JPS63154694A - ビス（ジフエニルホスフイノ）アミンの製造方法 - Google Patents
ビス（ジフエニルホスフイノ）アミンの製造方法Info
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- JPS63154694A JPS63154694A JP30104486A JP30104486A JPS63154694A JP S63154694 A JPS63154694 A JP S63154694A JP 30104486 A JP30104486 A JP 30104486A JP 30104486 A JP30104486 A JP 30104486A JP S63154694 A JPS63154694 A JP S63154694A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、ビス（ジフェニルホスフィノ）アミンの製造
方法に関し、ざらに詳しくは有機合成中間体あるいは反
応触媒中間体として有用なビス（ジフェニルホスフィノ
）アミンの製造方法に関する。
方法に関し、ざらに詳しくは有機合成中間体あるいは反
応触媒中間体として有用なビス（ジフェニルホスフィノ
）アミンの製造方法に関する。
発明の技術的背景ならびにその問題点
ビス（ジフェニルホスフィノ）アミンは、医薬あるいは
農薬などを合成する際の中間体として有用であり、また
反応触媒を製造する際に有用な化合物である。
農薬などを合成する際の中間体として有用であり、また
反応触媒を製造する際に有用な化合物である。
このようなビス（ジフェニルホスフィノ）アミンは、従
来、たとえばＺｅｉｔｓｃｈｒｉｆｔ ｆｕｒ ａｎｏ
ｒｇａｎｉｓｃｈｅ ｕｎｄ ａｌｌｇｅｍｅｉｎｅ
ｃｈｅｍｉｅ（ツァイツフリクトフエア アンオルガニ
ツシエ ラント アルゲマ゛イン ケミ） 、３４９，
２２５〜２４０ （１９６７）に教示された下記式（ａ
、）で示されるような、クロロジフェニルホスフィンと
ヘキサメチルジシラザンとの反応により製造しうろこと
が知られている。
来、たとえばＺｅｉｔｓｃｈｒｉｆｔ ｆｕｒ ａｎｏ
ｒｇａｎｉｓｃｈｅ ｕｎｄ ａｌｌｇｅｍｅｉｎｅ
ｃｈｅｍｉｅ（ツァイツフリクトフエア アンオルガニ
ツシエ ラント アルゲマ゛イン ケミ） 、３４９，
２２５〜２４０ （１９６７）に教示された下記式（ａ
、）で示されるような、クロロジフェニルホスフィンと
ヘキサメチルジシラザンとの反応により製造しうろこと
が知られている。
ところが上記のような反応によりビス（ジフェニルホス
フィノ）アミンを製造しようとすると、目的化合物であ
るビス（ジフェニルホスフィノ）アミン以外に種々の化
合物が副生じてしまうため、ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）アミンの分離精製に手間がかかるという問題点があ
った。また上記の反応では、ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）アミンの収率は５１〜５４％程度と低いという問題
点があった。
フィノ）アミンを製造しようとすると、目的化合物であ
るビス（ジフェニルホスフィノ）アミン以外に種々の化
合物が副生じてしまうため、ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）アミンの分離精製に手間がかかるという問題点があ
った。また上記の反応では、ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）アミンの収率は５１〜５４％程度と低いという問題
点があった。
またＡｎｇｅｗ、 Ｃｈｅｍ、 Ｉｎｔ、 Ｅｄ、Ｅｎ
ｇｌ、 （アンゲバンテ ケミ インターナショナル
エディジョンイン イングリッシュ）には、下記式（ｂ
）で示されるような、クロロジフェニルホスフィンから
ジフェニルホスフィノアミドを合成し、これを１５０℃
程度の温度で熱分解することによって、ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）アミンを製造する方法が教示されている
。
ｇｌ、 （アンゲバンテ ケミ インターナショナル
エディジョンイン イングリッシュ）には、下記式（ｂ
）で示されるような、クロロジフェニルホスフィンから
ジフェニルホスフィノアミドを合成し、これを１５０℃
程度の温度で熱分解することによって、ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）アミンを製造する方法が教示されている
。
ニルホスフィノ）アミンを製造しようとすると、高価な
ＫＮ町を使用し、しかも中間体としてのジフェニルホス
フィノアミドを１５０℃程度の温度で２４時間もの長時
