JPS6320859A - ピングリツドアレイ - Google Patents

ピングリツドアレイ

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JPS6320859A
JPS6320859A JP16497686A JP16497686A JPS6320859A JP S6320859 A JPS6320859 A JP S6320859A JP 16497686 A JP16497686 A JP 16497686A JP 16497686 A JP16497686 A JP 16497686A JP S6320859 A JPS6320859 A JP S6320859A
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pin
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semiconductor chip
molded
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JP16497686A
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Atsumi Hirata
平田 篤臣
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Panasonic Electric Works Co Ltd
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Matsushita Electric Works Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野1 本発明は、ICパフケーノなどにおける成形品のピング
リッド7レイに関するものであ、る。
[背景技術] ICなど半導体のパフケーノにおいて素子の高機能化、
高密度化に伴うI10数増加や、高速度化に従ってのリ
ード長の短縮化などの対応として、チップを実装する基
板の裏面に外部への電気接続用ピンとなるピンを設けた
ピングリッドアレイ(PGAと略称される)が実用化さ
れている。このピングリッドアレイは基板の裏面の全面
を利用して多数のピンを突設するようにしたもので、ピ
ンを機器の実装基板(マザーボード)に設けたソケット
やスルーホール等に差し込むことによって、マザーボー
ドへの取り付けをおこなうことができる。
その基板の材料としては従来よりセラミックが主として
用いられているが、近年低価格化に対応して樹脂Mt層
板から得られるプリント配線板をこの基板として用いる
試みがなされている。
すなわち、tjSs図に示rよう1こ基板1を例えば厚
み1.0LIII11程度のガラスA(材エポキシ樹脂
積層板やガラス基材ポリイミド樹脂積層板などで形成し
、基板1の表面に回路12を設けると共に基板1にピン
孔13をドリルなどで穿孔加工し、直径0.5ffim
程度のピン2の91部14をピン孔13内に圧入等する
ことによって多数のピン2を基板1がら突出させた状態
で固着して、ピングリッド7レイAを作成するようにす
るものである。第5図において15は基板1へのピン2
の(iJHI’l514の圧入澤さを位置決めするため
に各ピン2に突設された鍔、16はマザーボードへの収
り付けの際のピン2の差し込み深さを位置決めするため
に一部のピン2に設けられた鍔である。しかしながらこ
のものにあっては、ピン2の取り付けのためにピン孔1
3を基板1に加工したり、ピン孔13にピン2を圧入し
たりという工程を必要とすることになり、工数が増加す
ると共に基板1の割れ等の関係から基板1へのピン2の
圧入強さに限界があってピン2の引き抜き強度を十分に
得ることができない等の問題がある。
そこで、本出願人等によって第6図に示すような81脂
の成形品で基板1を形成するようにしたピングリッド7
レイAが案出されるに至っている。
すなわちこのものは、合成樹脂の成形品で半導体チップ
4を実装するための基板1を形成すると共に基板lの成
形の際にピン2の基部を基板1内にインサート成形して
固着することによって、複数本のピン2を基板1から突
出させた状態で取り付けるようにし、さらにこのピン2
と接続した状態で回路体3を基板1内に埋入固定するよ
うにしたものである。このものでは合成回層によって基
板1を成形する際に基板1にピン2の基部をインサー)
