JPS63173332A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS63173332A JPS63173332A JP550987A JP550987A JPS63173332A JP S63173332 A JPS63173332 A JP S63173332A JP 550987 A JP550987 A JP 550987A JP 550987 A JP550987 A JP 550987A JP S63173332 A JPS63173332 A JP S63173332A
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- psg
- si3n4
- bonding pad
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- Pending
Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、耐湿性向上を目的とした半導体集積回路装置
に関し、特にＰ２Ｏ膜、すなわちリンガラス及び８１ｓ
Ｎ４膜からなるパシベーション構造に関する。
に関し、特にＰ２Ｏ膜、すなわちリンガラス及び８１ｓ
Ｎ４膜からなるパシベーション構造に関する。
従来の技術としては、ＰＳＧ膜とＳ ｉ ｓ Ｎ４膜と
を１回のカバーＰＲで開孔しておシ、その開孔部側壁に
おいてＰＳＧ膜が露出した状態となっている。
を１回のカバーＰＲで開孔しておシ、その開孔部側壁に
おいてＰＳＧ膜が露出した状態となっている。
−例として第４図ヘボンディングパッド用アルミ上に開
孔したパシベーション構造を示す。第４図において、１
２は５ｉ０２．１３はポンディングパッド用Ａｆｉ、１
４はＰＳＧ膜、１５はＳｉ３Ｎ４膜である。
孔したパシベーション構造を示す。第４図において、１
２は５ｉ０２．１３はポンディングパッド用Ａｆｉ、１
４はＰＳＧ膜、１５はＳｉ３Ｎ４膜である。
上述した従来のポンディングパッド部におけるパシベー
ション膜開孔後の側壁部では、ＰＳＧ膜１４が露出して
いるために、リード線からポンディングパッドに侵入し
た水分でＰＳＧ膜のリンと反応し、ポンディングパッド
用Ａｆｉを腐食させるいわゆるパッドコロ−ジョンを起
こし、電気的な絶縁状態を引き起こし耐湿性を悪化させ
るという欠点があった。
ション膜開孔後の側壁部では、ＰＳＧ膜１４が露出して
いるために、リード線からポンディングパッドに侵入し
た水分でＰＳＧ膜のリンと反応し、ポンディングパッド
用Ａｆｉを腐食させるいわゆるパッドコロ−ジョンを起
こし、電気的な絶縁状態を引き起こし耐湿性を悪化させ
るという欠点があった。
本発明のポンディングパッド部におけるカバーエツチン
グ後の側壁部は、ＰＳＧ膜をその上層部にあるＳｉ３Ｎ
４膜で完全に包囲した構造となっている。
グ後の側壁部は、ＰＳＧ膜をその上層部にあるＳｉ３Ｎ
４膜で完全に包囲した構造となっている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
Ｓｉ０ｚ層間膜４上のボンディングバット用Ａｌｌにお
いて、５ｉｌＮ４膜３がＰＳＧＳ２Ｏ２壁部まで覆って
いる。第２図は第１図の平面図であり、５はポンディン
グパッド用Ａｆｉ、６は第１カバー窓、７は第２カバー
窓を示す。第１のカバーマスクとしてＰＳＧカバーのエ
ツチングを行い、次に第２のカバーマスクとしてＰＳＧ
膜を完全に覆ったマージン例えば８μｍ程度のマージン
でＳｉ３Ｎ４カバーエツチングを行う。
いて、５ｉｌＮ４膜３がＰＳＧＳ２Ｏ２壁部まで覆って
いる。第２図は第１図の平面図であり、５はポンディン
グパッド用Ａｆｉ、６は第１カバー窓、７は第２カバー
窓を示す。第１のカバーマスクとしてＰＳＧカバーのエ
ツチングを行い、次に第２のカバーマスクとしてＰＳＧ
膜を完全に覆ったマージン例えば８μｍ程度のマージン
でＳｉ３Ｎ４カバーエツチングを行う。
〔実施例２〕
第３図は本発明の実施例２の断面図である。実施例２で
は５ｉ０２層間膜１１上にＰＳＧカバーマスクとしてボ
ンディングバット用１ｔ８の縁端部と一致するようＶｃ
ＰＳＧ膜９をエツチングし、次にＳｉ、Ｎ４カバーエツ
チング１０をＰＳＧ膜を完全に覆うマージンで行う。こ
の実施例ではＰＳＧ膜がＡｆｉ上に重ならないので、実
施例ＩＫ比べＳｉ３Ｎ４膜を平胆な構造でつくることＫ
なり、クラクク発生を防ぐ利点がある。
は５ｉ０２層間膜１１上にＰＳＧカバーマスクとしてボ
ンディングバット用１ｔ８の縁端部と一致するようＶｃ
ＰＳＧ膜９をエツチングし、次にＳｉ、Ｎ４カバーエツ
チング１０をＰＳＧ膜を完全に覆うマージンで行う。こ
の実施例ではＰＳＧ膜がＡｆｉ上に重ならないので、実
施例ＩＫ比べＳｉ３Ｎ４膜を平胆な構造でつくることＫ
なり、クラクク発生を防ぐ利点がある。
本発明の半導体集積回路装置においては、バットコロー
ジブンを起こさないように、ＰＳＧ膜とＳｉｓＮ４膜の
カバー窓を２回に分け、カバー窓の側壁部をＳｉ３Ｎ４
膜で完全に覆ってしまうことにより、ＰＳＧ膜の露出を
防ぎ、半導体集積回路装置の耐湿性向上に寄与する効果
がある。
ジブンを起こさないように、ＰＳＧ膜とＳｉｓＮ４膜の
カバー窓を２回に分け、カバー窓の側壁部をＳｉ３Ｎ４
膜で完全に覆ってしまうことにより、ＰＳＧ膜の露出を
防ぎ、半導体集積回路装置の耐湿性向上に寄与する効果
がある。
第１図は本発明の実施例１の断面図、第２図は本発明の
