JPS63114667A - サーマルプリントヘツド - Google Patents
サーマルプリントヘツドInfo
- Publication number
- JPS63114667A JPS63114667A JP61261285A JP26128586A JPS63114667A JP S63114667 A JPS63114667 A JP S63114667A JP 61261285 A JP61261285 A JP 61261285A JP 26128586 A JP26128586 A JP 26128586A JP S63114667 A JPS63114667 A JP S63114667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- film
- thermal print
- heat
- print head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007651 thermal printing Methods 0.000 title description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 62
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- -1 composed of TiN Chemical compound 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、感熱媒体に熱を加えて印字記録を行なうサー
マルプリントへノドに関するものである。
マルプリントへノドに関するものである。
従来の技術
熱転写プリンタなどに使用されるサーマルプリントへノ
ドは、記録する情報に応じて普通紙に熱転写する感熱転
写インクリボンや、抵自身が熱によって発色する感熱発
色紙などの感熱媒体に熱を加えるようになっている。こ
の従来のサーマルプリントヘットについて第２図及び第
３図を参照しながら説明する。
ドは、記録する情報に応じて普通紙に熱転写する感熱転
写インクリボンや、抵自身が熱によって発色する感熱発
色紙などの感熱媒体に熱を加えるようになっている。こ
の従来のサーマルプリントヘットについて第２図及び第
３図を参照しながら説明する。
第２図において、２１はヘット基体、２２はヘッド基体
２１上に所定のパターンに設けられた発熱抵抗体膜、２
３は発熱抵抗体膜２２上に所定のパターンに設けられた
電流印加用の電極、２４は電極２３と電極開放部の発熱
抵抗体膜２２の上に設けられた保護膜である。この保護
膜２４はその表面が感熱媒体（図示省略）と接触して走
行するので、耐摩耗性及び耐熱性を有する材料により形
成されている。また第３図に示すように保護膜２４にお
ける電極２３上の表面と電極開放部上の表面とは段差ｄ
を有し、電極開放部上の表面の電極２３に最も近い部分
と電極２３の上端部との間隔（ステップカバレージの一
部分）が１となっている。
２１上に所定のパターンに設けられた発熱抵抗体膜、２
３は発熱抵抗体膜２２上に所定のパターンに設けられた
電流印加用の電極、２４は電極２３と電極開放部の発熱
抵抗体膜２２の上に設けられた保護膜である。この保護
膜２４はその表面が感熱媒体（図示省略）と接触して走
行するので、耐摩耗性及び耐熱性を有する材料により形
成されている。また第３図に示すように保護膜２４にお
ける電極２３上の表面と電極開放部上の表面とは段差ｄ
を有し、電極開放部上の表面の電極２３に最も近い部分
と電極２３の上端部との間隔（ステップカバレージの一
部分）が１となっている。
次に上記従来例の動作について説明する。電極２３に電
圧が印加された瞬間、発熱抵抗体膜２２における電極２
３の端部間が発熱し、保護膜２４を通過した熱パルスに
より感熱媒体を発色させ、印字記録を行う。
圧が印加された瞬間、発熱抵抗体膜２２における電極２
３の端部間が発熱し、保護膜２４を通過した熱パルスに
より感熱媒体を発色させ、印字記録を行う。
発明が解決しようとする問題点
