JPH01194469A - 化合物半導体装置 - Google Patents
化合物半導体装置Info
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- JPH01194469A JPH01194469A JP2048688A JP2048688A JPH01194469A JP H01194469 A JPH01194469 A JP H01194469A JP 2048688 A JP2048688 A JP 2048688A JP 2048688 A JP2048688 A JP 2048688A JP H01194469 A JPH01194469 A JP H01194469A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、トランジスタやレーザーに用いられる化合物
半導体装置であり、主に、高周波通信用アンプや高速デ
ィジタルＬＳＩ、高速大容量通信用レーザーなどに用い
られるものである。
半導体装置であり、主に、高周波通信用アンプや高速デ
ィジタルＬＳＩ、高速大容量通信用レーザーなどに用い
られるものである。
従来の技術
従来技術を、以下に説明する第３図は、Ｉｎｋ／ＩｎＧ
ａＡｓヘテロバイポーラトランジスタの断面構造図であ
る。この構造のトランジスタはＭＢＥ（分子線ビームエ
ピタキシー）などのエピタキシャル技術を用いて作製で
き、半絶縁性ＩｎＰ基板１上にｎ＋型ＩｎＣａＡｓ層２
、ｎ型１ｎＧａＡｓ層３．Ｂｅドープｐ型Ｉ ｎＧ２Ｌ
Ａｓ層４、Ｎ型ＩｎＰ層５、ｎ″−型１ｎＧａＡｓ層６
を成長した構造で、エミッタ電極７とコレクタ電極８は
ＡｕＧｅ、ベース電極９はＡｕＺｎである。
ａＡｓヘテロバイポーラトランジスタの断面構造図であ
る。この構造のトランジスタはＭＢＥ（分子線ビームエ
ピタキシー）などのエピタキシャル技術を用いて作製で
き、半絶縁性ＩｎＰ基板１上にｎ＋型ＩｎＣａＡｓ層２
、ｎ型１ｎＧａＡｓ層３．Ｂｅドープｐ型Ｉ ｎＧ２Ｌ
Ａｓ層４、Ｎ型ＩｎＰ層５、ｎ″−型１ｎＧａＡｓ層６
を成長した構造で、エミッタ電極７とコレクタ電極８は
ＡｕＧｅ、ベース電極９はＡｕＺｎである。
本構造のトランジスタは、エミンターベース接合にｐ型
工ｎＧｚＡｓ／Ｎ型工ｎＰへテロ接合を有しているので
電子の注入効率が高く、ホモ接合のトランジスタに比ベ
ニミッタ接地電流増幅率が高いという特長をもつ。
工ｎＧｚＡｓ／Ｎ型工ｎＰへテロ接合を有しているので
電子の注入効率が高く、ホモ接合のトランジスタに比ベ
ニミッタ接地電流増幅率が高いという特長をもつ。
第４図は、第３図と同様へテロバイポーラトランジスタ
であるが、ベース電極直下にＢｅを注入後熱処理してｐ
＋型ｒ ｎＧａＡｓ領域１ｏを設けた構造のもので、ペ
ースのコンタクト抵抗が低減され、さらに高性能化した
ものである。
であるが、ベース電極直下にＢｅを注入後熱処理してｐ
＋型ｒ ｎＧａＡｓ領域１ｏを設けた構造のもので、ペ
ースのコンタクト抵抗が低減され、さらに高性能化した
ものである。
第６図は、ＧａＡｓＭＩＳｌｉｋｅＦＥＴの断面構造図
である。この構造のＦＥＴは、半絶縁性ＧａＡｓ基板１
１上に順番にノンドープＧａＡｓ層１２、ｉ３ｅドープ
ｐ型Ａ／！ＧａＡｓ層１３−５ｉド一プｎ型ＧａＡｓ層
１４、ノンドープＧａＡｓ層１６を形成したもので、ゲ
ート電極１６としてゲート長Ｑ −８／７ ｍのＷＳｉ
を形成し、’ｙ−−） ’Ｈ極のＷＳｉをマスクに８１
＋イオンを注入後、例えば９００℃５秒の熱処理をして
自己整合的にｎ＋領域１７を形成し、その上にオーミッ
ク電極のＡｕＧθ／Ｎｉを蒸着してソース電極１日とド
レイン電極１９を形蜘してできるものである。このよう