間かけて熱分解しな【プればならず、実用的ではないと
いう問題点があった。
ＫＮ町を使用し、しかも中間体としてのジフェニルホス
フィノアミドを１５０℃程度の温度で２４時間もの長時
間かけて熱分解しな【プればならず、実用的ではないと
いう問題点があった。
発明の目的
本発明は、上記のような従来技術に伴なう問題点を解決
しようとするものであって、高収率、かつ高選択率でビ
ス（ジフェニルホスフィノ）アミンを得ることができ、
しかも高価な出発原料を用いることなく、その上製造操
作も簡単なビス（ジフェニルホスフィノ）アミンの製造
方法を提供することを目的としている。
しようとするものであって、高収率、かつ高選択率でビ
ス（ジフェニルホスフィノ）アミンを得ることができ、
しかも高価な出発原料を用いることなく、その上製造操
作も簡単なビス（ジフェニルホスフィノ）アミンの製造
方法を提供することを目的としている。
１肌り厘１
本発明に係るビス（ジフェニルホスフィノ）アミンの製
造方法は、下記式（Ｉ＞で示されるクロロジフェニルホ
スフィンと、下記式（ＩＩ）で示されるヘキサメチルジ
シラザンとを反応させ、次いで得られる反応混合物に、
有機３級アミンを添加することを特徴としている。
造方法は、下記式（Ｉ＞で示されるクロロジフェニルホ
スフィンと、下記式（ＩＩ）で示されるヘキサメチルジ
シラザンとを反応させ、次いで得られる反応混合物に、
有機３級アミンを添加することを特徴としている。
（Ｉ） （Ｉ［＞
本発明に係るビス（ジフェニルホスフィノ）アミンの製
造方法によれば、クロロジフェニルホスフィンとヘキサ
メチルジシラザンとを反応させ、次いで得られる反応混
合物に、有機３級アミンを添加することにより、目的と
するビス（ジフェニルホスフィノ）アミンを高収率かつ
高選択率で得ることができ、しかも高価な出発原料を用
いることなく、その上製造操作も簡単である。
造方法によれば、クロロジフェニルホスフィンとヘキサ
メチルジシラザンとを反応させ、次いで得られる反応混
合物に、有機３級アミンを添加することにより、目的と
するビス（ジフェニルホスフィノ）アミンを高収率かつ
高選択率で得ることができ、しかも高価な出発原料を用
いることなく、その上製造操作も簡単である。
及肌尖且迷煎返■
以下本発明に係るビス（ジフェニルホスフィノ）アミン
の製造方法について具体的に説明する。
の製造方法について具体的に説明する。
本発明では、下記式（Ｉ＞で示されるクロロジフェニル
ホスフィンと、下記式（ｎ）で示されるヘキサメチルジ
シラザンとを反応させ、次いで得られる反応混合物に、
有機３級アミンを添加することによって、下記式（ｎｌ
）で示されるビス（ジフェニルホスフィノ）アミンを製
造している。
ホスフィンと、下記式（ｎ）で示されるヘキサメチルジ
シラザンとを反応させ、次いで得られる反応混合物に、
有機３級アミンを添加することによって、下記式（ｎｌ
）で示されるビス（ジフェニルホスフィノ）アミンを製
造している。
以下に有機３級アミンとしてトリエチルアミンを用いた
場合についての反応式を示す。
場合についての反応式を示す。
（ｍ）
本発明では、有機３級アミンとしては、脂肪族第３級ア
ミンあるいは芳香族第３級アミンが用いられる。
ミンあるいは芳香族第３級アミンが用いられる。
本発明で用いられる脂肪族第３級アミンとしては、トリ
メチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミンな
どが用いられる。
メチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミンな
どが用いられる。
また芳香族第３級アミンとしては、ジメチルアニリン、
ジエチルアニリン、ピリジンなどが用いられる。
ジエチルアニリン、ピリジンなどが用いられる。
このような脂肪族第３級アミンまたは芳香族第３級アミ
ンなどの有機３級アミンは、クロロシフ工二ルホスフィ
ンとヘキサメチルジシラザンとを混合して両者を反応さ
せて得られる反応混合物中に添加される。上記のアミン
類は、クロロジフェニルホスフィンとヘキサメチルジシ
ラザンとの反応前混合物中に予じめ添加すると目的化合
物で必料であるクロロジフェニルホスフィンとヘキサメ
チルジシラザンとを混合して両者を反応させて得られる
反応混合物に添加すると、反応を容易に完結することが
できる。
ンなどの有機３級アミンは、クロロシフ工二ルホスフィ
ンとヘキサメチルジシラザンとを混合して両者を反応さ
せて得られる反応混合物中に添加される。上記のアミン
類は、クロロジフェニルホスフィンとヘキサメチルジシ
ラザンとの反応前混合物中に予じめ添加すると目的化合
物で必料であるクロロジフェニルホスフィンとヘキサメ
チルジシラザンとを混合して両者を反応させて得られる
反応混合物に添加すると、反応を容易に完結することが
できる。