上記従来例の構成では、保護膜２４の材料として、Ｔａ
ｚＯ５、Ｓｉ Ｃ，Ｓｉ Ｃ−８ｉ３Ｎ４．５１０２と
Ｔａ２０５の複合膜、ＢＰなどが用いられ、これはＲＦ
スパッタリング法により形成されている。この保護膜２
４は耐摩耗性の良い絶、縁体であり、耐パルス性等の要
求を満足しているが、酸化物、窒化物のＲＦスバノタリ
／グ法により形成するので、成膜速度が遅く（〜１μｍ
／ｈｒ）、生産性が上がらない。また保護膜２４の厚み
を薄くすると、ステップカバレージ長ｌが短くなって気
密性が悪くなり、電極２３や発熱抵抗体膜２２の酸化を
早め、ヘッド寿命を短くする。また保護膜２４が電気絶
縁体であるので、静電気が表面に蓄積し、下地の発熱抵
抗体膜２２や電極２３との間に静電放電を起こし、保護
膜２４にピンホールやクラックなどが発生する。更に感
熱媒体に対し、高温下で保護膜２４が接触走行する際、
異常電解摩耗が発生し、保護膜２４の寿命を短くするな
どの問題点があった。
ｚＯ５、Ｓｉ Ｃ，Ｓｉ Ｃ−８ｉ３Ｎ４．５１０２と
Ｔａ２０５の複合膜、ＢＰなどが用いられ、これはＲＦ
スパッタリング法により形成されている。この保護膜２
４は耐摩耗性の良い絶、縁体であり、耐パルス性等の要
求を満足しているが、酸化物、窒化物のＲＦスバノタリ
／グ法により形成するので、成膜速度が遅く（〜１μｍ
／ｈｒ）、生産性が上がらない。また保護膜２４の厚み
を薄くすると、ステップカバレージ長ｌが短くなって気
密性が悪くなり、電極２３や発熱抵抗体膜２２の酸化を
早め、ヘッド寿命を短くする。また保護膜２４が電気絶
縁体であるので、静電気が表面に蓄積し、下地の発熱抵
抗体膜２２や電極２３との間に静電放電を起こし、保護
膜２４にピンホールやクラックなどが発生する。更に感
熱媒体に対し、高温下で保護膜２４が接触走行する際、
異常電解摩耗が発生し、保護膜２４の寿命を短くするな
どの問題点があった。
そこで、本発明は、電極及び発熱抵抗体膜の酸化を防止
することができ、また保護膜にピンホールやクランクな
どが発生するのを防止することができ、また高温下での
保護膜の電解摩耗を防止することができ、従って信頼性
の向上と長寿命化を図ることができ、更には生産性を向
上させることができるようにしたサーマルプリントヘラ
ドラ提供しようとするものである。
することができ、また保護膜にピンホールやクランクな
どが発生するのを防止することができ、また高温下での
保護膜の電解摩耗を防止することができ、従って信頼性
の向上と長寿命化を図ることができ、更には生産性を向
上させることができるようにしたサーマルプリントヘラ
ドラ提供しようとするものである。
問題点を解決するための手段
そして上記問題点を解決するための本発明の技術的な手
段は、ヘッド基体と、このヘット基体上に設けられた発
熱抵抗体膜と、この発熱抵抗体膜上に設けられた電極と
、これら１飯及び電極開放部の発熱抵抗体膜上に設けら
れ、電気絶縁性と耐熱性を有する第１の保護膜と、この
第１の保護膜上に設けられ、導電性を耐摩耗性を有する
第２の保護膜を備えたものである。
段は、ヘッド基体と、このヘット基体上に設けられた発
熱抵抗体膜と、この発熱抵抗体膜上に設けられた電極と
、これら１飯及び電極開放部の発熱抵抗体膜上に設けら
れ、電気絶縁性と耐熱性を有する第１の保護膜と、この
第１の保護膜上に設けられ、導電性を耐摩耗性を有する
第２の保護膜を備えたものである。
作 用
本発明は上記構成のように保護膜を第１と第２の二層に
構成することにより、各々の層で保護膜として要求され
る特性を分担させて持たせることができる。即ち、第１
の保護膜は感熱媒体に対し、接触走行しないので、耐摩
耗性ｉ′ｉ不要であり、耐熱性と、電極間の絶縁を保つ
電気絶縁性さえあれば良いので、ステップカバレージの
改善を行うことができる手段により成膜することができ
るので、これにより耐パルス性、気密性を保持し、電極
及び発熱抵抗体膜の酸化を防止することができ、また第
２の保護膜は耐パルス性、気密性、ステップカバレージ
の配慮が不要になり、導電性と耐摩耗性があれば良く、
これらの性質により表面の静電荷を接地に逃がすことが
でき、放電破壊や異常摩耗現象などの問題を回避し、信
