JPS63160368A - 半導体素子搭載用配線板 - Google Patents
半導体素子搭載用配線板Info
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- JPS63160368A JPS63160368A JP61313780A JP31378086A JPS63160368A JP S63160368 A JPS63160368 A JP S63160368A JP 61313780 A JP61313780 A JP 61313780A JP 31378086 A JP31378086 A JP 31378086A JP S63160368 A JPS63160368 A JP S63160368A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は半導体素子搭載用配線板に関する。
(従来の技術とその問題点)
従来、半導体素子をプリント配線板上に搭載するには、
セラミック製のチップキャリアもしくはセラミック製の
パッケージを介して搭載する方法が一般的であった。し
かし一般的に使用されている高アルミナ質セラミック(
以下セラミックとする)は誘電率が約9と高くこのため
近年の演算速度の超高速化においては信号遅れが太きい
ため好ましい材料ではなかった。一方ガラスエポキシ配
線板は誘電率が5程度で配線の浮遊容量による信号波形
のくずれはセラミックより少ないもののセラミックに比
べ耐熱性が低い、熱伝導率が低い。
セラミック製のチップキャリアもしくはセラミック製の
パッケージを介して搭載する方法が一般的であった。し
かし一般的に使用されている高アルミナ質セラミック(
以下セラミックとする)は誘電率が約9と高くこのため
近年の演算速度の超高速化においては信号遅れが太きい
ため好ましい材料ではなかった。一方ガラスエポキシ配
線板は誘電率が5程度で配線の浮遊容量による信号波形
のくずれはセラミックより少ないもののセラミックに比
べ耐熱性が低い、熱伝導率が低い。
という欠点を有しており実装の高照度化には限界があっ
た。
た。
一方シリコンチップをプリント配線板上に直接搭載する
方法も試みられているが、チップキャリアを介したもの
が殆んどであり入出力の端子数が多いものはピングリッ
ドプレイ型パッケージとなり前述のセラミックに起因す
る欠点はさけられない。
方法も試みられているが、チップキャリアを介したもの
が殆んどであり入出力の端子数が多いものはピングリッ
ドプレイ型パッケージとなり前述のセラミックに起因す
る欠点はさけられない。
またセラミック製のパッケージにピンを略垂直に立てる
場合、メタライズ面上に一方の端部をくぎの顆状に加工
したピンをろう材で接合するのが一般的である。しかし
ろう材だけの接合では接合強度が弱く、気密性に問題が
生ずる。
場合、メタライズ面上に一方の端部をくぎの顆状に加工
したピンをろう材で接合するのが一般的である。しかし
ろう材だけの接合では接合強度が弱く、気密性に問題が
生ずる。
前記の問題を解消する方法として特願昭60−7376
0号に示すようにガラスエポキシ基板に貫通孔を設は貫
通孔に一方の端部をくぎの顆状にカロエし、かつ途中に
凸部を形成したビンを挿入し。
0号に示すようにガラスエポキシ基板に貫通孔を設は貫
通孔に一方の端部をくぎの顆状にカロエし、かつ途中に
凸部を形成したビンを挿入し。
凸′部の部分でがん合せしめて接合する方法も試みられ
ているが、この方法ではビンの接合強度がばらつく。こ
れは貫通孔内に導体層をめっき技術により形成し、この
導体層に前述のビンの途中に形成した凸部をがん合させ
るため1貫通孔の内径のばらつきによりがん合の強度が
ばらつくためである。接合強度を常に一定以上に保つの
はかなり困難な技術である。
ているが、この方法ではビンの接合強度がばらつく。こ
れは貫通孔内に導体層をめっき技術により形成し、この
導体層に前述のビンの途中に形成した凸部をがん合させ
るため1貫通孔の内径のばらつきによりがん合の強度が
