JPS631737B2 - - Google Patents
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- JPS631737B2 JPS631737B2 JP55027871A JP2787180A JPS631737B2 JP S631737 B2 JPS631737 B2 JP S631737B2 JP 55027871 A JP55027871 A JP 55027871A JP 2787180 A JP2787180 A JP 2787180A JP S631737 B2 JPS631737 B2 JP S631737B2
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 abstract 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/015—Special provisions for self-healing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/14—Organic dielectrics
- H01G4/145—Organic dielectrics vapour deposited
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Stopping Of Electric Motors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、少なくとも２つの対向極の金属層お
よびグロー重合体からなる誘電体層が基板上にあ
つて、金属層および誘電体層は合同かつ平行四辺
形に形成され、しかも相互に横方向にずらされて
おり、そして２つの互いに対向する辺にそれぞれ
１つの極の金属層が接触帯に沿つて接触している
ような自己回復性積層コンデンサに関する。
よびグロー重合体からなる誘電体層が基板上にあ
つて、金属層および誘電体層は合同かつ平行四辺
形に形成され、しかも相互に横方向にずらされて
おり、そして２つの互いに対向する辺にそれぞれ
１つの極の金属層が接触帯に沿つて接触している
ような自己回復性積層コンデンサに関する。
この種のコンデンサは他の立場で既に提案され
ている。このコンデンサにおいては２つの対向極
の金属層が辺をそろえて重なり合つていて、誘電
体層によつてのみ互いに隔てられている。それに
よつて辺の付近に表面絶縁破壊が生じ、これはそ
れらの層の自己回復性によつて回復するが、しか
し十分な絶縁が生ぜしめられるまでそれらの層の
比較的幅の広い帯部分を破壊する。
ている。このコンデンサにおいては２つの対向極
の金属層が辺をそろえて重なり合つていて、誘電
体層によつてのみ互いに隔てられている。それに
よつて辺の付近に表面絶縁破壊が生じ、これはそ
れらの層の自己回復性によつて回復するが、しか
し十分な絶縁が生ぜしめられるまでそれらの層の
比較的幅の広い帯部分を破壊する。
さらに誘電体層は側方の境界部付近に、原則的
にグロー重合体層の公知の製造方法によつては避
けられ得ない弱点部を有する。
にグロー重合体層の公知の製造方法によつては避
けられ得ない弱点部を有する。
ドイツ連邦共和国実用新案第1965296号からこ
の種の層を台形状に形成し、その台形の互いに平
行な側面に対して直角な方向にずらして配置する
ことが既に知られている。しかし、この種のコン
デンサは原則的に基板の比較的低い面利用率を前
提とする。というのは、一方では台形が矩形から
僅かしかはずれていない場合に斜めの台形側面の
ところで必要な絶縁帯を得るには個々の層の比較
的大きい相互のずらしが必要であるからであり、
他方では矩形から大きくはずれている場合にこれ
によつて非常に短くなる台形の互いに平行する辺
のうちの短い方の辺における接触が問題となるか
らである。また、十分な接触を保証するために、
台形の互いに平行な辺の間隔を非常に短く選定す
る場合には、接触帯の幅は容量性有効幅に比べて
著しく重要となる。従つてこの場合も、非常に低
い基板面利用率が生じることになる。
の種の層を台形状に形成し、その台形の互いに平
行な側面に対して直角な方向にずらして配置する
ことが既に知られている。しかし、この種のコン
デンサは原則的に基板の比較的低い面利用率を前
提とする。というのは、一方では台形が矩形から
僅かしかはずれていない場合に斜めの台形側面の
ところで必要な絶縁帯を得るには個々の層の比較
的大きい相互のずらしが必要であるからであり、
他方では矩形から大きくはずれている場合にこれ
によつて非常に短くなる台形の互いに平行する辺
のうちの短い方の辺における接触が問題となるか
らである。また、十分な接触を保証するために、
台形の互いに平行な辺の間隔を非常に短く選定す
る場合には、接触帯の幅は容量性有効幅に比べて
著しく重要となる。従つてこの場合も、非常に低
い基板面利用率が生じることになる。
この種のコンデンサを個別に、即ち特に層回路
に集積化しないで販売しようとする場合には、製
造技術上の理由から分離装置を簡単に構成するこ
とができるようにするために構成素子の２つの互
いに対向する面が互いにそれぞれ平行であること
が熱望される。これは従来のコンデンサの場合に
は利用される基板面の一層の減少をもたらす。
