JPS63132505A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63132505A JPS63132505A JP28041586A JP28041586A JPS63132505A JP S63132505 A JPS63132505 A JP S63132505A JP 28041586 A JP28041586 A JP 28041586A JP 28041586 A JP28041586 A JP 28041586A JP S63132505 A JPS63132505 A JP S63132505A
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- JP
- Japan
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- grounding
- electrode lead
- transmission line
- coplanar transmission
- bonding wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 235000008529 Ziziphus vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- 244000126002 Ziziphus vulgaris Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置、特に、マイクロ波半導体装置
のパッケージ構造に関するものである。
のパッケージ構造に関するものである。
第３図はマイクロ波半導体装置のパッケージとして、広
く用いられている従来のマイクロディスクパッケージの
上蓋を除いた平面図であり、第４図は、第３図の［−Ｉ
ｔ線における断面図である。
く用いられている従来のマイクロディスクパッケージの
上蓋を除いた平面図であり、第４図は、第３図の［−Ｉ
ｔ線における断面図である。
これらの図において、１は電気絶縁体からなる外囲器、
１ａはこの外囲器１に形成された凹部、２は入力信号用
電極リード、３ば接地用Ｎ極リード、４は出力信号用Ｍ
極す−ド、５は前記凹部１ａ内に装着された半導体素子
、２０は入力線路、２１は入力ボンディングワイヤ、３
０は接地部、３１は接地ボンディングワイヤ、４０は出
力Ｍ４！Ｎ、４１は出力ボンディングワイヤである。そ
して、各電極リード２，３，４はそれぞれ入力１ｉ１２
０．接地部３０．出力線ｔｓａｏに接続されているが図
示は省略しである。
１ａはこの外囲器１に形成された凹部、２は入力信号用
電極リード、３ば接地用Ｎ極リード、４は出力信号用Ｍ
極す−ド、５は前記凹部１ａ内に装着された半導体素子
、２０は入力線路、２１は入力ボンディングワイヤ、３
０は接地部、３１は接地ボンディングワイヤ、４０は出
力Ｍ４！Ｎ、４１は出力ボンディングワイヤである。そ
して、各電極リード２，３，４はそれぞれ入力１ｉ１２
０．接地部３０．出力線ｔｓａｏに接続されているが図
示は省略しである。
このような従来のマイクロ波半導体装置用パッケージは
、半導体素子５を接地部３０にグイボンドした後、外囲
ｖｓ１から突出した入力信号用電極リード２．接地用電
極リード３．出力信号用電極リード４と接続された入力
線路２０．接地部３０゜出力線Ｗ１４０にワイヤボンデ
ィングして使用される。そして、マイクロ波回路へ実装
する場合は、入力信号用電極リード２．出力信号用電極
リード４が回路の入力伝送線路、出力伝送線路に接続さ
れ、接地用電極用リード３で接地される。
、半導体素子５を接地部３０にグイボンドした後、外囲
ｖｓ１から突出した入力信号用電極リード２．接地用電
極リード３．出力信号用電極リード４と接続された入力
線路２０．接地部３０゜出力線Ｗ１４０にワイヤボンデ
ィングして使用される。そして、マイクロ波回路へ実装
する場合は、入力信号用電極リード２．出力信号用電極
リード４が回路の入力伝送線路、出力伝送線路に接続さ
れ、接地用電極用リード３で接地される。
従来のマイクロ波半導体装置用パッケージは、以上のよ
うに構成されているので、マイクロ波的な接地面は接地
用電極リード３端となり、半導体素子５の接地ボンディ
ングワイヤ３１から接地用電極リード３までの接地部３
０のインダクタンスが大きくなっていた。高周波帯にお
ける接地インダクタンスの増大は、マイクロ波半導体素
子の性能を劣化させることがよく知られている。したが
って、従来のマイクロ波半導体装置用パッケージでは、
高周波帯での部用に問題があった。
うに構成されているので、マイクロ波的な接地面は接地
用電極リード３端となり、半導体素子５の接地ボンディ
ングワイヤ３１から接地用電極リード３までの接地部３
０のインダクタンスが大きくなっていた。高周波帯にお
ける接地インダクタンスの増大は、マイクロ波半導体素
子の性能を劣化させることがよく知られている。したが
って、従来のマイクロ波半導体装置用パッケージでは、
