JPS63158A - バイポ−ラ化合物半導体装置の製造方法 - Google Patents
バイポ−ラ化合物半導体装置の製造方法Info
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- JPS63158A JPS63158A JP14361886A JP14361886A JPS63158A JP S63158 A JPS63158 A JP S63158A JP 14361886 A JP14361886 A JP 14361886A JP 14361886 A JP14361886 A JP 14361886A JP S63158 A JPS63158 A JP S63158A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 28
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
- H01L29/365—Planar doping, e.g. atomic-plane doping, delta-doping
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は、バイポーラ化合物半導体装置について、
そのベース層に不純物をアトミックプレーンドーピング
し、ベースコンタクト領域にイオン注入した不純物の活
性化温度をベース層の成長温度以下とすることにより、 ベース層のドーピング状態を乱すことなくベースコンタ
クト領域を形成し、ベース直列抵抗、ベース層厚さを減
少して遮断周波数等の特性を改善するものである。
し、ベースコンタクト領域にイオン注入した不純物の活
性化温度をベース層の成長温度以下とすることにより、 ベース層のドーピング状態を乱すことなくベースコンタ
クト領域を形成し、ベース直列抵抗、ベース層厚さを減
少して遮断周波数等の特性を改善するものである。
本発明はバイポーラ化合物半導体装置の製造方法にかか
り、特にその高キヤリア濃度ベース層及びベースコンタ
クト領域Ｊ域の製造方法に関する。
り、特にその高キヤリア濃度ベース層及びベースコンタ
クト領域Ｊ域の製造方法に関する。
砒化ガリウム（Ｇａ’Ａｓ） ／砒化アルミニウムガリ
ウム（ＡＩＧａＡｓ）等の化合物半導体によるバイポー
ラ形式の半導体装置として、例えばヘテロ接合バイポー
ラトランジスタ（ＨＢＴ）、量子化ベーストランジスタ
（ＱＢＴ）等が開発されているが、期待される高性能を
実現するためにそのベース層及びベースコンタクト領域
の製造方法の改善が要望されている。
ウム（ＡＩＧａＡｓ）等の化合物半導体によるバイポー
ラ形式の半導体装置として、例えばヘテロ接合バイポー
ラトランジスタ（ＨＢＴ）、量子化ベーストランジスタ
（ＱＢＴ）等が開発されているが、期待される高性能を
実現するためにそのベース層及びベースコンタクト領域
の製造方法の改善が要望されている。
例えば）ＩＢＴでは少なくともエミッタ領域をベース領
域より禁制帯幅が大きい半導体によって構成し、これに
よってエミッタ・ベース間の電流注入効率を増大する効
果を得ているが、その従来例の模式側断面図を第３図に
示す。
域より禁制帯幅が大きい半導体によって構成し、これに
よってエミッタ・ベース間の電流注入効率を増大する効
果を得ているが、その従来例の模式側断面図を第３図に
示す。
同図において、２１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２２はヤ
型ＧａＡｓコレクタコンタクト層、２３はｎ型ＧａＡｓ
コレクタ層、２４はｐ＋型ＧａＡｓベース層、２５はｎ
型ＡｌＧａＡｓエミツタ層、２６はヤ型ＧａＡｓエミッ