ばらつくためである。接合強度を常に一定以上に保つの
はかなり困難な技術である。
またガラスエポキシ配線板は2曲げ弾性率の低いガラス
エポキシ複合材料などの有機系材料を基板に用いるため
配線板がわずかに変形することがあり1例えば10mm
当り50μm程度の反りが起こりうる。また半田柱で半
導体素子を配線板表面に接合させる方法で、半導体素子
をディストリビューション配線板、マザーチップ等に接
合させたものは、2〜3μmの歪によって半田接合部に
破断が発生するという欠点が生じる。
エポキシ複合材料などの有機系材料を基板に用いるため
配線板がわずかに変形することがあり1例えば10mm
当り50μm程度の反りが起こりうる。また半田柱で半
導体素子を配線板表面に接合させる方法で、半導体素子
をディストリビューション配線板、マザーチップ等に接
合させたものは、2〜3μmの歪によって半田接合部に
破断が発生するという欠点が生じる。
本発明はこれらの欠点のない半導体素子搭載用配線板を
提供することを目的とするものである。
提供することを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明者らは上記の欠点について種々検討した結果、半
導体素子搭載用配線板の構造を下記の如く基板の半導体
素子が搭載される部分を除いた部分に導通回路、ワイヤ
ーボンディング部及びビンを挿入固着するための貫通孔
を形成し、少なくともビンの先端及びワイヤーボンディ
ング部を残し。
導体素子搭載用配線板の構造を下記の如く基板の半導体
素子が搭載される部分を除いた部分に導通回路、ワイヤ
ーボンディング部及びビンを挿入固着するための貫通孔
を形成し、少なくともビンの先端及びワイヤーボンディ
ング部を残し。
他の部分を合成樹脂で被覆した構造としたところ。
誘電率が5程度で耐熱性がガラスエポキシ配線板に比べ
高いものも可能で、高発熱密度の半導体素子も搭載可能
であることが確認された。また気密封止性も高くなり、
半導体素子搭載部をキャビティ構造にすることも可能で
半導体素子実装に好適であるということも確認した。
高いものも可能で、高発熱密度の半導体素子も搭載可能
であることが確認された。また気密封止性も高くなり、
半導体素子搭載部をキャビティ構造にすることも可能で
半導体素子実装に好適であるということも確認した。
本発明はほぼ中央部の半導体素子が搭載される部分を除
いた部分の周辺の基板の表面に形成されたワイヤーボン
ディング部、ワイヤーボンデイン、 グ部と導通するよ
うワイヤーボンディング部と接して形成された導通回路
、導通回路及び基板を貫通して形成された貫通孔1貫通
孔内に挿入固着されたビンとからなり、少なくともビン
の先端及びワイヤーボンディング部を残し、他の部分を
合成樹脂で被覆してなる半導体素子搭載用配線板に関す
る。
いた部分の周辺の基板の表面に形成されたワイヤーボン
ディング部、ワイヤーボンデイン、 グ部と導通するよ
うワイヤーボンディング部と接して形成された導通回路
、導通回路及び基板を貫通して形成された貫通孔1貫通
孔内に挿入固着されたビンとからなり、少なくともビン
の先端及びワイヤーボンディング部を残し、他の部分を
合成樹脂で被覆してなる半導体素子搭載用配線板に関す
る。
本発明において基板の素材としては1紙、ガラス繊維か
らなる織布、不織布などにエポキシ、フェノール、ポリ
イミド等の樹脂組成物を含浸、積層成形硬化せしめた紙
エポキシ積層板2紙フェノール積層板、ガラスエポキシ
積層板、ガラスポリイミド積層板等のプリント配線板材
料、熱可塑性樹脂組成物を板状に成形したもの、熱可塑
性樹脂組成物を板状に成形したものに銅箔を張り合わせ
たものなどが用途に応じて使用される。
らなる織布、不織布などにエポキシ、フェノール、ポリ
イミド等の樹脂組成物を含浸、積層成形硬化せしめた紙
エポキシ積層板2紙フェノール積層板、ガラスエポキシ
積層板、ガラスポリイミド積層板等のプリント配線板材
料、熱可塑性樹脂組成物を板状に成形したもの、熱可塑
性樹脂組成物を板状に成形したものに銅箔を張り合わせ
たものなどが用途に応じて使用される。