な構造のＦＥＴは、例えばＭＢＩ！：（分子線ビームエ
ピタキシー）装置を用いて容易に作製できる。
である。この構造のＦＥＴは、半絶縁性ＧａＡｓ基板１
１上に順番にノンドープＧａＡｓ層１２、ｉ３ｅドープ
ｐ型Ａ／！ＧａＡｓ層１３−５ｉド一プｎ型ＧａＡｓ層
１４、ノンドープＧａＡｓ層１６を形成したもので、ゲ
ート電極１６としてゲート長Ｑ −８／７ ｍのＷＳｉ
を形成し、’ｙ−−） ’Ｈ極のＷＳｉをマスクに８１
＋イオンを注入後、例えば９００℃５秒の熱処理をして
自己整合的にｎ＋領域１７を形成し、その上にオーミッ
ク電極のＡｕＧθ／Ｎｉを蒸着してソース電極１日とド
レイン電極１９を形蜘してできるものである。このよう
な構造のＦＥＴは、例えばＭＢＩ！：（分子線ビームエ
ピタキシー）装置を用いて容易に作製できる。
この構造のＦＥＴの特長は、電流の通り道であるチャネ
ルに高濃度でドープしたｎ型ＧａＡｓ層１４を用いてい
るのでキャリア電子の移動度は低いもののキャリア濃度
が高いので比較的相互コンダクタンスが高く高性能であ
ることと、ゲート電極１６とｎ型ＧａＡｓ層１４の間に
Ｇａｐｓより仕事関数の高めノンドープＡ／ＧａＡｓ層
１５を絶縁層としてもちいているのでＧａＡｓＭＥｓＦ
ＥＴに比ベゲート障壁が高く、そのためにディジタルＩ
Ｃとして用いた場合に論理振幅が大きく取れるというと
ころである。また、とのＦＥＴのもう一つの特長は、ｐ
型Ａ７ｉＧａＡｓ層１３をチャネルであるｎ型ＧａＡｓ
層１４の直下に用いていることであり、これによりｎ＋
領域１７の活性化のための熱処理時に起きるＦＥＴのし
きい値電圧の移動、いわゆる短チヤネル効果を抑制する
とともに、チャネルのｎ型ＧａＡｓ層４とＧａＡｓ基板
１の間の層で流れる電流を抑制してＦＥＴ特性を向上さ
せる効果がある。
ルに高濃度でドープしたｎ型ＧａＡｓ層１４を用いてい
るのでキャリア電子の移動度は低いもののキャリア濃度
が高いので比較的相互コンダクタンスが高く高性能であ
ることと、ゲート電極１６とｎ型ＧａＡｓ層１４の間に
Ｇａｐｓより仕事関数の高めノンドープＡ／ＧａＡｓ層
１５を絶縁層としてもちいているのでＧａＡｓＭＥｓＦ
ＥＴに比ベゲート障壁が高く、そのためにディジタルＩ
Ｃとして用いた場合に論理振幅が大きく取れるというと
ころである。また、とのＦＥＴのもう一つの特長は、ｐ
型Ａ７ｉＧａＡｓ層１３をチャネルであるｎ型ＧａＡｓ
層１４の直下に用いていることであり、これによりｎ＋
領域１７の活性化のための熱処理時に起きるＦＥＴのし
きい値電圧の移動、いわゆる短チヤネル効果を抑制する
とともに、チャネルのｎ型ＧａＡｓ層４とＧａＡｓ基板
１の間の層で流れる電流を抑制してＦＥＴ特性を向上さ
せる効果がある。
発明が解決しようとする課題
ところで従来技術の場合、例えば第３図に示すよウナヘ
テロバイポーラトランジスタは、例えばパッシベーショ
ンの絶縁膜の形成の工程で４００℃程度の高温にさらさ
れ、ｐ型工ｎＧａＡｓ層４中のＢｅがＮ型ＩｎＰ層５中
に拡散する恐れがある。
テロバイポーラトランジスタは、例えばパッシベーショ
ンの絶縁膜の形成の工程で４００℃程度の高温にさらさ
れ、ｐ型工ｎＧａＡｓ層４中のＢｅがＮ型ＩｎＰ層５中
に拡散する恐れがある。
また第４図に示すトランジスタと第５図に示すＦＥＴで
は、６００℃から９ｏ○℃程度の高温で熱処理するので
、Ｂｅの拡散が起きる。バイポーラトランジスタの場合
、Ｎ型ＩｎＰ層５にＢｅが拡散してｐｎ接合がバンドギ
ャップの大きいＮ型ＩｎＰ層５中に形成され電子の注入
効率が悪くなるという問題が起きる。そして、ＦＥＴで
は、ｎ型ＧＡＡＳ層１４とｐ型ＡβＧ２ＬＡＳ層１３の
間で相互拡散が起き、特にｐ型Ａ／ＧＩＬＡＳ層１３中
のＢｅがｎ型ＧａＡＳ層１４中に拡散する。ｎ型ＧａＡ
