JPH10150118A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法Info
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- JPH10150118A JPH10150118A JP30463396A JP30463396A JPH10150118A JP H10150118 A JPH10150118 A JP H10150118A JP 30463396 A JP30463396 A JP 30463396A JP 30463396 A JP30463396 A JP 30463396A JP H10150118 A JPH10150118 A JP H10150118A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高密度実装が容易なＬＧＡタイプのものにおい
て、半導体装置をソケットまたは治具に装着してプロー
ビングにより検査する際に、均一なプロービングが行え
る半導体装置とその製造方法を提供する。 【解決手段】表面に配線電極を有しこの配線電極に電気
的に接続された格子状の電極を裏面に有するキャリア基
板と、前記配線電極にフリップチップ実装により搭載さ
れた半導体素子からなる半導体装置において、半導体素
子がキャリア基板のキャビティ内に搭載され、キャビテ
ィの深さを半導体素子の搭載後の高さと同じにすること
でモノリス構造とする。
て、半導体装置をソケットまたは治具に装着してプロー
ビングにより検査する際に、均一なプロービングが行え
る半導体装置とその製造方法を提供する。 【解決手段】表面に配線電極を有しこの配線電極に電気
的に接続された格子状の電極を裏面に有するキャリア基
板と、前記配線電極にフリップチップ実装により搭載さ
れた半導体素子からなる半導体装置において、半導体素
子がキャリア基板のキャビティ内に搭載され、キャビテ
ィの深さを半導体素子の搭載後の高さと同じにすること
でモノリス構造とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置とその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、情報通信機器、事務用電
子機器、家庭用電子機器、測定装置、組み立てロボット
等の産業用電子機器、医療用電子機器、電子玩具等の小
型化に寄与し、かつ小型化を容易にする。
子機器、家庭用電子機器、測定装置、組み立てロボット
等の産業用電子機器、医療用電子機器、電子玩具等の小
型化に寄与し、かつ小型化を容易にする。
【０００３】従来、半導体装置の形態は樹脂モールドさ
れた平板状の半導体パッケージで、パッケージの四辺か
らリード端子が平板の側面４方向から出ているＱＦＰ
（QuadFlat Package）タイプが主流であった。 最近は
パッケージのウラ面に格子状に電極が配列されたＬＧＡ
（ランドグリッドアレイ）タイプが注目されている。
れた平板状の半導体パッケージで、パッケージの四辺か
らリード端子が平板の側面４方向から出ているＱＦＰ
（QuadFlat Package）タイプが主流であった。 最近は
パッケージのウラ面に格子状に電極が配列されたＬＧＡ
（ランドグリッドアレイ）タイプが注目されている。
【０００４】図４は従来のＬＧＡタイプの半導体装置の
一部破断斜視図である。この半導体装置は半導体素子４
１、キャリア基板４２、キャリア基板４２の表面の配線
電極４３、半導体素子４１の電極と配線基板４３とを電
気的に接続する接合部４４、半導体素子４１とキャリア
基板４２との間を封止する封止樹脂４５、配線電極４３
と電極４７とを接続するビア４６、キャリア基板４２の
裏面の格子状の電極４７を備える。このＬＧＡタイプの
半導体装置は以下の点で優れている。すなわち、ＱＦＰ
タイプの半導体装置の小型化を図るとき、リード端子を
四辺に狭ピッチ、例えば０．５ｍｍピッチ以下に配列す
る必要があり、実装時の位置合わせやハンダ付けが困難
になる。それに対し、ＬＧＡタイプの半導体装置ではキ
ャリア基板４２の裏面の全体が有効に利用できるので、
狭ピッチの電極配列にしなくても小型化が可能となり、
実装が簡単に行える。このようなＬＧＡタイプの半導体
装置の検査は、一般にソケットまたは治具に装着し外部
電極へのプロービング、すなわち抵抗値測定器による検
針によりおこなわれる。
一部破断斜視図である。この半導体装置は半導体素子４