導通回路及びワイヤーボンディング部を形成する材料と
しては、特に制限はないが9価格、熱伝導性などの点で
銅を用いることが好ましい。導通回路及びワイヤーボン
ディング部の形成方法についても特に制限はなく9例え
ば基板の表面に銅箔を張り合わせたり、銅ペーストを印
刷して硬化略せたり、めっき処理などの手段で銅のV換
を形成し、その後必要に応じてエツチング全行ない希望
の形状に形成する。
しては、特に制限はないが9価格、熱伝導性などの点で
銅を用いることが好ましい。導通回路及びワイヤーボン
ディング部の形成方法についても特に制限はなく9例え
ば基板の表面に銅箔を張り合わせたり、銅ペーストを印
刷して硬化略せたり、めっき処理などの手段で銅のV換
を形成し、その後必要に応じてエツチング全行ない希望
の形状に形成する。
導通回路及び基板を貝通し、て形成する貫通孔の周辺に
はワイヤーボンディング部と導通ずる導通回路がビンの
中心に対して同心円状に存在することが望ましく、ビン
と導通回路はこの同心円状の部分(ランド部)で電気的
に接続した状態で固着される。例えばビンの形状がくぎ
の顆状を呈し。
はワイヤーボンディング部と導通ずる導通回路がビンの
中心に対して同心円状に存在することが望ましく、ビン
と導通回路はこの同心円状の部分(ランド部)で電気的
に接続した状態で固着される。例えばビンの形状がくぎ
の顆状を呈し。
ビンの直線部の直径が貫通孔の内径より小さく。
そ1−でビンの頭部の直径が貫通孔の内径より大きく、
ランド部の外径以下の寸法であれば圧接、ろう材による
固着、導電性接着剤による固着などの手段によりビンの
頭部とランド部は!気的に接続した状態で固着される。
ランド部の外径以下の寸法であれば圧接、ろう材による
固着、導電性接着剤による固着などの手段によりビンの
頭部とランド部は!気的に接続した状態で固着される。
ビンの材質は、vjに制限はないが、コバール、42合
金、52合金等のNi系合金、銅、銅合金などが使用で
きる。ビンの長さは挿入して固着する基板より突出させ
るため基板より長いものを用いることが好ましく、突出
長さは1−以上あることが好ましい。このビンと基板と
の固着は、半田、銀ろう、熱硬化性樹脂、耐熱性熱可塑
性樹脂等が用いられるが、ビンの頭部と基板に形成した
導通回路との部分を半田、銀ろう等で固着すれば接着強
度に優れるので好ましい。
金、52合金等のNi系合金、銅、銅合金などが使用で
きる。ビンの長さは挿入して固着する基板より突出させ
るため基板より長いものを用いることが好ましく、突出
長さは1−以上あることが好ましい。このビンと基板と
の固着は、半田、銀ろう、熱硬化性樹脂、耐熱性熱可塑
性樹脂等が用いられるが、ビンの頭部と基板に形成した
導通回路との部分を半田、銀ろう等で固着すれば接着強
度に優れるので好ましい。
被覆用の合成樹脂は、熱硬化性樹脂であっても熱可塑性
樹脂であっても差しつかえない。例えばエポキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂とその硬化剤又は飽和ポリエステル樹脂、ポリ
アミド樹脂等の熱可塑性樹脂とその硬化剤が用途、使用
条件において選択され用いられる。なお本発明では必要
に応じ合成樹脂中に溶融石英粉、アルミナ粉、ボロンナ
イトライド粉、アルミニウムナイトライド粉等の無機質
充填材、ガラス繊維のような補強材などが添加される。
樹脂であっても差しつかえない。例えばエポキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂とその硬化剤又は飽和ポリエステル樹脂、ポリ
アミド樹脂等の熱可塑性樹脂とその硬化剤が用途、使用
条件において選択され用いられる。なお本発明では必要
に応じ合成樹脂中に溶融石英粉、アルミナ粉、ボロンナ
イトライド粉、アルミニウムナイトライド粉等の無機質
充填材、ガラス繊維のような補強材などが添加される。
合成樹脂中に上記のような無機質充填材を添加すれば得
られる半導体素子搭載用配線板の熱伝導率が高くなり放
熱性に優れるので好ましい。
