JPS6398140A - ピングリツドアレイ - Google Patents
ピングリツドアレイInfo
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- JPS6398140A JPS6398140A JP61244454A JP24445486A JPS6398140A JP S6398140 A JPS6398140 A JP S6398140A JP 61244454 A JP61244454 A JP 61244454A JP 24445486 A JP24445486 A JP 24445486A JP S6398140 A JPS6398140 A JP S6398140A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野j
本発明は、ICパッケージなどモールド成形品のピング
リッドアレイに関するものである。
リッドアレイに関するものである。
[背景技術]
ICなど半導体のパッケージにおいて素子の高機能化、
高密度化に伴うI10数増加や、高速度化に従ってのリ
ード艮の短縮化などの対応として、チップを実装する基
板の裏面に外部への電気接続用ピンとなるピンを設けた
ピングリッドアレイ(PGAと略称される)が実用化さ
れている。このピングリッドアレイは基板の裏面の全面
を利用して多数のピンを突設するようにしたもので、ピ
ンを機器の実装基板(マザーボード)に設けたソケット
やスルーホール等に差し込むことによって、マザーボー
ドへの取り付けをおこなうことができる。
高密度化に伴うI10数増加や、高速度化に従ってのリ
ード艮の短縮化などの対応として、チップを実装する基
板の裏面に外部への電気接続用ピンとなるピンを設けた
ピングリッドアレイ(PGAと略称される)が実用化さ
れている。このピングリッドアレイは基板の裏面の全面
を利用して多数のピンを突設するようにしたもので、ピ
ンを機器の実装基板(マザーボード)に設けたソケット
やスルーホール等に差し込むことによって、マザーボー
ドへの取り付けをおこなうことができる。
その基板の材料としては従来上りセラミックが主として
用いられているが、近年低価格化に対応して樹脂積層板
から得られるプリント配線板をこの基板として用いる試
みがなされている。
用いられているが、近年低価格化に対応して樹脂積層板
から得られるプリント配線板をこの基板として用いる試
みがなされている。
すなわち、第5図に示すように基板1を例えば厚み1.
0IIII11程度のガラス基材エポキシU(脂積層板
やプラス基材ポリイミド樹脂積層板などで形成し、基板
1の表面に回路12を設けると共に基敢1にピン孔13
をドリルなどで穿孔加工し、直径0.5111+6程度
のピン2の頭部14をピン孔13内に圧入等することに
よって多数のピン2を基板1から突出させた状態で固着
して、ピングリッドアレイAを作成するようにするもの
である。第5図において15は基板1へのピン2の頭部
14の圧入深さを位置決めするために各ピン2に突設さ
れた鍔、16はマザーボードへの取り付けの際のピン2
の差し込み深さを位置決めするために一部のピン2に設
けられた鍔である。しかしながらこのものにあっては、
基板1の割れ等の関係から基板1へのピン2の圧入強さ
に限界があってピン2の引き抜き強度を十分に得ること
ができないという問題がある。
0IIII11程度のガラス基材エポキシU(脂積層板
やプラス基材ポリイミド樹脂積層板などで形成し、基板
1の表面に回路12を設けると共に基敢1にピン孔13
をドリルなどで穿孔加工し、直径0.5111+6程度
のピン2の頭部14をピン孔13内に圧入等することに
よって多数のピン2を基板1から突出させた状態で固着
して、ピングリッドアレイAを作成するようにするもの
である。第5図において15は基板1へのピン2の頭部
14の圧入深さを位置決めするために各ピン2に突設さ
れた鍔、16はマザーボードへの取り付けの際のピン2
の差し込み深さを位置決めするために一部のピン2に設
けられた鍔である。しかしながらこのものにあっては、
基板1の割れ等の関係から基板1へのピン2の圧入強さ
に限界があってピン2の引き抜き強度を十分に得ること
ができないという問題がある。
そこで、本発明者等によって第6図に示すような樹脂の
モールド成形品で基板1を形成するようにしたピングリ
ッドアレイAが案出されるに至っている。すなわちこの
ものは、合成樹脂の成形品で半導体チップ3を実装する
ための基板1を形成すると共に基板1の成形の際にピン
2の基部を基板1内にインサート成形して固着すること
によって、複数本のピン2を基板1から突出させた状態
で取り付けるようにし、さらにこのピン2と接続した状
態で回路体4を基板1内に埋入固定するようにしたもの
である。このものでは合成樹脂によって基板1を成形す
る際に基板1にピン2の基部をインサートして基板1へ
のピン2の固定がおこなえるために、ピン2を圧入する
