JPS63177442A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63177442A JPS63177442A JP757287A JP757287A JPS63177442A JP S63177442 A JPS63177442 A JP S63177442A JP 757287 A JP757287 A JP 757287A JP 757287 A JP757287 A JP 757287A JP S63177442 A JPS63177442 A JP S63177442A
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- insulating film
- interlayer insulating
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 8
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に多層配線構
造を有する半導体装置の層間絶縁膜の製造方法に関する
。
造を有する半導体装置の層間絶縁膜の製造方法に関する
。
近年における半導体装置の高集積化に伴なって、基板上
に形成する配線構造を二層以上の多層に構成した半導体
装置が提案されている。こういった半導体装置の層間絶
縁膜は、一般にＣＶＤ法で形成される。すなわち、第２
図に示すように、半導体基板上の絶縁膜１上に形成され
た下層配線２上にＣＶＤ法により層間絶縁膜を形成し、
次いで、第３図に示すように上層配線金属を形成しフォ
トレジストパターンをマスクにしてエツチングし、上層
配線６を形成していた。
に形成する配線構造を二層以上の多層に構成した半導体
装置が提案されている。こういった半導体装置の層間絶
縁膜は、一般にＣＶＤ法で形成される。すなわち、第２
図に示すように、半導体基板上の絶縁膜１上に形成され
た下層配線２上にＣＶＤ法により層間絶縁膜を形成し、
次いで、第３図に示すように上層配線金属を形成しフォ
トレジストパターンをマスクにしてエツチングし、上層
配線６を形成していた。
上述した従来の製造方法では、配線間隔が狭くなるにつ
れて、第２図に示すように、となり合う配線の層間膜２
３が接近し、空孔７が形成される。この空孔部には、第
３図に示すように、上層配線６の異方性エツチングの際
にエツチング残り６ａを生じ易く、上層配線の短絡の原
因となり、半導体装置の信頼性を低下させるという欠点
があった。
れて、第２図に示すように、となり合う配線の層間膜２
３が接近し、空孔７が形成される。この空孔部には、第
３図に示すように、上層配線６の異方性エツチングの際
にエツチング残り６ａを生じ易く、上層配線の短絡の原
因となり、半導体装置の信頼性を低下させるという欠点
があった。
本発明の目的は、多層配線の層間絶縁膜の表面を平坦に
し、上層配線のエツチング残りの発生を防止し、エツチ
ング残りに起因する上層配線の短絡を未然に防止するこ
とができ、多層配線構造の信卸性を向上することが出来
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
し、上層配線のエツチング残りの発生を防止し、エツチ
ング残りに起因する上層配線の短絡を未然に防止するこ
とができ、多層配線構造の信卸性を向上することが出来
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、多層配線構造を有す
る半導体装置の製造方法において、半導体基板の絶縁膜
上に形成された下層配線を含む表面にＣＶＤ法により層
間絶縁膜を所要の厚さに形成する工程と、その層間絶縁
膜上に有機膜を塗布する工程と、前記有機膜及び前記層
間絶縁膜の一部をエッチバックする工程と、エッチバッ
クで残された前記有機膜を除去する工程と、ＣＶＤ法に
より層間絶縁膜を所要の厚さに形成する工程とを含んで
構成される。
る半導体装置の製造方法において、半導体基板の絶縁膜
上に形成された下層配線を含む表面にＣＶＤ法により層
間絶縁膜を所要の厚さに形成する工程と、その層間絶縁
膜上に有機膜を塗布する工程と、前記有機膜及び前記層
間絶縁膜の一部をエッチバックする工程と、エッチバッ
クで残された前記有機膜を除去する工程と、ＣＶＤ法に
より層間絶縁膜を所要の厚さに形成する工程とを含んで
構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明する
ために工程順に示した断面図である。
。第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明する
ために工程順に示した断面図である。
まず第１図（ａ＞に示す様に絶縁膜１上にアルミニウム
からなる下層配線２を形成し、プラズマＣＶＤ法により
ＳｉＯ２膜３を成長する。次いで、第１図（ｂ）に示す
様にフォトレジスト４を表面が平坦になるように塗布す
る。次に、第１図（ｅ）に示す様に、０２とＣＦ４の混
合ガスを用いた反応性イオンエツチングでフォトレジス
ト及びＳｉＯ２膜をそれぞれ４ａ、３ａのようにエッチ
バックする。しかる後、第１図（ｄ）に示す様に０２プ
ラズマにより、フォトレジスト４ａを剥離する。
からなる下層配線２を形成し、プラズマＣＶＤ法により
ＳｉＯ２膜３を成長する。次いで、第１図（ｂ）に示す
様にフォトレジスト４を表面が平坦になるように塗布す
る。次に、第１図（ｅ）に示す様に、０２とＣＦ４の混
合ガスを用いた反応性イオンエツチングでフォトレジス
ト及びＳｉＯ２膜をそれぞれ４ａ、３ａのようにエッチ
バックする。しかる後、第１図（ｄ）に示す様に０２プ
ラズマにより、フォトレジスト４ａを剥離する。