１、キャリア基板４２、キャリア基板４２の表面の配線
電極４３、半導体素子４１の電極と配線基板４３とを電
気的に接続する接合部４４、半導体素子４１とキャリア
基板４２との間を封止する封止樹脂４５、配線電極４３
と電極４７とを接続するビア４６、キャリア基板４２の
裏面の格子状の電極４７を備える。このＬＧＡタイプの
半導体装置は以下の点で優れている。すなわち、ＱＦＰ
タイプの半導体装置の小型化を図るとき、リード端子を
四辺に狭ピッチ、例えば０．５ｍｍピッチ以下に配列す
る必要があり、実装時の位置合わせやハンダ付けが困難
になる。それに対し、ＬＧＡタイプの半導体装置ではキ
ャリア基板４２の裏面の全体が有効に利用できるので、
狭ピッチの電極配列にしなくても小型化が可能となり、
実装が簡単に行える。このようなＬＧＡタイプの半導体
装置の検査は、一般にソケットまたは治具に装着し外部
電極へのプロービング、すなわち抵抗値測定器による検
針によりおこなわれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
示すような構造の半導体装置はキャリア基板に対して搭
載した半導体素子が突出した構造となっているので、裏
面の格子状の電極へのプロービングの際に表側からの圧
力は均一に加えられない。特にキャリア基板の厚みが薄
いと変形しやすくなるので均一なプロービングができな
かったり、キャリア基板がセラミック製の場合はキャリ
ア基板が割れたりする。またキャリア基板裏面の格子状
電極の配列のピッチを小さくすると半導体素子とほぼ同
等の大きさのキャリア基板が使用できるので半導体素子
だけが突出した構造にはならないが、外部装置への実装
時の位置合わせやハンダ付けが困難になる。よって格子
状電極のピッチは１ｍｍ程度が使いやすい。
示すような構造の半導体装置はキャリア基板に対して搭
載した半導体素子が突出した構造となっているので、裏
面の格子状の電極へのプロービングの際に表側からの圧
力は均一に加えられない。特にキャリア基板の厚みが薄
いと変形しやすくなるので均一なプロービングができな
かったり、キャリア基板がセラミック製の場合はキャリ
ア基板が割れたりする。またキャリア基板裏面の格子状
電極の配列のピッチを小さくすると半導体素子とほぼ同
等の大きさのキャリア基板が使用できるので半導体素子
だけが突出した構造にはならないが、外部装置への実装
時の位置合わせやハンダ付けが困難になる。よって格子
状電極のピッチは１ｍｍ程度が使いやすい。
【０００６】本発明は前記課題を解決するため、高密度
実装が容易なＬＧＡタイプの半導体装置において、半導
体装置を検査する際に均一なプロービングを容易に行え
る半導体装置とその製造方法を提供することを目的とす
る。
実装が容易なＬＧＡタイプの半導体装置において、半導
体装置を検査する際に均一なプロービングを容易に行え
る半導体装置とその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明の半導体装置は、表面に配線電極を有し、この配
線電極に電気的に接続された格子状の電極を裏面に有す
るキャリア基板と、前記配線電極にフリップチップ実装
により搭載された半導体素子からなる半導体装置におい
て、前記キャリア基板が前記半導体素子を収容するため
のキャビティ（へこみ）を備え、前記半導体装置が前記
キャビティ内に搭載されており、かつ前記キャリア基板
の表面とキャビティ内に搭載された前記半導体装置の上
面とが実質的に同一平面を形成することを特徴とする。
前記半導体装置によれば、キャリア基板のキャビティ内
に半導体素子が搭載されるので、リード端子などがキャ
リア基板の表面から突出しにくい構造となり、穴や凹み
がない平板状の直方体の形、いわゆるモノリス構造が得
らる。従って半導体素子の検査において均一なプロービ
ングが行える。フリップチップ実装とはベアチップ（裸
のＩＣチップ）の素子面を下向きに基板上に搭載する実
装方式である。
本発明の半導体装置は、表面に配線電極を有し、この配
線電極に電気的に接続された格子状の電極を裏面に有す
るキャリア基板と、前記配線電極にフリップチップ実装
により搭載された半導体素子からなる半導体装置におい
て、前記キャリア基板が前記半導体素子を収容するため
のキャビティ（へこみ）を備え、前記半導体装置が前記
キャビティ内に搭載されており、かつ前記キャリア基板
の表面とキャビティ内に搭載された前記半導体装置の上
面とが実質的に同一平面を形成することを特徴とする。