このような脂肪族第３級アミンまたは芳香族第３級アミ
ンなどの有機３級アミンを、クロロジフェニルホスフィ
ンとヘキサメチルジシラザンとの反応混合物に添加する
と、目的化合物でおるビス（ジフェニルホスフィノ）ア
ミンが高収率かつ高選択率で得られるのは、次の理由に
よるのであろうと考えられる。すなわち、クロロジフェ
ニルホスフィンとヘキサメチルジシラザンとを反応温度
で作用させると、両者は錯体的な中間体を生成し、この
中間体からビス（ジフェニルホスフィノ）アミンが生成
すると考えられるが、脂肪族第３級アミンまたは芳香族
第３級アミンなどの有機３級アミンをクロロジフェニル
ホスフィンとヘキサメチルジシラザンとの反応混合物に
添加すると、錯体的な中間体の目的化合物であるビス（
ジフェニルホスフィノ）アミンへの移行が促進され、こ
のためビス（ジフェニルホスフィノ）アミンが高収率か
つ高選択率で生成するのであろうと考えられる。
ンなどの有機３級アミンを、クロロジフェニルホスフィ
ンとヘキサメチルジシラザンとの反応混合物に添加する
と、目的化合物でおるビス（ジフェニルホスフィノ）ア
ミンが高収率かつ高選択率で得られるのは、次の理由に
よるのであろうと考えられる。すなわち、クロロジフェ
ニルホスフィンとヘキサメチルジシラザンとを反応温度
で作用させると、両者は錯体的な中間体を生成し、この
中間体からビス（ジフェニルホスフィノ）アミンが生成
すると考えられるが、脂肪族第３級アミンまたは芳香族
第３級アミンなどの有機３級アミンをクロロジフェニル
ホスフィンとヘキサメチルジシラザンとの反応混合物に
添加すると、錯体的な中間体の目的化合物であるビス（
ジフェニルホスフィノ）アミンへの移行が促進され、こ
のためビス（ジフェニルホスフィノ）アミンが高収率か
つ高選択率で生成するのであろうと考えられる。
これに対して脂肪族第３級アミンまたは芳香族第３級ア
ミンなどの有機３級アミンを、予じめクロロジフェニル
ホスフィンとヘキサメチルジシラザンとの反応混合物に
添加しておくと、これらのアミン類は配位性が強いため
、ビス（ジフェニルホスフィノ）アミンを生成する錯体
的な中間体の生成が阻害され、目的化合物であるビス（
ジフェニルホスフィノ）アミンが生成しないのであろう
と考えられる。
ミンなどの有機３級アミンを、予じめクロロジフェニル
ホスフィンとヘキサメチルジシラザンとの反応混合物に
添加しておくと、これらのアミン類は配位性が強いため
、ビス（ジフェニルホスフィノ）アミンを生成する錯体
的な中間体の生成が阻害され、目的化合物であるビス（
ジフェニルホスフィノ）アミンが生成しないのであろう
と考えられる。
脂肪族第３級アミンまたは芳香族第３級アミンなどの有
機３級アミンは、クロロジフェニルホスフィンとヘキサ
メチルジシラザンとの反応混合物に、原料として用いら
れるクロロジフェニルホスフィンと同モル数以上好まし
くは１．１〜２．０倍モル量で添加されることが好まし
い。なａ５上記アミン類は、クロロジフェニルホスフィ
ンとヘキサメチルジシラザンとの反応混合物を２０〜４
０℃程度まで冷却した後添加することが好ましい。
機３級アミンは、クロロジフェニルホスフィンとヘキサ
メチルジシラザンとの反応混合物に、原料として用いら
れるクロロジフェニルホスフィンと同モル数以上好まし
くは１．１〜２．０倍モル量で添加されることが好まし
い。なａ５上記アミン類は、クロロジフェニルホスフィ
ンとヘキサメチルジシラザンとの反応混合物を２０〜４
０℃程度まで冷却した後添加することが好ましい。
クロロジフェニルホスフィンとヘキサメチルジシラザン
との反応は、４０〜１００℃好ましくは６０〜９０℃で
行なわれる。また反応時間は、反応温度によって大きく
変化するが、通常０．５〜２時間程度である。
との反応は、４０〜１００℃好ましくは６０〜９０℃で
行なわれる。また反応時間は、反応温度によって大きく
変化するが、通常０．５〜２時間程度である。
クロロジフェニルホスフィンとヘキサメチルジシラザン
との反応は、反応溶媒の存在下で行なうこともできる。
との反応は、反応溶媒の存在下で行なうこともできる。
この際用いられる反応溶媒としては、目的化合物である
ビス（ジフェニルホスフィノ）アミンを溶解しうる溶媒
が好ましく、具体的には、ベンゼン、トルエン、キシレ
ンなどの芳香族溶媒あるいはこれらの芳香族溶媒とテト
ラヒドロフラン、アセトニトリルなどとの混合溶媒が好
ましく用いられる。
ビス（ジフェニルホスフィノ）アミンを溶解しうる溶媒
が好ましく、具体的には、ベンゼン、トルエン、キシレ
ンなどの芳香族溶媒あるいはこれらの芳香族溶媒とテト
ラヒドロフラン、アセトニトリルなどとの混合溶媒が好
ましく用いられる。
クロロジフェニルホスフィンとヘキサメチルジシラザン
との反応を行なうに際しては、クロロジフェニルホスフ
ィンにヘキサメチルジシラザンを加えてもよく、またヘ