頼性と長寿命化を図ることができる。また上記のように
第１と第２の保護膜に特性を分担させることｌこより材
料を広く選択することができ、成膜を容易に行うことが
でき、生産性を向上させることができる。
構成することにより、各々の層で保護膜として要求され
る特性を分担させて持たせることができる。即ち、第１
の保護膜は感熱媒体に対し、接触走行しないので、耐摩
耗性ｉ′ｉ不要であり、耐熱性と、電極間の絶縁を保つ
電気絶縁性さえあれば良いので、ステップカバレージの
改善を行うことができる手段により成膜することができ
るので、これにより耐パルス性、気密性を保持し、電極
及び発熱抵抗体膜の酸化を防止することができ、また第
２の保護膜は耐パルス性、気密性、ステップカバレージ
の配慮が不要になり、導電性と耐摩耗性があれば良く、
これらの性質により表面の静電荷を接地に逃がすことが
でき、放電破壊や異常摩耗現象などの問題を回避し、信
頼性と長寿命化を図ることができる。また上記のように
第１と第２の保護膜に特性を分担させることｌこより材
料を広く選択することができ、成膜を容易に行うことが
でき、生産性を向上させることができる。
実施例
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。第１図は本発明の一実施例におけるサーマルプリ
ントヘットを示す断面図である。
する。第１図は本発明の一実施例におけるサーマルプリ
ントヘットを示す断面図である。
第１図において、１はヘット基体、２はへ７）基体１上
に所定のパターンに設けられた発熱抵抗体膜、３は発熱
抵抗体膜２上に所定のパターンに設けられた電流印加用
の電極、４は電極３（！：電極開放部の発熱抵抗体膜２
の上に設けられた第１の保護膜、６は第１の保護膜４上
に設けられた第２の保護膜である。上記第１の保護膜４
はＳｉ ０２系材料などの電気絶縁性と３６０〜４６０
℃に耐える耐熱性を有し、耐摩耗性は大きくない材料よ
りなり、蒸着、スパッタリングなどの真空処理により、
または常気圧中で、塗布、乾燥、焼成の処理工程により
０２〜２ミクロンの膜厚に形成されている。上記第２の
保護膜はＴｉＮ、ＴｉＮを主成分とする無機質などの導
電性と耐摩耗性を有する材料よりなり、ＤＣマグネトロ
ンスパッタリング処理により１〜３ミクロンの膜厚に形
成されている。
に所定のパターンに設けられた発熱抵抗体膜、３は発熱
抵抗体膜２上に所定のパターンに設けられた電流印加用
の電極、４は電極３（！：電極開放部の発熱抵抗体膜２
の上に設けられた第１の保護膜、６は第１の保護膜４上
に設けられた第２の保護膜である。上記第１の保護膜４
はＳｉ ０２系材料などの電気絶縁性と３６０〜４６０
℃に耐える耐熱性を有し、耐摩耗性は大きくない材料よ
りなり、蒸着、スパッタリングなどの真空処理により、
または常気圧中で、塗布、乾燥、焼成の処理工程により
０２〜２ミクロンの膜厚に形成されている。上記第２の
保護膜はＴｉＮ、ＴｉＮを主成分とする無機質などの導
電性と耐摩耗性を有する材料よりなり、ＤＣマグネトロ
ンスパッタリング処理により１〜３ミクロンの膜厚に形
成されている。
次に本発明の試験例について説明する。
第１試験例
アルミナ焼結体上にガラスを薄く張った、いわゆるグレ
ーズドアルミナをヘット基体１とし、このヘッド基体１
上にＴａｇＩよりなり、厚み５００にの発熱抵抗体膜２
をストライプ状に形成し、この発熱抵抗体膜２上にＣｕ
よりなり、厚み６０００Ａ０の電極３をスパッタにより
形成した。このヘッド素地を（Ｓｉ （ＯＩり２０００
）−１″Ｉｎの構造式を持つゾル液をアルコールに８％
に稀薄したものにディノピンク法で浸漬し、１０ ｃｍ
／ｍｉｎで引き上げ、乾燥した。、乾燥後、１００℃
の空気中で１０分間乾燥し、続いて４０００Ｇの窒素中
で２０分間焼成した。これにより電極３と電極開放部の
発熱抵抗体膜２の上に５ｉＯｚ系ガラス質の透明膜を２
００ＯＮ形成した。この作業を３回続け、全ガラス質層
がｅｏｏｏＡ”の第１の保護膜４を形成した。次に第１
の保護膜４の上に第２の保護膜５として、ＴｉＮ膜をＤ
Ｏスパッタリングで形成した。ターゲットにはＴｉ板を
使用し、Ｎ２とＡｒの６ｏ％混合ガスを１０〜１０