Lでi[1へのピン2の固定がおこなえるために、ピン
孔13の穿孔やピン2の圧入などの工数を必要とするこ
となくピン2の取り付けを容易におこなうことができる
と共にピン2を圧入する場合のような引き抜き強度が不
安定になることもないのである。
しかしこの第6図のものにあっては、半導体チップ4の
*装や半導体チップ4と回路体3との間のワイヤー20
のポンディングなどの作業は基板1をIf脂成形したの
ちにおこなう必要があり、すなわち基板1にピン2を突
出させて取り付けた状態でこの作業をおこなう必要があ
り、この作業において突出するピン2が邪魔になった9
あろいはピン2が破損されたりするおそれがあり、既存
の半導体チップ4の実装工程をそのまま利用することが
困難であるという問題がある。
[発明の目的1 本発明は、上記の点に鑑みて為されたものであり、既存
の工程をそのまま用いて半導体チップの実装やワイヤー
ポンディングの作業を容易におこなうことができ、加え
て半導体チップの放熱やアースを容易におこなうことが
できるピングリッドアレイを提供することを目的とする
ものである。
[発明の開示1 しかして本発明に係るピングリッドアレイは、合成樹脂
の成形品で形成される基板1内に半導体チップ4を実装
した回路体3をインサート成形し・ζ埋入し、半導体チ
ップ4と反対側の面において回路体3に配設した放熱体
5をその一部が基JfX1の表面から露出された状態で
基板1内にインサート成形して埋入すると共に回路体3
に穿設した通孔6に熱及び/又は電気の良伝導性材料7
を充填してこの良伝導性材料7を介して半導体チップ4
と放熱体5とを接続し、基部を回路体3に接続した状態
で基板1内にインサート成形して固着した複数本のピン
2を基板から突出させで成ることを特徴とするものであ
り、半導体チップ4を基板1内に取り付ける時に回路体
3に実装しておくことでピン2の存在しない状態で実装
やワイヤーボンディングの作業をおこなうことができる
ようにし、また回路体3の通孔6に充填した良伝導性材
料7で半導体チップ4と放熱体5とを熱的や電気的1こ
接続できるようにして半導体チップ4の放熱やアースが
おこなえるようにしたものであって、以下本発明を実施
例によI)詳述する。
第1図(勿論実物大を示すものではない)は本発明の一
実施例を示すもので、基板1は今!&樹脂成形材料を射
出成形やトランスファー成形などで成形することによっ
て成形品として作成される。そしてこのように基板1を
成形する際にピン2の基部を基板1内に埋入1せるよう
インサート成形rることによって基@1に多数本のピン
2を平行に取り付け、またICチップなどの半導体チッ
プ4を表面に実装した回路体3が基板1内に埋入して取
り付けである。基@1をI成する合成樹脂としては、フ
ェノール、エポキシ、シリコン、ポリイミドなどの熱硬
化性a[Wや、ポリフェニレンサルファイド、ポリサル
7オン、ポリエーテルスルホン用いることができる。実
績的に信頼性のある面ではエポキシ樹脂を、また可撓性
や機械的強度、耐熱性の点からは後者の熱可塑性樹脂を
用いるのが好ましい。
回路体3としては放射状にPGA用の回路12を表面に
設けた絶縁体22を用いることができ、例えばプラスエ
ポキシ配線板、プラスポリイミド配R@、〃ラステアク
ン配線板、ポリエステル配線シートまたはフィルム、ポ
リイミド配#itフィルムまたは゛シートなどを用いる
ことができる.そして回路体3にはその表面の中央部に
おいてICチップなどの半導体チップ4が実装してあり
、半導体チップ4と回路体3の回路12との間にワイヤ
ー20をボンディングして施しである。これら半導体チ
ップ4の実装とワイヤーボンディングの作業は回路体3
を基板1内に取り付ける前におこなわれるものであり、
従ってピン2を設けていない状態でこれらの作業をおこ
なうことができ、ピン2が邪魔になることなく回路板に
電子部品を実装したりワイヤーボンディングしたりする
既存の工程やリードフレームを使った半導体チップの実
装の既存の工程のをそのまま利用して作業をおこなうこ
とができることになる.また回路体3の半導体チップ4
を実装する箇所には所要側の通孔6が穿設してあり、こ
の通孔6には良伝導性材料7を充填し、良伝導性材料7
に接触させた状態で半導体チップ4を回路体3に実装す
るようにしである。
この良伝導性材料7としては回路体3よりも熱の伝導性
に優れた材料や電気の伝導性に優れた材料、あるいは熱
と電気のいずれの伝導性にら優れた材料が用いられるも
のであり、例えば半導体チップ4のグイ接着材料として