場合のような引き抜き強度が不安定になることもないの
である。このように形成されるモールド成形品のピング
リッドアレイAにあって、基板1に実装される半導体チ
ップ3と回路体4の表面に放射状に設けた回路12との
間にワイヤー20をポンディングして施し、回路体4を
介して各ピン2に半導体チップ3が電気的に接続される
ようにしである。そして回路体4の回路12とピン2と
の電気的接続は回路体4に回路12のランド部分におい
て設けたピン孔5へのピン2の挿入接触によっておこな
われるものであるが、ピン2と回路体4の回路12との
電気的接続を確保するにはピン孔5の内径とピン2の外
径とのそれぞれの寸法精度を正確に設定する必要がある
。しかしながら、現実にはこの寸法精度を維持すること
は困難であり、ピン2と回路体4との間の電気的な接続
の導通信頼性に問題を生じているものである。
モールド成形品で基板1を形成するようにしたピングリ
ッドアレイAが案出されるに至っている。すなわちこの
ものは、合成樹脂の成形品で半導体チップ3を実装する
ための基板1を形成すると共に基板1の成形の際にピン
2の基部を基板1内にインサート成形して固着すること
によって、複数本のピン2を基板1から突出させた状態
で取り付けるようにし、さらにこのピン2と接続した状
態で回路体4を基板1内に埋入固定するようにしたもの
である。このものでは合成樹脂によって基板1を成形す
る際に基板1にピン2の基部をインサートして基板1へ
のピン2の固定がおこなえるために、ピン2を圧入する
場合のような引き抜き強度が不安定になることもないの
である。このように形成されるモールド成形品のピング
リッドアレイAにあって、基板1に実装される半導体チ
ップ3と回路体4の表面に放射状に設けた回路12との
間にワイヤー20をポンディングして施し、回路体4を
介して各ピン2に半導体チップ3が電気的に接続される
ようにしである。そして回路体4の回路12とピン2と
の電気的接続は回路体4に回路12のランド部分におい
て設けたピン孔5へのピン2の挿入接触によっておこな
われるものであるが、ピン2と回路体4の回路12との
電気的接続を確保するにはピン孔5の内径とピン2の外
径とのそれぞれの寸法精度を正確に設定する必要がある
。しかしながら、現実にはこの寸法精度を維持すること
は困難であり、ピン2と回路体4との間の電気的な接続
の導通信頼性に問題を生じているものである。
[発明の目的1
本発明は、上記の点に鑑みて為されたものであり、基板
へのピンの固定強度を^くすることができ、しかも回路
体とピンとを導通信頼性高く接続することができ、加え
て凹部への導電性材料の充填が容易になるピングリッド
アレイを提供することを目的とするものである。
へのピンの固定強度を^くすることができ、しかも回路
体とピンとを導通信頼性高く接続することができ、加え
て凹部への導電性材料の充填が容易になるピングリッド
アレイを提供することを目的とするものである。
[発明の開示]
しかして本発明に係るピングリッドアレイは、合成υ(
脂の成形品で基板1を形成すると共に基部を基板1内に
インサート成形して固着した複数本のピン2を基板1か
ら突出させ、基板1に実装する半導体チップ3と接続さ
れる回路体4に設けたピン孔5にピン2の基端の頭部2
aを挿入して回路体4とピン2とを接続した状態で回路
体4を基板1内に埋入固定し、ピン孔5を露出させ且つ
導電性材料6を充填するための凹部7を基板1に凹設す
ると共にこの凹部7にピン2の頭部2aの先端が底から
0〜75%の深さの範囲で位置するようにピン2の頭部
2aの長さを設定して成ることを特徴とするものであり
、基板1へのインサート成形でピン2の固定を強固にお
こなえるようにし、また基板1に設けた凹部7への導電
性材料6の充填でピン2とピン孔5との間の電気的な接
続を確保して回路体4にピン2を導通信頼性高く接続で
きるようにしたものであって、以下本発明を実施例によ
り詳述する。
脂の成形品で基板1を形成すると共に基部を基板1内に
インサート成形して固着した複数本のピン2を基板1か
ら突出させ、基板1に実装する半導体チップ3と接続さ
れる回路体4に設けたピン孔5にピン2の基端の頭部2
aを挿入して回路体4とピン2とを接続した状態で回路
体4を基板1内に埋入固定し、ピン孔5を露出させ且つ
導電性材料6を充填するための凹部7を基板1に凹設す
ると共にこの凹部7にピン2の頭部2aの先端が底から
0〜75%の深さの範囲で位置するようにピン2の頭部
2aの長さを設定して成ることを特徴とするものであり
、基板1へのインサート成形でピン2の固定を強固にお
こなえるようにし、また基板1に設けた凹部7への導電
性材料6の充填でピン2とピン孔5との間の電気的な接
続を確保して回路体4にピン2を導通信頼性高く接続で
きるようにしたものであって、以下本発明を実施例によ
り詳述する。
第1図(勿論実物大を示すものではない)は本発明の一
実施例を示すもので、基板1は合成樹脂成形材料を射出
