JPH01112769A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01112769A JPH01112769A JP27073287A JP27073287A JPH01112769A JP H01112769 A JPH01112769 A JP H01112769A JP 27073287 A JP27073287 A JP 27073287A JP 27073287 A JP27073287 A JP 27073287A JP H01112769 A JPH01112769 A JP H01112769A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の構造に関する。
拡散層及びゲート電極上に自己整合的に金属シリサイド
を形成した、いわゆるサリサイド構造のデバイスでは、
拡散層、ゲート電極配線材料の低抵抗化をはかるという
メリットをもつ反面、保護抵抗等の高抵抗を必要とする
時は拡散層あるいはゲート電極配線材料を長（しなけれ
ばならず素子の、微細化に対しては好ましくないという
デメリットがあった。その対策としては、公開特許公報
“昭６１−４３４６４”に示されたように高抵抗を必要
とする部分にシリサイドを形成しない方法がある。
を形成した、いわゆるサリサイド構造のデバイスでは、
拡散層、ゲート電極配線材料の低抵抗化をはかるという
メリットをもつ反面、保護抵抗等の高抵抗を必要とする
時は拡散層あるいはゲート電極配線材料を長（しなけれ
ばならず素子の、微細化に対しては好ましくないという
デメリットがあった。その対策としては、公開特許公報
“昭６１−４３４６４”に示されたように高抵抗を必要
とする部分にシリサイドを形成しない方法がある。
しかし、前述した技術では、マスク合わせ余裕等の問題
から低抵抗を必要とする部分にシリサイドができなかっ
たり、あるいはンース・ドレインとゲート電極の分離の
ために廟いている絶縁膜サイドウオールが侵されたりす
るおそれがあり、製造上かなり困難であるという問題が
ある。
から低抵抗を必要とする部分にシリサイドができなかっ
たり、あるいはンース・ドレインとゲート電極の分離の
ために廟いている絶縁膜サイドウオールが侵されたりす
るおそれがあり、製造上かなり困難であるという問題が
ある。
本発明はそのような問題点を解決するもので、その目的
とするところは、製造上簡単であり、かつ安定した高抵
抗を備えた半導体装置を提供することにある。
とするところは、製造上簡単であり、かつ安定した高抵
抗を備えた半導体装置を提供することにある。
（問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、半導体基板上の金属シリサイド
層の一部が、コンタクトホール内に埋め込まれた半導体
により、他の配線材料に接続されていることを特徴とす
る。
層の一部が、コンタクトホール内に埋め込まれた半導体
により、他の配線材料に接続されていることを特徴とす
る。
また前記半導体は不純物がドープされていない多結晶シ
リコンであることが望ましい。
リコンであることが望ましい。
以下、図面により本発明の実施例を詳細に説明する。第
１図は本発明の半導体装置を表わす断面図であり、同図
において１はＰ型Ｓｉ基板、２は素子分離用酸化膜、３
はゲート酸化膜、４は多結晶Ｓｔアゲート極、５は低濃
度Ｎ型不純物拡散居（ＬＤＤ）６は絶縁膜サイドウオー
ル、７．７’は高濃度ＮＰｔ１不純物拡散５（ドレイン
７、ソース７′）である。
１図は本発明の半導体装置を表わす断面図であり、同図
において１はＰ型Ｓｉ基板、２は素子分離用酸化膜、３
はゲート酸化膜、４は多結晶Ｓｔアゲート極、５は低濃
度Ｎ型不純物拡散居（ＬＤＤ）６は絶縁膜サイドウオー
ル、７．７’は高濃度ＮＰｔ１不純物拡散５（ドレイン
７、ソース７′）である。
前記ゲート電極４及び高濃度ＮＨ；１不純物拡散居７．
７′は表面にＴｉシリサイド８が形成されている。１１
．１１’は多結晶シリコンであり、それぞれコンタクト
ホール１０内部に埋め込まれ、１１には不純物がドープ
されていないが、１１′は高ｉＯ度ＮＷ不純物がドープ
されている。このようにして前記ドレイン７上の前記Ｔ
ｉシリサイド８は高抵抗の多結晶Ｓｉを介し、また前記
ソース７′上の、前記Ｔｉシリサイド８は低抵抗の多結
晶Ｓｉを介し配線材料用ＡＪ２１２に接続されている。
７′は表面にＴｉシリサイド８が形成されている。１１
．１１’は多結晶シリコンであり、それぞれコンタクト
ホール１０内部に埋め込まれ、１１には不純物がドープ
されていないが、１１′は高ｉＯ度ＮＷ不純物がドープ
されている。このようにして前記ドレイン７上の前記Ｔ
ｉシリサイド８は高抵抗の多結晶Ｓｉを介し、また前記
ソース７′上の、前記Ｔｉシリサイド８は低抵抗の多結
晶Ｓｉを介し配線材料用ＡＪ２１２に接続されている。
次に本発明の半導体装置の製造方法を簡単に説明する。
前記１〜７．７′までは従来の技術により順次形成する
。次に全面にＴｉをスパッタ法で２００〜８００人形成
した後に６００〜７００°Ｃの温度でハロゲンランプに
より処理することで前記ゲートＴｉ極４及び、ドレイン
７、ソース７′上のＴｉはＳｉと反応しＴｉシリサイド
８が形成される。未反応Ｔｉは選択エッチ液により除去
し、さらに８００℃前後の温度でハロゲンランプにより
アニール４行う。
。次に全面にＴｉをスパッタ法で２００〜８００人形成
した後に６００〜７００°Ｃの温度でハロゲンランプに
より処理することで前記ゲートＴｉ極４及び、ドレイン
７、ソース７′上のＴｉはＳｉと反応しＴｉシリサイド
８が形成される。未反応Ｔｉは選択エッチ液により除去
し、さらに８００℃前後の温度でハロゲンランプにより
アニール４行う。
化学的気相成長法により層間絶縁ｖ：９を４０００人前
後形成し、フォトレジストパターンを用い一部エッチン
グ除去しフンタクトホール１０を形成する。