前記半導体装置によれば、キャリア基板のキャビティ内
に半導体素子が搭載されるので、リード端子などがキャ
リア基板の表面から突出しにくい構造となり、穴や凹み
がない平板状の直方体の形、いわゆるモノリス構造が得
らる。従って半導体素子の検査において均一なプロービ
ングが行える。フリップチップ実装とはベアチップ（裸
のＩＣチップ）の素子面を下向きに基板上に搭載する実
装方式である。
【０００８】前記構成においては、前記キャビティの深
さが前記半導体素子の高さと実質的に等しいことが好ま
しい。リード端子などがキャリア基板の表面から突出し
ないからである。
さが前記半導体素子の高さと実質的に等しいことが好ま
しい。リード端子などがキャリア基板の表面から突出し
ないからである。
【０００９】本発明の半導体装置においては、キャリア
基板のオモテ面または端面に動作確認検査用電極を備え
ることが好ましい。この構成によれば、外部装置に実装
したときでも半導体装置の検査を行うことができる。
基板のオモテ面または端面に動作確認検査用電極を備え
ることが好ましい。この構成によれば、外部装置に実装
したときでも半導体装置の検査を行うことができる。
【００１０】また本発明の半導体装置においては、キャ
リア基板がインナービア構造を有する多層配線構造のも
のであることが好ましい。この構造によれば、さらに小
型化が可能になる。多層配線構造とは回路基板において
配線が多層構造となっていることをいう。インナービア
構造とは、多層配線された回路基板において配線層同士
を任意の箇所で接続し電気的導通をとる構造をいう。
リア基板がインナービア構造を有する多層配線構造のも
のであることが好ましい。この構造によれば、さらに小
型化が可能になる。多層配線構造とは回路基板において
配線が多層構造となっていることをいう。インナービア
構造とは、多層配線された回路基板において配線層同士
を任意の箇所で接続し電気的導通をとる構造をいう。
【００１１】また本発明の半導体装置においては、前記
キャリア基板が、半導体素子を搭載するための開口部を
有する板材を含む基板であってもよい。板材の材料とし
ては例えばセラミックがあげられる。
キャリア基板が、半導体素子を搭載するための開口部を
有する板材を含む基板であってもよい。板材の材料とし
ては例えばセラミックがあげられる。
【００１２】次に本発明の半導体装置の製造方法は、表
面に配線電極を有し、前記配線電極に電気的に接続され
た格子状の電極を裏面に有するキャリア基板と、前記配
線電極にフリップチップ実装により搭載された半導体素
子からなる半導体装置を製造する方法において、前記キ
ャリア基板が前記半導体素子を収容するためのキャビテ
ィを備えており、前記キャビティの内側の半導体素子を
搭載するべき面に配線電極を形成し、前記キャリア基板
の裏面に設けた格子状の電極と前記配線電極とを電気的
に接続し、前記配線電極に半導体素子を搭載し、前記半
導体素子と前記キャリア基板の表面との間を封止材料に
より被覆し硬化する工程とを含むことを特徴とする。前
記方法によれば、本発明の半導体を効率的に製造するこ
とができる。
面に配線電極を有し、前記配線電極に電気的に接続され
た格子状の電極を裏面に有するキャリア基板と、前記配
線電極にフリップチップ実装により搭載された半導体素
子からなる半導体装置を製造する方法において、前記キ
ャリア基板が前記半導体素子を収容するためのキャビテ
ィを備えており、前記キャビティの内側の半導体素子を
搭載するべき面に配線電極を形成し、前記キャリア基板
の裏面に設けた格子状の電極と前記配線電極とを電気的
に接続し、前記配線電極に半導体素子を搭載し、前記半
導体素子と前記キャリア基板の表面との間を封止材料に
より被覆し硬化する工程とを含むことを特徴とする。前
記方法によれば、本発明の半導体を効率的に製造するこ
とができる。
【００１３】前記構成においては、前記キャリア基板の
オモテ面または端面に動作確認検査用電極を形成し、前
記動作確認検査用電極を前記配線電極及び前記格子状の
電極に電気的に接続する工程を含むことが好ましい。
オモテ面または端面に動作確認検査用電極を形成し、前
記動作確認検査用電極を前記配線電極及び前記格子状の
電極に電気的に接続する工程を含むことが好ましい。
【００１４】また前記構成においては、前記キャリア基
板と同じ大きさで、かつ前記半導体素子の実装高さの厚
みを同じ厚みを有し、さらに前記半導体素子を搭載する
ための開口部を有する板材を、前記半導体素子を搭載し