成形やトランスファー成形などで成形することによって
成形品として作成される。そしてこのように基板1を成
形する際にピン2の基部を基板1内に埋入させるようイ
ンサート成形することによって基板1に多数本のピン2
を平行に取り付け、また基板1に実装するICチップな
どの半導体チップ3とピン2との間の電気接続をおこな
う回路を形成するために回路体4が基板1内に埋入して
取り付けである。基板1を枯成する合成8(脂としては
、7エ7−ル、エポキシ、シリコン、ポリイミドなどの
熱硬化性樹脂や、ポリフェニレンサル7アイト、ポリサ
ル7オン、ポリエーテルスルホン、ボリアリールスルホ
ンなどの熱可塑性8(111tを用いることができる。
実施例を示すもので、基板1は合成樹脂成形材料を射出
成形やトランスファー成形などで成形することによって
成形品として作成される。そしてこのように基板1を成
形する際にピン2の基部を基板1内に埋入させるようイ
ンサート成形することによって基板1に多数本のピン2
を平行に取り付け、また基板1に実装するICチップな
どの半導体チップ3とピン2との間の電気接続をおこな
う回路を形成するために回路体4が基板1内に埋入して
取り付けである。基板1を枯成する合成8(脂としては
、7エ7−ル、エポキシ、シリコン、ポリイミドなどの
熱硬化性樹脂や、ポリフェニレンサル7アイト、ポリサ
ル7オン、ポリエーテルスルホン、ボリアリールスルホ
ンなどの熱可塑性8(111tを用いることができる。
実績的に信頼性のある而ではエポキシ樹脂を、また可撓
性や機械的強度、耐熱性の点からは後者の熱可塑性樹脂
を用いるのが好ましい。
性や機械的強度、耐熱性の点からは後者の熱可塑性樹脂
を用いるのが好ましい。
ピン2は軸方向全長に亘って断面円形に形成されるもの
であって、その基部にはピン2の全周から突出される円
形の鍔11が設けてあり、この鍔11の下側に同様に円
形の鍔21が設けである。
であって、その基部にはピン2の全周から突出される円
形の鍔11が設けてあり、この鍔11の下側に同様に円
形の鍔21が設けである。
さらにピン2の基端には断面円形の頭部2aが設けであ
る。また回路体4としては絶縁体22の表面や表裏面に
回路12を設けて形成したものを用いることができ、例
えば〃ラスエポキシ配線板、プラスポリイミド配線板、
プラステフロン配線板、ポリエステル配線シートまたは
フィルム、ポリイミド配線フィルムまたはシートなどを
用いることができる。さらにポリイミドフィルム等で固
定した銅やアルミニウム、4270イ(Ni42%]N
i−Fe合金)のり−ド7レームなどを回路体4として
使用することもできる。電気抵抗の面からは銅回路を形
成したものが、後述する成形金型8へのセットの作業性
からは板状やリードフレーム状の形態のものが好ましい
。そして回路体4の中央部には半導体チップ3を納める
ための開口部19が形成してあり、さらに回路体4には
ピン2に対応する位置において回路12のランド部分で
ピン孔5が穿設しである。
る。また回路体4としては絶縁体22の表面や表裏面に
回路12を設けて形成したものを用いることができ、例
えば〃ラスエポキシ配線板、プラスポリイミド配線板、
プラステフロン配線板、ポリエステル配線シートまたは
フィルム、ポリイミド配線フィルムまたはシートなどを
用いることができる。さらにポリイミドフィルム等で固
定した銅やアルミニウム、4270イ(Ni42%]N
i−Fe合金)のり−ド7レームなどを回路体4として
使用することもできる。電気抵抗の面からは銅回路を形
成したものが、後述する成形金型8へのセットの作業性
からは板状やリードフレーム状の形態のものが好ましい
。そして回路体4の中央部には半導体チップ3を納める
ための開口部19が形成してあり、さらに回路体4には
ピン2に対応する位置において回路12のランド部分で
ピン孔5が穿設しである。
しかして基板1を成形するにあたっては、第2図に示す
ように成形金型8のf型8aに設けたピン挿入穴18に
ピン2を挿入してピン2をセットする。このとき、ピン
2の下側の鍔21がピン挿入穴18の周縁部の上面に係
止され、ピン挿入穴18へのピン2の挿入深さの位置決
めがなされると共にピン挿入穴18は鍔21でその開口
が閉塞される。そしてピン孔5にピン2の頭部2aを被
挿させてピン2の上側の鍔11にピン孔5の周縁を係止
させることによって、回路体4をピン2で保持させた状
態で下型8aにセットする。このようにピン2に設けた
鍔11で回路体4を係止させることによって、回路体4
を成形金型8内に正確な位置に位置決めした状態でセッ
トすることができるものであるが、@i図の実施例のよ
うに放熱体17を基板1に設ける場合には、この回路体
4のセットに先立って回路体4のド側位置にて下型8a
内に放熱体17をセットし、放熱体17の上面の周部で
回路体4の開口′FfS19の周縁の一ド面を支持させ
るようにする。放熱体17は下型8aに形成した凹所に
はめ込むことによって位置決めされている。このように
