JPS63182559A - 酵素電極の製造方法 - Google Patents
酵素電極の製造方法Info
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- JPS63182559A JPS63182559A JP62014648A JP1464887A JPS63182559A JP S63182559 A JPS63182559 A JP S63182559A JP 62014648 A JP62014648 A JP 62014648A JP 1464887 A JP1464887 A JP 1464887A JP S63182559 A JPS63182559 A JP S63182559A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、固定化酵素電極(以下酵素電極と略す)の製
造方法に関し、特に電気化学的妨害物質の影響を受けず
、感度、応答速度に優れた酵素電極の製造方法に関する
ものである。
造方法に関し、特に電気化学的妨害物質の影響を受けず
、感度、応答速度に優れた酵素電極の製造方法に関する
ものである。
(従来の技術)
酵素反応を生体物質や食品等に含まれる目的物質の定量
に用いることは、その反応速度の速さ及び基質特異性を
有する等の利点から広く行われている。
に用いることは、その反応速度の速さ及び基質特異性を
有する等の利点から広く行われている。
特に酵素電極を用いた目的物質の濃度測定法は微量の酵
素を反復利用する可能性を開き、その応用範囲を医療、
食品、薬品分析等に広げつつある。
素を反復利用する可能性を開き、その応用範囲を医療、
食品、薬品分析等に広げつつある。
一定電圧を酵素電極に印加しながら、酵素反応による生
成物の電極反応に伴う電流値を計測するアンペロメトリ
ック法は、一般に電極構成が簡単で、かつ高感度化が可
能であり、特に反応に際し過酸化水素を形成するオキシ
ダーゼ(H20□形成オキシダーゼと略す)反応系を利
用する電極は応答速度、感度共に比較的価れるため広く
研究されている。
成物の電極反応に伴う電流値を計測するアンペロメトリ
ック法は、一般に電極構成が簡単で、かつ高感度化が可
能であり、特に反応に際し過酸化水素を形成するオキシ
ダーゼ(H20□形成オキシダーゼと略す)反応系を利
用する電極は応答速度、感度共に比較的価れるため広く
研究されている。
しかしこの方法には被検体中に還元物質が混入している
と、その影響を受は目的物質の濃度を正確に測定出来な
いという欠点がある。
と、その影響を受は目的物質の濃度を正確に測定出来な
いという欠点がある。
例えばグルコースオキシダーゼ(COD)を用いたグル
コース定量の場合、(i)式により生じた過酸化水素は
、飽和カロメル電極(以下SCEと略す)に対して+0
.6V前後の電圧で(i])式の如く電極反応を起こす
。この時に流れる電流量はグルコース濃度に比例するこ
とから、グルコース濃度の定量が可能となる。
コース定量の場合、(i)式により生じた過酸化水素は
、飽和カロメル電極(以下SCEと略す)に対して+0
.6V前後の電圧で(i])式の如く電極反応を起こす
。この時に流れる電流量はグルコース濃度に比例するこ
とから、グルコース濃度の定量が可能となる。
tt+bコース +酸素 −〉 6 −ゲルゴノラ
クトン十820□ (i)11zo□ −一一斉
02+2H” +2e−(ii)酵素による反応(i
)は測定目的物質であるグルコースに対し高度の基質特
異性を有するが、電極反応(ii )は種々の還元物質
つまり妨害物質が電極上で酸化されるため、測定電流に
は妨害物質が酸化された時に生じる電流が上乗せされ、
測定誤差を生じる。食品、生体液中に存在する妨害物質
