JPS63177442A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63177442A JPS63177442A JP757287A JP757287A JPS63177442A JP S63177442 A JPS63177442 A JP S63177442A JP 757287 A JP757287 A JP 757287A JP 757287 A JP757287 A JP 757287A JP S63177442 A JPS63177442 A JP S63177442A
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- insulating film
- interlayer insulating
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に多層配線構
造を有する半導体装置の層間絶縁膜の製造方法に関する
。
造を有する半導体装置の層間絶縁膜の製造方法に関する
。
近年における半導体装置の高集積化に伴なって、基板上
に形成する配線構造を二層以上の多層に構成した半導体
装置が提案されている。こういった半導体装置の層間絶
縁膜は、一般にCVD法で形成される。すなわち、第2
図に示すように、半導体基板上の絶縁膜1上に形成され
た下層配線2上にCVD法により層間絶縁膜を形成し、
次いで、第3図に示すように上層配線金属を形成しフォ
トレジストパターンをマスクにしてエツチングし、上層
配線6を形成していた。
に形成する配線構造を二層以上の多層に構成した半導体
装置が提案されている。こういった半導体装置の層間絶
縁膜は、一般にCVD法で形成される。すなわち、第2
図に示すように、半導体基板上の絶縁膜1上に形成され
た下層配線2上にCVD法により層間絶縁膜を形成し、
次いで、第3図に示すように上層配線金属を形成しフォ
トレジストパターンをマスクにしてエツチングし、上層
配線6を形成していた。
上述した従来の製造方法では、配線間隔が狭くなるにつ
れて、第2図に示すように、となり合う配線の層間膜2
3が接近し、空孔7が形成される。この空孔部には、第
3図に示すように、上層配線6の異方性エツチングの際
にエツチング残り6aを生じ易く、上層配線の短絡の原
因となり、半導体装置の信頼性を低下させるという欠点
があった。
れて、第2図に示すように、となり合う配線の層間膜2
3が接近し、空孔7が形成される。この空孔部には、第
3図に示すように、上層配線6の異方性エツチングの際
にエツチング残り6aを生じ易く、上層配線の短絡の原
因となり、半導体装置の信頼性を低下させるという欠点
があった。
本発明の目的は、多層配線の層間絶縁膜の表面を平坦に
し、上層配線のエツチング残りの発生を防止し、エツチ
ング残りに起因する上層配線の短絡を未然に防止するこ
とができ、多層配線構造の信卸性を向上することが出来
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
し、上層配線のエツチング残りの発生を防止し、エツチ
ング残りに起因する上層配線の短絡を未然に防止するこ
とができ、多層配線構造の信卸性を向上することが出来
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、多層配線構造を有す
る半導体装置の製造方法において、半導体基板の絶縁膜
上に形成された下層配線を含む表面にCVD法により層
間絶縁膜を所要の厚さに形成する工程と、その層間絶縁
膜上に有機膜を塗布する工程と、前記有機膜及び前記層
間絶縁膜の一部をエッチバックする工程と、エッチバッ
クで残された前記有機膜を除去する工程と、CVD法に
より層間絶縁膜を所要の厚さに形成する工程とを含んで
構成される。
る半導体装置の製造方法において、半導体基板の絶縁膜
上に形成された下層配線を含む表面にCVD法により層
間絶縁膜を所要の厚さに形成する工程と、その層間絶縁
膜上に有機膜を塗布する工程と、前記有機膜及び前記層
間絶縁膜の一部をエッチバックする工程と、エッチバッ
クで残された前記有機膜を除去する工程と、CVD法に
より層間絶縁膜を所要の厚さに形成する工程とを含んで
構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第1図(a)〜(e)は本発明の一実施例を説明する
ために工程順に示した断面図である。
。第1図(a)〜(e)は本発明の一実施例を説明する
ために工程順に示した断面図である。
まず第1図(a>に示す様に絶縁膜1上にアルミニウム
からなる下層配線2を形成し、プラズマCVD法により
SiO2膜3を成長する。次いで、第1図(b)に示す
様にフォトレジスト4を表面が平坦になるように塗布す
る。次に、第1図(e)に示す様に、02とCF4の混
合ガスを用いた反応性イオンエツチングでフォトレジス
ト及びSiO2膜をそれぞれ4a、3aのようにエッチ
バックする。しかる後、第1図(d)に示す様に02プ
ラズマにより、フォトレジスト4aを剥離する。
からなる下層配線2を形成し、プラズマCVD法により
SiO2膜3を成長する。次いで、第1図(b)に示す
様にフォトレジスト4を表面が平坦になるように塗布す
る。次に、第1図(e)に示す様に、02とCF4の混
合ガスを用いた反応性イオンエツチングでフォトレジス
ト及びSiO2膜をそれぞれ4a、3aのようにエッチ
バックする。しかる後、第1図(d)に示す様に02プ
ラズマにより、フォトレジスト4aを剥離する。