ピン2及び回路体4、放熱体17を下型8aにセットし
た後に、成形金型8の上型8bと下型8aとを型締めす
るのであるが、上型8bには各ピン2の位置に対応して
成形用突部10が突設してあり、この成形用突部10の
下端面にはピン2の上端部が挿入される凹穴32が凹設
しである。従って型締めすることによってピン孔5を挿
通して回路体4の上面に突出するピン2の頭部2aが凹
穴32内に挿入された状態で成形用突部10の下端面が
回路体4のピン孔5の周縁の上面に当接し、回路体4は
成形用突部10とピン2の鍔11との朋に挟持されて固
定される。
ように成形金型8のf型8aに設けたピン挿入穴18に
ピン2を挿入してピン2をセットする。このとき、ピン
2の下側の鍔21がピン挿入穴18の周縁部の上面に係
止され、ピン挿入穴18へのピン2の挿入深さの位置決
めがなされると共にピン挿入穴18は鍔21でその開口
が閉塞される。そしてピン孔5にピン2の頭部2aを被
挿させてピン2の上側の鍔11にピン孔5の周縁を係止
させることによって、回路体4をピン2で保持させた状
態で下型8aにセットする。このようにピン2に設けた
鍔11で回路体4を係止させることによって、回路体4
を成形金型8内に正確な位置に位置決めした状態でセッ
トすることができるものであるが、@i図の実施例のよ
うに放熱体17を基板1に設ける場合には、この回路体
4のセットに先立って回路体4のド側位置にて下型8a
内に放熱体17をセットし、放熱体17の上面の周部で
回路体4の開口′FfS19の周縁の一ド面を支持させ
るようにする。放熱体17は下型8aに形成した凹所に
はめ込むことによって位置決めされている。このように
ピン2及び回路体4、放熱体17を下型8aにセットし
た後に、成形金型8の上型8bと下型8aとを型締めす
るのであるが、上型8bには各ピン2の位置に対応して
成形用突部10が突設してあり、この成形用突部10の
下端面にはピン2の上端部が挿入される凹穴32が凹設
しである。従って型締めすることによってピン孔5を挿
通して回路体4の上面に突出するピン2の頭部2aが凹
穴32内に挿入された状態で成形用突部10の下端面が
回路体4のピン孔5の周縁の上面に当接し、回路体4は
成形用突部10とピン2の鍔11との朋に挟持されて固
定される。
また上型813にはさらにコア部9が突出して設けてあ
って、型締めの際にこのコア部9の下面の周縁部が回路
体4の開口$19の上面の周縁に当接するようにしてあ
り、型締めした状態においては回路体4の開口部19の
周縁部はコア部9と放熱体17との間に挟持されて固定
されるようにしである。そして成形金型8内に樹脂成形
材料を注入して硬化乃至固化させることによって、成形
金型8内で基板1を成形すると同時にピン2の基部を基
板1内にインサート成形すると共に、ピン孔5への頭部
2aの挿入で回路12にピン2を接触接続させた状態で
回路体4をインサート成形して基板1内に包含されるよ
う一体化させ、さらに放熱体17もその下面が基板1の
下面から露出する状態でインサートさせることができる
。
って、型締めの際にこのコア部9の下面の周縁部が回路
体4の開口$19の上面の周縁に当接するようにしてあ
り、型締めした状態においては回路体4の開口部19の
周縁部はコア部9と放熱体17との間に挟持されて固定
されるようにしである。そして成形金型8内に樹脂成形
材料を注入して硬化乃至固化させることによって、成形
金型8内で基板1を成形すると同時にピン2の基部を基
板1内にインサート成形すると共に、ピン孔5への頭部
2aの挿入で回路12にピン2を接触接続させた状態で
回路体4をインサート成形して基板1内に包含されるよ
う一体化させ、さらに放熱体17もその下面が基板1の
下面から露出する状態でインサートさせることができる
。
このようにピン2の基部を基板1にインサート成形して
取り付けるにあたって、tlS1図に示されるようにピ
ン2に設けた鍔11は基板1内に埋入され、また鍔21
はその下面が基板1の下面から露出する状態で埋入され
るものであり、このvjll、21の埋入によってピン
2の基部は基板1内に強固に保持され、ピン2の引き抜
き強度を高めることができると共にピン2がぐらつくこ
とを防止することができる。また、回路体4の回路12
とピン2との電気的接続はピン孔5へのピン2の頭g2
aの挿入接触によっておこなわれるが、この接続を確保
するためにピン孔5の内周にスルーホールメッキを施し
ておくのが好ましい。そして成形金型8の上型8bに設
けた成形用突部10によって、基板1にはfjIJ1図
のように回路体4のピン孔5の周縁の回路12とピン2
の頭部2aとを露出させる凹部7が形成されるものであ
り、この凹部7に半田などの低融点金属合金の小粒やク
リーム半田など導電性材料6を施し、加熱溶融させるこ
とによってこの導電性材料6で凹部7を充填することに
より、ピン孔5の周縁の回路12とピン2とを導電性材
料6で接合させることができ、回路体4の回路12とピ