には、アスコルビン酸、尿素、還元型グルクチオン、チ
ロシン等が知られている。
クトン十820□ (i)11zo□ −一一斉
02+2H” +2e−(ii)酵素による反応(i
)は測定目的物質であるグルコースに対し高度の基質特
異性を有するが、電極反応(ii )は種々の還元物質
つまり妨害物質が電極上で酸化されるため、測定電流に
は妨害物質が酸化された時に生じる電流が上乗せされ、
測定誤差を生じる。食品、生体液中に存在する妨害物質
には、アスコルビン酸、尿素、還元型グルクチオン、チ
ロシン等が知られている。
従来上記の問題を解決するために、最も多く用いられて
きた手法としては、前記のオキシダーゼ反応により生じ
る過酸化水素を測定する系において、固定化酵素層と白
金等の導電性基体間にアセチルセルロース等から成る選
択透過膜を設け、過酸化水素のみが透過する条件下で測
定を実施するものがある。しかしながら、選択透過膜−
酵素層複合系と導電性基体との間に電解液、緩衝液等で
満たされた間隙が存在するので、酵素反応で生じた過酸
化水素が選択透過膜及び間隙に拡散するのに時間を要し
、応答速度の向上を阻む要因となっている。また過酸化
水素が間隙中で希釈されるため電気検出系を極度に高感
度化する必要がある。
きた手法としては、前記のオキシダーゼ反応により生じ
る過酸化水素を測定する系において、固定化酵素層と白
金等の導電性基体間にアセチルセルロース等から成る選
択透過膜を設け、過酸化水素のみが透過する条件下で測
定を実施するものがある。しかしながら、選択透過膜−
酵素層複合系と導電性基体との間に電解液、緩衝液等で
満たされた間隙が存在するので、酵素反応で生じた過酸
化水素が選択透過膜及び間隙に拡散するのに時間を要し
、応答速度の向上を阻む要因となっている。また過酸化
水素が間隙中で希釈されるため電気検出系を極度に高感
度化する必要がある。
このような問題に対しては選択透過膜を薄くし、過酸化
水素が膜を透過し易くすることが考えられるが、妨害物
質も一部透過してしまう欠点がある。
水素が膜を透過し易くすることが考えられるが、妨害物
質も一部透過してしまう欠点がある。
また電極系全体をミクロ化すれば拡散、希釈による応答
速度の遅れは防げるが、電極面積の低下による電流量の
減少によって電流検出系製作上の問題が残り、好ましい
ものではない。さらにアセチルセルロース膜等の選択透
過膜をキャスティングの手法を用いて導電性基体上に直
接作成することが考えられるが、従来の選択透過膜の材
質では導電性基体と選択透過膜間の付着力が弱く耐久性
の点で満足できるものではない。この欠点は、特に分析
の自動化・高速化を進める上で不可欠のフロー型測定装
置では選択透過膜に液の流れに基づく一3= 剪断力が加わるため、大きな開発上の制約となっている
。
速度の遅れは防げるが、電極面積の低下による電流量の
減少によって電流検出系製作上の問題が残り、好ましい
ものではない。さらにアセチルセルロース膜等の選択透
過膜をキャスティングの手法を用いて導電性基体上に直
接作成することが考えられるが、従来の選択透過膜の材
質では導電性基体と選択透過膜間の付着力が弱く耐久性
の点で満足できるものではない。この欠点は、特に分析
の自動化・高速化を進める上で不可欠のフロー型測定装
置では選択透過膜に液の流れに基づく一3= 剪断力が加わるため、大きな開発上の制約となっている
。
(発明が解決しようとする問題点)
かかる現状に鑑み本発明者等は、妨害物質の影響を有効
に除去した酵素電極の製造法に関し鋭意研究の結果、導
電性基体上に特定の条件で架橋アルブミン層を形成し、
その上に酵素層を形成することにより妨害物質の影響を
受けず、感度、応答速度、耐久性、長期安定性に優れた
酵素電極が得られることを見出し本発明を完成するに至
った。
に除去した酵素電極の製造法に関し鋭意研究の結果、導