次いで、第１図（ｅ）に示す様に、プラズマＣＶＤ法で
Ｓ ｉ ０２膜１３を成長し、平坦化された層間絶縁膜
１３を形成する。
Ｓ ｉ ０２膜１３を成長し、平坦化された層間絶縁膜
１３を形成する。
このようにして構成された層間絶縁膜は、平坦で空孔が
無いことから、後の工程において上層配線膜を異方性エ
ツチングする際に、エツチング残りの発生を防止できる
。これにより、上層配線膜のエツチング残りが原因とさ
れる上層配線の短絡事故を未然に防止することができる
。
無いことから、後の工程において上層配線膜を異方性エ
ツチングする際に、エツチング残りの発生を防止できる
。これにより、上層配線膜のエツチング残りが原因とさ
れる上層配線の短絡事故を未然に防止することができる
。
なお、前記実施例では平坦化のための有機膜としてフォ
トレジストを用いたが、フォトレジストに代えて、ポリ
イミド膜を用いても第１の実施例と同様の効果を得るこ
とができる。
トレジストを用いたが、フォトレジストに代えて、ポリ
イミド膜を用いても第１の実施例と同様の効果を得るこ
とができる。
また、前記実施例では、下層配線２をアルミニウムとし
たが配線材料としては、タングステン、モリブデン、そ
の他の高融点金属を用いることもできる。
たが配線材料としては、タングステン、モリブデン、そ
の他の高融点金属を用いることもできる。
更に、前記した二層配線構造に限らず、三層以上の配線
構造においても同様である。
構造においても同様である。
以上説明したように、本発明は層間絶縁膜を形成した後
、有機膜を塗布し、有機膜及び層間絶縁膜の一部をエッ
チバックし、残った有機膜を除去後、再び層間絶縁膜を
被着させる工程を含んでいるので層間絶縁膜が平坦にな
り、上層配線のエツチング残りの発生を防止できる。従
って、エツチング残りが原因となる上層配線の短絡を未
然に防止することができ、多層配線構造の信頼性を向上
することが可能となる。
、有機膜を塗布し、有機膜及び層間絶縁膜の一部をエッ
チバックし、残った有機膜を除去後、再び層間絶縁膜を
被着させる工程を含んでいるので層間絶縁膜が平坦にな
り、上層配線のエツチング残りの発生を防止できる。従
って、エツチング残りが原因となる上層配線の短絡を未
然に防止することができ、多層配線構造の信頼性を向上
することが可能となる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明するた
めに工程順に示した素子要部の断面図、第２図（ａ＞、
（ｂ）は従来の半導体装置の製造方法を説明するために
工程順に示した素子要部の断面図である。 ■・・・絶縁膜、２・・・下層配線、３．３ａ、１Ｂ・
・Ｓ ｉ ０２膜、４．４ａ、１４−・・フォトレジス
ト、５・・・反応性イオンエツチング、６，６ａ・・・
上層配線、７・・・空孔、２３・・・層間絶縁膜。 箭１回 琵株阪 箭 ’Ｚ 回
めに工程順に示した素子要部の断面図、第２図（ａ＞、
（ｂ）は従来の半導体装置の製造方法を説明するために
工程順に示した素子要部の断面図である。 ■・・・絶縁膜、２・・・下層配線、３．３ａ、１Ｂ・
・Ｓ ｉ ０２膜、４．４ａ、１４−・・フォトレジス
ト、５・・・反応性イオンエツチング、６，６ａ・・・
上層配線、７・・・空孔、２３・・・層間絶縁膜。 箭１回 琵株阪 箭 ’Ｚ 回
Claims (1)
- 多層配線構造を有する半導体装置の製造方法において、
半導体基板の絶縁膜上に形成された下層配線を含む表面
にＣＶＤ法により層間絶縁膜を所要の厚さに形成する工
程と、該層間絶縁膜上に有機膜を塗布する工程と、前記
有機膜及び前記層間絶縁膜の一部をエッチバックする工
程と、前記有機膜を除去する工程と、ＣＶＤ法により層
間絶縁膜を所要の厚さに形成する工程とを含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP757287A JPS63177442A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP757287A JPS63177442A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63177442A true JPS63177442A (ja) | 1988-07-21 |
Family
ID=11669525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP757287A Pending JPS63177442A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63177442A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58135645A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60115234A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-01-16 JP JP757287A patent/JPS63177442A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58135645A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60115234A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
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