JPS639926A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS639926A JPS639926A JP15446086A JP15446086A JPS639926A JP S639926 A JPS639926 A JP S639926A JP 15446086 A JP15446086 A JP 15446086A JP 15446086 A JP15446086 A JP 15446086A JP S639926 A JPS639926 A JP S639926A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は微細な構造を有する高速高集積ＭＯ８半導体
装置の製造方法に関する。
装置の製造方法に関する。
（発明の概要）
３Ｌ基板中の不純物領域と配線金属との電気的結合を行
うコンタクト部において、高融点金属シリサイドを＆基
板と配線金属の間に設ける事により、コンタクト部の電
気的特性を良好にする。製造方法は不純物領域上の絶縁
膜にコンタクト孔を開け、ｋ！４融点金属を被着し高温
短時間熱処理を行い、コンタクト部のみを選択的にシリ
サイド化し、未反応の高融点金属は溶液により選択的に
取り去り、配線金属を被着する。尚、高温短時間熱処理
は高融点金属の選択シリサイドの他不純物の活性化も同
時に行うものとする。
うコンタクト部において、高融点金属シリサイドを＆基
板と配線金属の間に設ける事により、コンタクト部の電
気的特性を良好にする。製造方法は不純物領域上の絶縁
膜にコンタクト孔を開け、ｋ！４融点金属を被着し高温
短時間熱処理を行い、コンタクト部のみを選択的にシリ
サイド化し、未反応の高融点金属は溶液により選択的に
取り去り、配線金属を被着する。尚、高温短時間熱処理
は高融点金属の選択シリサイドの他不純物の活性化も同
時に行うものとする。
（従来の技術）
第２図は従来の配線金属とＳｉ基板中不純物領域とのコ
ンタクトの様子を示す。＆基板中の不純物領域上の絶縁
膜にコンタクト孔を開は配線金属を被着し、その後所望
の形状にパターニングして３基板と配線金属との電気的
結合を得るための熱処理を行い形成していた。
ンタクトの様子を示す。＆基板中の不純物領域上の絶縁
膜にコンタクト孔を開は配線金属を被着し、その後所望
の形状にパターニングして３基板と配線金属との電気的
結合を得るための熱処理を行い形成していた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし従来の方法では、通常配線金属としてアロイスパ
イク防止のために１〜２％＆を含んだＭが用いられるが
、この＆がシンターのための熱処理及びその冷却過程で
析出し、特に＆基板とのコンタクト部で優先的にエピタ
キシャル成長的に析出する（第２図＆析出物８）。この
析出した＆はＭから析出するためＭでドープされたＰ型
の３であり、不純物領域がＮ型＆のコンタクトではＰＮ
接合を形成し、オーミンクなコンタクトが取れない。ま
たコンタクトが微細となるとコンタクト部全体をこの析
出＆で覆ってしまう場合もあり、このような場合コンタ
クト抵抗は非常に大きくなってしまうという問題を有し
ている。勿論純Ｍはアロイスパイクの問題のため特に微
細化ＭＯ８には不向きである。
イク防止のために１〜２％＆を含んだＭが用いられるが
、この＆がシンターのための熱処理及びその冷却過程で
析出し、特に＆基板とのコンタクト部で優先的にエピタ
キシャル成長的に析出する（第２図＆析出物８）。この
析出した＆はＭから析出するためＭでドープされたＰ型
の３であり、不純物領域がＮ型＆のコンタクトではＰＮ
接合を形成し、オーミンクなコンタクトが取れない。ま
たコンタクトが微細となるとコンタクト部全体をこの析
出＆で覆ってしまう場合もあり、このような場合コンタ
クト抵抗は非常に大きくなってしまうという問題を有し
ている。勿論純Ｍはアロイスパイクの問題のため特に微
細化ＭＯ８には不向きである。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するために本発明は、配線金属と＆基
板中不純物領域との間に高融点金属シリサイドを挿入し
た。
板中不純物領域との間に高融点金属シリサイドを挿入し
た。
（作用）
配線金属としてｌ１ｌｌＡｉを用いてもシリサイドが挿
入されているため、＆基板と直接反応する事はなくアロ