ｔｏｒｒに設定し、マグネトロンスパッタ方式で成膜し
たところ５μｍ／ｈｒ以上の成長速度になり、約２０分
の積層時間で２μｍのＴｉＮ膜を得た。この膜の硬さは
モース硬度９、ビッカース硬度で２０００に９７ｄ以上
を示した。Ｘ線回析では単純な単相ＴｉＮ以外の物質も
合成されていることが推定された。
ーズドアルミナをヘット基体１とし、このヘッド基体１
上にＴａｇＩよりなり、厚み５００にの発熱抵抗体膜２
をストライプ状に形成し、この発熱抵抗体膜２上にＣｕ
よりなり、厚み６０００Ａ０の電極３をスパッタにより
形成した。このヘッド素地を（Ｓｉ （ＯＩり２０００
）−１″Ｉｎの構造式を持つゾル液をアルコールに８％
に稀薄したものにディノピンク法で浸漬し、１０ ｃｍ
／ｍｉｎで引き上げ、乾燥した。、乾燥後、１００℃
の空気中で１０分間乾燥し、続いて４０００Ｇの窒素中
で２０分間焼成した。これにより電極３と電極開放部の
発熱抵抗体膜２の上に５ｉＯｚ系ガラス質の透明膜を２
００ＯＮ形成した。この作業を３回続け、全ガラス質層
がｅｏｏｏＡ”の第１の保護膜４を形成した。次に第１
の保護膜４の上に第２の保護膜５として、ＴｉＮ膜をＤ
Ｏスパッタリングで形成した。ターゲットにはＴｉ板を
使用し、Ｎ２とＡｒの６ｏ％混合ガスを１０〜１０
ｔｏｒｒに設定し、マグネトロンスパッタ方式で成膜し
たところ５μｍ／ｈｒ以上の成長速度になり、約２０分
の積層時間で２μｍのＴｉＮ膜を得た。この膜の硬さは
モース硬度９、ビッカース硬度で２０００に９７ｄ以上
を示した。Ｘ線回析では単純な単相ＴｉＮ以外の物質も
合成されていることが推定された。
この第１と第２の２層構成の保護膜４と５を備えたサー
マルプリントヘッドの実用試験を行った結果、電極間抵
抗値、耐パルス特性、印字特性、耐走行性とも仕様特性
を満足することが確認された。この本発明のサーマルプ
リントヘットにおける第２の保護膜６と従来のサーマル
プリントヘッドにおけるＳ ｉ Ｃ／ Ｓ ｉ ｓ Ｎ
４保護膜の操作時間の比較を行うと、従来が１μｍ
／ ）１１の積層速度で５ｈｒ（６μｍ厚）のスパッタ
リングを行っていたのに対し、本発明におけるスパッタ
リンク時間１才２ｏ分間に短縮できた。本発明における
第１の保護膜４の成膜時間は一素子当りでは〜２時間必
要であるが、連続生産を行う時に（′：！素子当りの時
間は殆んど必要なくなり、本発明における生産性はより
改善されることになる。
マルプリントヘッドの実用試験を行った結果、電極間抵
抗値、耐パルス特性、印字特性、耐走行性とも仕様特性
を満足することが確認された。この本発明のサーマルプ
リントヘットにおける第２の保護膜６と従来のサーマル
プリントヘッドにおけるＳ ｉ Ｃ／ Ｓ ｉ ｓ Ｎ
４保護膜の操作時間の比較を行うと、従来が１μｍ
／ ）１１の積層速度で５ｈｒ（６μｍ厚）のスパッタ
リングを行っていたのに対し、本発明におけるスパッタ
リンク時間１才２ｏ分間に短縮できた。本発明における
第１の保護膜４の成膜時間は一素子当りでは〜２時間必
要であるが、連続生産を行う時に（′：！素子当りの時
間は殆んど必要なくなり、本発明における生産性はより
改善されることになる。
第２試験例
本例では、第１の保護膜４として、５ｉＯｚのスパッタ
膜を用いた。石英板をターゲノ［・とじ、酸に設定し、
ＲＥ’スパッタ方式で製膜した。膜厚は充分な気密特性
、ステップカバレージのＳｉＯ２の効果を考慮して２μ
ｍに形成した。スパッタ成膜速度は１μｍ ／ ｈ ｒ
であったので、約２時間の積層時間を要した。また第２
の保護膜４として、ＴｉＮ膜を上記第１試験例と同様の
条件で２０分間、２μ「ｎに成膜した。サーマルプリン
トヘット仕様特性は満足したが、素子の製造時間が第１
の保護膜４てスパッタリングに２時間要いＴｉＮは２０
分間であるが真空槽処理となるので、上記第１試験例よ
り（１生産性に劣る。しかし、従来例よりは時間短縮と
なり、電解摩耗などの問題が消失しているので改善の効
果は著しい。
膜を用いた。石英板をターゲノ［・とじ、酸に設定し、
ＲＥ’スパッタ方式で製膜した。膜厚は充分な気密特性
、ステップカバレージのＳｉＯ２の効果を考慮して２μ
