JPS63126689A - フラツクスレス半田付け方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光半導体結合器のレンズ等の固着に用いるフラ
ックスレス半田付は方法に関する。

（従来の技術） 従来のこの分野の技術を光半導体結合器を例にとって説
明する。

一般に、光半導体結合器は集束性ロンドレンズを介して
、光半導体素子と、光ファイバとを光学的に結合してお
り、その構成部品の組立は、機械的な固定、接着剤によ
る固定、半田付けによる固定等によって行われている。

第４図は係る従来の光半導体結合器の側断面図である。

コノ図において、１は集束性ロッドレンズ（以下、レン
ズと称する）であり、その円筒周囲部には半田付けが可
能なようにＡｕ、Ａｇ等の金属膜が形成されている。こ
のレンズ１はホルダ２の孔２ａに挿入され、ホントプレ
ート、赤外線リフロー装置等の半田付は装置を用いて半
田３によってホルダ２に固定される。２ｂはホルダ２に
加工された精密孔であり、光ファイバ４を接着固定した
ファイバホルダ５を挿入している。そして、ファイバホ
ルダ５をホルダ２へ固定するために、袋ナンド６をファ
イバホルダ５からホルダ２へねし止めしている。

一方、光半導体素子７はベース８上に固定され、気密封
止のため、光半導体素子７を覆うように透明なキャップ
９がヘース８に取り付けられ、光半導体素子部材１０が
構成されている。この光半導体素子部材１０は、レンズ
１、光ファイバ４と光学的に位置合せされ、半田３′に
よって固定されている。

以上のように、レンズ１及び光半導体素子部材１０は、
半田付けによって固定されているため、半田３，３′中
に含まれているフラックスによりレンズ端面１ａ、ｌｂ
及び光半導体素子部材１０のキャップ９が汚染され、光
ファイバ４と光半導体素子７との結合効率を大きく劣化
させるという問題があった。

ここで、レンズ１及び卑半導体素子部材１０を半田付は
固定後、アルコール、クロロセン等の溶剤にて洗浄し、
フラックスを除去する方法が考えられるが、レンズ１の
半田付は後、レンズ端面１ａ。

１ｂ及びキャンプ９の洗浄を行う場合、まず、レンズ端
面１ｂに付着したフラックスを除去するためには、ホル
ダ２の構造上、レンズ１の半田付は部が狭部であるため
、洗浄は困難であり、洗浄するとしても長時間の洗浄が
必要であった。また、半田付は後のレンズ端面１ａ、キ
ャップ９の洗浄は、第４図から明らかなように、不可能
であった。

そこで、フラックスを使用しないで半田付けする方法が
考えられる。

以下に、このフラックスレス半田付は方法を図面を参照
しながら説明する。なお、ここではレンズの半田付は固
定を例にとって説明する。

第５図は従来のフラックスレス半田付は方法を説明する
ホルダの側断面図であり、１は前記同様のレンズ、２も
前記同様のホルダである。

この図において、レンズ１はホルダ２の孔２ａに挿入さ
れ、不活性ガス雰囲気あるいは真空中でホットプレート
、赤外線リフロー装置等の半田リフロー装置を用いてフ
ラックスレス半田１１により固定される。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、前記したフラックスレス半田付は方法で
は、フラックスレス半田は酸化されており、半田が濡れ
ず、半田付けができないといった問題があった。

本発明は、上記問題点を解決するために、予めフラック
スレス半田の酸化膜を除去し、半田を濡らして的確な半
田付けを行い得るフラックスレス半田付は方法を提供す
ることを目的とする。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、上記問題点を解決するために、フラックスレ
ス半田の酸化膜をフラックスにて除去し、その半田をア
ルコール、クロロセン等の溶剤にて洗浄した後に、不活
性ガス雰囲気あるいは真空中でフラックスレス半田付け
を行うようにしたものである。