後形成し、フォトレジストパターンを用い一部エッチン
グ除去しフンタクトホール１０を形成する。
化学的気相成長法により、多結晶Ｓｉを４０００〜６０
００人形成し、全面をリアフチイブイオンでエツチング
することにより、前君己コンタクトホール１０内部にの
み多結晶Ｓｉが埋め込まれた構造が形成される。フォト
レジストパターンを用い、前記ンース７′上の多結晶Ｓ
ｉ中に高０［ｆのＮ！！不純物を注入し、１０００℃前
後の温度でハロゲンランプにより活性化を行なう。
００人形成し、全面をリアフチイブイオンでエツチング
することにより、前君己コンタクトホール１０内部にの
み多結晶Ｓｉが埋め込まれた構造が形成される。フォト
レジストパターンを用い、前記ンース７′上の多結晶Ｓ
ｉ中に高０［ｆのＮ！！不純物を注入し、１０００℃前
後の温度でハロゲンランプにより活性化を行なう。
最後に配線材料用Ａβ１２を形成し、本発明の半導体装
置の構造が完成する。
置の構造が完成する。
以上発明によるとコンタクトホール内に高抵抗を存する
ことができるため従来のように拡散層あるいは、ゲート
電極などの配線を長くする必要はなくなり微細化に適し
た構造を提供することができ、さらに製造方法も非常に
簡単であるという多大の効果をもたらすことができる。
ことができるため従来のように拡散層あるいは、ゲート
電極などの配線を長くする必要はなくなり微細化に適し
た構造を提供することができ、さらに製造方法も非常に
簡単であるという多大の効果をもたらすことができる。
以上実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記
実施例に限定されるものでな（、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
実施例に限定されるものでな（、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
たとえば金屑シリサイドを形成する金屑はＴｉ以外でも
、Ｎ ｉ、Ｃｏ、Ｗ、Ｍｏ等の高融点金属であってもよ
い。また高抵抗に用いる半導体は多結晶Ｓｉ以外でも、
Ｇｅ、ＧａＡｓ等の半導体であってもよい。
、Ｎ ｉ、Ｃｏ、Ｗ、Ｍｏ等の高融点金属であってもよ
い。また高抵抗に用いる半導体は多結晶Ｓｉ以外でも、
Ｇｅ、ＧａＡｓ等の半導体であってもよい。
第１図は本発明の半導体装置の構造を表わす断面図。
１・・・Ｐ型Ｓｔ基板
２・・・素子分離用酸化膜
３・・・ゲート酸化膜
４・・・（多結晶Ｓｉ）ゲート電極
５・・・低濃度Ｎ型不純物拡散層（ＬＤＤ）６・・・絶
縁膜サイドウオール ７．７′・・・高濃度Ｎ型不純物拡散居（７・・・ドレ
イン ８・・・ソース） ８・・・Ｔｉシリサイド ９・・・后間絶縁膜 １０・・・コンタクトホール １１・・・（不純物がドープされていない）多結晶５ｉ １１′・・・（高濃度Ｎ型不純物が、ドープされた）多
結晶５ｔ １２・・・配線材料用Ａρ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名＋Ｊ”１
縁膜サイドウオール ７．７′・・・高濃度Ｎ型不純物拡散居（７・・・ドレ
イン ８・・・ソース） ８・・・Ｔｉシリサイド ９・・・后間絶縁膜 １０・・・コンタクトホール １１・・・（不純物がドープされていない）多結晶５ｉ １１′・・・（高濃度Ｎ型不純物が、ドープされた）多
結晶５ｔ １２・・・配線材料用Ａρ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名＋Ｊ”１
Claims (2)
- （１）半導体基板上の金属シリサイド層の一部が、コン
タクトホール内に、埋め込まれた半導体により、他の配
線材料に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - （２）前記半導体は不純物がドープされていない多結晶
シリコンであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27073287A JPH01112769A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27073287A JPH01112769A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01112769A true JPH01112769A (ja) | 1989-05-01 |
Family
ID=17490189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27073287A Pending JPH01112769A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01112769A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087693A (en) * | 1994-07-11 | 2000-07-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with reduced stepped portions |
-
1987
- 1987-10-27 JP JP27073287A patent/JPH01112769A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087693A (en) * | 1994-07-11 | 2000-07-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with reduced stepped portions |
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