JPS613413A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS613413A JPS613413A JP59123211A JP12321184A JPS613413A JP S613413 A JPS613413 A JP S613413A JP 59123211 A JP59123211 A JP 59123211A JP 12321184 A JP12321184 A JP 12321184A JP S613413 A JPS613413 A JP S613413A
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- JP
- Japan
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- film
- phosphorus glass
- nitride film
- glass film
- photoresist
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の属する技術分野の説明
本発明は外部からの水分浸入により生じる半導体装置の
金属配線部に於ける腐木を防止できるパッジページ盲ン
膜構造を有する半導体装置に関する。
金属配線部に於ける腐木を防止できるパッジページ盲ン
膜構造を有する半導体装置に関する。
（２） 従来技術の説明
”従来より、半導体装置のパッケージとして、量産的で
かつ安価なエポキシ系樹脂を用いた、モールドパッケー
ジが多く使用されている。
かつ安価なエポキシ系樹脂を用いた、モールドパッケー
ジが多く使用されている。
゛しかし、このモールドパッケージは樹脂自身の気密性
がよくないという問題点があり、このため高温高温め雰
囲気中においては、外部より浸入してくる水分が半導体
装置のパッシベーション膜であるリンガラス膜と反応し
てリン酸を作り、これが半導体装置内のアルミ配線を腐
食させるという問題があった。そこで、従来よりその対
策として水分を通しにくい窒化珪素膜をリンガラス膜の
上に被着し、水分の浸入を防止する構造があったが、こ
の構造では配線取り出し部（ポンディングパッド）の周
辺に於いてリンガラス膜が露出している部分がある。以
下、参考図第１図（ａ）〜（Ｃ）を参照しながらこの構
造を工程順に説明する。
がよくないという問題点があり、このため高温高温め雰
囲気中においては、外部より浸入してくる水分が半導体
装置のパッシベーション膜であるリンガラス膜と反応し
てリン酸を作り、これが半導体装置内のアルミ配線を腐
食させるという問題があった。そこで、従来よりその対
策として水分を通しにくい窒化珪素膜をリンガラス膜の
上に被着し、水分の浸入を防止する構造があったが、こ
の構造では配線取り出し部（ポンディングパッド）の周
辺に於いてリンガラス膜が露出している部分がある。以
下、参考図第１図（ａ）〜（Ｃ）を参照しながらこの構
造を工程順に説明する。
第１図（ａ）はシリコン基板１上にフィールドシリコン
酸化ＩＩ ２を形成した抜リンガラス層３を被着し１．
さらに最終のアルミ配線４をパターニングした後リンガ
ラスＭ！ｉ！５を成長し、その上に窒化珪素Ｍ６を成長
させ、次に配線取り出し部９をフォトリソグラフィ一工
程によりパターニングした図でらる。。
酸化ＩＩ ２を形成した抜リンガラス層３を被着し１．
さらに最終のアルミ配線４をパターニングした後リンガ
ラスＭ！ｉ！５を成長し、その上に窒化珪素Ｍ６を成長
させ、次に配線取り出し部９をフォトリソグラフィ一工
程によりパターニングした図でらる。。
次いで第１図（ｂ）は、パターニングされたフォトレジ
スト７をマスクとして窒化珪素膜６をエツチング除去し
た図である。
スト７をマスクとして窒化珪素膜６をエツチング除去し
た図である。
そしてリンガラス膜５をエツチング除去し、フォトレジ
スト７を剥靜すれば第１図（Ｃ）の構造となる。しかし
この構造では図より明らかの様に第１図（Ｃ）の開口部
８においてリンガラス膜５の側面が露出しているため、
その部分のリンガラス膜５が、外部より浸入してきた水
分と反応し、リン酸作り、その結果アル゛ミ配線４を腐
食させるという欠点がある。
スト７を剥靜すれば第１図（Ｃ）の構造となる。しかし
この構造では図より明らかの様に第１図（Ｃ）の開口部
８においてリンガラス膜５の側面が露出しているため、
その部分のリンガラス膜５が、外部より浸入してきた水
分と反応し、リン酸作り、その結果アル゛ミ配線４を腐
食させるという欠点がある。
（３）発明の目的
本発明の目的は、半導体装置のパッジベージ田ン膜のう
ちのリンガラス膜を、その装置の表面に露出させ々い構
造とすることにより、上記欠点を解決し、信頼性を高め
た装置を提供するものである。
ちのリンガラス膜を、その装置の表面に露出させ々い構
造とすることにより、上記欠点を解決し、信頼性を高め
た装置を提供するものである。
（４）発明の構成
膜の構造がリンガラス股上に窒化珪素膜を被着して成る
、半導体装置に於いてリンガラス膜の表面が、窒化珪素
膜によって完全に被覆され°Ｃいる構造を有することを
特長とする点にある。
、半導体装置に於いてリンガラス膜の表面が、窒化珪素
膜によって完全に被覆され°Ｃいる構造を有することを
特長とする点にある。
（５）実施例
次に本発明の実施例について第２図（ａ）〜（Ｃ）を参
照して説明する。
照して説明する。
まず、第２図（ａ）の様にシリコン基板１上にフィール
ドシリコン酸化膜２、リンガラス層３を形成し、さらに
最終のアルミ配線４をパターニングした後、この上全面
にリンガラス膜５を成長させ、次いで配線取り出し部９