に集積化しないで販売しようとする場合には、製
造技術上の理由から分離装置を簡単に構成するこ
とができるようにするために構成素子の２つの互
いに対向する面が互いにそれぞれ平行であること
が熱望される。これは従来のコンデンサの場合に
は利用される基板面の一層の減少をもたらす。
本発明の目的は冒頭に述べたコンデンサの静電
容量有効範囲のための基板面利用率を向上させる
ことにある。
容量有効範囲のための基板面利用率を向上させる
ことにある。
この目的は本発明によれば、平行四辺形の誘電
体層もしくは金属層のそれぞれが直接に隣接する
金属層もしくは誘電体層に対してそれらの層のい
ずれの辺に対しても平行しない方向に平行移動さ
れていることによつて達成される。
体層もしくは金属層のそれぞれが直接に隣接する
金属層もしくは誘電体層に対してそれらの層のい
ずれの辺に対しても平行しない方向に平行移動さ
れていることによつて達成される。
互いに対向する接触帯に沿つて金属層を接触さ
せるためには、接触帯に対して直角方向の移動成
分は接触帯に平行な移動成分よりも大きいことが
好ましい。
せるためには、接触帯に対して直角方向の移動成
分は接触帯に平行な移動成分よりも大きいことが
好ましい。
誘電体層および金属層は矩形状に形成すること
が好ましい。比較的狭い接触帯の場合にはとくに
正方形の層が適当である。矩形状の層もしくは特
殊の場合で正方形の層については接触帯に対して
直角方向の移動成分が約200μmで接触帯に対して
平行方向の移動成分が約100μmであるならば適当
である。
が好ましい。比較的狭い接触帯の場合にはとくに
正方形の層が適当である。矩形状の層もしくは特
殊の場合で正方形の層については接触帯に対して
直角方向の移動成分が約200μmで接触帯に対して
平行方向の移動成分が約100μmであるならば適当
である。
接触帯に対して平行方向の移動成分はグロー重
合体の縁部層の厚み低下を考慮する。接触帯に対
して直角方向の移動成分は上記の厚み低下に加え
て接続要素もしくは接触層にとつて必要な両接続
要素もしくは接触層間の間隔の幅および許容誤差
を考慮する。この場合にそれぞれ金属層の重なり
合う部分が意のまゝになる。その幅が十分でない
場合には接触帯は上記の厚み低下にとつて必要で
あるよりも幅を広くされなければならない。
合体の縁部層の厚み低下を考慮する。接触帯に対
して直角方向の移動成分は上記の厚み低下に加え
て接続要素もしくは接触層にとつて必要な両接続
要素もしくは接触層間の間隔の幅および許容誤差
を考慮する。この場合にそれぞれ金属層の重なり
合う部分が意のまゝになる。その幅が十分でない
場合には接触帯は上記の厚み低下にとつて必要で
あるよりも幅を広くされなければならない。
本発明によるコンデンサは、平行四辺形の絞り
口を有するただ１つの絞りが使用され、コーテイ
ングされるべき基板に対して２つの相前後する層
の形成間に横方向に移動されるような製造方法に
より作られると有利である。しかも、その製造方
法では絞りは少なくともグロー重合体層の形成前
に基板もしくは基板上にある最も上の層と接触さ
せられ、その絞りが層形成後基板から離され、絞
り口のどの辺にも平行でない方向に移動されるこ
とによつて基板に対して平行移動され、そして再
び基板もしくは最上層と接触させられる。
口を有するただ１つの絞りが使用され、コーテイ
ングされるべき基板に対して２つの相前後する層
の形成間に横方向に移動されるような製造方法に
より作られると有利である。しかも、その製造方
法では絞りは少なくともグロー重合体層の形成前
に基板もしくは基板上にある最も上の層と接触さ
せられ、その絞りが層形成後基板から離され、絞
り口のどの辺にも平行でない方向に移動されるこ
とによつて基板に対して平行移動され、そして再
び基板もしくは最上層と接触させられる。
ただ１つの絞りの使用は合同な層の形成を可能
にする。既に形成された層が移動時に絞りによつ
て傷つけられないようにするために絞りの移動前
の持ち上げは不可欠である。とくに形成される層
が多い場合には容量性有効範囲がそれの周辺に対
して高くなる。したがつて絞りは既に形成された
層の全厚よりも大きい量だけ基板から離されて移
動される。
にする。既に形成された層が移動時に絞りによつ
て傷つけられないようにするために絞りの移動前
の持ち上げは不可欠である。とくに形成される層
が多い場合には容量性有効範囲がそれの周辺に対
して高くなる。したがつて絞りは既に形成された
層の全厚よりも大きい量だけ基板から離されて移
動される。
絞りを３つの定められた位置に適当な順序で移
動させることによつて正確に重なり合う同じよう
な層が得られる。それらの３つの定められた位置
のうちの１つずつがそれぞれ１つの極の金属層に
対応させられ、そして残りの１つがすべての誘電
体層に対応させられる。個々の位置が取られる順
序は形成すべき層順序にしたがつて決められる。
動させることによつて正確に重なり合う同じよう
な層が得られる。それらの３つの定められた位置
のうちの１つずつがそれぞれ１つの極の金属層に
対応させられ、そして残りの１つがすべての誘電
体層に対応させられる。個々の位置が取られる順
序は形成すべき層順序にしたがつて決められる。
以下図面に示す２つの図を参照しながら本発明
をさらに詳細に説明する。なお本発明はこれらの
図に示された例に限定されるものではない。