ｓ層１４中に入り込んだＢｅはアクセプターとなってド
ナーを補償してキャリア電子を減らし、ＦＥＴの電流駆
動能力が悪くなるという問題が起きる。
は、６００℃から９ｏ○℃程度の高温で熱処理するので
、Ｂｅの拡散が起きる。バイポーラトランジスタの場合
、Ｎ型ＩｎＰ層５にＢｅが拡散してｐｎ接合がバンドギ
ャップの大きいＮ型ＩｎＰ層５中に形成され電子の注入
効率が悪くなるという問題が起きる。そして、ＦＥＴで
は、ｎ型ＧＡＡＳ層１４とｐ型ＡβＧ２ＬＡＳ層１３の
間で相互拡散が起き、特にｐ型Ａ／ＧＩＬＡＳ層１３中
のＢｅがｎ型ＧａＡＳ層１４中に拡散する。ｎ型ＧａＡ
ｓ層１４中に入り込んだＢｅはアクセプターとなってド
ナーを補償してキャリア電子を減らし、ＦＥＴの電流駆
動能力が悪くなるという問題が起きる。
このような熱処理による■族元素の不純物拡散の問題は
へテロバイポーラトランジスタやＦＥＴに限らず、例え
ば、ＣａＡｓ ／ Ａ７ＧａＡｓを材料に用いたレーザ
ーダイオードやＩｎＰ ／ ＩｎＧａＡｓを材料に用い
たｐｌｎホトダイオードなど、材料を問わずｐｎ接合ま
たはｐｉｎ接合を用いた化合物半導体装置一般に起こり
うる問題である。
へテロバイポーラトランジスタやＦＥＴに限らず、例え
ば、ＣａＡｓ ／ Ａ７ＧａＡｓを材料に用いたレーザ
ーダイオードやＩｎＰ ／ ＩｎＧａＡｓを材料に用い
たｐｌｎホトダイオードなど、材料を問わずｐｎ接合ま
たはｐｉｎ接合を用いた化合物半導体装置一般に起こり
うる問題である。
課題を解決するための手段
このような問題を解決するために、本発明は、■族元素
を不純物として含むＩ−Ｖ族化合物半導体に電気的に不
活性なＶ族元素あるいは■族元素を不純物としてドープ
して熱処理における安定ｆヒを図るものである。
を不純物として含むＩ−Ｖ族化合物半導体に電気的に不
活性なＶ族元素あるいは■族元素を不純物としてドープ
して熱処理における安定ｆヒを図るものである。
作用
Ｉ−Ｖ族化合物半導体のｐ型伝導のドーパントとなるＢ
ｅやＭｇ 、 Ｚｎ などの■族元素は、原子半径が
小さいので■−■族元素を母体とした固体中では拡散し
やすいが、それと同程度の濃度のＶ族あるいは■族元素
をドープしてやることにより１１−Ｖの不純物の複合体
を形成し実効的に原子半径の大きな元素と等価的にふる
まい拡散しにくくなり、そうすることによって、熱処理
における■族元素の再配列が抑えられる。
ｅやＭｇ 、 Ｚｎ などの■族元素は、原子半径が
小さいので■−■族元素を母体とした固体中では拡散し
やすいが、それと同程度の濃度のＶ族あるいは■族元素
をドープしてやることにより１１−Ｖの不純物の複合体
を形成し実効的に原子半径の大きな元素と等価的にふる
まい拡散しにくくなり、そうすることによって、熱処理
における■族元素の再配列が抑えられる。
実施例
次ぎに、本発明の実施例を以下に述べる。第１図は、本
発明の実施例であるＩｎＰ −ＩｎＧａＡｓヘテロバイ
ポーラトランジスタの断面構造図である。
発明の実施例であるＩｎＰ −ＩｎＧａＡｓヘテロバイ
ポーラトランジスタの断面構造図である。
半絶縁ＩｎＰ基板上１に、例えばＭＢＥなどのエピタキ
シャル技術でキャリア濃度１×１０１９Ｃｒｎ−３のｎ
＋型ＩｎＧａＡｓ層２を２０００人成長し、次にキセリ
ア濃度２×１０１７ｃＩｎ−３のｎ型１ｎＧａＡｓ層３
を３０００人成長し、その上に例えばＡｓまたはＦを５
Ｘ １０１８ＣＩｎ’の濃度でドープしたキャリア濃
度５ Ｘ １０１８ｃｍ’のＢｅドープｐ型ＩｎＧａＡ
ｓ層２４を１２００人、さらにキャリア濃度２ Ｘ １
０”ｃｍ’のＮ型ＩｎＰ層５を３ｏ００人、キャリア濃
度１×１０１９（ｍ ’のｎ＋型１ ｎＧａＡｓ層６を
２０ｏＯ人と形成する。選択的にＢｅイオンを注入後６