タコンタクト層、２７はｐ＋型ベースコンタクト領域、
２８はコレクタ電極、２９はベース電極、３０はエミッ
タ電極である。
型ＧａＡｓコレクタコンタクト層、２３はｎ型ＧａＡｓ
コレクタ層、２４はｐ＋型ＧａＡｓベース層、２５はｎ
型ＡｌＧａＡｓエミツタ層、２６はヤ型ＧａＡｓエミッ
タコンタクト層、２７はｐ＋型ベースコンタクト領域、
２８はコレクタ電極、２９はベース電極、３０はエミッ
タ電極である。
本従来例では、例えば分子線エピタキシャル成長（ＭＢ
Ｅ）法によって半絶縁性ＧａＡｓ基板２１上に各半導体
層２２〜２６を連続してエピタキシャル成長し、エミッ
タ領域を画定するエツチングを行った後に、ベリリウム
（Ｂｅ）などを選択的に注入してｐ生型ベースコンタク
ト領域２７を形成し、更にコレクタコンタクト領域を表
出するエツチング等を行って、電極２８．２９．３０を
配設している。
Ｅ）法によって半絶縁性ＧａＡｓ基板２１上に各半導体
層２２〜２６を連続してエピタキシャル成長し、エミッ
タ領域を画定するエツチングを行った後に、ベリリウム
（Ｂｅ）などを選択的に注入してｐ生型ベースコンタク
ト領域２７を形成し、更にコレクタコンタクト領域を表
出するエツチング等を行って、電極２８．２９．３０を
配設している。
また本特許出願人が先に特願昭５９−７５８８５及び特
願昭５９−７５８８６等によって提供したＱＢＴは、例
えば第４図に例示する如く、半絶縁性ＧａＡｓ基板３１
上に、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層３２、ｉ型ＡｌＧａＡｓ
コレクタバリア層３３、ｆ型ＧａＡｓベース層３４、ｉ
型ＡｌＧａＡｓエミッタバリア層３５、ｎ型ＧａＡｓエ
ミツタ層３６、ｐ＋型ベースコンタクト領域３７、コレ
クタ電極３８、ベース電極３９、エミッタ電極４０を備
えて、ｐ＋型ＧａＡｓベース層３４はキャリアのサブバ
ンドが生成される様に、またｉ型ＡｌＧａＡｓバリア層
３３．３５はトンネル効果でキャリアが遷移できる様に
薄く形成され、共鳴トンネル効果によりキャリアがエミ
ッタからコレクタに到達するために極めて高速な動作が
得られる。
願昭５９−７５８８６等によって提供したＱＢＴは、例
えば第４図に例示する如く、半絶縁性ＧａＡｓ基板３１
上に、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層３２、ｉ型ＡｌＧａＡｓ
コレクタバリア層３３、ｆ型ＧａＡｓベース層３４、ｉ
型ＡｌＧａＡｓエミッタバリア層３５、ｎ型ＧａＡｓエ
ミツタ層３６、ｐ＋型ベースコンタクト領域３７、コレ
クタ電極３８、ベース電極３９、エミッタ電極４０を備
えて、ｐ＋型ＧａＡｓベース層３４はキャリアのサブバ
ンドが生成される様に、またｉ型ＡｌＧａＡｓバリア層
３３．３５はトンネル効果でキャリアが遷移できる様に
薄く形成され、共鳴トンネル効果によりキャリアがエミ
ッタからコレクタに到達するために極めて高速な動作が
得られる。
上述のＨＢＴのｐ＋型ＧａＡｓベース層２４は、従来例
えばＢｅを４ ＸＩＯ”ｃｍ−’程度にドープして厚さ
１１００ｎ程度にエピタキシャル成長しているが、ＨＢ
Ｔに期待される高速動作のためにこれを出来るだけ薄く
し、例えばＬｏｏｍ程度を実現することが望まれる。
えばＢｅを４ ＸＩＯ”ｃｍ−’程度にドープして厚さ
１１００ｎ程度にエピタキシャル成長しているが、ＨＢ
Ｔに期待される高速動作のためにこれを出来るだけ薄く
し、例えばＬｏｏｍ程度を実現することが望まれる。
またＱＢＴのり型ＧａＡｓベース層３４は、その厚さ方
向のキャリアの運動を量子化し所要のサブバンドが生成
される様に、その厚さを１０面程度以下例えば５ ｃａ
ｍ程度としている。
向のキャリアの運動を量子化し所要のサブバンドが生成