をさらに詳細に説明する。なお本発明はこれらの
図に示された例に限定されるものではない。
第１図は本発明によるコンデンサを示し、第２
図は第１図の誘電体層の断面図を示す。
図は第１図の誘電体層の断面図を示す。
コンデンサの基板１と接触層２および８が物質
結合している。第１の金属層３が基板上に形成さ
れ接触層２と重なり合つている。この金属層３上
にはグロー重合体層が設けられている。このグロ
ー重合体層４は第１の金属層３に対して金属層３
のどの辺とも平行しない方向にずらされている。
このグロー重合体層４上には第２の金属層５が設
けられている。これは同様にグロー重合体層４に
対してグロー重合体層４のどの辺に対しても平行
でない方向に平行移動されている。移動は図示の
例では正方形に形成された層３〜５の対角線方向
に行なわれる。斜線で示されているグロー重合体
層４は厚みが急減して終には零になる縁部７を有
する。この縁部は例えば絞り口においてグロー重
合体層を形成するときに生じる。狭い斜線で示さ
れているコンデンサの静電容量的に有効な範囲６
の外側にある広い斜線で示されているグロー重合
体層の部分はグロー重合体層４の縁部７よりも幅
広である。これによつて静電容量有効範囲におい
て十分な誘電体強度およびそれにともなつて十分
な耐電圧が保証される。
結合している。第１の金属層３が基板上に形成さ
れ接触層２と重なり合つている。この金属層３上
にはグロー重合体層が設けられている。このグロ
ー重合体層４は第１の金属層３に対して金属層３
のどの辺とも平行しない方向にずらされている。
このグロー重合体層４上には第２の金属層５が設
けられている。これは同様にグロー重合体層４に
対してグロー重合体層４のどの辺に対しても平行
でない方向に平行移動されている。移動は図示の
例では正方形に形成された層３〜５の対角線方向
に行なわれる。斜線で示されているグロー重合体
層４は厚みが急減して終には零になる縁部７を有
する。この縁部は例えば絞り口においてグロー重
合体層を形成するときに生じる。狭い斜線で示さ
れているコンデンサの静電容量的に有効な範囲６
の外側にある広い斜線で示されているグロー重合
体層の部分はグロー重合体層４の縁部７よりも幅
広である。これによつて静電容量有効範囲におい
て十分な誘電体強度およびそれにともなつて十分
な耐電圧が保証される。
第２の金属層６は接触帯９を形成する一方の辺
に沿つて第２の接触層８と重なり合う。第１の金
属層３は第１の接触層２との重なり範囲のところ
に同様の接触帯１０を形成する。
に沿つて第２の接触層８と重なり合う。第１の金
属層３は第１の接触層２との重なり範囲のところ
に同様の接触帯１０を形成する。
個々の層を相互に斜めにずらすことによつて生
ぜしめられる静電容量的に有効でない層部分は、
接触させられない層の辺に対して平行にずらされ
る場合に生じ得る静電容量的に有効でない帯状部
分よりも著しく小さい。これはコンデンサ破壊時
における縁部範囲での表面絶縁破壊および回復ブ
レークダウンによつて生ぜしめられる。
ぜしめられる静電容量的に有効でない層部分は、
接触させられない層の辺に対して平行にずらされ
る場合に生じ得る静電容量的に有効でない帯状部
分よりも著しく小さい。これはコンデンサ破壊時
における縁部範囲での表面絶縁破壊および回復ブ
レークダウンによつて生ぜしめられる。
コンデンサ破壊時には短絡除去に適した定格電
圧以上に達する電圧が金属層間に印加される。こ
れによつて、ぎざぎざの帯状部が焼尽除去され、
その帯状部の幅は本発明装置の整然とした狭い帯
状部よりも大きくなければならない。
圧以上に達する電圧が金属層間に印加される。こ
れによつて、ぎざぎざの帯状部が焼尽除去され、
その帯状部の幅は本発明装置の整然とした狭い帯
状部よりも大きくなければならない。
さらに、破壊によつて接触帯に原則としてはか
なり強い負担がかかる。この負担は本発明によつ
て著しく軽減される。
なり強い負担がかかる。この負担は本発明によつ
て著しく軽減される。
グロー重合体層４は一般に金属層３もしくは５
よりも遥かに厚い。したがそてグロー重合体層４
によつておおわれる範囲はそれの周囲よりも高く
なる。静電容量的に有効な範囲ではそこに全部そ
ろつて存在する金属層によつて一層の高まりが生
じる。それにもかかわらず、コンデンサ製造時
に、それによつて既に形成された層を傷つけるこ
となく絞りを移動することができるようにするた
めに、その移動の前に一方の極の金属層の厚みを
除いた形成された層の総和よりも厚い量だけ絞り
が持ち上げられる。一方の極の金属層は積層体の
厚みの僅かの部分でしかないので、簡単に言え
ば、絞りは少なくともすべての形成された層の厚
みの和だけ持ち上げられることになるのである。
この値は測定技術的に容易に決めることができ
る。
よりも遥かに厚い。したがそてグロー重合体層４
によつておおわれる範囲はそれの周囲よりも高く
なる。静電容量的に有効な範囲ではそこに全部そ
ろつて存在する金属層によつて一層の高まりが生
じる。それにもかかわらず、コンデンサ製造時
に、それによつて既に形成された層を傷つけるこ
となく絞りを移動することができるようにするた
めに、その移動の前に一方の極の金属層の厚みを
除いた形成された層の総和よりも厚い量だけ絞り
が持ち上げられる。一方の極の金属層は積層体の
厚みの僅かの部分でしかないので、簡単に言え