電性基体上に特定の条件で架橋アルブミン層を形成し、
その上に酵素層を形成することにより妨害物質の影響を
受けず、感度、応答速度、耐久性、長期安定性に優れた
酵素電極が得られることを見出し本発明を完成するに至
った。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、導電性基体上に0.1〜0.5重量%濃度の
多官能基性アルデヒドを含むアルブミン溶液を塗布し、
0〜10℃の温度範囲で架橋アルブミン層を形成後、該
架橋アルブミン層上に0.5重量%濃度以下の多官能基
性アルデヒドとH,O□形成オキシダーゼを含有する溶
液を塗布してH,0□形成オキシダ一ゼ含有層を形成す
ることを特徴とする酵素電極の製造方法である。
多官能基性アルデヒドを含むアルブミン溶液を塗布し、
0〜10℃の温度範囲で架橋アルブミン層を形成後、該
架橋アルブミン層上に0.5重量%濃度以下の多官能基
性アルデヒドとH,O□形成オキシダーゼを含有する溶
液を塗布してH,0□形成オキシダ一ゼ含有層を形成す
ることを特徴とする酵素電極の製造方法である。
(作用)
=4−
・本発明においては、導電性基体として白金またはグラ
ファイト製の棒状あるいは板状体が用いられる。導電性
基体は、酵素電極感度のロット差をなくすため、先づ祇
やすりやアルミナ粉末等で研磨し、希硫酸水溶液中で三
角波電位走査する等の方法で清浄化処理することが望ま
しい。
ファイト製の棒状あるいは板状体が用いられる。導電性
基体は、酵素電極感度のロット差をなくすため、先づ祇
やすりやアルミナ粉末等で研磨し、希硫酸水溶液中で三
角波電位走査する等の方法で清浄化処理することが望ま
しい。
次に第1図に示すように、アルブミンを蒸留水等に溶解
し、多官能基性アルデヒドを加えた混合液を導電性基体
+11上に塗布し、選択透過性を有する架橋アルブミン
層(2)を形成する。アルブミンは付着力が強いため耐
久性に優れた酵素電極が得られる。この際、多官能基性
アルデヒドの濃度が高すぎると良好な選択透過性が得ら
れず、妨害物質を一部透過するものとなる。これは多官
能基性アルデヒドによりアルブミンの高次構造が変化す
るためと推測される。逆に濃度が低すぎるとアルブミン
の架橋が不充分で長期使用に耐えるものが出来ないため
、多官能基性アルデヒドの濃度は0.1〜0.5重量%
(以下、単に%と表記する)に調整する必要がある。多
官能基性アルデヒドとしては6一 グルタルアルデヒド、スクシンジアルデヒド、グリオキ
サール等が挙げられるが、グルタルアルデヒドは酵素の
活性を阻害し難いため好ましい。溶液中のアルブミン濃
度は均一な塗布を行うために0.1〜5%とすることが
好ましい。またアルブミン塗布量は5〜50g/m程度
である。溶媒に塩類を含む緩衝液を使用すると後述する
架橋反応時に塩類が析出し、均一な架橋アルブミン層の
形成を防げるため、蒸留水のみを用いるか、PHを制御
する場合は酢酸、アンモニア等の析出しないものを使用
することが望ましい。
し、多官能基性アルデヒドを加えた混合液を導電性基体
+11上に塗布し、選択透過性を有する架橋アルブミン
層(2)を形成する。アルブミンは付着力が強いため耐
久性に優れた酵素電極が得られる。この際、多官能基性
アルデヒドの濃度が高すぎると良好な選択透過性が得ら
れず、妨害物質を一部透過するものとなる。これは多官
能基性アルデヒドによりアルブミンの高次構造が変化す
るためと推測される。逆に濃度が低すぎるとアルブミン
の架橋が不充分で長期使用に耐えるものが出来ないため
、多官能基性アルデヒドの濃度は0.1〜0.5重量%
(以下、単に%と表記する)に調整する必要がある。多
官能基性アルデヒドとしては6一 グルタルアルデヒド、スクシンジアルデヒド、グリオキ