たキャリア基板に絶縁性の接着剤で接着する工程を含む
ことが好ましい。絶縁性の接着剤とは硬化後の絶縁抵抗
が１０10Ω以上である接着剤を指す。
板と同じ大きさで、かつ前記半導体素子の実装高さの厚
みを同じ厚みを有し、さらに前記半導体素子を搭載する
ための開口部を有する板材を、前記半導体素子を搭載し
たキャリア基板に絶縁性の接着剤で接着する工程を含む
ことが好ましい。絶縁性の接着剤とは硬化後の絶縁抵抗
が１０10Ω以上である接着剤を指す。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の半導体装置とその製造方
法について具体的に説明する。半導体素子とキャリア基
板との間に存在させる封止材料とは、例えば樹脂として
エポキシ−フェノール系の材料、エポキシ−酸無水物系
の材料があげられる。エポキシ−酸無水物系の材料とは
例えば主剤がビスフェノール系エポキシ樹脂で硬化剤に
酸無水物を用いたもので、球状のシリカ粒子を含有した
ものである。
法について具体的に説明する。半導体素子とキャリア基
板との間に存在させる封止材料とは、例えば樹脂として
エポキシ−フェノール系の材料、エポキシ−酸無水物系
の材料があげられる。エポキシ−酸無水物系の材料とは
例えば主剤がビスフェノール系エポキシ樹脂で硬化剤に
酸無水物を用いたもので、球状のシリカ粒子を含有した
ものである。
【００１６】以下、本発明の実施例を図を参照して説明
する。 （実施例１）図１は第１の実施例のＬＧＡタイプの半導
体装置の斜視図である。図２はその製造工程における半
導体装置の断面の模式図である。
する。 （実施例１）図１は第１の実施例のＬＧＡタイプの半導
体装置の斜視図である。図２はその製造工程における半
導体装置の断面の模式図である。
【００１７】図１の半導体装置は、半導体素子１１、セ
ラミック製のキャビティを有する多層配線のキャリア基
板１２、配線電極１３、半導体素子１１の電極−キャリ
ア基板１２を接合する接合部１４、封止樹脂１５、ビア
１６、格子状の電極１７、内層配線１８、動作確認検査
用電極１９を備える。半導体のサイズは、例えば２０ｍ
ｍ×２０ｍｍ×１ｍｍの直方体で、ベアチップの大きさ
は１０ｍｍ×１０ｍｍである。この半導体装置の製造方
法は以下の通りである。まず、図２（ａ）に示す、表面
の配線電極２３と裏面の格子状の電極２７と動作確認検
査用電極２９とを電気的に接続したキャビティを有する
キャリア基板２２の配線電極２３に半導体素子２１を搭
載する。本実施例では配線電極２３と格子状の電極２７
と動作確認検査用電極２９とは、キャリア基板２２に形
成された貫通孔に充填された導電物質により構成された
ビア２６で電気的に接続されている。また半導体素子２
１は、半導体素子２１の電極をキャリア基板２２の配線
基板２３に接合部２４を介して電気的に接続することに
より搭載する（図２（ｂ））。この接合部２４による接
合方法は、半導体装置の小型化を実現するために、はん
だによる接合または導電性接着剤による接合（フリップ
チップ方式）とする。導電性接着剤は例えばＡｇとＰｄ
の混合粉末をエポキシ樹脂に分散させたものである。固
有抵抗が１０ -5Ω・ｃｍ程度のものを使用できる。
ラミック製のキャビティを有する多層配線のキャリア基
板１２、配線電極１３、半導体素子１１の電極−キャリ
ア基板１２を接合する接合部１４、封止樹脂１５、ビア
１６、格子状の電極１７、内層配線１８、動作確認検査
用電極１９を備える。半導体のサイズは、例えば２０ｍ
ｍ×２０ｍｍ×１ｍｍの直方体で、ベアチップの大きさ
は１０ｍｍ×１０ｍｍである。この半導体装置の製造方
法は以下の通りである。まず、図２（ａ）に示す、表面
の配線電極２３と裏面の格子状の電極２７と動作確認検
査用電極２９とを電気的に接続したキャビティを有する
キャリア基板２２の配線電極２３に半導体素子２１を搭
載する。本実施例では配線電極２３と格子状の電極２７
と動作確認検査用電極２９とは、キャリア基板２２に形
成された貫通孔に充填された導電物質により構成された
ビア２６で電気的に接続されている。また半導体素子２
１は、半導体素子２１の電極をキャリア基板２２の配線
基板２３に接合部２４を介して電気的に接続することに
より搭載する（図２（ｂ））。この接合部２４による接
合方法は、半導体装置の小型化を実現するために、はん
だによる接合または導電性接着剤による接合（フリップ
チップ方式）とする。導電性接着剤は例えばＡｇとＰｄ