られる半導体素子搭載用配線板の熱伝導率が高くなり放
熱性に優れるので好ましい。
被覆用の合成樹脂は、導通回路上の全面を被覆してもよ
いが9作業性及びワイヤーボンディング部へのワイヤー
の接合に支障が生じないようにワイヤーボンディング部
に接する部分を除いて被覆することが好ましい。
いが9作業性及びワイヤーボンディング部へのワイヤー
の接合に支障が生じないようにワイヤーボンディング部
に接する部分を除いて被覆することが好ましい。
本発明は、少なくともビンの先端及びワイヤーボンディ
ング部を残し、他の部分を合成樹脂で被覆するので半導
体素子搭載部をキャビティ構造にすることが可能である
。
ング部を残し、他の部分を合成樹脂で被覆するので半導
体素子搭載部をキャビティ構造にすることが可能である
。
(実施例)
以下実施例により本発明を説明する。
実施例1
寸法30X30−で厚さ0.6−のガラス不織布コンポ
ジット積層板(新神戸電機製、商品名E668)の片面
に厚さ35μmの銅箔を張り合わせ、ついでその中央部
(寸法8X8mm)を除いた部分に第1図に示すように
154−間隔で超硬ドリルで直径0.55mmの貫通孔
1を72個設けた。この後表面にレジスト膜を形成し、
エツチングしてレジスト膜の剥離を行ない上面に所定の
導通回路2.前記中央部の端からIIr[l[lの位置
にワイヤーボンディング部内側端部3を、さらに前記中
央部の端から2.5鵬の位置にワイヤーボンディング部
外側端部4を形成した基板5を得た。
ジット積層板(新神戸電機製、商品名E668)の片面
に厚さ35μmの銅箔を張り合わせ、ついでその中央部
(寸法8X8mm)を除いた部分に第1図に示すように
154−間隔で超硬ドリルで直径0.55mmの貫通孔
1を72個設けた。この後表面にレジスト膜を形成し、
エツチングしてレジスト膜の剥離を行ない上面に所定の
導通回路2.前記中央部の端からIIr[l[lの位置
にワイヤーボンディング部内側端部3を、さらに前記中
央部の端から2.5鵬の位置にワイヤーボンディング部
外側端部4を形成した基板5を得た。
ついで第2図に示すように貫通孔1内に直径が0、50
mで一方の端部をくぎの顆状に加工し9頭頂部の厚さ
が0.2鵬2頭頂部の直径が0.8−及び長さが7mm
の52合金のネールへラドピン6を挿入L l他の一方
の端部(端子)を下面に露出させた後Sn:Pb=63
:37の半田によりネールヘッドビン6を固着し、かつ
貫通孔1内を気密封止した。この後ネールへラドピン6
の先端5mm、 ワイヤーボンディング部(ワイヤーボ
ンディング部内側端部3からワイヤーボンディング部外
側端部4の部分)を除いた部分をエポキシ樹脂組成物8
で被覆して基板5の表面に半導体素子搭載部7を有する
半導体素子搭載用配線板を得た。
mで一方の端部をくぎの顆状に加工し9頭頂部の厚さ
が0.2鵬2頭頂部の直径が0.8−及び長さが7mm
の52合金のネールへラドピン6を挿入L l他の一方
の端部(端子)を下面に露出させた後Sn:Pb=63
:37の半田によりネールヘッドビン6を固着し、かつ
貫通孔1内を気密封止した。この後ネールへラドピン6
の先端5mm、 ワイヤーボンディング部(ワイヤーボ
ンディング部内側端部3からワイヤーボンディング部外
側端部4の部分)を除いた部分をエポキシ樹脂組成物8
で被覆して基板5の表面に半導体素子搭載部7を有する
半導体素子搭載用配線板を得た。
なお、エポキシ樹脂組成物は、酸無水物硬化剤としてメ
チルテトラヒドロ無水フタル酸(日立化成工業製、商品
名HN−2200)60重量部に2エチル4メチルイミ
ダゾール0.15重量部を溶解混合したものと水添ビス
フェノールA型エポキシ樹脂(旭電化製、商品名BP−
4080.エポキシ当量235〜255.平均エポキシ
Mli245 )30重量部とビスフェノールA型エポ
キシ樹脂(シェル化学展、商品名エピコート834.エ
ポキシ当量225〜280.平均エポキシ当量250)
70重量部とを溶解混合したもの50重量部及びボロン
ナイトライド粉(電気化学工業製GP)50重量部をよ