ｍに形成した。スパッタ成膜速度は１μｍ ／ ｈ ｒ
であったので、約２時間の積層時間を要した。また第２
の保護膜４として、ＴｉＮ膜を上記第１試験例と同様の
条件で２０分間、２μ「ｎに成膜した。サーマルプリン
トヘット仕様特性は満足したが、素子の製造時間が第１
の保護膜４てスパッタリングに２時間要いＴｉＮは２０
分間であるが真空槽処理となるので、上記第１試験例よ
り（１生産性に劣る。しかし、従来例よりは時間短縮と
なり、電解摩耗などの問題が消失しているので改善の効
果は著しい。
発明の効果
以上述べたように本発明によれば、電極と電極開放部の
発熱抵抗体膜の上に電気絶縁性と耐熱性を有する第１の
保護膜を設け、この第１の保護膜上に導電性と耐摩耗性
を有する第２の保護膜を設けている。そして電気絶縁性
と耐熱性を有する第１の保護膜によりステップカバレー
ジの改善を行い、耐パルス性、気密性を保持し、電極及
び発熱抵抗体膜の酸化を防止することができ、また導電
性と耐摩耗性を有する第２の保護膜により感熱媒体との
接触走行に伴う摩耗を防止し、表面の静電荷を接地に逃
がし、放電破壊を防止してピンホールやクラックなどの
発生を防止し、高温下の電解摩耗も防止することができ
、従って信頼性の向上と長寿命化を図ることができる。
発熱抵抗体膜の上に電気絶縁性と耐熱性を有する第１の
保護膜を設け、この第１の保護膜上に導電性と耐摩耗性
を有する第２の保護膜を設けている。そして電気絶縁性
と耐熱性を有する第１の保護膜によりステップカバレー
ジの改善を行い、耐パルス性、気密性を保持し、電極及
び発熱抵抗体膜の酸化を防止することができ、また導電
性と耐摩耗性を有する第２の保護膜により感熱媒体との
接触走行に伴う摩耗を防止し、表面の静電荷を接地に逃
がし、放電破壊を防止してピンホールやクラックなどの
発生を防止し、高温下の電解摩耗も防止することができ
、従って信頼性の向上と長寿命化を図ることができる。
また上記のように第１と第２の保護膜に特性を分担させ
ることにより材料を広く選択することができ、従って生
産性を向上させることができる。
ることにより材料を広く選択することができ、従って生
産性を向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例におけるサーマルプリントヘ
ッドを示す断面図、第２図は従来のサーマルプリントヘ
ッドを示す断面図、第３図はその要部の拡大図である。 １・・・ヘッド基体、２・・・発熱抵抗体膜、３・・・
電極、４・・・第１の保護膜、６・・・第２の保護膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第〕
囮 第２図 第３図
ッドを示す断面図、第２図は従来のサーマルプリントヘ
ッドを示す断面図、第３図はその要部の拡大図である。 １・・・ヘッド基体、２・・・発熱抵抗体膜、３・・・
電極、４・・・第１の保護膜、６・・・第２の保護膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第〕
囮 第２図 第３図
Claims (7)
- （１）ヘッド基体と、このヘッド基体上に設けられた発
熱抵抗体膜と、この発熱抵抗体膜上に設けられた電極と
、これら電極と電極開放部の発熱抵抗体膜の上に設けら
れ、電気絶縁性と耐熱性を有する第１の保護膜と、この
第１の保護膜上に設けられ、導電性と耐摩耗性を有する
第２の保護膜を備えたことを特徴とするサーマルプリン
トヘッド。 - （２）第１の保護膜がＳｉＯ＿２系材料よりなり、０．
２〜２ミクロンの膜厚に形成されている特許請求の範囲
第１項記載のサーマルプリントヘッド。 - （３）第１の保護膜が蒸着により形成されている特許請
求の範囲第２項記載のサーマルプリントヘッド。 - （４）第１の保護膜がスパッタリングにより形成されて
いる特許請求の範囲第２項記載のサーマルプリントヘッ
ド。 - （５）第１の保護膜が塗布、乾燥、焼成処理により形成
されている特許請求の範囲第２項記載のサーマルプリン
トヘッド。 - （６）第２の保護膜がＴｉＮ、若しくはＴｉＮを主成分
とする無機質により１〜３ミクロンの膜厚に形成されて