サール等が挙げられるが、グルタルアルデヒドは酵素の
活性を阻害し難いため好ましい。溶液中のアルブミン濃
度は均一な塗布を行うために0.1〜5%とすることが
好ましい。またアルブミン塗布量は5〜50g/m程度
である。溶媒に塩類を含む緩衝液を使用すると後述する
架橋反応時に塩類が析出し、均一な架橋アルブミン層の
形成を防げるため、蒸留水のみを用いるか、PHを制御
する場合は酢酸、アンモニア等の析出しないものを使用
することが望ましい。
次に塗布したアルブミン層を適度な条件下で架橋反応さ
せるが導電性基体(1)に上記のアルブミン溶液を塗布
した後、そのまま室温に保持して架橋反応を行うと選択
透過性に優れたものは得られない。これは室温下では架
橋反応が速く進むが、部分的に不均一に進行するためと
推測される。このため多官能基性アルデヒドの濃度を規
制すると同時に架橋反応を特定の条件下で行う必要があ
る。
せるが導電性基体(1)に上記のアルブミン溶液を塗布
した後、そのまま室温に保持して架橋反応を行うと選択
透過性に優れたものは得られない。これは室温下では架
橋反応が速く進むが、部分的に不均一に進行するためと
推測される。このため多官能基性アルデヒドの濃度を規
制すると同時に架橋反応を特定の条件下で行う必要があ
る。
而して導電性基体(11にアルブミン溶液を塗布した後
、先づ0〜10°Cの温度範囲、より好ましくは2〜8
℃で架橋反応を行う。本発明においては架橋反応の初期
段階を上記温度範囲で行うため反応が均一に進み選択透
過性の優れた膜が得られる。
、先づ0〜10°Cの温度範囲、より好ましくは2〜8
℃で架橋反応を行う。本発明においては架橋反応の初期
段階を上記温度範囲で行うため反応が均一に進み選択透
過性の優れた膜が得られる。
かかる架橋反応を長期間行うと逆に選択透過性が損なわ
れるので通常20分〜24時間、より好ましくは、30
分〜4時間行う。この際、多官能基性アルデヒド濃度の
変化とアルブミン層の乾燥を防ぐために、密封容器中に
多官能基性アルデヒド水溶液を入れ、その飽和蒸気存在
下で反応を行うことが好ましい。
れるので通常20分〜24時間、より好ましくは、30
分〜4時間行う。この際、多官能基性アルデヒド濃度の
変化とアルブミン層の乾燥を防ぐために、密封容器中に
多官能基性アルデヒド水溶液を入れ、その飽和蒸気存在
下で反応を行うことが好ましい。
上記の架橋反応後直ちにH20□形成オキシダーゼ含有
層を形成することも可能であるが、飽和蒸気存在下から
導電性基体(])に架橋アルブミン層(2)を形成した
試料を取り出し10℃〜50°C下で処理を行うと、第
2図に示すように過剰の多官能基性アルデヒド及び水分
を除き、架橋反応を完結させることが出来る。かかる処
理は40℃の場合15分〜30分で完了する。
層を形成することも可能であるが、飽和蒸気存在下から
導電性基体(])に架橋アルブミン層(2)を形成した
試料を取り出し10℃〜50°C下で処理を行うと、第
2図に示すように過剰の多官能基性アルデヒド及び水分
を除き、架橋反応を完結させることが出来る。かかる処
理は40℃の場合15分〜30分で完了する。
次に、第3図に示すように、得られた架橋アルI−
ブミンの選択透過層上に820□形成オキシダ一ゼ含有
層(3)を形成する。先づ多官能基性アルデヒドとH,
O□形成オキシダーゼを含有する溶液、またはこれにア
ルブミンをさらに加えた溶液を塗布するが、多官能基性
アルデヒドは架橋アルブミン層(2)へも浸透して行く
ため、その濃度が高いと架橋アルブミン層(2)の選択
透過性が損なわれる。従って多官能基性アルデヒド濃度
は0.5%以下、好ましくは架橋アルブミン層(2)を
形成するのに用いた溶液中の濃度以下とする必要がある
。ただし通常オキシダーゼを固定するためには0.1%
濃度以上の多官能基性アルデヒドが必要である。かかる