高周波帯での部用に問題があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、高周波帯でも性能のよいマイクロ波半導体
装置用パッケージを得ることを目的とする。
れたもので、高周波帯でも性能のよいマイクロ波半導体
装置用パッケージを得ることを目的とする。
この発明に係るマイクロ波半導体装置用パッケージは、
半導体チップを収容する凹部が形成された電気絶縁体か
らなる外囲器と、この外囲器の一部に突出して設けられ
た入力信号用電極リード。
半導体チップを収容する凹部が形成された電気絶縁体か
らなる外囲器と、この外囲器の一部に突出して設けられ
た入力信号用電極リード。
出力信号用電極リードおよび接地用電極リードを備え、
前記入力信号用電極リードおよび出力信号用電極リード
に接続されたコプレーナ伝送線路を前記凹部内で前記半
導体チップを挾むように設け、前記コプレーナ伝送線路
の接地導体と接続され前記接地用電極リードに接続され
た接地部に前記半導体チップを装着したものである。
前記入力信号用電極リードおよび出力信号用電極リード
に接続されたコプレーナ伝送線路を前記凹部内で前記半
導体チップを挾むように設け、前記コプレーナ伝送線路
の接地導体と接続され前記接地用電極リードに接続され
た接地部に前記半導体チップを装着したものである。
この発明においては、半導体チップの接地部がコプレー
ナ伝送線路の接地導体に近接して接続されることになり
、マイクロ波的な接地面がコプレーナ伝送線路の接地導
体面となる。
ナ伝送線路の接地導体に近接して接続されることになり
、マイクロ波的な接地面がコプレーナ伝送線路の接地導
体面となる。
以下、この発明の一実施例を第１図、第２図について説
明する。
明する。
これらの図において、従来と同様に、１は電気絶縁体か
らなる外囲器、２は入力信号用電極リード、３は接地用
電極リード、４は出力信号用電極リード、２ｏＯはコプ
レーナ伝送線路で構成された入力線路、３００はコプレ
ーナ伝送Ｓ路の接地導体と接続される接地部、４００は
コプレーナ伝送線路で構成された出力線路である。９！
ｒ線路には、半導体素子５から入力ボンディングワイヤ
２１゜接地ボンディングワイヤ３１．出力ボンディング
ワイヤ４１で接続されている。
らなる外囲器、２は入力信号用電極リード、３は接地用
電極リード、４は出力信号用電極リード、２ｏＯはコプ
レーナ伝送線路で構成された入力線路、３００はコプレ
ーナ伝送Ｓ路の接地導体と接続される接地部、４００は
コプレーナ伝送線路で構成された出力線路である。９！
ｒ線路には、半導体素子５から入力ボンディングワイヤ
２１゜接地ボンディングワイヤ３１．出力ボンディング
ワイヤ４１で接続されている。
以上のように構成されたこの発明によるマイクロ波半導
体装置用パッケージは、半導体素子５の接地部３００が
コプレーナ伝送線路の接地導体部と近接して接続されて
いるので、マイクロ波的な接地面がコプレーナ伝送線路
の接地導体面となり、半導体素子５と接地間のインダク
タンスは小さくなる。接地インダクタンスの減少により
、従来問題となっていた高周波帯における特性の劣化が
改善されることになる。
体装置用パッケージは、半導体素子５の接地部３００が
コプレーナ伝送線路の接地導体部と近接して接続されて
いるので、マイクロ波的な接地面がコプレーナ伝送線路
の接地導体面となり、半導体素子５と接地間のインダク
タンスは小さくなる。接地インダクタンスの減少により
、従来問題となっていた高周波帯における特性の劣化が
改善されることになる。
なお、上記実施例では、マイクロディスクパッケージに
適用した場合を示したが、これに限定されるものでなく
、他のパッケージに応用しても同様の効果を秦する。
適用した場合を示したが、これに限定されるものでなく
、他のパッケージに応用しても同様の効果を秦する。
この発明は以上説明したとおり、半導体チップを収容す
る四部が形成された電気絶縁体からなる外囲器と、この
外囲器の一部に突出して設けられた入力信号用電極リー
ド、出力信号用電極リードおよび接地用電極リードを備
え、入力信号用電極リードおよび出力信号用電極リード
に接続されたコプレーナ伝送線路を凹部内で半導体チッ
プを挾むように設け、コプレーナ伝送線路の接地導体と
接続され接地用電極リードに接続された接地部に半導体
チップを装着したので、半導体チップからマイクロ波的
な接地面までが近接することになり、接地インダクタン
スを減少させることができる。
る四部が形成された電気絶縁体からなる外囲器と、この
外囲器の一部に突出して設けられた入力信号用電極リー
ド、出力信号用電極リードおよび接地用電極リードを備
え、入力信号用電極リードおよび出力信号用電極リード
に接続されたコプレーナ伝送線路を凹部内で半導体チッ
プを挾むように設け、コプレーナ伝送線路の接地導体と
接続され接地用電極リードに接続された接地部に半導体
チップを装着したので、半導体チップからマイクロ波的
な接地面までが近接することになり、接地インダクタン
スを減少させることができる。
したがって、高周波帯で特性のよいマイクロ波半導体装
置を得ることができる。