く混合したものを用い、130℃に予熱した金型に注入
し、金型底部を170℃まで5分で昇温し、金型底部か
ら硬化させ、約15分で硬化させた。後硬化は150℃
で1時間桁ガつだ。
チルテトラヒドロ無水フタル酸(日立化成工業製、商品
名HN−2200)60重量部に2エチル4メチルイミ
ダゾール0.15重量部を溶解混合したものと水添ビス
フェノールA型エポキシ樹脂(旭電化製、商品名BP−
4080.エポキシ当量235〜255.平均エポキシ
Mli245 )30重量部とビスフェノールA型エポ
キシ樹脂(シェル化学展、商品名エピコート834.エ
ポキシ当量225〜280.平均エポキシ当量250)
70重量部とを溶解混合したもの50重量部及びボロン
ナイトライド粉(電気化学工業製GP)50重量部をよ
く混合したものを用い、130℃に予熱した金型に注入
し、金型底部を170℃まで5分で昇温し、金型底部か
ら硬化させ、約15分で硬化させた。後硬化は150℃
で1時間桁ガつだ。
一方1寸法が6.5X6.5mmで厚さが0.3 rI
HRのシリコン単結晶の片面に所望の配線パターンを形
成したマザーチップを得た。次に第3図に示すようにこ
のマザーチップ9上に寸法が3X4mmの半導体素子1
0を搭載し、双方を直径120μm、高さ100μmの
Sn : Pb=5 :95の半田柱で接合して複合半
導体素子を得た。
HRのシリコン単結晶の片面に所望の配線パターンを形
成したマザーチップを得た。次に第3図に示すようにこ
のマザーチップ9上に寸法が3X4mmの半導体素子1
0を搭載し、双方を直径120μm、高さ100μmの
Sn : Pb=5 :95の半田柱で接合して複合半
導体素子を得た。
この後複合半導体素子を半導体素子搭載部7にシリコー
ンゴム組成物12を用いて接着した。シリコーンゴム組
成物12はノリコーンゴム(信越化学工業製、商品名K
E45W150!量部と前述のボロンナイトライド粉5
0重量部とをよく混合したものを用いた。なおシリコー
ンゴム組成物12は厚さが0.05mmになるように計
算し、計算量を秤量して半導体素子搭載部7に供給し、
複合半導体素子を接着した。
ンゴム組成物12を用いて接着した。シリコーンゴム組
成物12はノリコーンゴム(信越化学工業製、商品名K
E45W150!量部と前述のボロンナイトライド粉5
0重量部とをよく混合したものを用いた。なおシリコー
ンゴム組成物12は厚さが0.05mmになるように計
算し、計算量を秤量して半導体素子搭載部7に供給し、
複合半導体素子を接着した。
ついでマザーチップ9上及び前記のワイヤーポンディン
グ端部間を直径が50μmの珪素を1重量%含むアルミ
ニウムワイヤー13を用い超音波接合した。この後外径
寸法が30X30−で外周部の幅5−の部分が高さ3順
で、中央部20X20薗の部分に深さ2胴の凹部を形成
した第4図に示す蓋14を前記と同じエポキシ樹脂組成
物を用いて成形、製作し、蓋14の外周部を半導体素子
搭載用配線板の上面の外周部分に合わせ、前記と同じエ
ポキシ樹脂組成物100重量部に対し2エチル4メチル
イミダゾールを2重量部添加したエポキシ樹脂接着剤1
1を用いて蓋14と複合半導体素子を搭載した半導体素
子搭載用配線板とを接着して半導体装置を得た。
グ端部間を直径が50μmの珪素を1重量%含むアルミ
ニウムワイヤー13を用い超音波接合した。この後外径
寸法が30X30−で外周部の幅5−の部分が高さ3順
で、中央部20X20薗の部分に深さ2胴の凹部を形成
した第4図に示す蓋14を前記と同じエポキシ樹脂組成
物を用いて成形、製作し、蓋14の外周部を半導体素子
搭載用配線板の上面の外周部分に合わせ、前記と同じエ
ポキシ樹脂組成物100重量部に対し2エチル4メチル
イミダゾールを2重量部添加したエポキシ樹脂接着剤1
1を用いて蓋14と複合半導体素子を搭載した半導体素
子搭載用配線板とを接着して半導体装置を得た。
なおエポキシ樹脂接着剤11は、厚さ0.4−になるよ
うに計算し、算出量を秤量して蓋15の外周部にほぼ均
等になるように塗布し、150°C910分で硬化させ
た。