用いられる銀ペーストや金品などを使用することができ
、半導体チップ4を回路体3に接着させで実装する際に
通孔6内に十分に充填させるようにする。さらに回路体
3にはピン2に対応する位置において回路12のランド
部分でピン孔1゛7が穿設しである。またピン2は軸方
向全長に亘って断面円形に形成されるものであって、そ
の頭部となる基部にはピン2の全周から突出される円形
の鍔11が設けてあり、さらにこの鍔11の下側に同様
に円形の鍔21が設けである。
しかして基板1の成形にあたっては、!@3図に示すよ
うに成形金型8の下J!!!8aに設けたピン挿入穴1
84こピン2を挿入してピン2をセットする。
このとき、ピン2の下側の鍔21がピン挿入穴18の周
縁部の上面に係止され、ピン挿入穴18へのピン2の挿
入深さの位置決めがなされると共1こピン挿入穴18は
鍔21でその開口がlyI塞され、ピン挿入穴18内に
成形時に樹脂が侵入してパリが発生することを防止°r
ることができる。そしてピン孔17にピン2の上端部を
挿入してピン2の上側の鍔11にピン孔17の周縁を係
止させることによって、半導体チップ4を実装した回路
体3をピン2で下型8aに保持させる.このようにピン
2に敗けたFF11で回路体3を係止させることによっ
て、回路体3を成形金型8内に正確な位置に位置決めし
た状態でセットすることができる。
さらに回路体3の半導体チップ4を実装した面と。
反対側の表面と下型8aとの間に放熱体5をセットする
.放熱体5は熱伝導性に優れた銅、鉄、アルミニウム、
セラミックなどで形成することができる。後述のように
半導体チップ4の7ースをこの放熱体5でとる場合には
、放熱体5としては電気伝導性を有する材料で形成する
必要がある.このようにピン2及び半導体チップ4を実
装した回路体3を下型8aにセットした後に、成形金型
8の上型8bと下型8aとを型締めするのであるが、上
型8bには各ピン2の位置に対応して成形用突部10が
突設してあり、この成形用突部10の下端面にはピン2
の上端部が挿入される凹部32が凹設しである.従って
型締めすることによって凹部32内にピン2の上端部が
挿入さ扛た状態で成形用突部10の下端面が回路体3の
ピン孔17の周縁の上面に当接し、回路体3は成形用突
部1′0とピン2の鰐11とのIll目こ挾持されて固
定され、また回路体3は成形用突部10と放熱体5との
開においても挟持されて固定される。そして成形金型8
内に樹脂成形材料を注入して硬化乃至固化させることに
よって、成形金型8内で基板1を成形すると同時にピン
2の基部を基板1内にインサート成形すると共に、回路
12にピン2の上端部を接触接続させた状態で回路体3
をインサート成形して基板1内に包含されるよう一体化
させる。さらにこのとき回路体3に実装した半導体チッ
プ46基板1内に埋入させると共に放熱体5も一部を露
出させた状態で基板1内に埋入させることができろ。
このようにピン2の基部を基板1にインサート成形して
収り付けるにあたって、第1図に示されるようにピン2
に設けた鰐11は基板1内に埋入され、また鍔21はそ
の下面が基Jfi、1の下面と面一になりで露出する状
態で埋入されるものであり、この鍔11.21の埋入に
よってピン2の基部は基板1内に強固に保持され、ピン
2の引き抜き強度を高めることがでさると共にと72が
ぐらつくことを防止することができる。また回路体3に
実装さhた半導体チップ4は基板1内に埋入されること
によって封止された状態になり、従って半導体チップ4
を封止するための工数を不要にする二とができる。そし
て放熱体5は第2図に示すように回路体3の通孔6に充
填した良伝導性材料7に接触された状態でその基部が基
板1内に埋入されており、良伝導性材料7を介して半導
体チップ4は放熱体5と接続された状態にある。従って
半導体チップ4の発熱を良伝導性材料7を介して放熱体
5に良好に伝熱させることができ、放熱体5から効率よ
く放熱させることができる。また半導体チップ4にアー
スをとる場合においては、半導体チップ4を良伝導性材
料7を介して放熱体5に電気的に接続させることで、容
易にアースをとることができる。
ユニで回路体3の回路12とピン2との接続はピン孔1
7へのピン2の基部の挿入接触によっておこなわれるが
、この接続を確保するために回路体3として回路12を
設けた絶縁体22を用いる場合にはピン孔17の内周に
スルーホールメッキを施しておくのが好ましい、ま・た
成形金型8の上型8bに設けた成形用突部10によって
、基板1にはvJ1図のように回路体3のピン孔17部