置を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の平面図
、第２図は、第１図のＩ−Ｉ線による断面図、第３図は
従来の半導体装置を示す平面図、第４図は、第３図のｍ
−ｍ５による断面図である。 図において、１は外囲型、２は入力信号用電極リード、
３は接地用電極リード、４は出力信号用電極リード、５
は半導体素子、２１は入力ボンディングワイヤ、３１は
接地ボンディングワイヤ、４１は出力ボンディングワイ
ヤ、２００は入力線路、３００ば接地部、４００は出力
線路である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図
、第２図は、第１図のＩ−Ｉ線による断面図、第３図は
従来の半導体装置を示す平面図、第４図は、第３図のｍ
−ｍ５による断面図である。 図において、１は外囲型、２は入力信号用電極リード、
３は接地用電極リード、４は出力信号用電極リード、５
は半導体素子、２１は入力ボンディングワイヤ、３１は
接地ボンディングワイヤ、４１は出力ボンディングワイ
ヤ、２００は入力線路、３００ば接地部、４００は出力
線路である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図
Claims (1)
- 半導体チップを収容する凹部が形成された電気絶縁体か
らなる外囲器と、この外囲器の一部に突出して設けられ
た入力信号用電極リード、出力信号用電極リードおよび
接地用電極リードを備え、前記入力信号用電極リードお
よび出力信号用電極リードに接続されたコプレーナ伝送
線路を前記凹部内で前記半導体チップを挾むように設け
、前記コプレーナ伝送線路の接地導体と接続され前記接
地用電極リードに接続された接地部に前記半導体チップ
を装着したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28041586A JPS63132505A (ja) | 1986-11-24 | 1986-11-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28041586A JPS63132505A (ja) | 1986-11-24 | 1986-11-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63132505A true JPS63132505A (ja) | 1988-06-04 |
Family
ID=17624723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28041586A Pending JPS63132505A (ja) | 1986-11-24 | 1986-11-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63132505A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4891956A (ja) * | 1972-03-03 | 1973-11-29 | ||
| US4276558A (en) * | 1979-06-15 | 1981-06-30 | Ford Aerospace & Communications Corp. | Hermetically sealed active microwave integrated circuit |
| JPS6122656A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-31 | Nec Corp | 発振用トランジスタ素子 |
| JPS6138940B2 (ja) * | 1981-07-13 | 1986-09-01 | Sumitomo Chemical Co |
-
1986
- 1986-11-24 JP JP28041586A patent/JPS63132505A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4891956A (ja) * | 1972-03-03 | 1973-11-29 | ||
| US4276558A (en) * | 1979-06-15 | 1981-06-30 | Ford Aerospace & Communications Corp. | Hermetically sealed active microwave integrated circuit |
| JPS6138940B2 (ja) * | 1981-07-13 | 1986-09-01 | Sumitomo Chemical Co | |
| JPS6122656A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-31 | Nec Corp | 発振用トランジスタ素子 |
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