JPS63160369A - 半導体素子搭載用配線板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体素子搭載用配線板に関する。

（従来の技術とその問題点） 従来、半導体素子をプリント配線板上に搭載するには、
セラミック製のチップキャリアもしくはセラミック製の
パッケージを介して搭載する方法が一般的であった。し
かし一般的に使用されている高アルミナ質セラミック（
以下セラミックとする）は誘電率が約９と高くこのため
近年の演算速度の超高速化においては信号遅れが大きい
ため好ましい材料ではなかった。一方ガラスエポキシ配
線板は誘電率が５程度で配線の浮遊容量による信号波形
のくずれはセラミックよシ少ないもののセラミックに比
べ耐熱性が低い、熱伝導率が低い。

という欠点を有しておシ実装の高密度化には限界があっ
た。

一方シリコンチップをプリント配線板上に直接搭載する
方法も試みられているが、チップキャリアを介したもの
が殆んどであシ入出力の端子数が多いものはピングリッ
ドアレイ型バクケージとなり前述のセラミックに起因す
る欠点１ｌ−１′キけられない。

またセラミック製のパッケージにビンを略垂直に立てる
場合、メタライズ面上に一方の端部をくぎの顆状に加工
したビンをろう材で接合するのが一般的である。しかし
ろう材だけの接合では接合強度が弱く、気密性に問題が
生ずる。

前記の問題を解消する方法として特願昭６０−７３７６
０号に示すようにガラスエポキシ基板に小貫通孔を設は
小貫通孔に一方の端部をくぎの顆状に加工し、かつ途中
に凸部を形成したビンを挿入し、凸部の部分でがん合せ
しめて接合する方法も試みられているが、この方法では
ビンの接合強度がばらつく。これは小貫通孔内に導体層
をめっき技術によ多形成し、この導体層に前述のビンの
途中に形成した凸部をかん合させるため、小貫通孔の内
径のばらつきによりがん合の強度がばらつくためである
。接合強度を常に一定以上に保つのはかなシ困難な技術
である。さらに特開昭６１−１３６８６号公報に示す半
導体素子搭載用配線板があるが、しかしこのものは金属
板の露出している部分が少ないため放熱効果が十分でな
く、パッケージ化した場合、気密封止の際の接着性に問
題が生じる。

またガラスエポキシ配線板は１曲げ弾性率の低いガラス
エポキシ複合材料などの有機系材料を基板に用いるため
配線板がわずかに変形することがあり１例えば１０加当
り５０μｍ程度の反シが起こりうる。また半田柱で半導
体素子を配線板表面に接合させる方法で、半導体素子を
ディストリビューション配線板、マザーチップ等に接合
させたものは、２〜３μｍの歪によって半田接合部に破
断が発生するという欠点が生じる。

本発明はこれらの欠点のない半導体素子搭載用配線板を
提供することを目的とするものである。

（問題点を解決するための手段う 本発明者らは上記の欠点について種々検討した結果、半
導体素子搭載用配線板の構造を下記の如く基板の半導体
素子を搭載する部分を除いた部分に導通回路、ワイヤー
ボンディング部及びビンを挿入固着するための小貫通孔
を形成し、さらに基板のほぼ中央部に大貫通孔を形成し
、前記大貫通孔内に、上面に半導体素子が搭載される平
坦部を有し、かつ前記大貫通孔の下方に折曲部を有し。

基板に形成した導通回路及び小貫通孔内に挿入されたビ
ンと絶縁された伝熱板を設け、少なくともビンの先端、
ワイヤーボンディング部及び伝熱板の平坦部を残し、他
の部分を合成樹脂で被覆した構造とし念ところ、誘電率
が５程度で耐熱性及び熱伝導率がガラスエポキシ配線板
に比べ高いものも可能で、高発熱密度の半導体素子も搭
載可能であることが確認された。また放熱効果も優れ、
パッケージ化した場合の気密封止性も高くなり、大貫通
孔内の半導体素子搭載部をキャビティ構造にすることも
可能で半導体素子実装に好適であるということも確認し
た。

本発明は基板のほぼ中央部に設けられた大貫通孔、大貫
通孔の周辺の基板の表面に形成されたワイヤーボンディ
ング部、ワイヤーボンディング部と導通するようワイヤ
ーボンディング部と接して形成された導通回路、導通回
路及び基板を貫通して形成された小貫通孔、小貫通孔内
に挿入固着されたビン並びに大貫通孔内に、上面に半導
体素子が搭載される平坦部を有し、かつ前記大貫通孔の
下方向に折曲部を有し、基板に形成した導通回路及び小
貫通孔内に挿入されたビンと絶縁して設けられた伝熱板
からなり、少なくともビンの先端。