ン2との導通信頼性を高めることができるものである。
取り付けるにあたって、tlS1図に示されるようにピ
ン2に設けた鍔11は基板1内に埋入され、また鍔21
はその下面が基板1の下面から露出する状態で埋入され
るものであり、このvjll、21の埋入によってピン
2の基部は基板1内に強固に保持され、ピン2の引き抜
き強度を高めることができると共にピン2がぐらつくこ
とを防止することができる。また、回路体4の回路12
とピン2との電気的接続はピン孔5へのピン2の頭g2
aの挿入接触によっておこなわれるが、この接続を確保
するためにピン孔5の内周にスルーホールメッキを施し
ておくのが好ましい。そして成形金型8の上型8bに設
けた成形用突部10によって、基板1にはfjIJ1図
のように回路体4のピン孔5の周縁の回路12とピン2
の頭部2aとを露出させる凹部7が形成されるものであ
り、この凹部7に半田などの低融点金属合金の小粒やク
リーム半田など導電性材料6を施し、加熱溶融させるこ
とによってこの導電性材料6で凹部7を充填することに
より、ピン孔5の周縁の回路12とピン2とを導電性材
料6で接合させることができ、回路体4の回路12とピ
ン2との導通信頼性を高めることができるものである。
またこのように導電性材料6を凹部7に充填することに
よってピン孔5を導電性材料6で埋めることができ、ピ
ン2との接続部分の耐湿信頼性を高めることもできる。
よってピン孔5を導電性材料6で埋めることができ、ピ
ン2との接続部分の耐湿信頼性を高めることもできる。
この導電性材料6としては上記したものの他に導電塗料
、導電フェス、導電m着剤などを用いることもできる。
、導電フェス、導電m着剤などを用いることもできる。
尚、成形金型8の上型8aに設けた成形用突部10は回
路体4の上面を押さえてピン2の鍔11との間に回路体
4を挟持する作用もなすために、成形金型8への樹脂の
注入時に回路体4が浮き上がって変形した状態で基板1
内にインサートされることを防止することもできる。
路体4の上面を押さえてピン2の鍔11との間に回路体
4を挟持する作用もなすために、成形金型8への樹脂の
注入時に回路体4が浮き上がって変形した状態で基板1
内にインサートされることを防止することもできる。
ここで、ピン2の頭部2aの上下の長さが艮過ぎるとこ
の頭部2aはピン孔5に挿通したうえでさらに回路体4
より大きく突出することになり、成形金型8の上型8b
の成形用突部10に頭部2aを被挿させるために設ける
凹穴32は154図(a)のように深い寸法で形成しな
ければならない。従ってこの場合には深くくり抜いて凹
穴32が形成される成型用突部10は強度が弱くなって
金型か命が短くなり、しかもこの場合には第4図(b)
に示すように基板1に形成される凹部7内に頭部2aは
大きく突出されることになり、凹部7の中央部内でこの
頭部2aが邪魔になって凹部7への導電性材料6の充填
の作業性が悪くなるという問題が生じる。そこで本発明
ではピン2の頭部2aの上下の長さを比較的短く設定し
て、ピン孔5に挿通した頭部2aが回路体4より大きく
突出することがないようにし、第3図(a)のように頭
部2aを被挿させる成形用突部10の凹穴32を浅い寸
法で形成できようにしたものであり、このものでは凹穴
32は浅く形成され・るために成型用突部10の強度が
大きく低下することがなくて金型寿命を艮することがで
き、しかもこの場合には第3図(b)に示すように基板
1に形成される凹部7内に頭部2aが大きく突出される
ことがなく、凹部7内でこの頭部2aが邪魔になるよう
なおそれなく凹部7への導電性材料6の充填を作業性良
くおこなうことができることになるのである。ピン2の
頭部2aの長さhは、凹部7の底面となる回路体4の表
面からの頭部2aの突出寸法b’が凹部7の深さ寸法H
の0〜75%に、好ましくは5〜60%になるように設
定されるものである。この寸法よりもピン2の頭部2a
の長さhが大きくなると第4図(、)(b)において説
明した問題の解決が不十分になるのである。
の頭部2aはピン孔5に挿通したうえでさらに回路体4
より大きく突出することになり、成形金型8の上型8b
の成形用突部10に頭部2aを被挿させるために設ける
凹穴32は154図(a)のように深い寸法で形成しな
ければならない。従ってこの場合には深くくり抜いて凹
穴32が形成される成型用突部10は強度が弱くなって
金型か命が短くなり、しかもこの場合には第4図(b)
に示すように基板1に形成される凹部7内に頭部2aは
大きく突出されることになり、凹部7の中央部内でこの
頭部2aが邪魔になって凹部7への導電性材料6の充填
の作業性が悪くなるという問題が生じる。そこで本発明
ではピン2の頭部2aの上下の長さを比較的短く設定し
て、ピン孔5に挿通した頭部2aが回路体4より大きく
突出することがないようにし、第3図(a)のように頭
部2aを被挿させる成形用突部10の凹穴32を浅い寸
法で形成できようにしたものであり、このものでは凹穴