実施例１の平面図、第３図は本発明の実施例２の断面図
、第４図は従来の半導体集積回路ポンディングパッド部
の断面図である。 １、５．８．１３・・・・・・ポンディングパッド用Ａ
ｆｉ 。 ２、９．１４・・・・・・ＰＳＧ、３，１０．１５・・
・・・・Ｓｉ３Ｎ４．４、１１．１２・・・・・・Ｓｉ
０．．６・・・・・・第１カバー窓、７・・・・・・第
２カバー窓。
実施例１の平面図、第３図は本発明の実施例２の断面図
、第４図は従来の半導体集積回路ポンディングパッド部
の断面図である。 １、５．８．１３・・・・・・ポンディングパッド用Ａ
ｆｉ 。 ２、９．１４・・・・・・ＰＳＧ、３，１０．１５・・
・・・・Ｓｉ３Ｎ４．４、１１．１２・・・・・・Ｓｉ
０．．６・・・・・・第１カバー窓、７・・・・・・第
２カバー窓。
Claims (1)
- ＰＳＧ膜及びＳｉ＿３Ｎ＿４膜からなるパシベーション
構造をもつ半導体集積回路装置において、上記パシベー
ション膜開孔側壁部のＰＳＧ膜をＳｉ＿３Ｎ＿４膜で包
囲したことを特徴とした半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP550987A JPS63173332A (ja) | 1987-01-12 | 1987-01-12 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP550987A JPS63173332A (ja) | 1987-01-12 | 1987-01-12 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63173332A true JPS63173332A (ja) | 1988-07-16 |
Family
ID=11613162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP550987A Pending JPS63173332A (ja) | 1987-01-12 | 1987-01-12 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63173332A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006312490A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-11-16 | Akihiro Kasuga | 吸着体収納具及び容器入り吸着体 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5559728A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-06 | Hitachi Ltd | Insulating coating structure |
| JPS5685829A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-13 | Fujitsu Ltd | Passivation structure for semiconductor device |
| JPS5743432A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-11 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS613413A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-09 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-01-12 JP JP550987A patent/JPS63173332A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5559728A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-06 | Hitachi Ltd | Insulating coating structure |
| JPS5685829A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-13 | Fujitsu Ltd | Passivation structure for semiconductor device |
| JPS5743432A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-11 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS613413A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-09 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006312490A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-11-16 | Akihiro Kasuga | 吸着体収納具及び容器入り吸着体 |
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