ワイヤーボンディング部及び伝熱板の平坦部を残し、他
の部分を合成樹脂で被覆してなる半導体素子搭載用配線
板に関する。

本発明において使用される伝熱板は、銅、アルミニウム
など熱伝導性に優れたものが好ましいが。

搭載する半導体素子の大きさによシ、熱膨張係数の不一
致に起因する不都合が発生する場合にはコバール、４２
合金など半導体素子と熱膨張係数が近似する金属材料を
使用することが好ましい。

基板に伝熱板を設けるには、伝熱板に上面が平坦な突起
を形成し、そして前記平坦部を有する突起および基板と
の接合部（伝熱板の両端）以外の部分に折曲部を形成し
、前記突起を大貫通孔内に挿入し、折曲部が大貫通孔の
下方向に位置するように設けることが好ましい。突起の
形状は半導体素子を搭載するため上面は平坦とされ、そ
の突起の形成箇所は伝熱板のほぼ中央部とすることが好
ましい。なお平坦度はその上面に半導体素子が実装でき
る程度の平坦度が必要である。突起を形成する手段は特
に制限はないが９例えば金型を用いた絞り加工によれば
平坦部の周辺が変形しても。

平坦部表面の変化は殆んど起こらず、伝熱板と半導体素
子接合の信頼性及び生産性に優れるので好ましい。

伝熱板の厚さと折曲部との関係について第５図によシ説
明する。伝熱板８の平坦部１８及び基板との接合部１９
の厚さｔは０．１〜２０工のものを用いることが好まし
く、０．２〜１．０胴のものを用いれば加工性９強度及
び配線板の重量が軽減できるのでさらに好ましい。また
平坦部１８を有する突起の高さＣは基板の厚さより小さ
いことが好ましく、基板の厚さからマザーチップの厚さ
を引すた厚さに等しければ、導通回路とマザーチップの
上面との高さがほぼ等しくなりワイヤーボンディング性
に優れるので好ましい。

さらに折曲部１０の幅ａ及び高さｂについて。

ａは伝熱板７の基板との接合性の関係で３〜２０圓の幅
にすることが好ましくｔ　ｂは加工性の面で１５　ｍｕ
＋未満であることが好ましい。

折曲部の形状については特に制限はないが、加工性の面
でＵ字形、７字形であることが好ましい。

本発明における基板とは、ガラスエポキシ積層板などの
ブリ、ント配線板材料の半導体素子を搭載する大貫通孔
部分を除いた部分にワイヤーホンディング部、導通回路
、及び小貫通孔を形成したものを示す。

基板の素材としては１紙、ガラス繊維からなる織布、不
織布などにエポキシ、フェノール等の樹脂組成物を含浸
、積層成形硬化せしめた紙エポキシ積層板２紙フェノー
ル積層板、ガラスエポキシ積層板及びポリイミド、ポリ
アミド、ポリアミドイミド、ポリエステル等の樹脂をフ
ィルム状に成形したものに銅箔を張り合わせたプリント
配線板材料が用途に応じて使用される。

伝熱板の一部は２合成樹脂で被覆して基板の裏面に固定
されるが２合成樹脂で被覆する前にあらかじめ樹脂接着
剤を用いて固着することが好ましい。適用される樹脂接
着剤としてはエポキシ樹脂。

ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂、耐熱性熱可塑性樹脂
などが用途、使用条件において選択され用いられる。

導通回路及びワイヤーボンディング部を形成する材料と
しては、特に制限はないが２価格、熱伝導性などの点で
銅を用いることが好ましい。導通回路及びワイヤーボン
ディング部の形成方法についても特に制限はなく９例え
ば基板の表面に銅箔を張り合わせたり、銅ペーストを印
刷して硬化させたり、めっき処理などの手段で銅の被膜
を形成し、その後必要に応じてエツチングを行ない希望
の形状に形成する。