32は浅く形成され・るために成型用突部10の強度が
大きく低下することがなくて金型寿命を艮することがで
き、しかもこの場合には第3図(b)に示すように基板
1に形成される凹部7内に頭部2aが大きく突出される
ことがなく、凹部7内でこの頭部2aが邪魔になるよう
なおそれなく凹部7への導電性材料6の充填を作業性良
くおこなうことができることになるのである。ピン2の
頭部2aの長さhは、凹部7の底面となる回路体4の表
面からの頭部2aの突出寸法b’が凹部7の深さ寸法H
の0〜75%に、好ましくは5〜60%になるように設
定されるものである。この寸法よりもピン2の頭部2a
の長さhが大きくなると第4図(、)(b)において説
明した問題の解決が不十分になるのである。
しかして、回路体4の開口部19の部分において基板1
の中央部には成形金型8のコア部9でキャビティ凹所2
6が形成されており、このキャビティ凹所26に納めた
状態でICチップなどの半導体チップ3を実装し、半導
体チップ3と基板1から露出する回路体4の回路12と
の間にワイヤー20をボンディングすることによって、
半導体チップ3と各ピン2とを回路体4の回路12を介
して電気的に接続し、第1図のようなピングリッドアレ
イAとして仕上げるものである。ここで、成形は回路体
4の開口部19の周縁部をコア部9と放熱体17との間
に挟持させた状態でなされるために、回路体4のこの部
分の表面に設けた回路12を樹脂に覆われることなく露
出させることができ、(!順性の高い状態でワイヤー2
0をボンディングできるようになる。またこれらの実装
やポンディ 。
の中央部には成形金型8のコア部9でキャビティ凹所2
6が形成されており、このキャビティ凹所26に納めた
状態でICチップなどの半導体チップ3を実装し、半導
体チップ3と基板1から露出する回路体4の回路12と
の間にワイヤー20をボンディングすることによって、
半導体チップ3と各ピン2とを回路体4の回路12を介
して電気的に接続し、第1図のようなピングリッドアレ
イAとして仕上げるものである。ここで、成形は回路体
4の開口部19の周縁部をコア部9と放熱体17との間
に挟持させた状態でなされるために、回路体4のこの部
分の表面に設けた回路12を樹脂に覆われることなく露
出させることができ、(!順性の高い状態でワイヤー2
0をボンディングできるようになる。またこれらの実装
やポンディ 。
ングの工程において回路体4の大部分は基板1内に埋め
込まれた状態にあるため、回路体4に傷が付いたりする
おそれなく実装やボンディングの作業を容易におこなう
ことができる。さらに、半導体チップ3の保護をおこな
うためにキャビティ凹所26に液状エポキシ封止樹脂な
どの封止?、4f脂を施して半導体チップ3を封止する
ようにしたりするのが好ましい。
込まれた状態にあるため、回路体4に傷が付いたりする
おそれなく実装やボンディングの作業を容易におこなう
ことができる。さらに、半導体チップ3の保護をおこな
うためにキャビティ凹所26に液状エポキシ封止樹脂な
どの封止?、4f脂を施して半導体チップ3を封止する
ようにしたりするのが好ましい。
そしてこのように形成されるピングリッドアレイAにあ
って、機器の実装基板(マザーボード)への取り付けは
マザーボード28に設けたソケットやスルーホール29
などに各ピン2を差し込むことによっておこなうことが
できる。このとき、基板1にはピン2と平行に複数の位
置決め突部30がそれぞれ等しい突出寸法で一体に突設
してあり、この位置決め突部30の先端がマザーボード
28の表面に当接することによって所定の間隙で基板1
とマザーボード28との間に空間を形成させることがで
きるようにしである。このように基板1とマザーボード
28との間の空間は位置決め突部30によって形成され
るために、第5図の従来例において示したように一部の
ピン2に位置決め用の鍔16を設けるような必要がなく
、ピン2として総て同じ形状のものを用いることができ
ることになる。虫たこのように位置決め突@1s30が
マザーボード28に当接することによって7ザーボー)
#28と基板1との間に加わる荷重が位置決め突部30
によって支持されることになり、ピン2の変形を防止す
ることもできる。ここで各位置決め突部30は第2図の
ように成形金型8に成形用凹所31を設けておくことに
よって、基板1を成形する際に同時に形成されるもので
あり、またこのように位置決め突部30を設けるにあた
って、各位置決め突部30をっなぐリブを基板1の裏面
に一体に設けるようにしておけば、このリブによって基
板1の補強をおこなわせることができ、基板1を薄く形
成することも可能になる。さらに、基板1にインサート
して設けられる放熱体17は熱伝導性に優れた銅、鉄、
アルミニウムなどの金属やセラミックなどで形成される
ものであり、放熱体17をこのように基板1に設けるこ
とで基板1に実装する半導体チップ3の発熱を放散する
ことができる。尚、上記第1図の実施例において半導体