うに計算し、算出量を秤量して蓋15の外周部にほぼ均
等になるように塗布し、150°C910分で硬化させ
た。
得られた半導体装置についてピンの引き抜き(ピン先端
方向の引張り)強さ及びピンの押し込み(〈ぎの頭状方
向への押し込み)強さを測定したところ、引き抜きでは
ピンが9.2 kgf1本で破断し、押し込みではピン
が座屈し、測定できなかった。
方向の引張り)強さ及びピンの押し込み(〈ぎの頭状方
向への押し込み)強さを測定したところ、引き抜きでは
ピンが9.2 kgf1本で破断し、押し込みではピン
が座屈し、測定できなかった。
また誘電率及び熱伝導率を測定したところ、誘電率は、
5.3でガラスエポキシ配線板とほぼ同一であった。
5.3でガラスエポキシ配線板とほぼ同一であった。
さらに気密封止した半導体装置を、プレッシャークツカ
ー試験機で121℃、2気圧(ゲージ圧)。
ー試験機で121℃、2気圧(ゲージ圧)。
100時間の条件で試験を行なったが、アルミニウムワ
イヤーの腐食はみられなかった。
イヤーの腐食はみられなかった。
また半導体素子搭載用配線板から露出した72本のネー
ルへラドビン6を無負荷挿入用ソケット(図示せず)に
挿入後レバーを操作してネールヘッドピン6をソケット
内ではさみ込んで固定した。
ルへラドビン6を無負荷挿入用ソケット(図示せず)に
挿入後レバーを操作してネールヘッドピン6をソケット
内ではさみ込んで固定した。
ネールへラドピン6をはさみ込んだときネールへラドピ
ン6に歪が発生するが、このネールへラドピン6をはさ
み込む操作を50回繰り返し行なってもマザーチップ9
と半導体素子10とを接合している半田柱には亀裂など
の破断は発生しなかった。
ン6に歪が発生するが、このネールへラドピン6をはさ
み込む操作を50回繰り返し行なってもマザーチップ9
と半導体素子10とを接合している半田柱には亀裂など
の破断は発生しなかった。
実施例2
実施例1で用いたエポキシ樹脂組成物の代りにポリアミ
ドイミド樹脂組成物を用いた以外は実施例1と同様の方
法及び工程により半導体素子搭載用配線板及び半導体装
置を得た。熱硬化性であるエポキシ樹脂組成物の代りに
熱可塑性であるポリアミドイミド樹脂組成物を用いたこ
とにともない。
ドイミド樹脂組成物を用いた以外は実施例1と同様の方
法及び工程により半導体素子搭載用配線板及び半導体装
置を得た。熱硬化性であるエポキシ樹脂組成物の代りに
熱可塑性であるポリアミドイミド樹脂組成物を用いたこ
とにともない。
成形は、260℃に加熱した該樹脂組成物を260℃に
加熱した金型に圧入後直ちに金型を60℃の温水で冷却
し賦形する方法とした。
加熱した金型に圧入後直ちに金型を60℃の温水で冷却
し賦形する方法とした。
なお該樹脂組成物は、ポリアミドイミド樹脂(自社配合
品>50重量部に実施例1で用いたものト同シボロンナ
イトライド粉50重量部を均一に混合したものを用いた
。
品>50重量部に実施例1で用いたものト同シボロンナ
イトライド粉50重量部を均一に混合したものを用いた
。
得られた半導体装置についてネールへラドビンの引き抜
き及び押し込み強さを測定したところ引き抜きではネー
ルヘッドピンが9.3kgf/本で破断し、押し込みで
はネールへラドピンが座屈し、測定できなかった。
き及び押し込み強さを測定したところ引き抜きではネー
ルヘッドピンが9.3kgf/本で破断し、押し込みで
はネールへラドピンが座屈し、測定できなかった。
また実施例1と同様の方法でネールへラドビンをはさみ
込む操作を50回繰り返し行なってもマザーチップと半
導体素子とを接合している半田柱には亀裂などの破断は
発生しなかった。
込む操作を50回繰り返し行なってもマザーチップと半
導体素子とを接合している半田柱には亀裂などの破断は
発生しなかった。
比較例1
外径寸法30X30mmで厚さ1−のガラス不織布コン
ポジット積層板(新神戸電機製、肋品名E668)の両
面に厚さ35μmの銅箔を張り合わせ、ついでその中央
部(寸法8 X 8 am l k除いた部分に第5図
に示すように2.54mm間隔で超硬ドリルで直径0.