をフォトリソグラフィ一工程により形成した後露出した
リンガラス膜５をエツチング除去し、第１の開口を行な
う。
ドシリコン酸化膜２、リンガラス層３を形成し、さらに
最終のアルミ配線４をパターニングした後、この上全面
にリンガラス膜５を成長させ、次いで配線取り出し部９
をフォトリソグラフィ一工程により形成した後露出した
リンガラス膜５をエツチング除去し、第１の開口を行な
う。
次にフォトレジスト７を剥離した後、リンガラス膜５上
及び第１の開口のされた部分全面にわたって、雪化珪素
膜６を成長させ、そして第１の開口内に成長した窒化珪
素膜６上に、第１の開口面積より小さい第２の開口をフ
ォトリソグラフィ一工程によりパターニングすると、第
２図Φ）の様になる。この時、第１の開口の窓の大きさ
と第２の開口のそれとの差を、数μｍ程度第２の開口を
小さくしておけば、リンガラス膜５が露出することは無
い。そして、窒化珪素膜７をエツチング除去しフォトレ
ジスト１０を剥離すると第２図（Ｃ）のようＫなる。
及び第１の開口のされた部分全面にわたって、雪化珪素
膜６を成長させ、そして第１の開口内に成長した窒化珪
素膜６上に、第１の開口面積より小さい第２の開口をフ
ォトリソグラフィ一工程によりパターニングすると、第
２図Φ）の様になる。この時、第１の開口の窓の大きさ
と第２の開口のそれとの差を、数μｍ程度第２の開口を
小さくしておけば、リンガラス膜５が露出することは無
い。そして、窒化珪素膜７をエツチング除去しフォトレ
ジスト１０を剥離すると第２図（Ｃ）のようＫなる。
以上、説明したようにリンガ２ス腓５は窒化珪素膜７に
より配線取り出し部（ポンディングパッド）においても
完全に被覆されることになる。
より配線取り出し部（ポンディングパッド）においても
完全に被覆されることになる。
（６）発明の詳細な説明
本発明は以上説明したようにパッシベーション膜に使用
するリンガラス膜を窒化珪素膜によって完全に被覆する
ことＫより、外部からの水分浸入による腐食を防ぎ、半
導装置の信頼比の大幅な向上が実現できる効果がある。
するリンガラス膜を窒化珪素膜によって完全に被覆する
ことＫより、外部からの水分浸入による腐食を防ぎ、半
導装置の信頼比の大幅な向上が実現できる効果がある。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は従来の半導体装置の実施例を示
す工程別の断面図である。 第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の実施例を示す工程別の
断面図である。 両図において、１・・・・・・シリコン基板、２・・・
・・・フィールドシリ、コン酸化ｊＬ ３・旧・・リ
ンガラス膜、４・・・・・・アルミ配線、５・・・・・
・リンガラス膜、６・旧・・窒化珪素膜、７・・・・・
・フォトレジスト、８・旧・・開口部、９・・・・・・
配線取り出し部、１ｏ・・・・・・フォトレジストであ
る。 （ｂ） （Ｃ） 第１図 躬Ｚ図
す工程別の断面図である。 第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の実施例を示す工程別の
断面図である。 両図において、１・・・・・・シリコン基板、２・・・
・・・フィールドシリ、コン酸化ｊＬ ３・旧・・リ
ンガラス膜、４・・・・・・アルミ配線、５・・・・・
・リンガラス膜、６・旧・・窒化珪素膜、７・・・・・
・フォトレジスト、８・旧・・開口部、９・・・・・・
配線取り出し部、１ｏ・・・・・・フォトレジストであ
る。 （ｂ） （Ｃ） 第１図 躬Ｚ図
Claims (1)
- パッシベーション膜の構造が、リンガラス膜上に窒化珪
素膜を被着して成る半導体装置において、リンガラス膜
の表面が窒化珪素膜によって完全に被覆されている構造
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123211A JPS613413A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123211A JPS613413A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS613413A true JPS613413A (ja) | 1986-01-09 |
Family
ID=14854945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59123211A Pending JPS613413A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS613413A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63173332A (ja) * | 1987-01-12 | 1988-07-16 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
-
1984
- 1984-06-15 JP JP59123211A patent/JPS613413A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63173332A (ja) * | 1987-01-12 | 1988-07-16 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
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