キサメチルジシラザンにクロロジフェニルホスフィンを
加えてもよいが、いずれにせよ両者の反応は発熱反応で
あるため、いずれか一方を滴下するなどして徐々に加え
ることにより、反応温度を制御することが好ましい。
との反応を行なうに際しては、クロロジフェニルホスフ
ィンにヘキサメチルジシラザンを加えてもよく、またヘ
キサメチルジシラザンにクロロジフェニルホスフィンを
加えてもよいが、いずれにせよ両者の反応は発熱反応で
あるため、いずれか一方を滴下するなどして徐々に加え
ることにより、反応温度を制御することが好ましい。
反応終了後の反応混合物から目的化合物であるビス（ジ
フェニルホスフィノ）アミンを分離生成するには、たと
えば次のようにすることができる。
フェニルホスフィノ）アミンを分離生成するには、たと
えば次のようにすることができる。
すなわち反応終了後の反応混合物に水を加えて塩を溶解
させ、一方ビス（ジフェニルホスフィノ）アミンは有機
層中に残留させる。次いで有機層を分離し、水洗した後
、芒硝により脱水し、次いで溶媒を留去すると、白色結
晶としてビス（ジフェニルホスフィノ）アミンが得られ
る。
させ、一方ビス（ジフェニルホスフィノ）アミンは有機
層中に残留させる。次いで有機層を分離し、水洗した後
、芒硝により脱水し、次いで溶媒を留去すると、白色結
晶としてビス（ジフェニルホスフィノ）アミンが得られ
る。
このようにして得られたビス（ジフェニルホスフィノ）
アミンの粗結晶を、メタノールあるいはエタノールで洗
浄することによって高純度のビス（ジフェニルホスフィ
ノ）アミンを得ることができる。
アミンの粗結晶を、メタノールあるいはエタノールで洗
浄することによって高純度のビス（ジフェニルホスフィ
ノ）アミンを得ることができる。
Ｒ服例四ス
本発明ば係るビス（ジフェニルホスフィノ）アミンの製
造方法によれば、クロロジフェニルホスフィンとヘキサ
メチルジシラザンとを反応させ、次いで得られる反応混
合物に、有機３級アミンを添加することにより、目的と
するビス（ジフェニルホスフィノ）アミンを高収率かつ
高選択率で得ることができ、しかも高価な出発原料を用
いることなく、その上製造操作も簡単である。
造方法によれば、クロロジフェニルホスフィンとヘキサ
メチルジシラザンとを反応させ、次いで得られる反応混
合物に、有機３級アミンを添加することにより、目的と
するビス（ジフェニルホスフィノ）アミンを高収率かつ
高選択率で得ることができ、しかも高価な出発原料を用
いることなく、その上製造操作も簡単である。
Ｘ族■ユ
還流器及び攪拌機を備えた５００ｄ容量の４０フラスコ
に窒素雰囲気中でヘキサメチルジシラザン（６，１ｇ（
０，１モル）及び溶媒としてテトラヒドロフラン１００
ｍとトルエン１００ｍを加えた。次いで水浴で冷却し攪
拌しなから３０’Ｃの温度でクロロジフェニルホスフィ
ン４４．１９（０，２モル）を滴下し、さらに加熱して
遠流温−１１一 度８０℃で３０分間反応を続けた。反応後冷却して４０
°Ｃでトリエチルアミン４０．５！？ （０，４モル）
を滴下し、さらに３０分間攪拌を続けた。
に窒素雰囲気中でヘキサメチルジシラザン（６，１ｇ（
０，１モル）及び溶媒としてテトラヒドロフラン１００
ｍとトルエン１００ｍを加えた。次いで水浴で冷却し攪
拌しなから３０’Ｃの温度でクロロジフェニルホスフィ
ン４４．１９（０，２モル）を滴下し、さらに加熱して
遠流温−１１一 度８０℃で３０分間反応を続けた。反応後冷却して４０
°Ｃでトリエチルアミン４０．５！？ （０，４モル）
を滴下し、さらに３０分間攪拌を続けた。
次いで冷却して２０’Ｃ以下で１００ｄの水を滴下して
生成した塩を溶解し、分液操作により有機層を取った。
生成した塩を溶解し、分液操作により有機層を取った。
有機層はざらに芒硝で脱水してエバポレータで溶媒留去
して白色結晶を得た。これに２００７！のメタノールを
加えて加熱還流を１時間続けて冷却後、結晶を濾別して
６０℃で５時間乾燥してビス（ジフェニルホスフィノ）
アミンの白色結晶が得られた。
して白色結晶を得た。これに２００７！のメタノールを
加えて加熱還流を１時間続けて冷却後、結晶を濾別して
６０℃で５時間乾燥してビス（ジフェニルホスフィノ）
アミンの白色結晶が得られた。
この方法で得られた白色結晶は文献法で得られた物と融
点及びＩＲスペクトルが完全に一致した。
点及びＩＲスペクトルが完全に一致した。
収量、収率なとは次のとおりである。
収量 ３３．５ｇ 収率 ８６．９％融点 １４
４〜１４６°Ｃ ＩＲ膜吸収νｍａｘ （ｃｍ−’） ３２２５Ｘ
癒叢ｌ 実施例１において、トリエチルアミンの代りに、ピリジ
ン３１．６ｇ（０，４モル）を使用して実施例１と同様
に反応させた。収量、収率は次のとおりであ′す、融点
ＩＲ吸収は実施例１と同じであった。
４〜１４６°Ｃ ＩＲ膜吸収νｍａｘ （ｃｍ−’） ３２２５Ｘ