５０℃の熱処理を施してｐ＋型ｒｎＧａＡｓ領域１ｏを
形成し、エミッタ電極７、コレクタ電極８はＡｕＧｅを
、ペース電極９はＡｕＺｎをもちいている。本実施例で
は、ｐ型ＩｎＧａＡｓ層４にＶ族元素としてムＳあるい
は■族元素としてＦを用いているが、Ｎやｐ 、 ｓｂ
などの池の元素でも良い。
シャル技術でキャリア濃度１×１０１９Ｃｒｎ−３のｎ
＋型ＩｎＧａＡｓ層２を２０００人成長し、次にキセリ
ア濃度２×１０１７ｃＩｎ−３のｎ型１ｎＧａＡｓ層３
を３０００人成長し、その上に例えばＡｓまたはＦを５
Ｘ １０１８ＣＩｎ’の濃度でドープしたキャリア濃
度５ Ｘ １０１８ｃｍ’のＢｅドープｐ型ＩｎＧａＡ
ｓ層２４を１２００人、さらにキャリア濃度２ Ｘ １
０”ｃｍ’のＮ型ＩｎＰ層５を３ｏ００人、キャリア濃
度１×１０１９（ｍ ’のｎ＋型１ ｎＧａＡｓ層６を
２０ｏＯ人と形成する。選択的にＢｅイオンを注入後６
５０℃の熱処理を施してｐ＋型ｒｎＧａＡｓ領域１ｏを
形成し、エミッタ電極７、コレクタ電極８はＡｕＧｅを
、ペース電極９はＡｕＺｎをもちいている。本実施例で
は、ｐ型ＩｎＧａＡｓ層４にＶ族元素としてムＳあるい
は■族元素としてＦを用いているが、Ｎやｐ 、 ｓｂ
などの池の元素でも良い。
第２図は、もうひとつの実施例であるＧａＡｓ −Ａｌ
ＧａＡｓＭＩＳ −１ｉｋｅ Ｆ Ｅ Ｔの断面構造図
である。
ＧａＡｓＭＩＳ −１ｉｋｅ Ｆ Ｅ Ｔの断面構造図
である。
ＧａＡｓ基板１１上に、ノンドープＧａＡｓ層１２を５
０００人積み、その上にＶ族元素のＡｓあるいは■族元
素のＦを１Ｘ １０”ｉｌｌ ３の濃度でドープしたキ
ャリア濃度１×１０１７６Ｉｎ−３のＢｅドープｐ型１
ＧａＡｓ層３３を２００人形成し、さらにキャリア濃度
２ Ｘ １０１８（ｍ ’のＳｉドープｎ型ＧａＡｓ層
１４を５０人、ノンドープＡｌＣａＡｓ層１５を２００
人積層上たものである。ゲート電極１６ば、ゲート長ｏ
、ｓ ｌｔｍ ｊｌｉｉ！厚２０００人のＷＳｉであり
、このゲートをマスクにして自己整合的にｎ＋領域１７
を形成している。ｎ＋領域１７活性化のときの熱処理条
件は、９００℃、５秒である。また、オーミック電極に
ＡｕＧｅ／Ｎｉを用いてソース電極１８及びドレイン電
極１９を形成している。本実施例では、ｐ型Ａ７（、ａ
Ａｓ層３３にＶ族元素としてＡｓを用いているが、Ｎや
ｐ、ｓｂなどのｆｌｉの元素でも良い。また、本実施例
では、ｐ型ＡｌＧａＡｓとｎ型ＧａＡｓのへテロｐｎ接
合を例に取り扱ったが、ｐ型Ａ７！ＧａＡｓ／ｎ型人１
ＧａＡｓなどのホモ接合やｐ型Ａ４ＧａＡｓ ／ノンド
ープＧａＡｓなどのｐｉ接合でも良い。
０００人積み、その上にＶ族元素のＡｓあるいは■族元
素のＦを１Ｘ １０”ｉｌｌ ３の濃度でドープしたキ
ャリア濃度１×１０１７６Ｉｎ−３のＢｅドープｐ型１
ＧａＡｓ層３３を２００人形成し、さらにキャリア濃度
２ Ｘ １０１８（ｍ ’のＳｉドープｎ型ＧａＡｓ層
１４を５０人、ノンドープＡｌＣａＡｓ層１５を２００
人積層上たものである。ゲート電極１６ば、ゲート長ｏ
、ｓ ｌｔｍ ｊｌｉｉ！厚２０００人のＷＳｉであり
、このゲートをマスクにして自己整合的にｎ＋領域１７
を形成している。ｎ＋領域１７活性化のときの熱処理条
件は、９００℃、５秒である。また、オーミック電極に
ＡｕＧｅ／Ｎｉを用いてソース電極１８及びドレイン電
極１９を形成している。本実施例では、ｐ型Ａ７（、ａ
Ａｓ層３３にＶ族元素としてＡｓを用いているが、Ｎや
ｐ、ｓｂなどのｆｌｉの元素でも良い。また、本実施例
では、ｐ型ＡｌＧａＡｓとｎ型ＧａＡｓのへテロｐｎ接
合を例に取り扱ったが、ｐ型Ａ７！ＧａＡｓ／ｎ型人１
ＧａＡｓなどのホモ接合やｐ型Ａ４ＧａＡｓ ／ノンド