分においてピン孔17の周縁とピン2の上端部とを露出
させる凹部9が形成されるものであり、この凹部9に半
田などの低融点金属合金の小粒やクリーム半田、導電塗
料、導電フェス、導電接着剤など導電性材料を充填する
こと1こより、ピン孔17とピン2とを導電性材料で接
合させることができ、ピン孔17とピン2との導通信頼
性を高めることができる。ここで成形金型8の上型8b
1.:設けた成形用突部10は回路体3の上面を押さえ
てピン2の/n11との開に回路体3を挟持する作用も
なすために、成形金型8への樹脂の注入時に回路体3が
浮き上がったりして変形した状態で基板1内にインサー
トされることを防止することができろと共に回路12の
ランド部分への樹脂の浸入によろパリ発生を防止するこ
ともできる。また同時に回路体3は成形用突部10と放
熱体5との間に挟持された状態にもあり、成形金型8へ
のり(脂の注入時に回路体3と放熱体5との間に樹脂が
入り込むことを防止することができ、放熱体5と回路体
3の通孔6に充填した良伝導性材料7との接触状態を確
保して、放熱体5による放熱やアースを確保することが
で外る。
上記のようにして形成される第1図のようなピングリッ
ドアレイAにあって、機器の実装基板(マザーポーY)
への取り付けはマザーボード28に設けたソケットやス
ルーホール29などに各ピン2を差し込むことによって
おこなうことができる。
このとき、基板1にはピン2と平行に複数の位置決め突
部30がそれぞれ等しい突出寸法で一体に突設してあり
、この位置決め突部30の先端がマザーボード28の表
面に当接することによって所定の間隙で基板1とマザー
ボード28との間に空開を形成させることができるよう
にしである。このように基板1とマザーボード28との
間の空間は位置決め突部30によって形成されるために
、第5図の従来例において示したように一部のピン2に
位置決め用の鍔16を設けるような必要がなく、ピン2
として総て同じ形状のものを用いることができることに
なる。またこのように位置決め突部30がマザーボード
28に当接することによって7ザーボード28と基@1
との間に加わる荷重が位置決め突部30によって支持さ
れることになり、ピン2の変形を防止することもできる
。ここで各位置決め突部30は第3図のように成形金型
8に成形用凹所31を設けておくことによって、基板1
を成形する際に同時に形成されるもので、このように位
置決め突n30を設けるにあたって、各位置決め突部3
0をつなぐリブを基板1の裏面に一体に設けるようにし
ておけば、このリプによって基板1の補強をおこなわせ
ることができ、基板1を薄く形成することも可能になる
尚、上記第1図の実施例においては半導体チップ4はピ
ン2が突出された面と反N’1lllの面である回路体
3の上面に実装するようにしたが、半導体チップ4を回
路体3の下面側に実装するようにしてもよく、半導体チ
ップ4を回路体3の下面に実装すると放熱体5は基板1
の上面に露出するように設けられることになり、放熱体
5から放散される熱が基板1とマザーボード28との開
にこもることなく良好に放熱することができることにな
る。
また第4図は本発明の他の実施例を示すものであり、回
路体3の通孔6の内周面にスルーホールメッキをして金
属層34を設けると共に回路体3の半導体チップ4を実
装した面と反N!JJAの表面に金属層35を設け、放
熱体5を金属層35と密着させるように基板1にインサ
ート成形するようにしたものである。このものでは放熱
体5は金属層35と34とを介して広い面積で良伝導性
材料7と接続されることになり、半導体チップ4の熱の
放散を効率良くおこなうことができると共に、7−スを
とる場合にあらては電気の伝導性を高く確保することが
できる。。
[発明の効果J 上述のように本発明に係るピングリッドアレイは、基部
を回路体に接続した状態で基板内にインサート成形して
固着した複数本のピンを基板々・ら突出させるようにし
であるので、合成樹脂によって基板を成形する際に基板
にピンの基部をインサート成形して基板へのピンの固定
がおこなえ、ピン孔の穿孔やピンの圧入りとの工数を必
要とすることなくピンの取り付けを容易におこなうこと
ができると共にピンを圧入する場合のような引き抜き強
度が不安定になることもないものであり、また半導体チ
ップを実装した回路体を基板内にインサート成形して埋
入するようにしであるので、半導体チップの実装とワイ
ヤーボンディングの作業は基板内に取り付ける前の回路