オキシダーゼ含有溶液には緩衝液を用いることが出来る
が、0、1 mol/ Il以下の希薄なものを用いた
方が先に形成した架橋アルブミン層(2)を破損せず好
ましい。
層(3)を形成する。先づ多官能基性アルデヒドとH,
O□形成オキシダーゼを含有する溶液、またはこれにア
ルブミンをさらに加えた溶液を塗布するが、多官能基性
アルデヒドは架橋アルブミン層(2)へも浸透して行く
ため、その濃度が高いと架橋アルブミン層(2)の選択
透過性が損なわれる。従って多官能基性アルデヒド濃度
は0.5%以下、好ましくは架橋アルブミン層(2)を
形成するのに用いた溶液中の濃度以下とする必要がある
。ただし通常オキシダーゼを固定するためには0.1%
濃度以上の多官能基性アルデヒドが必要である。かかる
オキシダーゼ含有溶液には緩衝液を用いることが出来る
が、0、1 mol/ Il以下の希薄なものを用いた
方が先に形成した架橋アルブミン層(2)を破損せず好
ましい。
固定化に要する時間は架橋アルブミンN(2)を形成す
る場合よりも短時間で充分である。
る場合よりも短時間で充分である。
なお、本発明において架橋アルブミン層(2)の導電性
基体(1)への付着力をさらに強める目的で公知のシラ
ンカップリング剤を用いた化学結合処理を行うこともで
きる。
基体(1)への付着力をさらに強める目的で公知のシラ
ンカップリング剤を用いた化学結合処理を行うこともで
きる。
本発明の製造方法によれば、過酸化水素を透過し、妨害
物質を通さない優れた選択透過層を有する酵素電極が得
られる。また本発明では特定の選択透過層が導電性基体
上に直接形成されるため、過酸化水素の不必要な希釈は
起こらず、感度、応答速度に優れ、耐久性、長期安定性
にも優れた酵素電極が得られる。
物質を通さない優れた選択透過層を有する酵素電極が得
られる。また本発明では特定の選択透過層が導電性基体
上に直接形成されるため、過酸化水素の不必要な希釈は
起こらず、感度、応答速度に優れ、耐久性、長期安定性
にも優れた酵素電極が得られる。
以下に実施例を示すが、本発明は、これに限定されるも
のではない。なお、%は重量%を示す。
のではない。なお、%は重量%を示す。
〔実施例1〕
直径2Nの白金線表面を紙やすりと0.5μm径のアル
ミナ粉末で研磨後、0.1 mol/βの硫酸水溶液に
浸漬し、対5CE−0,3V 〜+1.3V(7)電位
範囲で1. Q V /SeCの速度で三角波電位走査
を5分間反復し、さらに蒸留水で洗浄後、40°Cで1
5分間乾燥して電気化学的に清浄な表面を得た。
ミナ粉末で研磨後、0.1 mol/βの硫酸水溶液に
浸漬し、対5CE−0,3V 〜+1.3V(7)電位
範囲で1. Q V /SeCの速度で三角波電位走査
を5分間反復し、さらに蒸留水で洗浄後、40°Cで1
5分間乾燥して電気化学的に清浄な表面を得た。
電極表面が水平になるように固定し、2%ウシ血清アル
ブミン(Sigma社製;フラクションV)水溶液に0
.2%になるようにグルタルアルデヒドを添加した液を
マイクロシリンジで5μl点滴した。この試料を、グル
タルアルデヒド水溶液を入れ飽和蒸気雰囲気とした密封
容器に入れ、4°Cで2時間放置した。更に試料を密封
容器より取り出し40℃で30分間処理した。
ブミン(Sigma社製;フラクションV)水溶液に0
.2%になるようにグルタルアルデヒドを添加した液を
マイクロシリンジで5μl点滴した。この試料を、グル
タルアルデヒド水溶液を入れ飽和蒸気雰囲気とした密封
容器に入れ、4°Cで2時間放置した。更に試料を密封
容器より取り出し40℃で30分間処理した。
次に1%グルコースオキシダーゼ(Sigma社製;T
ype II、 36000units/g )と1
%のウシ血清アルブミンを含む0.1 mol/ 7!