55mmの貫通孔1を72個設けた。
ポジット積層板(新神戸電機製、肋品名E668)の両
面に厚さ35μmの銅箔を張り合わせ、ついでその中央
部(寸法8 X 8 am l k除いた部分に第5図
に示すように2.54mm間隔で超硬ドリルで直径0.
55mmの貫通孔1を72個設けた。
この後表面にレジスト膜を形成し、エツチングして、レ
ジスト膜の剥離を行ない上面に所定の導通回路2及び前
記中央部の端から1工の位置にワイヤーボンディング部
内側端部3を、さらに前記中央部の端から2.5Mの位
置にワイヤーボンディング部外側端部4を形成した基板
5を得た。ついで貫通孔1内に、直径が0.50mmで
一方の端部を頭頂部の厚さが0.2 mrn +頭頂部
の直径が0.8肛のくざの顆状に加工し、〈ぎの頭部か
ら0.5 mm下の部分を余塵で最大幅が0.65−に
なるようにつぶして途中に凸部15を形成した長さ7m
ff1の52合金製のネールへラドピン16を挿入し、
凸部15の部分で貫通孔とかん合させ第5図に示す半導
体素子搭載用配線板を得た。次にこの半導体素子搭載用
配線板の中央部に実施例1で得た複合半導体素子を実施
例1と同様の方法で接着した。
ジスト膜の剥離を行ない上面に所定の導通回路2及び前
記中央部の端から1工の位置にワイヤーボンディング部
内側端部3を、さらに前記中央部の端から2.5Mの位
置にワイヤーボンディング部外側端部4を形成した基板
5を得た。ついで貫通孔1内に、直径が0.50mmで
一方の端部を頭頂部の厚さが0.2 mrn +頭頂部
の直径が0.8肛のくざの顆状に加工し、〈ぎの頭部か
ら0.5 mm下の部分を余塵で最大幅が0.65−に
なるようにつぶして途中に凸部15を形成した長さ7m
ff1の52合金製のネールへラドピン16を挿入し、
凸部15の部分で貫通孔とかん合させ第5図に示す半導
体素子搭載用配線板を得た。次にこの半導体素子搭載用
配線板の中央部に実施例1で得た複合半導体素子を実施
例1と同様の方法で接着した。
この後実施例1と同様の方法でネールへラドピンの引き
抜き及び押し込み強さを測定したところ。
抜き及び押し込み強さを測定したところ。
引き抜きではネールヘッドピンが8.3 kaf /本
テ破断し、押し込みではネールへラドビンが基板カラ1
.7〜18 kgf/本で抜けた。
テ破断し、押し込みではネールへラドビンが基板カラ1
.7〜18 kgf/本で抜けた。
また実施例1と同様の方法でネールへラドピンをはさみ
込む操作を繰り返したところ、5回繰り返しただけでマ
ザーチップと半導体素子とを接合し°Cいる半田柱に亀
裂が入り、電気的な導通が確保できなかった。
込む操作を繰り返したところ、5回繰り返しただけでマ
ザーチップと半導体素子とを接合し°Cいる半田柱に亀
裂が入り、電気的な導通が確保できなかった。
なお比較例1では蓋を接合する前に欠点が生じたので、
蓋を伝熱板の外周部分に接合する作業は行なわなかった
。
蓋を伝熱板の外周部分に接合する作業は行なわなかった
。
(発明の効果)
本発明になる半導体素子搭載用配線板は2反り。
の発生はなく機械的強度に優れ、気密封止の際の接着性
及び気密性において伺ら問題はない。
及び気密性において伺ら問題はない。
第1図及び第2図は本発明の実施例における半導体素子
搭載用配線板の製造作業状態を示す断面図、第3図及び
第4図は半導体素子搭載用配線板を用いた半導体装置の
製造作業状態を示す断面図である。 符号の説明 1・・・貫通孔 2・・・導通回路3・・・ワ
イヤーボンディング部内側端部4・・・ワイヤーボンデ
ィング部外側端部5・・・基板 6・・・
ネールへラドビン7・・・半導体素子搭載部8・・・エ
ポキシ樹脂組成物9・・・マザーチップ 10・・・
半導体素子11・・・エポキシ樹脂接着剤 12・・・シリコーンゴム組成物 13・・・アルミニウムワイヤー 14・・・蓋 15・・・凸部16・・・
ネールへラドピン 代理人 弁理士 若 林 邦 彦 半 lI!] 囁4図 ¥ 5rEJ 1、事件の表示 昭和61年特許願第313780号 2、発明の名称 末行の「である。」の間に「並びに第5図は従来の半導
体素子搭載用配線板を示す断面図」を加入します。
搭載用配線板の製造作業状態を示す断面図、第3図及び
第4図は半導体素子搭載用配線板を用いた半導体装置の
製造作業状態を示す断面図である。 符号の説明 1・・・貫通孔 2・・・導通回路3・・・ワ
イヤーボンディング部内側端部4・・・ワイヤーボンデ