の混合粉末をエポキシ樹脂に分散させたものである。固
有抵抗が１０ -5Ω・ｃｍ程度のものを使用できる。
【００１８】キャリア基板２２の表面の動作確認検査用
電極２９と半導体素子２１の電極とは接合部２４、配線
電極２３、ビア２６、内層配線２８を介して接続されて
いる。つぎに図２（ｃ）に示すように、半導体素子２１
とキャリア基板２２の表面との間を封止材料により被覆
し硬化する。本実施例では封止材料として封止樹脂ペー
ストを、具体的にはエポキシ−フェノール系の材料を注
入した。
電極２９と半導体素子２１の電極とは接合部２４、配線
電極２３、ビア２６、内層配線２８を介して接続されて
いる。つぎに図２（ｃ）に示すように、半導体素子２１
とキャリア基板２２の表面との間を封止材料により被覆
し硬化する。本実施例では封止材料として封止樹脂ペー
ストを、具体的にはエポキシ−フェノール系の材料を注
入した。
【００１９】本実施例によれば、得られる半導体装置は
モノリス構造を有するので、ソケットや治具に装着して
検査する際に均一なプロービングができ、さらに動作確
認検査用電極２９がキャリア基板２２の表面に設けられ
ているため、外部装置に実装した後においても、容易に
検査が行える。
モノリス構造を有するので、ソケットや治具に装着して
検査する際に均一なプロービングができ、さらに動作確
認検査用電極２９がキャリア基板２２の表面に設けられ
ているため、外部装置に実装した後においても、容易に
検査が行える。
【００２０】なお、この実施例では、セラミック製の多
層配線基板を使用したが、インナービアを有する多層配
線基板であれば樹脂製のものでも小型化が実現できる。 （実施例２）本発明の第２の実施例の半導体装置とその
製造方法について、図３に基づいて説明する。図３は本
実施例の半導体装置の製造工程における半導体装置の断
面図である。図３（ｄ）に示す半導体装置においては、
セラミック製の多層配線のキャリア基板３２がキャビテ
ィを有さない単板状であり、キャリア基板３２の上に開
口部を有するセラミック板３９が設けられている。この
半導体装置の製造方法は以下の通りである。まず、図３
（ａ）に示す配線電極３３と格子状の電極３７とを電気
的に接続したキャビティを有さないキャリア基板３２の
配線電極３３に半導体素子３１を搭載する。本実施例で
は配線電極３３と格子状の電極３７とは、キャリア基板
３２に形成された貫通孔に充填された導電物質により構
成されたビア３６で電気的に接続されている。また半導
体素子３１は、半導体素子３１の電極をキャリア基板３
２の配線基板３３に接合部３４を介して電気的に接続す
ることにより搭載する。この接合部３４による接合方法
は、半導体装置の小型化を実現するために、はんだによ
る接合または導電性接着剤による接合（フリップチップ
方式）とする。次に図３（ｃ）に示すようにキャリア基
板３２の上に開口部を有するセラミック板３９を接着層
３０を介して設ける。
層配線基板を使用したが、インナービアを有する多層配
線基板であれば樹脂製のものでも小型化が実現できる。 （実施例２）本発明の第２の実施例の半導体装置とその
製造方法について、図３に基づいて説明する。図３は本
実施例の半導体装置の製造工程における半導体装置の断
面図である。図３（ｄ）に示す半導体装置においては、
セラミック製の多層配線のキャリア基板３２がキャビテ
ィを有さない単板状であり、キャリア基板３２の上に開
口部を有するセラミック板３９が設けられている。この
半導体装置の製造方法は以下の通りである。まず、図３
（ａ）に示す配線電極３３と格子状の電極３７とを電気
的に接続したキャビティを有さないキャリア基板３２の
配線電極３３に半導体素子３１を搭載する。本実施例で
は配線電極３３と格子状の電極３７とは、キャリア基板
３２に形成された貫通孔に充填された導電物質により構
成されたビア３６で電気的に接続されている。また半導
体素子３１は、半導体素子３１の電極をキャリア基板３
２の配線基板３３に接合部３４を介して電気的に接続す
ることにより搭載する。この接合部３４による接合方法
は、半導体装置の小型化を実現するために、はんだによ
る接合または導電性接着剤による接合（フリップチップ
方式）とする。次に図３（ｃ）に示すようにキャリア基
板３２の上に開口部を有するセラミック板３９を接着層
３０を介して設ける。
【００２１】つぎに図３（ｄ）に示すように、半導体素
子２１とキャリア基板２２の表面との間を封止材料によ
り被覆し硬化する。本実施例では封止材料として封止樹