される様に、その厚さを１０面程度以下例えば５ ｃａ
ｍ程度としている。
この様に薄いベース層にベース電極をオーミックコンタ
クトするために高キャリア濃度のコンタクト領域が必要
であり、上述のＨＢＴの従来例では例えばＢｅを最大２
．５ｘｌＯ”ｃｍ−”程度にイオン注入し、フラッシュ
ランプ照射により温度８５０℃程１度まで加熱してｐ＋
型ベースコンタクト領域２７を形成している。
クトするために高キャリア濃度のコンタクト領域が必要
であり、上述のＨＢＴの従来例では例えばＢｅを最大２
．５ｘｌＯ”ｃｍ−”程度にイオン注入し、フラッシュ
ランプ照射により温度８５０℃程１度まで加熱してｐ＋
型ベースコンタクト領域２７を形成している。
もしベース層の厚さを減少させてベース直列抵抗が増加
するならば、これは遮断周波数或いはゲート遅延時間等
の特性低下の要因となり高速動作を実現する目的に反す
る結果となる。従って薄いベース層でベース直列抵抗を
低く保つために、ベース層のキャリア濃度を高めること
が必要であるが、例えばＧａＡｓ単結晶内に不純物とし
てＢｅなどを一様にドーピングする方法では得られるキ
ャリア濃度に限界があり、ｐ＋型で約Ｉ ＸＩＯ”ｃｍ
−”程度に止まっている。
するならば、これは遮断周波数或いはゲート遅延時間等
の特性低下の要因となり高速動作を実現する目的に反す
る結果となる。従って薄いベース層でベース直列抵抗を
低く保つために、ベース層のキャリア濃度を高めること
が必要であるが、例えばＧａＡｓ単結晶内に不純物とし
てＢｅなどを一様にドーピングする方法では得られるキ
ャリア濃度に限界があり、ｐ＋型で約Ｉ ＸＩＯ”ｃｍ
−”程度に止まっている。
この限界より高いキャリア濃度を得るドーピング方法と
してアトミックプレーンドーピング方法が開発されてい
る。しかしながらアトミックプレーンドーピング方法を
適用した半導体基体に前記の如き注入イオン活性化熱処
理を施すならば、プレーンドーピングした不純物が熱拡
散して高キャリア濃度を得る効果が減殺される。
してアトミックプレーンドーピング方法が開発されてい
る。しかしながらアトミックプレーンドーピング方法を
適用した半導体基体に前記の如き注入イオン活性化熱処
理を施すならば、プレーンドーピングした不純物が熱拡
散して高キャリア濃度を得る効果が減殺される。
この様な現状から、キャリア濃度最高のベース層とその
コンタクト領域とを安定に実現する製造方法が強く要望
されている。
コンタクト領域とを安定に実現する製造方法が強く要望
されている。
前記問題点は、不純物をアトミックプレーンドーピング
して成長したベース層を有する半導体基体に不純物をイ
オン注入し、該ベース層の成長温度以下の温度で該イオ
ン注入した不純物を活性化してベースコンタクト’ｐＭ
域を形成する本発明によるバイポーラ化合物半導体装置
の製造方法により解決される。
して成長したベース層を有する半導体基体に不純物をイ
オン注入し、該ベース層の成長温度以下の温度で該イオ
ン注入した不純物を活性化してベースコンタクト’ｐＭ
域を形成する本発明によるバイポーラ化合物半導体装置
の製造方法により解決される。
本発明によれば、ベース層に不純物をアトミックプレー
ンドーピングして後述の如く高いキャリア濃度を得、こ
のベース層の成長温度以下の熱処理温度でイオン注入し
た不純物を活性化し、プレーンドーピング状態を乱すこ
となくベースコンタクト領域を形成する すなわちアトミックプレーンドーピングを行う半導体層
のエピタキシャル成長温度（基板温度）は、−般にドー
ピングする不純物が熱拡散しない上限の温度を越えない
近い値に設定されており、その後に行う注入不純物の活
性化に際して、その熱処理温度をこの半導体層成長温度
を越えない近い温度とすることにより、アトミックプレ