配線板のほぼ中央に設ける大貫通孔の大きさは。

半導体素子の大きさに応じて設けられるが、大貫通孔と
半導体素子とのクリアランスは０．５　ｉｒ＋ｎｓ度で
あることが好ましい。

大貫通孔周辺に設ける小貫通孔の周辺にはワイヤーボン
ディング部と導通する導通回路がピンの中心に対して同
心円状に存在することが望ましく。

ピンと導通回路はこの同心円状の部分（ランド部）で電
気的に接続した状態で固着される。例えばピンの形状が
くぎの顆状を呈し、ピンの直線部の直径が小貫通孔の内
径よシ小さく、そしてピンの頭部の直径が小貫通孔の内
径より犬きく、ランド部の外径以下の寸法であれは圧接
、ろう材による固着、導電性接着剤による固着などの手
段によりピンの頭部とランド部は電気的に接続した状態
で固着される。なお小貫通孔の内部には必要に応じ導電
層が形成される。ピンの材質は、特に制限はないが、コ
パール、４２合金、５２合金等のＮ４系合金、銅、銅合
金などが使用できる。ピンの長さは挿入して固着する基
板よシ突出させるため基板より長いものを用いることが
好ましく、突出長さは２ｆｆＩｔｌ＋以上あることが好
ましい。このピンと基板との固着は、半田、銀ろう、熱
硬化性樹脂、耐熱性熱可塑性樹脂等が用いられるが、ピ
ンの頭部と基板に形成した導通回路との部分を半田、銀
ろう等で固着すれば接着強度に優れるので好ましい。

被覆用の合成樹脂は、熱硬化性樹脂であっても熱可塑性
樹脂であっても差しつかえない。例えばエポキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂とその硬化剤、添加剤又は飽和ポリエステル樹
脂、ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂とその硬化剤、添
加剤が用途。

使用条件において選択され用いられる。なお本発明では
必要に応じ合成樹脂中に溶融石英粉、アルミナ粉、ボロ
ンナイトライド粉、アルミニウムナイトライド粉等の無
機質充填材、ガラス繊維のような補強材などが添加され
る。合成樹脂中に上記のよう全無機質充填材を添加すれ
ば得られる半導体素子搭載用配線板の熱伝導率が高くな
シ放熱性に優れるので好ましい。

被覆用の合成樹脂は、導通回路上の全面を被覆してもよ
いが９作業性及びワイヤーボンディング部へのワイヤー
の接合に支障が生じないようにワイヤーボンディング部
に接する部分を除いて被覆することが好ましい。また大
貫通孔の内壁は必要に応じ被覆するものとする。

本発明は、少なくともビンの先端、ワイヤーボンディン
グ部及び伝熱板の平坦部を残し、他の部分を合成樹脂で
被覆するので大貫通孔内の半導体素子搭載部（伝熱板の
平坦部）をキャビティ構造にすることが可能である。キ
ャピテイの深さは特に制限するものではないが、半導体
素子搭載部にマザーチップ及び半導体素子を搭載し次と
き、マザーチップの上面と、ワイヤーボンディング部と
の高さがほぼ同一であるような深さにすれば、導線（ワ
イヤ）を介してこれら両者を接続する工程がよシ答易に
なシ好ましい。

本発明では上記の他に伝熱板の平坦部の裏面に必要に応
じて放熱用スタッドフィンなどが取シ付けられる。

（実施例〕 以下実施例によシ本発明を説明する。

実施例１ 寸法３ＱＸ３０ｍで厚さ０．６　ｌｒｒｍのガラス不織
布コンポジット積層板（新神戸電機製、商品名Ｅ６６８
）の片面に厚さ３５μｍの銅箔を張シ合わせ、ついで第
１図に示すようにその中央部（寸法１５．２４　ＸＩ　
５．２４ｍ＋ｎ）　６を除いた部分に２．５４ｍ１ｎ間
隔で超硬ドリルで直径０．６　ｍの小貫通孔１を７２個
設けた。この後表面にレジスト膜を形成し。

エツチングしてレジスト膜の剥離を行ない上面に所定の
導通回路２．前記中央部の端から１　ｆｆ１ｌｌｌの位
置にワイヤーボンディング部内側端部３を、さらに前記
中央部の端から２．５ａｍの位置にワイヤーボンディン
グ部外側端部４を形成した基板５を得た。