チップ3はピン2が突出された面と反対側の計である基
板1の上面に実装するようにしたが、半導体チップ3を
基板1の下面側に実装する7エースグウンとして形成す
るようにしてもよい。特に放熱体17を用いて放熱をお
こなう場合においては、半導体チップ3を基板1の下面
に実装すると放熱体17は基板1の上面に露出して設け
られることになり、放熱体17から放散される熱が基板
1とマザーボード28との間にこもることなく良好に放
熱することができることになる。
って、機器の実装基板(マザーボード)への取り付けは
マザーボード28に設けたソケットやスルーホール29
などに各ピン2を差し込むことによっておこなうことが
できる。このとき、基板1にはピン2と平行に複数の位
置決め突部30がそれぞれ等しい突出寸法で一体に突設
してあり、この位置決め突部30の先端がマザーボード
28の表面に当接することによって所定の間隙で基板1
とマザーボード28との間に空間を形成させることがで
きるようにしである。このように基板1とマザーボード
28との間の空間は位置決め突部30によって形成され
るために、第5図の従来例において示したように一部の
ピン2に位置決め用の鍔16を設けるような必要がなく
、ピン2として総て同じ形状のものを用いることができ
ることになる。虫たこのように位置決め突@1s30が
マザーボード28に当接することによって7ザーボー)
#28と基板1との間に加わる荷重が位置決め突部30
によって支持されることになり、ピン2の変形を防止す
ることもできる。ここで各位置決め突部30は第2図の
ように成形金型8に成形用凹所31を設けておくことに
よって、基板1を成形する際に同時に形成されるもので
あり、またこのように位置決め突部30を設けるにあた
って、各位置決め突部30をっなぐリブを基板1の裏面
に一体に設けるようにしておけば、このリブによって基
板1の補強をおこなわせることができ、基板1を薄く形
成することも可能になる。さらに、基板1にインサート
して設けられる放熱体17は熱伝導性に優れた銅、鉄、
アルミニウムなどの金属やセラミックなどで形成される
ものであり、放熱体17をこのように基板1に設けるこ
とで基板1に実装する半導体チップ3の発熱を放散する
ことができる。尚、上記第1図の実施例において半導体
チップ3はピン2が突出された面と反対側の計である基
板1の上面に実装するようにしたが、半導体チップ3を
基板1の下面側に実装する7エースグウンとして形成す
るようにしてもよい。特に放熱体17を用いて放熱をお
こなう場合においては、半導体チップ3を基板1の下面
に実装すると放熱体17は基板1の上面に露出して設け
られることになり、放熱体17から放散される熱が基板
1とマザーボード28との間にこもることなく良好に放
熱することができることになる。
[発明の効果1
上述のように本発明にあっては、合成樹脂の成形品で基
板を形成すると共に基部を基板内にインサート成形して
固着した複数本のピンを基板から突出させるようにしで
あるので、合成O)詣によって基板を成形する際に基板
にピンの基部をインサート成形して基板へのピンの固定
がおこなえ、ピンを圧入する場合のような引き抜き強度
が不安定になることがないものである。また回路体に設
けたピン孔にピンの頭部を挿入して回路体とピンとを接
続した状態で回路体を基板内に埋入固定し、ピン孔を露
出させ且つ導電性材料を充填するための凹部を基板に凹
設しであるので、ピン孔とピンの頭部とを凹部内で導電
性材料によって接合させることができるものであり、ピ
ン孔とピンとの導通信頼性を導電性材料によって高める
ことができるものであり、しかも凹部にピンの頭部の先
端が底から0〜75%の深さの範囲で位置するようにピ
ンのIKi部の長さを設定しであるので、凹部内にピン
の頭部が大きく突出ようなことがなく、凹部への導電性
材料の充填の作業性が良好になるものである。
板を形成すると共に基部を基板内にインサート成形して
固着した複数本のピンを基板から突出させるようにしで
あるので、合成O)詣によって基板を成形する際に基板
にピンの基部をインサート成形して基板へのピンの固定
がおこなえ、ピンを圧入する場合のような引き抜き強度
が不安定になることがないものである。また回路体に設
けたピン孔にピンの頭部を挿入して回路体とピンとを接
続した状態で回路体を基板内に埋入固定し、ピン孔を露
出させ且つ導電性材料を充填するための凹部を基板に凹
設しであるので、ピン孔とピンの頭部とを凹部内で導電
性材料によって接合させることができるものであり、ピ
ン孔とピンとの導通信頼性を導電性材料によって高める
ことができるものであり、しかも凹部にピンの頭部の先
端が底から0〜75%の深さの範囲で位置するようにピ
ンのIKi部の長さを設定しであるので、凹部内にピン
の頭部が大きく突出ようなことがなく、凹部への導電性
材料の充填の作業性が良好になるものである。
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は同上の製