ーンドーピング状態を乱すことなく最も効果的に活性化
を行うことができる。
ンドーピングして後述の如く高いキャリア濃度を得、こ
のベース層の成長温度以下の熱処理温度でイオン注入し
た不純物を活性化し、プレーンドーピング状態を乱すこ
となくベースコンタクト領域を形成する すなわちアトミックプレーンドーピングを行う半導体層
のエピタキシャル成長温度（基板温度）は、−般にドー
ピングする不純物が熱拡散しない上限の温度を越えない
近い値に設定されており、その後に行う注入不純物の活
性化に際して、その熱処理温度をこの半導体層成長温度
を越えない近い温度とすることにより、アトミックプレ
ーンドーピング状態を乱すことなく最も効果的に活性化
を行うことができる。
なお第５図はアトミックプレーンドーピングによって得
られるキャリア濃度の例を示す図であり、その横軸はド
ーピング面の間隔、左側の縦軸はドーピング１層当たり
の正孔面濃度、右側の縦軸は単位体積当たりの正孔の濃
度Ｐを示す０本例ではＧａＡｓエピタキシャル成長層に
Ｂｅを１層当たりのドーピング濃度２．２Ｘ １０１１
０ｌ３”、面間隔４ｕｍ、２ｎｍ・・・でアトミックプ
レーンドーピングして、１゜５３ｘｌＯ”ｃｍ−’程度
に達する高いキャリア濃度を得ている。
られるキャリア濃度の例を示す図であり、その横軸はド
ーピング面の間隔、左側の縦軸はドーピング１層当たり
の正孔面濃度、右側の縦軸は単位体積当たりの正孔の濃
度Ｐを示す０本例ではＧａＡｓエピタキシャル成長層に
Ｂｅを１層当たりのドーピング濃度２．２Ｘ １０１１
０ｌ３”、面間隔４ｕｍ、２ｎｍ・・・でアトミックプ
レーンドーピングして、１゜５３ｘｌＯ”ｃｍ−’程度
に達する高いキャリア濃度を得ている。
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
第１図（ａｌ乃至（Ｃ）はＨＢＴにかかる本発明の実施
例を示す工程順模式側断面図、第２図はそのベース層の
模式図である。
例を示す工程順模式側断面図、第２図はそのベース層の
模式図である。
第１図（ａ）、第２図参照： 半絶縁性ＧａＡｓ基板１
上にＭＢ２法により、例えば下記の様に各半導体層を順
次エピタキシャル成長する。ただし成長温度Ｔｓ＝５５
０℃としている。
上にＭＢ２法により、例えば下記の様に各半導体層を順
次エピタキシャル成長する。ただし成長温度Ｔｓ＝５５
０℃としている。
本実施例のｐ中型ＧａＡｓベースＮ４は第２図に詳細を
示す様に、面濃度２．２Ｘ１０”ｃｍ“２のＢｅアトミ
ックプレーンドーピングを２＋ｍの間隔で４層行って全
体の厚さを１０ｎｍとし、キャリアである正孔の濃度９
．５Ｘ１０”ｃｍ−’を得ている。なおｎ型の各半導体
層のＳｔトド−ングは通常の−様なドーピングである。
示す様に、面濃度２．２Ｘ１０”ｃｍ“２のＢｅアトミ
ックプレーンドーピングを２＋ｍの間隔で４層行って全
体の厚さを１０ｎｍとし、キャリアである正孔の濃度９
．５Ｘ１０”ｃｍ−’を得ている。なおｎ型の各半導体
層のＳｔトド−ングは通常の−様なドーピングである。
半導体層 組成 不純物 厚さｃｍ−’
ｎｍ ６ エミフ’ｌコシタクト ＧａＡｓ
５ｉ−５Ｘ１０” ４００５エミツタ
＾１０． ｚＧａ’（１＋ ？Ａ５ ５ｔ−５Ｘ
１０” １５０４ベース ＧａＡｓ ’
ＢＱ−前記 １０３コレクタ ＧａＡｓ
５ｔ−ＩＸＩＯ” ３００２ コレクタコンタク
ト ＧａＡｓ ５ｉ−５Ｘ１
０” ３００第１図（ｂ）： この半導体積層
構造に対して、エミッタとする領域上では全半導体層を
残置し、その他のベース電極を配設する領域等ではＡｌ
ＧａＡｓエミツタ層５を表出する選択的エツチングを行
う。
ｎｍ ６ エミフ’ｌコシタクト ＧａＡｓ
５ｉ−５Ｘ１０” ４００５エミツタ
＾１０． ｚＧａ’（１＋ ？Ａ５ ５ｔ−５Ｘ