次に上記基板５の中央部を金型で８×８ｆｆＩｌｆｉの
寸法に打ち抜いて第２図に示すような大貫通孔７を形成
した。

一方２寸法１２Ｘ１２駒で厚さ０．２５薗の銅板の中央
部に第５図に示すように高さＣが０．５ｍ。

加工部の曲率半径が０．５ｍｍ＋Ｒで平坦部１８の寸法
が６．５　Ｘ　６．５　ｍの突起９およびａが２＋ｎｍ
、ｌ）が１胴のＵ字形の折曲部１０を絞り加工で形成し
て伝熱板８を得た。折曲部１０の４２口及び・・の寸法
を側法したところ、イは０．２０薗９口は０．１９　ｍ
ｍおよびハは０．２２１［１ｍであった。この後トリク
レンの蒸気で洗浄後、アルカリ脱脂工程を経てワット浴
で伝熱板８の表面にニッケルめっきを２゜μｍの厚さに
施した。なお第５図において１９は基板との接合部であ
る。

次に第２図に示すように伝熱板８の突起９を前記基板５
の大貫通孔７内に挿入し、折曲部１０が大貫通孔７の下
方向に位置するよう配設し、他の部分が小貫通孔１と接
触しないように伝熱板８と基板５とを液状のシリコーン
ゴム（信越化学工業製、商品名ＫＥ４５Ｗ）で接着した
。なお液状のシリコーンゴムは絞シ加工した中央部の上
面を除き、基板５の裏面と接着する面上に０．２±０．
１　ｏｎの厚さに塗布した。ついで小貫通孔１内に直径
が０、５８　ｍｍで一方の端部をくぎの顆状に加工した
長さ７　ｍｍの５２合金のネールへラドビン１１を挿入
し、他の一方の端部（端子）を下面に露出させた後Ｓｎ
　：ｐｂ＝６０　：　４０の半田によ）ネールへラドビ
ン１１を固着した。この後ネールヘッドピン１１の先端
５　ｍｍ、ワイヤーボンディング部（ワイヤーボンディ
ング部内側端部３からワイヤーボンディング部外側端部
４の部分）、大貫通孔７の内壁及び伝熱板８の平坦部１
８と折曲部１０とを除いた部分をエポキシ樹脂組成物１
２で被覆して伝熱板８の平坦部１８の上面に半導体素子
搭載部を有する半導体素子搭載用配線板を得た。

得られた半導体素子搭載用配線板についてビンの引き抜
き（ピン先端方向の引張り）強さ及びビンの押し込み（
くぎの顆状方向への押し込みン強さを測定したところ、
引き抜きではビンが９．２　ｋｇ　ｆ／本で破断し、押
し込みではビンが座屈し、測定できなかった。

なお、上記で用いたエポキシ樹脂組成物１２は。

酸無水物硬化剤としてメチルテトラヒドロ無水フタル酸
（日立化成工業製、商品名ＨＮ−２２００）６０ｉｉ部
に２エチル４メチルイミダゾール０．１５重量部を溶解
混合したものと水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（
旭電化製、商品名ＢＰ−４０８０）、エポキシ当量２３
５〜２５５．平均エポキシ当量２４５）３０重量部とビ
スフェノールｈｍエポキシ樹脂（シェル化学製、商品名
エピコート８３４．エポキシ当量２２５〜２８０．平均
エポキシ当量２５０）７０重量部とを溶解混合したもの
５０重量部及びポロンナイトライド粉（電気化学工業製
ＧＰ）５０重量部をよく混合したものを用い、１３０℃
に予熱した金型に注入し。

金型底部を１７０℃まで５分で昇温し、金型底部から硬
化させ、約１５分で硬化させた。後硬化は１５０℃で１
時間行なった。

一方、上記とは別に寸法が６．５　ｘ　６．５　ｍｍで
厚さが０．３職のシリコン単結晶の片面に所望の配線パ
ターンを形成したマザーチップを得た。次に第３図に示
すようにこのマザーチップ１３上に寸法が３Ｘ４ｍの半
導体素子１４を搭載し、双方を直径１２０μｍ、高さ１
００μｍのＳｎ：Ｐｂ＝５：９５の半田柱で接合して複
合半導体素子を得た。

この後複合半導体素子を前記で得た半導体素子搭載用配
線板の半導体素子搭載部（伝熱板８の平坦部１８の上面
）にシリコーンゴム組成物１５を用いて接着した。シリ
コーンゴム組成物１５はシリコーンゴム（信越化学工業
製、商品名ＫＥ４５Ｗ）５０重量部と前述のボロンナイ
トライド粉５０ｉ４（置部とをよく混合したものを用い
た。なおシリコーンゴム組成物１５は厚さが０．０５■
になるように計算し、計算量を秤量して半導体素子搭載
部に供給し、複合半導体素子を接着した。