イスパイクの心配はない。ＡＱ−＆合金を配線金属とし
た場合においても、シリサイドが３Ｌ基板のコンタクト
露出部を覆ってしまい優先的な析出場所をなくしてしま
うため＆の析出は分散されたものになる。高温短詩回熱
処理を採用する事により、析出はさらに分散したものに
なり、またシリサイドは物性として＆、Ｍとオーミック
なコンタクト形成が可能である。
入されているため、＆基板と直接反応する事はなくアロ
イスパイクの心配はない。ＡＱ−＆合金を配線金属とし
た場合においても、シリサイドが３Ｌ基板のコンタクト
露出部を覆ってしまい優先的な析出場所をなくしてしま
うため＆の析出は分散されたものになる。高温短詩回熱
処理を採用する事により、析出はさらに分散したものに
なり、またシリサイドは物性として＆、Ｍとオーミック
なコンタクト形成が可能である。
（実施例）
以下にこの発明の実施例を高融点金属としてＷを用いた
場合について図面に基づいて説明する。
場合について図面に基づいて説明する。
第１図（ａ）はＰ型ａｔ基板１中のＮ型不純物領域２上
の絶縁膜４にコンタクト孔を開け、スパッター又は化学
気相成長（ＣＶＤ）法により高融点金属であるＷ５を３
０００〜１００００人程度被着した図を゛示す。次にラ
ンプアニーラ−等を用い高潟短時門熱処理を行い、不純
物領域２に接しているＷのみを選択的にシリサイド化す
る（第１図（ｂ））。
の絶縁膜４にコンタクト孔を開け、スパッター又は化学
気相成長（ＣＶＤ）法により高融点金属であるＷ５を３
０００〜１００００人程度被着した図を゛示す。次にラ
ンプアニーラ−等を用い高潟短時門熱処理を行い、不純
物領域２に接しているＷのみを選択的にシリサイド化す
る（第１図（ｂ））。
高温短時間熱処理条件は用いる高融点金属の材質により
変わるが、４００〜１１００℃の温度で５〜１２０秒の
熱処理により＆と合金化反応を起こしシリサイド化する
。Ｗの場合比較的高温でシリサイド化し、又ドープされ
た不純物の活性化も兼ねるため、１０００〜１１００℃
の温度で５秒〜３０秒間の熱処理を行なう。このとき合
金化反応が進み＆基板１までシリサイド化が准まないよ
うに、又微細化のため不純物領域２の拡散が進まないよ
うに注意する。次に第１図（Ｃ）に示すように未反応の
高融点金属５のみ選択的に取り去る。Ｗを用いた場合、
ｌｉＱＭと過酸化水素液の混合液によりシリサイド６と
絶縁膜４を残しＷ５のみを選択的に取り去る事が可能で
ある。そして第１図（ｄ）に示すように純Ｍ又はＭ−＆
合金等の配線金属７を被着し、所望の形状にパターンニ
ングし電気的結合を得るための熱処理を行う。配線金属
としてＡｅ−３１合金を用いた場合下地がシリサイド６
であるため、従来法に見られたシ析出物は分散され面積
を占めず良好なコンタクト特性が得られる。
変わるが、４００〜１１００℃の温度で５〜１２０秒の
熱処理により＆と合金化反応を起こしシリサイド化する
。Ｗの場合比較的高温でシリサイド化し、又ドープされ
た不純物の活性化も兼ねるため、１０００〜１１００℃
の温度で５秒〜３０秒間の熱処理を行なう。このとき合
金化反応が進み＆基板１までシリサイド化が准まないよ
うに、又微細化のため不純物領域２の拡散が進まないよ
うに注意する。次に第１図（Ｃ）に示すように未反応の
高融点金属５のみ選択的に取り去る。Ｗを用いた場合、
ｌｉＱＭと過酸化水素液の混合液によりシリサイド６と
絶縁膜４を残しＷ５のみを選択的に取り去る事が可能で
ある。そして第１図（ｄ）に示すように純Ｍ又はＭ−＆
合金等の配線金属７を被着し、所望の形状にパターンニ
ングし電気的結合を得るための熱処理を行う。配線金属
としてＡｅ−３１合金を用いた場合下地がシリサイド６
であるため、従来法に見られたシ析出物は分散され面積
を占めず良好なコンタクト特性が得られる。
実施例では高融点金属としてＷを用いた場合について説
明したが、ＴｉＨＯ等の他の高融点金属を用いてもかま
わない。ただしＴｒを用いた場合、比較的低温でシリサ
イド化するため、あらかじめ不純物を活性化しておく必
要がある。また未反応高融点金属を選択的に取り去る溶
液として、ｎの場合は硫酸、ＮＯの場合は硫酸と過酸化
水素液の混合液が挙げられる。他本実施例においてはＰ
型＆基板中のＮ型不純物領域からコンタクトを取る場合
について示したが、Ｎ型３Ｌ基板中のＰ型不純物領域か
らコンタクトを取る場合についても同様に行える。
明したが、ＴｉＨＯ等の他の高融点金属を用いてもかま
わない。ただしＴｒを用いた場合、比較的低温でシリサ