リン酸ナトリウム緩衝液(PH7,0)に0.2%にな
るようにグルタルアルデヒドを加え、この2.5μlを
架橋アルブミン層表面に点滴した。これを40°Cで3
0分間処理後、0.1 mol/βリン酸ナトリウム緩
衝液(PH7,0)で洗浄して酵素電極を得た。これを
フロー型測定装置のセルに装着し、ポテンシオスタフト
を用いて対極との電位を+0.6■に設定し、ポンプで
P H7,0の緩衝液を1.0ml/minの速度で流
し、注入口より10mMの過酸化水素、グルコース、ア
スコルビン酸水溶液を10μβずつ注入して、それぞれ
のピーク電流値を比較した。この結果を第1表に示す。
ype II、 36000units/g )と1
%のウシ血清アルブミンを含む0.1 mol/ 7!
リン酸ナトリウム緩衝液(PH7,0)に0.2%にな
るようにグルタルアルデヒドを加え、この2.5μlを
架橋アルブミン層表面に点滴した。これを40°Cで3
0分間処理後、0.1 mol/βリン酸ナトリウム緩
衝液(PH7,0)で洗浄して酵素電極を得た。これを
フロー型測定装置のセルに装着し、ポテンシオスタフト
を用いて対極との電位を+0.6■に設定し、ポンプで
P H7,0の緩衝液を1.0ml/minの速度で流
し、注入口より10mMの過酸化水素、グルコース、ア
スコルビン酸水溶液を10μβずつ注入して、それぞれ
のピーク電流値を比較した。この結果を第1表に示す。
〔比較例1〕
架橋アルブミン層を形成せずに、グルコースオキシダー
ゼ含有層を直接白金線上に形成した以外は実施例1と同
様に測定を行った。その結果を第1表に示す。
ゼ含有層を直接白金線上に形成した以外は実施例1と同
様に測定を行った。その結果を第1表に示す。
〔比較例2〕
直径21mの白金線表面を実施例1と同様に清浄処理し
、架橋アルブミン層を形成した。
、架橋アルブミン層を形成した。
次に1%グルコースオキシダーゼ(Sigma社製;T
ype H,36000units/g )と1%のウ
シ血清アルブミンを含む0.1 mol/ Itリン酸
ナナトリウム緩衝液PI(7,0)に1.0%になるよ
うにグルタルアルデヒドを加え、架橋アルブミン層表面
に点滴して実施例1と同様にグルコースオキシダーゼ含
有層を形成し、同様の測定を行った。この結果を第1表
に示す。
ype H,36000units/g )と1%のウ
シ血清アルブミンを含む0.1 mol/ Itリン酸
ナナトリウム緩衝液PI(7,0)に1.0%になるよ
うにグルタルアルデヒドを加え、架橋アルブミン層表面
に点滴して実施例1と同様にグルコースオキシダーゼ含
有層を形成し、同様の測定を行った。この結果を第1表
に示す。
本発明にかかる実施例1では過酸化水素、グルコースに
は応答を示すが、妨害物質であるアスコルビン酸には応
答を示さず、良好な選択透過層が形成されたことがわか
る。これに対し架橋アルダll− ミン層を有さない比較例1では過酸化水素、グルコース
に対する応答は実施例1とほぼ同じであるが、アスコル
ビン酸に対して過酸化水素の約6割の応答を示しており
妨害物質の影響が大きいことが判る。
は応答を示すが、妨害物質であるアスコルビン酸には応
答を示さず、良好な選択透過層が形成されたことがわか
る。これに対し架橋アルダll− ミン層を有さない比較例1では過酸化水素、グルコース
に対する応答は実施例1とほぼ同じであるが、アスコル
ビン酸に対して過酸化水素の約6割の応答を示しており
妨害物質の影響が大きいことが判る。
グルコースオキシダーゼ含有溶液のグルタルアルデヒド
濃度を1.0%とした比較例2では、アスコルビン酸に
対して過酸化水素の約3割の応答を示しており、架橋ア
ルブミン層がアスコルビン酸を透過させていることが判
る。これはオキシダーゼ含有層より高濃度のグルタルア
ルデヒドが架橋アルブミン層へ浸透するためその選択透
過性が損なわれたためである。
濃度を1.0%とした比較例2では、アスコルビン酸に
対して過酸化水素の約3割の応答を示しており、架橋ア
ルブミン層がアスコルビン酸を透過させていることが判
る。これはオキシダーゼ含有層より高濃度のグルタルア
ルデヒドが架橋アルブミン層へ浸透するためその選択透
過性が損なわれたためである。
第1表
第1表における各数字は、過酸化水素、グルコース、ア
スコルビン酸に対する応答感度を示すものである。
スコルビン酸に対する応答感度を示すものである。
(効果)
本発明は妨害物質の影響を除去した正確、かつ高感度の