ついでマザーチップ１３上及び前記のワイヤーボンディ
ング端部間を直径が５０μｍの珪素を１重量％含むアル
ミニウムワイヤー１７を用い超音波接合した。この後外
径寸法が３０Ｘ３０（０１１１で外周部の幅５加の部分
が高さ３１１ＩＩ！＋で、中央部２０×２０順の部分に
深さ２ＩｒｌＩ１１の凹部を形成した第４図に示す蓋１
６を前記と同じエポキシ樹脂組成物を用いて成形、製作
し、蓋１６の外周部を半導体素子搭載用配り板の上面の
外周部分に合わせ、前記と同じエポキシ樹脂組成物１０
０ｉｉ部に対し２エチル４メチルイミダゾールを２重量
部添加したエポキシ樹脂接着剤２０を用いてＭ２Ｓと複
合半導体素子を搭載した半導体素子搭載用配線板とを接
着して半導体装置を得た。

なおエポキシ樹脂接着剤２０は、厚さ０．４　ｍｕ＋に
なるように計算し、算出量を秤量して蓋１６の外周部に
ほぼ均等になるように塗布し、１５０℃。

１０分で硬化させた。

得られた半導体装置について誘電率及び熱伝導率を測定
したところ、誘電率は、５．３でガラスエポキシ配線板
とほぼ同一であシ、マザーチップ１３の下面から半導体
素子搭載部の下面までの熱伝導率は、　０．０２６４　
ｃａｌ／ｃｍ　・秒−”ｃでガラスエポキシ積層板の０
．００１　Ｃａｔ　／ａｍ　・秒・℃に比べ約２６倍で
あった。

さらに気密封止した半導体装置を、プレッシャークツカ
ー試鹸機で１２１℃、２気圧（ゲージ圧）。

１００時間の条件で試験を行なったが、アルミニウムワ
イヤーの腐食はみられなかった。

また半導体素子搭載用配線板から露出した７２本のネー
ルへラドビン１１を無負荷挿入用ソケット（図示せず〕
に挿入後レバーを操作してネールへラドビン１１をソケ
ット内ではさみ込んで固定した。ネールへラドピン１１
をはさみ込んだときネールへラドビン１１に歪が発生す
るが、このネールヘッドピン１１をはさみ込む操作を５
０回繰シ返し行なってもマザーチップ１３と半導体素子
１４とを接合している半田柱には亀裂などの破断は発生
しなかった。

実施例２ 実施例１で用いたエポキシ樹脂組成物の代りにポリアミ
ドイミド樹脂組成物を用いた以外は実施例１と同様の方
法及び工程により半導体素子搭載用配線板及び半導体装
置を得た。熱硬化性であるエポキシ樹脂組成物の代シに
熱可塑性であるポリアミドイミド樹脂組成物を用いたこ
とにともない。

成形は、２６０℃に加熱した該樹脂組成物を２６０℃に
加熱した金型に圧入後直ちに金型を６０℃の温水で冷却
し賦形する方法とした。

なお該樹脂組成物は、ポリアミドイミド樹脂（自社配合
品）５０重量部に実施例１で用いたものと同じボロンナ
イトライド粉５０］ｉｉ部を均一に混合したものを用い
た。

得られた半導体素子搭載用配線についてネールへラドピ
ンの引き抜き及び押し込み強さを測定したところ引き抜
きではネールへラドビンが９．３ｋｇｆＺ本で破断し、
押し込みではネールへラドビンが座屈し、測定できなか
った。

また実施例１と同様の方法でネールへラドピンをはさみ
込む操作を１００回繰り返し行なってもマザーチップと
半導体素子とを接合している半田柱には亀裂などの破断
は発生しなかった。

