JPS63193522A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63193522A JPS63193522A JP2584287A JP2584287A JPS63193522A JP S63193522 A JPS63193522 A JP S63193522A JP 2584287 A JP2584287 A JP 2584287A JP 2584287 A JP2584287 A JP 2584287A JP S63193522 A JPS63193522 A JP S63193522A
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- tungsten
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- tungsten nitride
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Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 23
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 8
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 abstract description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
半導体基板と配線とのオーミックコンタクトにおける合
金化反応を防止するいわゆるバリヤ層として、タングス
テンの選択堆積膜が検討されている（Ｓｏｌｉｄ ５ｔ
ａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ誌１９８５年１２月号、
５１〜５９頁所載論文）。
金化反応を防止するいわゆるバリヤ層として、タングス
テンの選択堆積膜が検討されている（Ｓｏｌｉｄ ５ｔ
ａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ誌１９８５年１２月号、
５１〜５９頁所載論文）。
上述の従来の方法は、バリヤ層をコンタクト孔内に選択
的、すなわち自己整合的に形成できるという長所を持っ
ているが１選択的に堆積されたタングステン膜が必ずし
も充分なバリヤ層としての特性を発揮しない、すなわち
５００℃程度以上では、配線のアルミニウムと基板との
反応を防止し得ない、あるいは５００℃以下の熱処理に
おいても必ずしも１００％の反応防止効果を示さないと
いう問題がある。 本発明の目的は上述の従来法におけ
る問題点を解決した新規なバリヤ層の形成方法を提供す
ることにある。
的、すなわち自己整合的に形成できるという長所を持っ
ているが１選択的に堆積されたタングステン膜が必ずし
も充分なバリヤ層としての特性を発揮しない、すなわち
５００℃程度以上では、配線のアルミニウムと基板との
反応を防止し得ない、あるいは５００℃以下の熱処理に
おいても必ずしも１００％の反応防止効果を示さないと
いう問題がある。 本発明の目的は上述の従来法におけ
る問題点を解決した新規なバリヤ層の形成方法を提供す
ることにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上の絶縁
膜に形成された絶縁膜に設けられた開口内にタングステ
ン膜を選択的に堆積する工程と、該タングステン膜の少
なくとも表面層を窒化する工程とを含むことを特徴とす
るものである。
膜に形成された絶縁膜に設けられた開口内にタングステ
ン膜を選択的に堆積する工程と、該タングステン膜の少
なくとも表面層を窒化する工程とを含むことを特徴とす
るものである。
本発明の半導体装置の製造方法では１選択的に開口、す
なわちコンタクト孔内に堆積されたタンステン股がコン
タクト孔内に自己整合的に形成される。
なわちコンタクト孔内に堆積されたタンステン股がコン
タクト孔内に自己整合的に形成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例における
主要工程を示すコンタクト孔部断面図である。先ず第１
図（ａ）に示したように通常のシリコン集積回路製造技
術を用いてＰ型シリコン基板１の表面層にｎ型領域２を
形成した後、酸化シリコン膜３を堆積し、コンタクト孔
３ａを開口する。次に、六弗化タングステンをソースガ
スとして用いた公知の選択ＣＶＤ法により第１図（ｂ）
に示したようにタングステン４をコンタクト孔３ａ内に
選択的に堆積する。
主要工程を示すコンタクト孔部断面図である。先ず第１
図（ａ）に示したように通常のシリコン集積回路製造技
術を用いてＰ型シリコン基板１の表面層にｎ型領域２を
形成した後、酸化シリコン膜３を堆積し、コンタクト孔
３ａを開口する。次に、六弗化タングステンをソースガ
スとして用いた公知の選択ＣＶＤ法により第１図（ｂ）
に示したようにタングステン４をコンタクト孔３ａ内に
選択的に堆積する。
次に６００’Ｃの窒素・水素混合ガス（フォーミングガ
ス）または、アンモニアを含む窒素ガス中で熱処理する
ことにより、第１図（ｃ）に示したように一部の厚さの
タングステン４′を残して表面層を窒化して窒化タング
ステン５に変換する。さらに、標準的な方法により第１
図（ｄ）に示したようにアルミニウム配線６を形成する
ことにより、自己整合的に窒化タングステン５によるバ
リヤ層がコンタクト孔に形成された配線が得られる。
ス）または、アンモニアを含む窒素ガス中で熱処理する
ことにより、第１図（ｃ）に示したように一部の厚さの
タングステン４′を残して表面層を窒化して窒化タング
ステン５に変換する。さらに、標準的な方法により第１
図（ｄ）に示したようにアルミニウム配線６を形成する
ことにより、自己整合的に窒化タングステン５によるバ
リヤ層がコンタクト孔に形成された配線が得られる。