酵素電極製造方法であった。
酵素電極製造方法であった。
第1図〜第3図は本発明の酵素電極の製造方法における
各工程を例示するもので、第1図は導電性基体上に架橋
アルブミン層を形成する工程、第2図は該架橋アルブミ
ン層における架橋反応を完結させる工程、第3図は82
0□形成オキシダ一ゼ含有層を形成する工程を示すもの
である。 (1)・・・導電性基体 (2)・・・架橋アルブミン層
各工程を例示するもので、第1図は導電性基体上に架橋
アルブミン層を形成する工程、第2図は該架橋アルブミ
ン層における架橋反応を完結させる工程、第3図は82
0□形成オキシダ一ゼ含有層を形成する工程を示すもの
である。 (1)・・・導電性基体 (2)・・・架橋アルブミン層
Claims (1)
- 導電性基体上に0.1〜0.5重量%濃度の多官能基性
アルデヒドを含むアルブミン溶液を塗布し、0〜10℃
の温度範囲で架橋アルブミン層を形成後、該架橋アルブ
ミン層上に0.5重量%濃度以下の多官能基性アルデヒ
ドとH_2O_2形成オキシダーゼを含有する溶液を塗
布してH_2O_2形成オキシダーゼ含有層を形成する
ことを特徴とする酵素電極の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62014648A JPS63182559A (ja) | 1987-01-24 | 1987-01-24 | 酵素電極の製造方法 |
US07/146,202 US4971901A (en) | 1987-01-24 | 1988-01-20 | Process for preparing enzyme electrodes |
DE88100961T DE3882723T2 (de) | 1987-01-24 | 1988-01-22 | Verfahren zur Herstellung von Enzymelektroden. |
DE198888100961T DE276782T1 (de) | 1987-01-24 | 1988-01-22 | Verfahren zur herstellung von enzymelektroden. |
EP88100961A EP0276782B1 (en) | 1987-01-24 | 1988-01-22 | Process for preparing enzyme electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62014648A JPS63182559A (ja) | 1987-01-24 | 1987-01-24 | 酵素電極の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63182559A true JPS63182559A (ja) | 1988-07-27 |
JPH0235933B2 JPH0235933B2 (ja) | 1990-08-14 |
Family
ID=11867020
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62014648A Granted JPS63182559A (ja) | 1987-01-24 | 1987-01-24 | 酵素電極の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4971901A (ja) |
EP (1) | EP0276782B1 (ja) |
JP (1) | JPS63182559A (ja) |
DE (2) | DE3882723T2 (ja) |
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- 1988-01-22 EP EP88100961A patent/EP0276782B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-01-22 DE DE88100961T patent/DE3882723T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-01-22 DE DE198888100961T patent/DE276782T1/de active Pending
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