（作用） 本発明によれば、上記のように構成したので、半田が十
分に濡れ、的確な半田付けを行うことができる。

また、光半導体結合器のレンズや光半導体のキャップの
固定にフラックスレス半田付けを用いる場合には、フラ
ックスによるレンズ端面或いは光半導体素子のキャップ
面の汚染を無くすことができ、光ファイバと光半導体素
子との結合効率の劣化を防止することができる。

（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。

第１図は本発明に係るフラックスレス半田の酸化膜の除
去工程の説明図であり、フラックスレス半田をフラック
スに浸漬した状態を示したものである。第２図は本発明
に係るフラックスレス半田付けが行われるレンズを有す
るホルダの断面図、第３図は本発明に係るフラックスレ
ス半田付は工程図である。

これらの図において、まず、レンズＬはホルダ２の孔２
ａに挿入される。一方、フラックスレス半田１１は、第
１図に示されるように、フラックス１２に浸漬し、酸化
膜を除去する。その後、酸化膜が除去されたフランクス
レス半■１１１ａはアルコール、クロロセン等の溶剤で
フラックスを除去し、第２図に示されるように、ホルダ
２のレンズ半田部２Ｃにセットし、ホットプレート、赤
外線リフロー装置等の半田リフロー装置（図示なし）を
用いて半田付けする。

このように、本発明に係るフラックスレス半田付けは、
第３図に示される工程に沿ワて実施される。つまり、 ■まず、フラックスレス半田をフラックスに浸漬して、
酸化１りを除去する。

■次に、その酸化膜が除去された半田をアルコール、ク
ロロセン等の溶剤を使用して洗浄し、フラックスを除去
する。

０次に、そのフラックスが除去された半田を用いて不活
性ガス雰囲気あるいは真空中においてフラックスレス半
田付けを行う。

また、上記の実施例においては、ホルダへのレンズの固
定について説明したが、例えば、光半導体素子の半田付
け（第４図参照）においても、本発明によるフラックス
レス半田付けが可能であり、この場合にも上記したと同
様の効果が得られる。

なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したように、本発明によれば、フラッ
クスレス半田をフラックスに＞ｌ　ｆＨし、該フラック
スレス半田の酸化膜を除去し、その酸化膜が除去された
半田をアルコール、クロロセン等の溶剤によって洗浄し
、フラックスを除去し、その半田を用いて不活性ガス雰
囲気あるいは真空中においてフラックスレス半田付けを
行うようにしたので、半田が十分に濡れ、的確な半田付
けを行うことができる。

また、フラックスレス半田付けが可能になったことで、
光半導体結合器のレンズや光半導体のキャンプの固定に
用いる場合には、フラックスによるレンズ端面或いは光
半導体素子のキャップ面の汚染をなくすことができ、光
ファイバと光半導体素子との結合効率の劣化を防止する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るフラックスレス半田の酸化膜の除
去工程の説明図、第２図は本発明に係るフラックスレス
半田付けが行われるレンズを有するホルダの断面図、第
３図は本発明に係るフラックスレス半田付は工程図、第
４図は従来の光半導体結合器の側断面図、第５図は従来
のフラ・７クスレス半田付は方法を説明するホルダの側
断面図である。 １・・・レンズ、２・・・ホルダ、２ａ・・・ホルダの
孔、２ｃ・・・レンズ半田部、１１・・・フラックスレ
ス半田、１２・・・フラックス、Ｉｌａ・・・酸化膜が
除去されたフラックスレス半田。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （ａ）フラックスレス半田をフラックスに浸漬し、該フ
   ラックスレス半田の酸化膜を除去する工程と、（ｂ）該
   酸化膜が除去された半田を溶剤によって洗浄し、フラッ
   クスを除去する工程と、 （ｃ）該半田を用いて不活性ガス雰囲気あるいは真空中
   においてフラックスレス半田付けを行う工程とを順に施
   すようにしたことを特徴とするフラックスレス半田付け
   方法。