比較例１ 外径寸法３０Ｘ３０ｗで厚さ１　ｍＩｎのガラス不織布
コンポジット積層板（新神戸電機製、商品名Ｅ６６８）
の両面に厚さ３５μｍの銅箔を張り合わせ、ついでその
中央部（寸法８　Ｘ　８　ｎｎｏ　）を除いた部分に第
６図に示すように２５４ｆｆＩＩ１１間隔で超硬ドリル
で直径０．５５ｍｍの小貫通孔ｌを７２個設けた。この
後表面にレジスト膜を形成し、エツチングして、レジス
ト膜の剥離を行ない上面に所定の導通回路２及び前記中
央部の端からＩＩＩ］ｌｌｌの位置にワイヤーボンディ
ング部内側端部３を、さらに前記中央部の端から２．５
　ｍ＋ｎの位置にワイヤーボンディング部外側端部４を
形成した基板５を得た。ついで小貫通孔１内に、直径が
０．５８ｍで一方の端部を頭頂部の厚さが０．２　ｍ［
ｌ１頭頂部の直径が０．８岨のくぎの顆状に加工し、〈
ぎの頭部から０．５　ｍｍ下の部分を金型で最大幅が０
．６５　ｍになるようにつぶして途中に凸部２１を形成
した長さ７ａｏの５２合金製の洋−ルヘッドピン２２を
挿入し、凸部２１の部分で小貫通孔とかん合させ第６図
に示す半導体素子搭載用配線板を得た。次にこの半導体
素子搭載用配線板の中央部に実施例１で得た複合半導体
素子及び伝熱板を実施例１と同様の方法で接着した。

この後実施例１と同様の方法でネールヘッドピンの引き
抜き及び押し込み強さを測定したところ。

引き抜きではネールへラドピン２２が８．３ｋｇｆ／本
で破断し、押し込みではネールへラドビン２２が基板５
から１．７〜２．８に９ｆ／本で抜けた。

また実施例１と同様の方法でネールヘッドピン２２をは
さみ込む操作を繰り返したところ、５回縁シ返しただけ
でマザーチップと半導体素子とを接合している半日柱に
亀裂が入シ、電気的な導通が確保できなかった。さらに
マザーチップの下面から半導体素子搭載部の下面までの
熱伝導率は。

０、００１　Ｃａｔ／ｃｍ・秒・℃であり実施例に比べ
低いことがわかる。

なお比較例１では蓋を接合する前に欠点が生じたので、
蓋を伝熱板の外周部分に接合する作業は行なわなかった
。

（発明の効果〕 本発明になる半導体素子搭載用配線板は２反シの発生は
なく機械的強度及び熱伝導率が高く放熱効果に優れ、気
密封止の際の接着性及び気密性において何ら問題のない
半導体素子搭載用配線板である。

【図面の簡単な説明】 第１図及び第２図は本発明の実施例における半導体素子
搭載用配線板の製造作業状態を示す断面図、第３図及び
第４図は半導体素子搭載用配線板を用いた半導体装置の
製造作業状態を示す断面図。 第５図は伝熱板の部分拡大図及び第６図は従来の半導体
素子搭載用配線板を示す断面図である。 符号の説明 １・・・小貫通孔　　　　２・・・導通回路３・・・ワ
イヤーボンディング部内側端部４・・・ワイヤーボンデ
ィング部薄側端部５・・・基板　　　　　　６・・・中
央部７・・・大貫通孔　　　　８・・・伝熱板９・・・
突起　　　　　　１０・・・折曲部１１・・・ネールへ
ラドビン１２・・・エポキシ樹脂組成物１３・・・マザ
ーチップ　　１４・・・半導体素子１５・・・シリコー
ンゴム組成物 １６・・・蓋 １７・・・アルミニウムワイヤー １８・・・平坦部　　　　　１９・・・基板との接合部
２０・・・エポキシ樹脂接着剤 ２１・・・凸部２２・・・ネールへッドピン代理人　弁
理士　若　林　邦　彦。 第　１（！１ ■　３　圀 第　４　区 手続補正書（岐）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、基板のほぼ中央部に設けられた大貫通孔、大貫通孔
   の周辺の基板の表面に形成されたワイヤーボンディング
   部、ワイヤーボンディング部と導通するようワイヤーボ
   ンディング部と接して形成された導通回路、導通回路及
   び基板を貫通して形成された小貫通孔、小貫通孔内に挿
   入固着されたピン並びに大貫通孔内に、上面に半導体素
   子が搭載される平坦部を有し、かつ前記大貫通孔の下方
   向に折曲部を有し、基板に形成した導通回路及び小貫通
   孔内に挿入されたピンと絶縁して設けられた伝熱板から
   なり、少なくともピンの先端、ワイヤーボンディング部
   及び伝熱板の平坦部を残し、他の部分を合成樹脂で被覆
   してなる半導体素子搭載用配線板。