イド化するため、あらかじめ不純物を活性化しておく必
要がある。また未反応高融点金属を選択的に取り去る溶
液として、ｎの場合は硫酸、ＮＯの場合は硫酸と過酸化
水素液の混合液が挙げられる。他本実施例においてはＰ
型＆基板中のＮ型不純物領域からコンタクトを取る場合
について示したが、Ｎ型３Ｌ基板中のＰ型不純物領域か
らコンタクトを取る場合についても同様に行える。
第１図は本発明によるコンタクト部製造方法を示す工程
順断面図、第２図は従来のコンタクト部製造方法を示す
断面図である。 １・・・＆基板、２・・・不純物領域、３・・・フィー
ルド絶縁膜、４・・・絶縁膜、５・・・高融点金属、６
・・・高融点金属シリサイド、７・・・配線金属、８・
・・＆析出物。 出願人 セイコー電子工業株式会社 １１１！１（ａ） 第１ｆｆｉ１） 第ツ（ｄ） 本発明によるコンタクト部製造方法を示す工程順断面図
健１Ｆ！１１
順断面図、第２図は従来のコンタクト部製造方法を示す
断面図である。 １・・・＆基板、２・・・不純物領域、３・・・フィー
ルド絶縁膜、４・・・絶縁膜、５・・・高融点金属、６
・・・高融点金属シリサイド、７・・・配線金属、８・
・・＆析出物。 出願人 セイコー電子工業株式会社 １１１！１（ａ） 第１ｆｆｉ１） 第ツ（ｄ） 本発明によるコンタクト部製造方法を示す工程順断面図
健１Ｆ！１１
Claims (1)
- Ｓｉ半導体基板中に選択的に不純物がドープされた領域
上の絶縁膜に所定の開口部を設けてＳｉ基板を露出させ
る工程と、高融点金属を被着し高温短時間熱処理により
前記露出Ｓｉ基板の表面に高融点金属シリサイドを選択
的に形成し、同時に前記ドープされた不純物を活性化す
る工程と、未反応の前記高融点金属を選択的に除去する
工程と配線金属を形成する工程よりなる事を特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15446086A JPS639926A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15446086A JPS639926A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS639926A true JPS639926A (ja) | 1988-01-16 |
Family
ID=15584721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15446086A Pending JPS639926A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS639926A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03120820A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-23 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 集積回路の相互接続用メタライゼーションを形成する方法及び装置 |
| JPH04233762A (ja) * | 1990-08-01 | 1992-08-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 室温で生成しうる銅−半導体複合体及びその形成方法 |
-
1986
- 1986-07-01 JP JP15446086A patent/JPS639926A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03120820A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-23 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 集積回路の相互接続用メタライゼーションを形成する方法及び装置 |
| JPH04233762A (ja) * | 1990-08-01 | 1992-08-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 室温で生成しうる銅−半導体複合体及びその形成方法 |
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