ば、絞りは少なくともすべての形成された層の厚
みの和だけ持ち上げられることになるのである。
この値は測定技術的に容易に決めることができ
る。
第１図は本発明によるコンデンサの一実施例の
平面図、第２図は第１図の誘電体層の断面図を示
す。 １…基板、２，８…接触層、３，５…金属層、
４…グロー重合体層、６…静電容量的に有効な範
囲、９，１０…接触帯。
平面図、第２図は第１図の誘電体層の断面図を示
す。 １…基板、２，８…接触層、３，５…金属層、
４…グロー重合体層、６…静電容量的に有効な範
囲、９，１０…接触帯。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも２つの対向極の金属層と１つのグ
ロー重合体からなる誘電体層とが基板上に設けら
れ、金属層とおよび誘電体層は平行四辺形で合同
に形成されて互いに横方向にずらして設けられ、
２つの互いに対向する辺のそれぞれに一方の極の
金属層が接触帯に沿つて接触させられているよう
な自己回復性積層コンデンサにおいて、平行四辺
形の誘電体層もしくは金属層のそれぞれは直接に
隣り合う金属層もしくは誘電体層に対して層のど
の辺にも平行でない方向に平行移動されているこ
とを特徴とする自己回復性積層コンデンサ。 ２ 接触帯に対して直角な方向の移動成分は接触
帯に対して平行な方向の移動成分よりも大きいこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のコン
デンサ。 ３ 誘電体層および金属層は長方形に形成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項また
は第２項記載のコンデンサ。 ４ 誘電体層および金属層は正方形に形成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載
のコンデンサ。 ５ 接触帯に対して直角な方向の移動成分は約
200μmであり、接触帯に対して平行な移動成分は
約100μmであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項ないし第４項のいずれかに記載のコンデン
サ。 ６ 平行四辺形の絞り口を有するただ１つの絞り
が使用され、層を形成すべき基板に対して２つの
相前後する層の形成間に横方向にずらされ、しか
もその絞りは少なくともグロー重合体層形成前に
基板もしくは基板上で最も上にある層と接触させ
られ、その絞りは層形成後基板から離されて基板
に対して絞り口のどの辺にも平行でない方向に基
板に対し平行移動され、再び基板もしくは最上層
と接触させられることを特徴とする自己回復性積
層コンデンサの製造方法。 ７ 絞りは３つの定められた位置へ順番に動かさ
れ、これら３つの定められた位置のうちの各１つ
がそれぞれ１つの極の金属層に対応させられ、残
りの１つがすべての誘電体層に対応させられるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の製造
方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19792908467 DE2908467A1 (de) | 1979-03-05 | 1979-03-05 | Regenerierfaehiger elektrischer schichtkondensator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55120122A JPS55120122A (en) | 1980-09-16 |
| JPS631737B2 true JPS631737B2 (ja) | 1988-01-13 |
Family
ID=6064481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2787180A Granted JPS55120122A (en) | 1979-03-05 | 1980-03-05 | Selffrecovery laminated capacitor and method of manufacturing same |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4379182A (ja) |
| EP (1) | EP0015532B1 (ja) |
| JP (1) | JPS55120122A (ja) |
| AT (1) | ATE4756T1 (ja) |
| BR (1) | BR8001289A (ja) |
| DE (1) | DE2908467A1 (ja) |
| ES (2) | ES249057Y (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3110351A1 (de) * | 1981-03-17 | 1982-09-30 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von elektrischen schichtkondensatoren mit glimmpolymerisatschichten als dielektrika |