ィング部外側端部5・・・基板 6・・・
ネールへラドビン7・・・半導体素子搭載部8・・・エ
ポキシ樹脂組成物9・・・マザーチップ 10・・・
半導体素子11・・・エポキシ樹脂接着剤 12・・・シリコーンゴム組成物 13・・・アルミニウムワイヤー 14・・・蓋 15・・・凸部16・・・
ネールへラドピン 代理人 弁理士 若 林 邦 彦 半 lI!] 囁4図 ¥ 5rEJ 1、事件の表示 昭和61年特許願第313780号 2、発明の名称 末行の「である。」の間に「並びに第5図は従来の半導
体素子搭載用配線板を示す断面図」を加入します。
Claims (1)
- 1、ほぼ中央部の半導体素子が搭載される部分を除いた
部分の周辺の基板の表面に形成されたワイヤーボンディ
ング部、ワイヤーボンディング部と導通するようワイヤ
ーボンディング部と接して形成された導通回路、導通回
路及び基板を貫通して形成された貫通孔、貫通孔内に挿
入固着されたピンとからなり、少なくともピンの先端及
びワイヤーボンディング部を残し、他の部分を合成樹脂
で被覆してなる半導体素子搭載用配線板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61313780A JPH0770639B2 (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | 半導体素子搭載用配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61313780A JPH0770639B2 (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | 半導体素子搭載用配線板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63160368A true JPS63160368A (ja) | 1988-07-04 |
JPH0770639B2 JPH0770639B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=18045434
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61313780A Expired - Lifetime JPH0770639B2 (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | 半導体素子搭載用配線板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0770639B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108962831A (zh) * | 2017-05-17 | 2018-12-07 | 赛米控电子股份有限公司 | 功率电子装置和具有这种装置的电动车辆 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6398140A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-28 | Matsushita Electric Works Ltd | ピングリツドアレイ |
-
1986
- 1986-12-24 JP JP61313780A patent/JPH0770639B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6398140A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-28 | Matsushita Electric Works Ltd | ピングリツドアレイ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108962831A (zh) * | 2017-05-17 | 2018-12-07 | 赛米控电子股份有限公司 | 功率电子装置和具有这种装置的电动车辆 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0770639B2 (ja) | 1995-07-31 |
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