JPS6312154A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6312154A JPS6312154A JP15575286A JP15575286A JPS6312154A JP S6312154 A JPS6312154 A JP S6312154A JP 15575286 A JP15575286 A JP 15575286A JP 15575286 A JP15575286 A JP 15575286A JP S6312154 A JPS6312154 A JP S6312154A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は微細な構造を有する高速高集積ＭＯ８半導体
装置の製造方法に関する。
装置の製造方法に関する。
多結晶Ｓｉと配線金属との電気的結合を行うコンタクト
部において、高融点金属シリサイドを多結晶Ｓｉと配線
金属の間に設ける事により、コンタクト部の電気的特性
を良好にする。製造方法は多結晶Ｓｉ上の絶縁膜にコン
タクト孔を開け、高融点金属を被着し高温短時間熱処理
を行い、コンタクト部のみを選択的にシリサイド化し、
未反応の高融点金属は溶液により選択的に取り去り、配
線金属を被着する事により形成される。
部において、高融点金属シリサイドを多結晶Ｓｉと配線
金属の間に設ける事により、コンタクト部の電気的特性
を良好にする。製造方法は多結晶Ｓｉ上の絶縁膜にコン
タクト孔を開け、高融点金属を被着し高温短時間熱処理
を行い、コンタクト部のみを選択的にシリサイド化し、
未反応の高融点金属は溶液により選択的に取り去り、配
線金属を被着する事により形成される。
第２図は従来の配線金属と多結晶Ｓｔとのコンタクトの
様子を示す。多結晶Ｓｉ上の絶縁膜にコンタクト孔を開
は配線金属を被着し、その後所望の形状にバターニング
して多結晶Ｓｉと配線金属との電気的結合を得るための
熱処理を行い形成していた。
様子を示す。多結晶Ｓｉ上の絶縁膜にコンタクト孔を開
は配線金属を被着し、その後所望の形状にバターニング
して多結晶Ｓｉと配線金属との電気的結合を得るための
熱処理を行い形成していた。
しかし従来の方法では、通常配線金属として１、〜２％
Ｓ＋を含んだＡ１が用いられるが、このＳｉがシンター
のための熱処理及びその冷却過程でコンタクト部で優先
的に析出する（第２図８）。この析出したＳｉはＡＩか
ら析出するためＡ１がドープされたＰ型のＳｉであり、
多結晶ＳｉがＮ型の導電性を有する場合ＰＮ結合を形成
し、オーミックなコンタクトが取れない。またコンタク
トが微細となるとコンタクト部の大部分をこの析出Ｓｉ
で覆ってしまう場合もあり、このようになるとコンタク
ト抵抗は非常に大きくなってしまうという問題を有して
いる。
Ｓ＋を含んだＡ１が用いられるが、このＳｉがシンター
のための熱処理及びその冷却過程でコンタクト部で優先
的に析出する（第２図８）。この析出したＳｉはＡＩか
ら析出するためＡ１がドープされたＰ型のＳｉであり、
多結晶ＳｉがＮ型の導電性を有する場合ＰＮ結合を形成
し、オーミックなコンタクトが取れない。またコンタク
トが微細となるとコンタクト部の大部分をこの析出Ｓｉ
で覆ってしまう場合もあり、このようになるとコンタク
ト抵抗は非常に大きくなってしまうという問題を有して
いる。
上記問題点を解決するために本発明は、配線金属と多結
晶Ｓｉとの間に高融点金属シリサイドを挿入した。
晶Ｓｉとの間に高融点金属シリサイドを挿入した。
（作用〕
高融点金属シリサイドが多結晶Ｓｉのコンタクト露出部
を覆ってしまい優先的な析出場所をなくしてしまうため
Ｓｉの析出は分散されたものになる。
を覆ってしまい優先的な析出場所をなくしてしまうため
Ｓｉの析出は分散されたものになる。
高温短時間熱処理を採用する事により、析出はさらに分
散したものになる。またシリサイドは物性としてＳｉ、
ＡＩとオーミンクなコンタクト形成が可能である。
散したものになる。またシリサイドは物性としてＳｉ、
ＡＩとオーミンクなコンタクト形成が可能である。
以下にこの発明の実施例を高融点金属としてＷを用いた
場合について図面に基づいて説明する。
場合について図面に基づいて説明する。
第１図ｔａ＋はフィールド絶縁膜２上にパターニングさ
れた多結晶Ｓｉ３上の絶縁膜４にコンタクト孔を開け、
スパンター又は化学気相成長法（ＣＶＤ法）により高融
点金属であるＷ５を３０００〜１００００人程度被着し
た図を示す０次にランプアニーラ−等を用いて高温短時
間熱処理を行い、多結晶Ｓｉ３に接しているＷのみを選
択的にシリサイド化する（第１図（ｂｌ）、高温短時間
熱処理は用いる高融点金属の材質により変わるが、４０
０〜１１００℃の温度で５〜１２０秒の熱処理により多
結晶Ｓｔと合金化反応を起こしシリサイド化する。多結
晶Ｓｉ３にＰ型又はＮ型の導電性を持たせるため不純物
を導入するが、その方法としてイオン注入法を用いた場
合、シリサイド化と同時に不純物の活性化を行う事も可
能である。この場合には温度１０００〜１１００℃で５
〜３０秒という比較的高温の熱処理を行う。次に第１図
（Ｃ１に示すように未反応の高融点金属５のみを選択的
に取り去る。Ｗを用いた場合、硫酸と過酸化水素液の混
合液によりシリサイド６と絶縁膜４を残しＷ５のみを選
択的に取り去る事が可能である。そして第１図＋ｄ＋に
示すように配線金属７を被着し、所望の形状にパターニ
ングし電気的結合を得るための熱処理を行う。配線金属
としてＡＩ −Ｓｉ合金を用いた場合、下地がシリサイ
ド６であるため、従来法に見られたＳｉ析出物は分散さ
れ面積を占めず良好なコンタクト特性が得られる。
