JPS62260360A - 固体撮像装置のパツシベ−シヨン層 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、固体撮像装置のパッシベーション層の構造と
、その製造方法に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、有機樹脂薄膜上に無機質薄膜を形成して成る
２層パッシベーション構造を有する固体撮像装置におい
て、パッドオープン孔を形成する為に７オトレジスト膜
をマスクにして無機質薄膜をエツチングし、前記フォト
レジスト膜と前記無機質薄ｉｔマスクとして、有機樹脂
薄膜をドライエッチする。続いて前記無機質薄膜のエツ
チング液に浸漬するので、ひさし状に飛び出ている無機
質薄膜がエツチングされる。そのために、オーバーハン
グ構造のない２層パンシベーション構造ヲ形成すること
を可能にしたものである。

〔従来技術〕

従来の固体撮像装置のパッシベーション層としては、不
純物イオンによる汚染を防ぐ事と、耐湿性を向上させる
という２つの目的を実現する為に、下部に有機樹脂薄膜
、その上部に無機質薄膜を有する２層パッシベーション
構造が提案されている。

その製造方法を第２図に示す。同図ｆａ）に示すように
有機樹脂薄Ｊｌｌ１２−１％無機質薄膜２−２と積層後
フォトレジストマスク２−３を形成する。次に同図（′
ｂ）に示すように無機質薄膜２−２をエツチングし、続
いて同図（ｃ）に示すように有機樹脂薄膜２−１をドラ
イエツチングするとともにフォトレジストマスクも剥離
する。ここで２−４はパッド電極である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述のように、従来技術では、第２図（ｃ）に示すよう
に、パッドオープン孔は、無機質薄膜がひさしのように
飛び出たオーバーノ−ング構造２−５になってしまう。

これは前記有機樹脂薄膜が等方エッチされる為である。

このような構造になると、後工程でレジスト塗布をする
と、オーバーハングの下の部分にはレジストが入り込ま
ない為に、塗布ムラとなり、プロセス欠陥となってしま
う。そこで本発明の目的は、これらのパッドオープン孔
に生じるオーバーハング構造を解消し、後工程でのプロ
セス欠陥の発生を低減させる２層パッシベーション層の
構造及びその製造方法を提案することである。

〔問題点を解決する為の手段〕 本発明の固体撮像装置のパッシベーション層は、有機樹
脂薄膜と、該有機樹脂薄膜上に無機質薄膜を形成した２
層パッシベーション構造を有する固体撮像装置において
、最上部に前記有機樹脂薄膜よりも厚いフォトレジスト
膜を形成し現象した後前記無機質薄膜をエツチングし、
次いで前記有機樹脂薄膜を）″ライエクチし、続いて前
記無機質薄膜のエツチング液に再度浸漬してから前記フ
ォトレジスト膜を剥離して作製することを特徴とする。

〔作用〕

本発明の構成によれば、パッドオープン孔のオーバーハ
ング構造が解消されるので、後工程でのレジストの塗布
性が向上し、またオーバーハング部の欠けによるゴミの
発生も防止できる。この為プロセス欠陥を大幅に低減で
きるとともに、歩留りの向上が期待できる。

〔実施例〕

第１図に、本発明における固体撮像装置の２層パッシベ
ーション構造の製造方法と構造を示す。

有機樹脂薄膜としては、ここでは不純物の非常に少ない
ポリイミドを用いるのが適している。まず第１図（ａ）
に示すようにポリイミド１−１をスピンコードして焼成
した後、ＳｉＯ２あるいは５ｉｓＮ４あるいはダイヤモ
ンド薄膜などの無機質薄膜１−２をスパッタ法などに形
成する。前記ポリイミド膜は不純物イオンの侵入を防ぎ
、無機質薄膜は湿気の侵入を防ぐという役割シを果たす
。その後、パッドオープンのパターンのフォトレジスト
マスク１−３を形成する。この時フォトレジストマスク
の膜厚は、前記ポリイミド膜よりも厚く形成しなければ
ならない。前記フォトレジストマスクで。

前記無機質薄膜をエツチングする。ここで１−４はパッ
ド電極である。次に同図（ｂ）に示すように、フォトレ
ジストマスク１−３及び無機質薄膜１−２をマスクとし
てポリイミド膜１−１をドライエッチする。ドライエッ
チはｏ２とＣＦ４の混合ガスを用いたプラズマエツチン
グが適している。また０２プラズマによりフォトレジス
トマスクも同時にエツチングされる。フォトレジストマ
スクとポリイミドのエツチングレートはほぼ等しい。本
発明においては、ポリイミド膜のエツチング終了後に、
フォトレジストマスク１−３が残っている必要があるの
で、前述したとおりフォトレジストマスク１−３の膜厚
はポリイミド膜１−１よりも厚くなければならない。従
って、ポリイミド膜のエツチング終了後にもフォトレジ
ストマスクハ残ツている。一方、ドライエツチングは等
方性の為に、ポリイミド膜はパターンエツジで無機質薄
膜１−３の下部までエツチングされ１−５に示すように
ひさしのようなオーバーハング構造となる。続いて前記
無機質薄膜のエツチング液に浸漬すれば、同図（ｃ）に
示すように、オーバーハング構造が解消される。最後に
フォトレジストマスク１−３−ｉ剥離すれば、同図（ｄ
）に示すような構造となる。

〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明の構成によれば、例えば、ポ
リイミド５ｉ０２０２層パッジベージ、ヨン構造のバン
ドオープン孔の部分に生じるオーバーハング構造が解消
される。従って、後工程でのレジスｌ布性が向上し、プ
ロセス欠陥を低減させることが可能となる。さらにオー
バーハング部の欠落の心配もないのでプロセス途上での
ゴミの発生もおさえることができる。またこの製造方法
を採用してもフォト工程数は同じである。このように本
発明は、耐不純物性及び耐湿性の良好な２層パッシベー
ション構造を、後工程でも問題の起こらない形に改良し
、フォト工程数も増えないという非常に大きな効果を実
現することができるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）から（ｄ）は本発明の固体撮像装置のパッ
シベーション層の製造方法を示す工程図である。 特に（ｄ）は構造の断面図を示す。 第２図（ａ）から（ｃ）は、従来の固体撮像装置のパッ
シベーション層の製造方法を示す工程図である。 １−１・・・・・・有機樹脂薄膜（ポリイミド）１−３
・・・・・・無機質薄膜（ＳｉＯｚなど）２−５・・・
・・・オーバーバンク構造第１図（０−） 第　　１　　図　　　（ｂン ＊１図（Ｃ） 第１図　（４）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 有機樹脂薄膜と、該有機樹脂薄膜上に無機質薄膜を形成
   した２層パッシベーション構造を有する固体撮像装置に
   おいて、最上部に前記有機樹脂薄膜よりも厚いフォトレ
   ジスト膜を形成し現像した後、前記無機質薄膜をエッチ
   ングし、次いで前記有機樹脂薄膜をドライエッチングし
   、続いて前記無機質薄膜のエッチング液に再度浸漬して
   から前記フォトレジスト膜を剥離して作製することを特
   徴とする固体撮像装置のパッシベーション層。