを得るこ
とが出来る。なお、本発明による末端ケイ素系ポリアミ
ド酸は上述の長所を有するため、何層にも積層した他の
立体配線構造体に用いた場合にも優れた効果を奏する。
第１図は薄膜磁気ヘッドの部分断面図、第２図は実施例
２を具体的に説明した図である。 １・・・基板、２−１・・・第一の磁性体層、２−２・
・・第二の磁性体層、３・・・ギャップ絶縁体層、４−
１・・・第一の絶縁体層、４−２・・・第二の絶縁体層
、５・・・導体、６・・・保護層。
２を具体的に説明した図である。 １・・・基板、２−１・・・第一の磁性体層、２−２・
・・第二の磁性体層、３・・・ギャップ絶縁体層、４−
１・・・第一の絶縁体層、４−２・・・第二の絶縁体層
、５・・・導体、６・・・保護層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、薄膜磁気ヘッドの絶縁体層が、下記一般式（ I ）
で表わされるポリイミド前駆体、もしくは下記一般式（
I ）、（II）で表わされるポリイミド前駆体の混合物
を加熱硬化したものよりなることを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（ I
） （但し、上記一般式（ I ）中、Ｒは ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ のうちから選ばれた少なくとも一種類の基であり、Ａｒ
＾２は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ のうちから選ばれた少なくとも一種類の基であり、Ａｒ
＾２は▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼のうちから選ばれた
少なく とも一種類の基であり、ｎは１〜１００である。）▲数
式、化学式、表等があります▼・・・・・・（II） （但し、上記一般式（II）中Ａｒ＾３は、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ のうちから選ばれた少なくとも一種類の基であり、Ａｒ
＾４は▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼のうちから選ばれた 少なくとも一種類の基であり、ｍは１０〜５００である
。） ２、上記一般式（ I ）、上記一般式（II）で表わされ
るポリイミド前駆体の混合比が、固形成分換算重量比で
下記式（III）で表わされた範囲であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。 （上記一般式（ I ）で表わされるポリイミド前駆体）
／（上記一般式（II）で表されるポリイミド前駆体）＝
５／９５〜９５／５・・・（III）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6080086A JPH0766502B2 (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6080086A JPH0766502B2 (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62219313A true JPS62219313A (ja) | 1987-09-26 |
| JPH0766502B2 JPH0766502B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=13152758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6080086A Expired - Lifetime JPH0766502B2 (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766502B2 (ja) |
-
1986
- 1986-03-20 JP JP6080086A patent/JPH0766502B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766502B2 (ja) | 1995-07-19 |
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