脂ペースト、具体的にはエポキシ−フェノール系の材料
を注入した。
子２１とキャリア基板２２の表面との間を封止材料によ
り被覆し硬化する。本実施例では封止材料として封止樹
脂ペースト、具体的にはエポキシ−フェノール系の材料
を注入した。
【００２２】この半導体装置の製造方法では、単板状キ
ャリア基板３２に形成される配線導体３３上に接合部３
４を介して半導体素子３１が搭載された後に、開口部を
有するセラミック板３９を絶縁性の接着剤で接着した。
絶縁性の接着剤は熱硬化タイプのエポキシ樹脂、ナミッ
クス社製Ｘ８４０８を使用した。
ャリア基板３２に形成される配線導体３３上に接合部３
４を介して半導体素子３１が搭載された後に、開口部を
有するセラミック板３９を絶縁性の接着剤で接着した。
絶縁性の接着剤は熱硬化タイプのエポキシ樹脂、ナミッ
クス社製Ｘ８４０８を使用した。
【００２３】この実施例は、実施例１と異なりキャリア
基板３２が単板状であり、半導体素子３１を搭載した後
に開口部を有するセラミック板３９を接着してモノリス
構造にするので、動作確認用の端子電極は得られない
が、内容的に実施例１と共通している。本実施例によれ
ば、得られる半導体装置はモノリス構造を有するので、
ソケットや治具に装着して検査する際に均一なプロービ
ングができ、実施例１と同様の効果が得られる。
基板３２が単板状であり、半導体素子３１を搭載した後
に開口部を有するセラミック板３９を接着してモノリス
構造にするので、動作確認用の端子電極は得られない
が、内容的に実施例１と共通している。本実施例によれ
ば、得られる半導体装置はモノリス構造を有するので、
ソケットや治具に装着して検査する際に均一なプロービ
ングができ、実施例１と同様の効果が得られる。
【００２４】なお、実施例１および実施例２では、セラ
ミック製の多層配線キャリア基板１２、２２、３２を使
用したが、インナービア構造を有する同様の多層配線基
板を使用しても、同様の効果が得られる。また、キャリ
ア基板１２、２２、３２に搭載する半導体素子は１個に
限らず複数個でも良い。
ミック製の多層配線キャリア基板１２、２２、３２を使
用したが、インナービア構造を有する同様の多層配線基
板を使用しても、同様の効果が得られる。また、キャリ
ア基板１２、２２、３２に搭載する半導体素子は１個に
限らず複数個でも良い。
【００２５】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の半導体装置
によれば、キャリア基板のキャビティ内に半導体素子が
搭載され、キャビティの深さが半導体素子の搭載後の高
さと同じであるのでモノリス構造が得られ半導体素子の
検査において均一なプロービングが行えるという効果の
他に半導体素子の裏面が露出しているので放熱性が良好
であるという効果がある。
によれば、キャリア基板のキャビティ内に半導体素子が
搭載され、キャビティの深さが半導体素子の搭載後の高
さと同じであるのでモノリス構造が得られ半導体素子の
検査において均一なプロービングが行えるという効果の
他に半導体素子の裏面が露出しているので放熱性が良好
であるという効果がある。
【００２６】本発明の半導体装置において、キャリア基
板のオモテ面または端面に動作確認検査用電極を備える
と、外部装置に実装したときでも半導体装置の検査を行
えるという効果がある。
板のオモテ面または端面に動作確認検査用電極を備える
と、外部装置に実装したときでも半導体装置の検査を行
えるという効果がある。
【００２７】また本発明の半導体装置において、キャリ
ア基板がインナービア構造を有する多層配線構造のもの
であると、さらに小型化が可能になるという効果があ
る。本発明の製造方法によれば、キャビティ内にある半
導体素子搭載面の配線電極と裏面の格子状の電極とさら
に表面の動作確認検査用電極とを電気的に接続したキャ
リア基板のキャビティ内の配線電極に半導体素子を搭載
する工程と、前記半導体素子と前記キャリア基板の表面
との間を封止材料により被覆し硬化する工程とを含むの
で、本発明の半導体装置を効果的に製造できる。
ア基板がインナービア構造を有する多層配線構造のもの
であると、さらに小型化が可能になるという効果があ
る。本発明の製造方法によれば、キャビティ内にある半
導体素子搭載面の配線電極と裏面の格子状の電極とさら
に表面の動作確認検査用電極とを電気的に接続したキャ
リア基板のキャビティ内の配線電極に半導体素子を搭載
する工程と、前記半導体素子と前記キャリア基板の表面