板に対しておこなうことができ、従ってピンが設けられ
ていない状態でこれらの作業をおこなうことができるこ
とになってピンが邪魔になったりピンを破損したりする
ことなく既存の設備を用いて半導体チップの実装やワイ
ヤーボンディングの作業を容易におこなうことができる
ものである。加えて半導体チップと反対側の面において
回路体に配設した放熱体をその一部が基板の表面から露
出された状態で基板内にインサート成形して埋入すると
共に回路体に穿設した通孔に熱笈び/又は電気の良伝導
性材料を充填してこの良伝導性材料を介して半導体チッ
プと放熱体とを接続しであるので、半導体チップの発熱
は良伝導性材料を介して放熱体に良好に伝熱され、放熱
体から半導体チップの熱を効率よく放熱させることがで
きるものであり、また半導体チップと放熱体とを良伝導
材料で電気的に接続して放熱体を半導体チップのアース
として利用することもできるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明あ一実施例の断面図、第2図は同上の一
部の拡大断面図、第3図は第1図の実施例の製造に用い
る成形金型の断面図、!¥’54図は本発明の池の実施
例の一部の拡大断面図、第5図は従来例の断面図、第6
図は匝の従来例の断面図である。 1は基板、2はピン、3は回路体、4は半導体チップ、
5は放熱体、6は通孔、7は良伝導性材料である。 代理人 弁理士 石 1)艮 七 第3図 第4図 第5図 第6図 手続補正:8:(自発) 昭和61年9月13日 1、事件の表示 昭和61年特許顯第16 =i 976号2、発明の名
称 ピングリッド7レイ 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 住 所 大阪府門真市大字門真1048番地名称(58
3)松下電工株式合社 代表者  藤 井 貞 夫 4、代理人 郵便番号 530 5、補正命令の日付 自 発 6、補正により増加する発明の敗 なし7、補正の対象
   図 而

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)合成樹脂の成形品で形成される基板内に半導体チ
    ップを実装した回路体をインサート成形して埋入し、半
    導体チップと反対側の面において回路体に配設した放熱
    体をその一部が基板の表面から露出された状態で基板内
    にインサート成形して埋入すると共に回路体に穿設した
    通孔に熱及び/又は電気の良伝導性材料を充填してこの
    良伝導性材料を介して半導体チップと放熱体とを接続し
    、基部を回路体に接続した状態で基板内にインサート成
    形して固着した複数本のピンを基板から突出させて成る
    ことを特徴とするピングリッドアレイ。
JP16497686A 1986-07-14 1986-07-14 ピングリツドアレイ Pending JPS6320859A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16497686A JPS6320859A (ja) 1986-07-14 1986-07-14 ピングリツドアレイ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16497686A JPS6320859A (ja) 1986-07-14 1986-07-14 ピングリツドアレイ

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JPS6320859A true JPS6320859A (ja) 1988-01-28

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ID=15803465

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JP16497686A Pending JPS6320859A (ja) 1986-07-14 1986-07-14 ピングリツドアレイ

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JPH01204453A (ja) * 1988-02-09 1989-08-17 Citizen Watch Co Ltd 樹脂基板を用いたピングリッドアレイ構造
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