れた多結晶Ｓｉ３上の絶縁膜４にコンタクト孔を開け、
スパンター又は化学気相成長法（ＣＶＤ法）により高融
点金属であるＷ５を３０００〜１００００人程度被着し
た図を示す０次にランプアニーラ−等を用いて高温短時
間熱処理を行い、多結晶Ｓｉ３に接しているＷのみを選
択的にシリサイド化する（第１図（ｂｌ）、高温短時間
熱処理は用いる高融点金属の材質により変わるが、４０
０〜１１００℃の温度で５〜１２０秒の熱処理により多
結晶Ｓｔと合金化反応を起こしシリサイド化する。多結
晶Ｓｉ３にＰ型又はＮ型の導電性を持たせるため不純物
を導入するが、その方法としてイオン注入法を用いた場
合、シリサイド化と同時に不純物の活性化を行う事も可
能である。この場合には温度１０００〜１１００℃で５
〜３０秒という比較的高温の熱処理を行う。次に第１図
（Ｃ１に示すように未反応の高融点金属５のみを選択的
に取り去る。Ｗを用いた場合、硫酸と過酸化水素液の混
合液によりシリサイド６と絶縁膜４を残しＷ５のみを選
択的に取り去る事が可能である。そして第１図＋ｄ＋に
示すように配線金属７を被着し、所望の形状にパターニ
ングし電気的結合を得るための熱処理を行う。配線金属
としてＡＩ −Ｓｉ合金を用いた場合、下地がシリサイ
ド６であるため、従来法に見られたＳｉ析出物は分散さ
れ面積を占めず良好なコンタクト特性が得られる。
実施例では高融点金属としてＷを用いた場合について説
明したが、Ｔｉ、Ｍｏ等の他の高融点金属を用いてもか
まわない。但しＴｉを用いた場合、比較的低温でシリサ
イド化するため、多結晶Ｓｉに導電性を持たせる方法と
してイオン注入法を用いる場合、予め不純物を活性化し
ておく必要がある。また未反応高融点金属を選択的に取
り去る方法として、Ｔｉの場合は硫酸、Ｍｏの場合は硫
酸と過酸化水素液の混合液が挙げられる。
明したが、Ｔｉ、Ｍｏ等の他の高融点金属を用いてもか
まわない。但しＴｉを用いた場合、比較的低温でシリサ
イド化するため、多結晶Ｓｉに導電性を持たせる方法と
してイオン注入法を用いる場合、予め不純物を活性化し
ておく必要がある。また未反応高融点金属を選択的に取
り去る方法として、Ｔｉの場合は硫酸、Ｍｏの場合は硫
酸と過酸化水素液の混合液が挙げられる。
第１図は本発明によるコンタクト部製造方法を示す工程
順断面図、第２図は従来のコンタクト部製造方法を示す
断面図である。 １・・・Ｓｔ基板 ２・・・フィールド絶縁膜３・・
・多結晶Ｓｉ ４・・・絶縁膜５・・・高融点金属 ６・・・高融点金属シリサイド ７・・・配線金属 ８・・・Ｓｉ析出物 以上 第旧（ｂｌ 第協（ｃｌ 第２図
順断面図、第２図は従来のコンタクト部製造方法を示す
断面図である。 １・・・Ｓｔ基板 ２・・・フィールド絶縁膜３・・
・多結晶Ｓｉ ４・・・絶縁膜５・・・高融点金属 ６・・・高融点金属シリサイド ７・・・配線金属 ８・・・Ｓｉ析出物 以上 第旧（ｂｌ 第協（ｃｌ 第２図
Claims (1)
- 多結晶Ｓｉ上の絶縁膜に所定の開口部を設けて多結晶Ｓ
ｉを露出させる工程と、高融点金属を被着し高温短時間
熱処理により前記多結晶Ｓｉの表面のみに高融点金属シ
リサイドを選択的に形成する工程と、未反応の前記高融
点金属を選択的に除去する工程とを含む事を特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15575286A JPS6312154A (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15575286A JPS6312154A (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6312154A true JPS6312154A (ja) | 1988-01-19 |
Family
ID=15612641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15575286A Pending JPS6312154A (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6312154A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04240750A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-08-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| FR2710273A1 (fr) * | 1993-09-21 | 1995-03-31 | Camiva | Fourgon pompe tonne d'intervention. |
-
1986
- 1986-07-02 JP JP15575286A patent/JPS6312154A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04240750A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-08-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| FR2710273A1 (fr) * | 1993-09-21 | 1995-03-31 | Camiva | Fourgon pompe tonne d'intervention. |
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