| DE3214991A1 (de) * | 1982-04-22 | 1983-11-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiterbaustein mit diskretem kondensator |
| DE3231577A1 (de) * | 1982-08-25 | 1984-03-01 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Umhuellter regenerierfaehiger elektrischer schichtkondensator |
| US5018048A (en) * | 1983-12-19 | 1991-05-21 | Spectrum Control, Inc. | Miniaturized monolithic multi-layer capacitor and apparatus and method for making |
| US4842893A (en) * | 1983-12-19 | 1989-06-27 | Spectrum Control, Inc. | High speed process for coating substrates |
| US5097800A (en) * | 1983-12-19 | 1992-03-24 | Spectrum Control, Inc. | High speed apparatus for forming capacitors |
| US5032461A (en) * | 1983-12-19 | 1991-07-16 | Spectrum Control, Inc. | Method of making a multi-layered article |
| US5125138A (en) * | 1983-12-19 | 1992-06-30 | Spectrum Control, Inc. | Miniaturized monolithic multi-layer capacitor and apparatus and method for making same |
| US5717563A (en) * | 1996-06-10 | 1998-02-10 | Aerovox Incorporated | Electrode patterning in metallized electrode capacitors |
| CN104064354A (zh) * | 2014-06-26 | 2014-09-24 | 四川美丰云母工业有限责任公司 | 大功率谐振电容器的制造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3330696A (en) * | 1967-07-11 | Method of fabricating thin film capacitors | ||
| NL217069A (ja) * | 1956-06-26 | 1900-01-01 | ||
| US3252830A (en) * | 1958-03-05 | 1966-05-24 | Gen Electric | Electric capacitor and method for making the same |
| US3326718A (en) * | 1963-12-30 | 1967-06-20 | Hughes Aircraft Co | Method for making an electrical capacitor |
| FR1448599A (fr) * | 1964-09-30 | 1966-08-05 | Philips Nv | Procédé d'application de couches qui se chevauchent partiellement, en particulier pour un condensateur électrique |
| NL6512525A (ja) * | 1964-09-30 | 1966-03-31 | ||
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| DE2652383C3 (de) * | 1976-11-17 | 1980-08-21 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung von elektrisch isolierenden Schichten durch Polymerisation von Gasen mittels einer'"'1"111611 Wechselspannung |
| FR2379889A1 (fr) * | 1977-02-08 | 1978-09-01 | Thomson Csf | Dielectrique constitue par un polymere en couche mince, procede de fabrication de ladite couche, et condensateurs electriques comportant un tel dielectrique |
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