ープＧａＡｓなどのｐｉ接合でも良い。
発明の効果
実施例に記載するバイポーラトランジスタは、従来技術
に示したトランジスタに比ベニミッタ接地電流増幅率が
１０％以上向上した。これは、熱処理においてもｐ型１
ｎＧａＡｓ層４からの■族元素のＢｅの拡散が■族元素
のムＳあるいは■族元素のＦＫより抑えられ、電子の注
入効率の劣化が抑制されたためである。
に示したトランジスタに比ベニミッタ接地電流増幅率が
１０％以上向上した。これは、熱処理においてもｐ型１
ｎＧａＡｓ層４からの■族元素のＢｅの拡散が■族元素
のムＳあるいは■族元素のＦＫより抑えられ、電子の注
入効率の劣化が抑制されたためである。
また、実施例に記載するＦＥＴは、従来技術に示したＦ
ＥＴに比べ、最大ドレイン電流で１０％も向上した。こ
れは、熱処理においてもｐ型ＡｌＧａＡｓ層３からの■
族元素つまりＢｅの拡散がＶ族元素のＡｓあるいは■族
元素のＦにより抑えられ、ｎ型ＧａＡＳ層４のキャリア
電子の減少が抑制されたためである。
ＥＴに比べ、最大ドレイン電流で１０％も向上した。こ
れは、熱処理においてもｐ型ＡｌＧａＡｓ層３からの■
族元素つまりＢｅの拡散がＶ族元素のＡｓあるいは■族
元素のＦにより抑えられ、ｎ型ＧａＡＳ層４のキャリア
電子の減少が抑制されたためである。
第１図、第２図は本発明の実施例の半導体装置の断面図
、第３図、第４図、第５図は従来の半導体装置の断面図
である。 １・・・・・・半絶縁性ＩｎＰ基板、２・・・・・・ｎ
型ＩｎＧａ１８層、３・・・・・・ｎ型ＩｎＧａＡｓ層
、２４−・・−・ｐ型Ｉ ｎＧａＡｓ層−５・・・・・
・Ｎ型ＩＪＩＰ層、６・・・・・・ｎ型Ｉｎ０４１３層
、７・・・・・・エミッタ電極、８・・・・・・コレク
タ電極、９・・・・・・ペース電極、１ｏ・・・・・・
ｐ型１ｎＧａＡｓ領域、１１・・・・・・半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板、１２・・・・・・ノンドープＧａＡ３層。 ３３ ＝・＝・ｐ型Ａ／ＧａＡｓ層、１４−＝−・ｎ型
ＧａＡｓ層、１５・・・・・・ノンドープＡｌＣａＡｓ
層、１６・・・・・・ＷＳｉゲート電極、１７・・・・
・・ｎ＋領領域１８・・・・・・ ソース電極、１９・
・・・・・ドレイン電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
卓絶縁性１ｎＰ某扶 ２，６−−−１’ｌ” ２ Ｉ ｎ Ｇａ Ａ ｓ層７
− エミッタを極
、第３図、第４図、第５図は従来の半導体装置の断面図
である。 １・・・・・・半絶縁性ＩｎＰ基板、２・・・・・・ｎ
型ＩｎＧａ１８層、３・・・・・・ｎ型ＩｎＧａＡｓ層
、２４−・・−・ｐ型Ｉ ｎＧａＡｓ層−５・・・・・
・Ｎ型ＩＪＩＰ層、６・・・・・・ｎ型Ｉｎ０４１３層
、７・・・・・・エミッタ電極、８・・・・・・コレク
タ電極、９・・・・・・ペース電極、１ｏ・・・・・・
ｐ型１ｎＧａＡｓ領域、１１・・・・・・半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板、１２・・・・・・ノンドープＧａＡ３層。 ３３ ＝・＝・ｐ型Ａ／ＧａＡｓ層、１４−＝−・ｎ型
ＧａＡｓ層、１５・・・・・・ノンドープＡｌＣａＡｓ
層、１６・・・・・・ＷＳｉゲート電極、１７・・・・
・・ｎ＋領領域１８・・・・・・ ソース電極、１９・
・・・・・ドレイン電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
卓絶縁性１ｎＰ某扶 ２，６−−−１’ｌ” ２ Ｉ ｎ Ｇａ Ａ ｓ層７
− エミッタを極
Claims (2)
- （１）II族元素を不純物として含む第１のIII−Ｖ族化