造の際の成形金型の断面図、第3図(a)(b)は本発
明の一実施例における基板部分の一部の拡大断面図と製
造の際の成形金型の一部の拡大断面図、第4図(a)(
1))は第3図(a)(b)と比較するための比較例に
おける基板部分の一部の拡大断面図と製造の際の成形金
型の一部の拡大断面図、第5図は従来例の断面図、第6
図は他の従来例の断面図である。 1は基板、2はピン、3は半導体チップ、4は回路体、
5はピン孔、6は導電性材料、7は凹部である。 代理人 弁理士 石 1)艮 七 第3図 (b) 第4図 旧 旧 (b) 第5図 第6図
造の際の成形金型の断面図、第3図(a)(b)は本発
明の一実施例における基板部分の一部の拡大断面図と製
造の際の成形金型の一部の拡大断面図、第4図(a)(
1))は第3図(a)(b)と比較するための比較例に
おける基板部分の一部の拡大断面図と製造の際の成形金
型の一部の拡大断面図、第5図は従来例の断面図、第6
図は他の従来例の断面図である。 1は基板、2はピン、3は半導体チップ、4は回路体、
5はピン孔、6は導電性材料、7は凹部である。 代理人 弁理士 石 1)艮 七 第3図 (b) 第4図 旧 旧 (b) 第5図 第6図
Claims (1)
- (1)合成樹脂の成形品で基板を形成すると共に基部を
基板内にインサート成形して固着した複数本のピンを基
板から突出させ、基板に実装する半導体チップと接続さ
れる回路体に設けたピン孔にピンの基端の頭部を挿入し
て回路体とピンとを接続した状態で回路体を基板内に埋
入固定し、ピン孔を露出させ且つ導電性材料を充填する
ための凹部を基板に凹設すると共にこの凹部にピンの頭
部の先端が底から0〜75%の深さの範囲で位置するよ
うにピンの頭部の長さを設定して成ることを特徴とする
ピングリッドアレイ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61244454A JPS6398140A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | ピングリツドアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61244454A JPS6398140A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | ピングリツドアレイ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6398140A true JPS6398140A (ja) | 1988-04-28 |
Family
ID=17118893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61244454A Pending JPS6398140A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | ピングリツドアレイ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6398140A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63160368A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体素子搭載用配線板 |
JPH034031A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-10 | Nippon Seiko Kk | ステアリングシャフト用弾性継手 |
EP0591631A1 (en) * | 1992-07-24 | 1994-04-13 | Fuji Electric Co., Ltd. | Power semiconductor device |
-
1986
- 1986-10-15 JP JP61244454A patent/JPS6398140A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63160368A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体素子搭載用配線板 |
JPH034031A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-10 | Nippon Seiko Kk | ステアリングシャフト用弾性継手 |
EP0591631A1 (en) * | 1992-07-24 | 1994-04-13 | Fuji Electric Co., Ltd. | Power semiconductor device |
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