第２図は第１の実施例において、第１図（ｂ）のタング
ステン４の膜を全部窒化した第２の実施例を示したもの
である。この後、標準的な方法でアルミニウム配線の形
成を行えばよい。
ステン４の膜を全部窒化した第２の実施例を示したもの
である。この後、標準的な方法でアルミニウム配線の形
成を行えばよい。
第３図は第１の実施例において、第１図（ｃ）に示した
構造を形成した後、８００℃の窒素ガス中で熱処理する
ことにより、第１図（ｃ）におけるタングステン４′を
ｎ型層２とシリサイド反応させ、第３図のタングステン
シリサイド７とした第３の実施例を示したものである。
構造を形成した後、８００℃の窒素ガス中で熱処理する
ことにより、第１図（ｃ）におけるタングステン４′を
ｎ型層２とシリサイド反応させ、第３図のタングステン
シリサイド７とした第３の実施例を示したものである。
第４図（ｂ）はまず、第４図（ａ）において、ｎ型層２
の表面に予めシリサイド、例えばモリブデンシリサイド
８を形成した後、第１の実施例と同様にタングステンの
膜の表面層を窒化して窒化タングステン５を形成した第
４の実施例を示している。この場合にも、第２の実施例
で示したように選択ＣＶＤ法で形成したタングステンの
膜を全部窒化することも可能である。
の表面に予めシリサイド、例えばモリブデンシリサイド
８を形成した後、第１の実施例と同様にタングステンの
膜の表面層を窒化して窒化タングステン５を形成した第
４の実施例を示している。この場合にも、第２の実施例
で示したように選択ＣＶＤ法で形成したタングステンの
膜を全部窒化することも可能である。
以上説明したように本発明の方法によるときには、コン
タクト孔内に自己整合的に窒化タングステンのバリア金
属を形成することができるので、集積回路装置の製造歩
留り向上や信頼性の向上が実現できる効果を有するもの
である。
タクト孔内に自己整合的に窒化タングステンのバリア金
属を形成することができるので、集積回路装置の製造歩
留り向上や信頼性の向上が実現できる効果を有するもの
である。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例による主
要工程を示す断面図、第２図及び第３図はそれぞれ、第
２．第３の実施例の主要工程を示す断面図、第４図（ａ
）、（ｂ）は第４の実施例での特徴的な工程を示す断面
図である。
要工程を示す断面図、第２図及び第３図はそれぞれ、第
２．第３の実施例の主要工程を示す断面図、第４図（ａ
）、（ｂ）は第４の実施例での特徴的な工程を示す断面
図である。
Claims (1)
- （１）半導体基板上の絶縁膜に設けられた開口内にタン
グステン膜を選択的に堆積する工程と、該タングステン
膜の少なくとも表面層を窒化する工程とを含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2584287A JPS63193522A (ja) | 1987-02-05 | 1987-02-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2584287A JPS63193522A (ja) | 1987-02-05 | 1987-02-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63193522A true JPS63193522A (ja) | 1988-08-10 |
Family
ID=12177102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2584287A Pending JPS63193522A (ja) | 1987-02-05 | 1987-02-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63193522A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02165628A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02238246A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-20 | Tokyo Gas Co Ltd | 給湯システム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5099267A (ja) * | 1973-12-28 | 1975-08-06 | ||
| JPS61142739A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-06-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-02-05 JP JP2584287A patent/JPS63193522A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5099267A (ja) * | 1973-12-28 | 1975-08-06 | ||
| JPS61142739A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-06-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02165628A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02238246A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-20 | Tokyo Gas Co Ltd | 給湯システム |
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