１０” １５０４ベース ＧａＡｓ ’
ＢＱ−前記 １０３コレクタ ＧａＡｓ
５ｔ−ＩＸＩＯ” ３００２ コレクタコンタク
ト ＧａＡｓ ５ｉ−５Ｘ１
０” ３００第１図（ｂ）： この半導体積層
構造に対して、エミッタとする領域上では全半導体層を
残置し、その他のベース電極を配設する領域等ではＡｌ
ＧａＡｓエミツタ層５を表出する選択的エツチングを行
う。
次いでｐ＋型ベースコンタクト領域７を下記の様に形成
する。すなわち例えばマグネシウム（Ｍｇ）を１２５ｋ
ｅＶ、砒素（八Ｓ）を３６０ｋｅＶ程度で、共にドーズ
量Ｉ ＸＩＯ”ｐ＋ａ−”程度にイオン注入し、窒化ア
ルミニウム（ＡＩＮ）膜等で保護し、赤外ランプアニー
ル法により成長温度Ｔｓに等しい温度５５０℃、約３秒
間の加熱で活性化してｐ＋型ベースコンタクＨＪｆＭ７
を形成する。
する。すなわち例えばマグネシウム（Ｍｇ）を１２５ｋ
ｅＶ、砒素（八Ｓ）を３６０ｋｅＶ程度で、共にドーズ
量Ｉ ＸＩＯ”ｐ＋ａ−”程度にイオン注入し、窒化ア
ルミニウム（ＡＩＮ）膜等で保護し、赤外ランプアニー
ル法により成長温度Ｔｓに等しい温度５５０℃、約３秒
間の加熱で活性化してｐ＋型ベースコンタクＨＪｆＭ７
を形成する。
このＭｇとＡｓとの２重注入により、ベースコンタクト
領域として十分なキャリア濃度約８Ｘ１０”ｃｍ−３が
得られている。
領域として十分なキャリア濃度約８Ｘ１０”ｃｍ−３が
得られている。
第１図ｆｃｌ参照： コレクタコンタクト領域の選択的
エツチングを行い、従来技術により例えば金ゲルマニウ
ム／金（ＡｕＧｅ／Ａｕ）を用いてコレクタ電極８、エ
ミッタ電極１０を形成し、次いでｐ＋型ベースコンタク
ト領域７に例えば金／亜鉛／金（Ａｕ／Ｚｎ／Ａｕ）を
用いてベース電極９を形成する。
エツチングを行い、従来技術により例えば金ゲルマニウ
ム／金（ＡｕＧｅ／Ａｕ）を用いてコレクタ電極８、エ
ミッタ電極１０を形成し、次いでｐ＋型ベースコンタク
ト領域７に例えば金／亜鉛／金（Ａｕ／Ｚｎ／Ａｕ）を
用いてベース電極９を形成する。
以上説明した本実施例では、ベース層４の厚さを前記従
来例の１１００ｎから１０ｎｍまで大幅に薄くしている
にもかかわらずそのベース直列抵抗は同等であり、遮断
周波数等の特性に顕著な改善が達成された。
来例の１１００ｎから１０ｎｍまで大幅に薄くしている
にもかかわらずそのベース直列抵抗は同等であり、遮断
周波数等の特性に顕著な改善が達成された。
本実施例はｎ−ｐ−ｎ型のＨＢＴであるがＱＢＴなど他
のバイポーラ化合物半導体装置についても、またｐ−ｎ
−ｐ型の場合にも同様に適用することができ、更にＧａ
Ａｓ／ＡｌＧａＡｓ系半導体装置に限られず、他の半導
体材料例えばＩｎＧａＡｓ／ｒｎＰ系等を用いた半導体
装置についても同様に本発明の効果が得られる。
のバイポーラ化合物半導体装置についても、またｐ−ｎ
−ｐ型の場合にも同様に適用することができ、更にＧａ
Ａｓ／ＡｌＧａＡｓ系半導体装置に限られず、他の半導
体材料例えばＩｎＧａＡｓ／ｒｎＰ系等を用いた半導体
装置についても同様に本発明の効果が得られる。
・〔発明の効果〕
以上説明した如く本発明によれば、バイポーラ化合物半
導体装置のベース直列抵抗、ベース層厚さの低減が実現
され、遮断周波数或いはゲート遅延時間等の特性が向上
して期待される実用化の推進に゛大きい効果が得られる
。
導体装置のベース直列抵抗、ベース層厚さの低減が実現
され、遮断周波数或いはゲート遅延時間等の特性が向上
して期待される実用化の推進に゛大きい効果が得られる
。
第１図はＩ（ＢＴにかかる実施例の工程順模式側断面図
、 第２図は実施例のベース層の模式図、 第３図はＨＢＴの従来例の模式側断面図、第４図はＱＢ
Ｔの従来例の模式側断面図、第５図はアトミックプレー