合物半導体と第２のIII−Ｖ族化合物半導体を接触させ
て一体化し、前記第１のIII−Ｖ族化合物半導体中にＶ
族元素を不純物として含む化合物半導体装置。 - （２）II族元素を不純物として含む第１のIII−Ｖ族化
合物半導体と第２のIII−Ｖ族化合物半導体を接触させ
て一体化し、前記第１のIII−Ｖ族化合物半導体中にVI
I族元素を不純物として含む化合物半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2048688A JPH01194469A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 化合物半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2048688A JPH01194469A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 化合物半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01194469A true JPH01194469A (ja) | 1989-08-04 |
Family
ID=12028470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2048688A Pending JPH01194469A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 化合物半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01194469A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1191599A2 (en) * | 2000-09-22 | 2002-03-27 | TRW Inc. | Interstitial diffusion barrier |
| JP2011077516A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-04-14 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 電界効果トランジスタ、半導体基板及び電界効果トランジスタの製造方法 |
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1988
- 1988-01-29 JP JP2048688A patent/JPH01194469A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1191599A2 (en) * | 2000-09-22 | 2002-03-27 | TRW Inc. | Interstitial diffusion barrier |
| JP2011077516A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-04-14 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 電界効果トランジスタ、半導体基板及び電界効果トランジスタの製造方法 |
| CN102484077A (zh) * | 2009-09-07 | 2012-05-30 | 住友化学株式会社 | 场效应晶体管、半导体基板、场效应晶体管的制造方法及半导体基板的制造方法 |
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