癒叢ｌ 実施例１において、トリエチルアミンの代りに、ピリジ
ン３１．６ｇ（０，４モル）を使用して実施例１と同様
に反応させた。収量、収率は次のとおりであ′す、融点
ＩＲ吸収は実施例１と同じであった。
収量 ３３．７９ 収率 ８７．４％特許出願
人 北興化学工業株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 俊一部 手続補正書 昭和６２年 ７月 ８日 １、事件の表示 昭和６１年特許願 第３０１，０４４号２、発明の名称 ビス（ジフェニルホスフィノ）アミンの製造方法３、補
正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 北興化学工業株式会社 ４、代 理 人 （郵便番号１４１） 東京部品用区東五反田−丁目２５番４号ニーエムビル４
階 ［電話東京（４４４） ３１５１］ ７、補正の内容 （１）明細書第８頁第６行において、 「中間体の」とあるのを、「中間体から」と補正する。
人 北興化学工業株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 俊一部 手続補正書 昭和６２年 ７月 ８日 １、事件の表示 昭和６１年特許願 第３０１，０４４号２、発明の名称 ビス（ジフェニルホスフィノ）アミンの製造方法３、補
正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 北興化学工業株式会社 ４、代 理 人 （郵便番号１４１） 東京部品用区東五反田−丁目２５番４号ニーエムビル４
階 ［電話東京（４４４） ３１５１］ ７、補正の内容 （１）明細書第８頁第６行において、 「中間体の」とあるのを、「中間体から」と補正する。
（２）同書第１１頁第１１行において、「分離生成」と
あるのを、「分離精製」と補正する。
あるのを、「分離精製」と補正する。
（３）同書第１１頁第１６行において、ｒ （６，’１
ｇＪとあるのを、ｒ１６．ｌＪと補正する。
ｇＪとあるのを、ｒ１６．ｌＪと補正する。
Claims (1)
- クロロジフェニルホスフィンとヘキサメチルジシラザン
とを反応させ、次いで得られる反応混合物に有機３級ア
ミンを添加することを特徴とするビス（ジフェニルホス
フィノ）アミンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30104486A JPS63154694A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | ビス（ジフエニルホスフイノ）アミンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30104486A JPS63154694A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | ビス（ジフエニルホスフイノ）アミンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63154694A true JPS63154694A (ja) | 1988-06-27 |
| JPH0529358B2 JPH0529358B2 (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17892182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30104486A Granted JPS63154694A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | ビス（ジフエニルホスフイノ）アミンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63154694A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0457585A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラー撮像装置 |
-
1986
- 1986-12-17 JP JP30104486A patent/JPS63154694A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0457585A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラー撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0529358B2 (ja) | 1993-04-30 |
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