ンドーピングによるキャリア濃度の例を示す図である。 図において、 １は光絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２はヤ型ＧａＡｓコレクタコンタクト層、３はｎ型Ｇａ
Ａｓコレクタ層、 ４はｐ＋型ＧａＡｓベース層、 ５はｎ型ＡｌＧａＡｓエミツタ層、 ６は♂型ＧａＡｓエミッタコンタクト層、７は♂型Ａｌ
ＧａＡｓ層、 ８はコレクタ電極、 ９はベース電極、 １０はエミッタ電極を示す。 ＜−ａ＞ ＨＢＴに幻゛わ＼３芙％社グ・］のニオ乙１’！Ｑ孝笑
バ：偏″］昧幻早 １ 圏 ｆ−３圀 箒 ４ 図
、 第２図は実施例のベース層の模式図、 第３図はＨＢＴの従来例の模式側断面図、第４図はＱＢ
Ｔの従来例の模式側断面図、第５図はアトミックプレー
ンドーピングによるキャリア濃度の例を示す図である。 図において、 １は光絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２はヤ型ＧａＡｓコレクタコンタクト層、３はｎ型Ｇａ
Ａｓコレクタ層、 ４はｐ＋型ＧａＡｓベース層、 ５はｎ型ＡｌＧａＡｓエミツタ層、 ６は♂型ＧａＡｓエミッタコンタクト層、７は♂型Ａｌ
ＧａＡｓ層、 ８はコレクタ電極、 ９はベース電極、 １０はエミッタ電極を示す。 ＜−ａ＞ ＨＢＴに幻゛わ＼３芙％社グ・］のニオ乙１’！Ｑ孝笑
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Claims (1)
- 不純物をアトミックプレーンドーピングして成長したベ
ース層を有する半導体基体に不純物をイオン注入し、該
ベース層の成長温度以下の温度で該イオン注入した不純
物を活性化してベースコンタクト領域を形成することを
特徴とするバイポーラ化合物半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14361886A JPS63158A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | バイポ−ラ化合物半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14361886A JPS63158A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | バイポ−ラ化合物半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63158A true JPS63158A (ja) | 1988-01-05 |
| JPH047098B2 JPH047098B2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=15342935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14361886A Granted JPS63158A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | バイポ−ラ化合物半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63158A (ja) |
-
1986
- 1986-06-19 JP JP14361886A patent/JPS63158A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH047098B2 (ja) | 1992-02-07 |
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