との間を封止材料により被覆し硬化する工程とを含むの
で、本発明の半導体装置を効果的に製造できる。
【００２８】本発明の製造方法において、キャリア基板
と同じ大きさで半導体素子の実装高さの厚みがあり半導
体素子搭載領域が開口された板材を前記半導体素子を搭
載したキャリア基板に絶縁性の接着剤で接着する工程を
含むと、本発明の半導体装置を効果的に製造できる。
と同じ大きさで半導体素子の実装高さの厚みがあり半導
体素子搭載領域が開口された板材を前記半導体素子を搭
載したキャリア基板に絶縁性の接着剤で接着する工程を
含むと、本発明の半導体装置を効果的に製造できる。
【図１】 本発明の第１の実施の形態のＬＧＡタイプの
半導体装置の斜視図
半導体装置の斜視図
【図２】 （ａ）〜（ｃ）は実施例１の半導体装置の製
造工程における半導体装置の断面図
造工程における半導体装置の断面図
【図３】 （ａ）〜（ｄ）は実施例２の半導体装置の製
造工程における半導体装置の断面図
造工程における半導体装置の断面図
【図４】 従来のＬＧＡタイプの半導体装置の一部破断
概略斜視図
概略斜視図
１１ 半導体素子 １２ キャリア基板 １３ 配
線電極 １４ 接合部 １５ 封止樹脂 １６ ビ
ア １７ 格子状電極 １８ 内層配線 １９ 動
作確認検査用電極 ２１ 半導体素子 ２２ キャリア基板 ２３ 配
線電極 ２４ 接合部 ２５ 封止樹脂 ２６ ビ
ア ２７ 格子状電極 ２８ 内層配線 ２９ 動
作確認検査用電極 ３０ 接着層 ３１ 半導体素子 ３２ キ
ャリア基板 ３３ 配線電極 ３４ 接合部 ３５ 封
止樹脂 ３６ ビア ３７ 格子状電極 ３８ 内
層配線 ３９ 開口部を有するセラミック板
線電極 １４ 接合部 １５ 封止樹脂 １６ ビ
ア １７ 格子状電極 １８ 内層配線 １９ 動
作確認検査用電極 ２１ 半導体素子 ２２ キャリア基板 ２３ 配
線電極 ２４ 接合部 ２５ 封止樹脂 ２６ ビ
ア ２７ 格子状電極 ２８ 内層配線 ２９ 動
作確認検査用電極 ３０ 接着層 ３１ 半導体素子 ３２ キ
ャリア基板 ３３ 配線電極 ３４ 接合部 ３５ 封
止樹脂 ３６ ビア ３７ 格子状電極 ３８ 内
層配線 ３９ 開口部を有するセラミック板
Claims (8)
- 【請求項１】表面に配線電極を有し、前記配線電極に電
気的に接続された格子状の電極を裏面に有するキャリア
基板と、前記配線電極にフリップチップ実装により搭載
された半導体素子からなる半導体装置において、前記キ
ャリア基板が前記半導体素子を収容するためのキャビテ
ィを備え、前記半導体装置が前記キャビティ内に搭載さ
れており、かつ前記キャリア基板の表面とキャビティ内
に搭載された前記半導体装置の上面とが実質的に同一平
面を形成することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】前記キャビティの深さが前記半導体素子の
高さと実質的に等しい請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】前記キャリア基板のオモテ面または端面に
動作確認検査用電極を備えた請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項４】前記キャリア基板がインナービア構造を有
する多層配線構造である請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項５】前記キャリア基板が、半導体素子を搭載す
るための開口部を有する板材を含む請求項１記載の半導
体装置。 - 【請求項６】表面に配線電極を有し、前記配線電極に電
気的に接続された格子状の電極を裏面に有するキャリア
基板と、前記配線電極にフリップチップ実装により搭載
された半導体素子からなる半導体装置を製造する方法に
おいて、前記キャリア基板が前記半導体素子を収容する
ためのキャビティを備えており、前記キャビティの内側
の半導体素子を搭載するべき面に配線電極を形成し、前
記キャリア基板の裏面に設けた格子状の電極と前記配線
電極とを電気的に接続し、前記配線電極に半導体素子を
搭載し、前記半導体素子と前記キャリア基板の表面との
間を封止材料により被覆し硬化することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項７】前記キャリア基板のオモテ面または端面に
動作確認検査用電極を形成し、前記動作確認検査用電極
を前記配線電極及び前記格子状の電極に電気的に接続す