次いで、第1図(e)に示す様に、プラズマCVD法で
S i 02膜13を成長し、平坦化された層間絶縁膜
13を形成する。
S i 02膜13を成長し、平坦化された層間絶縁膜
13を形成する。
このようにして構成された層間絶縁膜は、平坦で空孔が
無いことから、後の工程において上層配線膜を異方性エ
ツチングする際に、エツチング残りの発生を防止できる
。これにより、上層配線膜のエツチング残りが原因とさ
れる上層配線の短絡事故を未然に防止することができる
。
無いことから、後の工程において上層配線膜を異方性エ
ツチングする際に、エツチング残りの発生を防止できる
。これにより、上層配線膜のエツチング残りが原因とさ
れる上層配線の短絡事故を未然に防止することができる
。
なお、前記実施例では平坦化のための有機膜としてフォ
トレジストを用いたが、フォトレジストに代えて、ポリ
イミド膜を用いても第1の実施例と同様の効果を得るこ
とができる。
トレジストを用いたが、フォトレジストに代えて、ポリ
イミド膜を用いても第1の実施例と同様の効果を得るこ
とができる。
また、前記実施例では、下層配線2をアルミニウムとし
たが配線材料としては、タングステン、モリブデン、そ
の他の高融点金属を用いることもできる。
たが配線材料としては、タングステン、モリブデン、そ
の他の高融点金属を用いることもできる。
更に、前記した二層配線構造に限らず、三層以上の配線
構造においても同様である。
構造においても同様である。
以上説明したように、本発明は層間絶縁膜を形成した後
、有機膜を塗布し、有機膜及び層間絶縁膜の一部をエッ
チバックし、残った有機膜を除去後、再び層間絶縁膜を
被着させる工程を含んでいるので層間絶縁膜が平坦にな
り、上層配線のエツチング残りの発生を防止できる。従
って、エツチング残りが原因となる上層配線の短絡を未
然に防止することができ、多層配線構造の信頼性を向上
することが可能となる。
、有機膜を塗布し、有機膜及び層間絶縁膜の一部をエッ
チバックし、残った有機膜を除去後、再び層間絶縁膜を
被着させる工程を含んでいるので層間絶縁膜が平坦にな
り、上層配線のエツチング残りの発生を防止できる。従
って、エツチング残りが原因となる上層配線の短絡を未
然に防止することができ、多層配線構造の信頼性を向上
することが可能となる。
第1図(a)〜(e)は本発明の一実施例を説明するた
めに工程順に示した素子要部の断面図、第2図(a>、
(b)は従来の半導体装置の製造方法を説明するために
工程順に示した素子要部の断面図である。 ■・・・絶縁膜、2・・・下層配線、3.3a、1B・
・S i 02膜、4.4a、14−・・フォトレジス
ト、5・・・反応性イオンエツチング、6,6a・・・
上層配線、7・・・空孔、23・・・層間絶縁膜。 箭1回 琵株阪 箭 ’Z 回
めに工程順に示した素子要部の断面図、第2図(a>、
(b)は従来の半導体装置の製造方法を説明するために
工程順に示した素子要部の断面図である。 ■・・・絶縁膜、2・・・下層配線、3.3a、1B・
・S i 02膜、4.4a、14−・・フォトレジス
ト、5・・・反応性イオンエツチング、6,6a・・・
上層配線、7・・・空孔、23・・・層間絶縁膜。 箭1回 琵株阪 箭 ’Z 回
Claims (1)
- 多層配線構造を有する半導体装置の製造方法において、
半導体基板の絶縁膜上に形成された下層配線を含む表面
にCVD法により層間絶縁膜を所要の厚さに形成する工
程と、該層間絶縁膜上に有機膜を塗布する工程と、前記
有機膜及び前記層間絶縁膜の一部をエッチバックする工
程と、前記有機膜を除去する工程と、CVD法により層
間絶縁膜を所要の厚さに形成する工程とを含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP757287A JPS63177442A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP757287A JPS63177442A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63177442A true JPS63177442A (ja) | 1988-07-21 |
Family
ID=11669525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP757287A Pending JPS63177442A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63177442A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58135645A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS60115234A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-01-16 JP JP757287A patent/JPS63177442A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58135645A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS60115234A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
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