る工程を含む請求項６に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】前記キャリア基板と同じ大きさで、かつ前
記半導体素子の実装高さの厚みを同じ厚みを有し、さら
に前記半導体素子を搭載するための開口部を有する板材
を、前記半導体素子を搭載したキャリア基板に絶縁性の
接着剤で接着する工程を含む請求項６に記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30463396A JPH10150118A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30463396A JPH10150118A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 半導体装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10150118A true JPH10150118A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=17935393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30463396A Pending JPH10150118A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10150118A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005167072A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR100721353B1 (ko) | 2005-07-08 | 2007-05-25 | 삼성전자주식회사 | 칩 삽입형 매개기판의 구조와 제조 방법, 이를 이용한 이종칩의 웨이퍼 레벨 적층 구조 및 패키지 구조 |
| WO2007125744A1 (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | 両面電極構造の半導体装置及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-11-15 JP JP30463396A patent/JPH10150118A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005167072A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR100721353B1 (ko) | 2005-07-08 | 2007-05-25 | 삼성전자주식회사 | 칩 삽입형 매개기판의 구조와 제조 방법, 이를 이용한 이종칩의 웨이퍼 레벨 적층 구조 및 패키지 구조 |
| WO2007125744A1 (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | 両面電極構造の半導体装置及びその製造方法 |
| US7884466B2 (en) | 2006-04-25 | 2011-02-08 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device with double-sided electrode structure and its manufacturing method |
| KR101161572B1 (ko) * | 2006-04-25 | 2012-07-04 | 오키 엘렉트릭 인더스트리 캄파티,리미티드 | 양면 전극 구조의 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040915 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050210 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050331 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051018 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060227 |