いる特許請求の範囲第１項記載のサーマルプリントヘッ
ド。 - （７）第２の保護膜がＤＣマグネストロンスパッタリン
グにより形成されている特許請求の範囲第６項記載のサ
ーマルプリントヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61261285A JPS63114667A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | サーマルプリントヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61261285A JPS63114667A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | サーマルプリントヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63114667A true JPS63114667A (ja) | 1988-05-19 |
Family
ID=17359686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61261285A Pending JPS63114667A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | サーマルプリントヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63114667A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0264045U (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-14 | ||
| JP2011201190A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP61261285A patent/JPS63114667A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0264045U (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-14 | ||
| JP2011201190A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01118760A (ja) | センサの製造方法 | |
| US4276535A (en) | Thermistor | |
| KR860000559A (ko) | 가스센서 및 그 제조법 | |
| JPS63114667A (ja) | サーマルプリントヘツド | |
| KR20010030871A (ko) | 가열 소자와 이 가열 소자의 제조 방법 | |
| JPS63114665A (ja) | サ−マルプリントヘツド | |
| JPS63114666A (ja) | サ−マルプリントヘツド | |
| JP2990719B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JP2564555B2 (ja) | 厚膜型サ−マルヘッドの製造方法 | |
| JP2500367Y2 (ja) | 複層セラミックスヒ―タ― | |
| JPS6110893A (ja) | 発熱体 | |
| JPH03234672A (ja) | サーマルヘッド | |
| JP2830837B2 (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
| JP4004893B2 (ja) | ラミネート部品及びラミネーター | |
| JPS58224763A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JP2000246929A (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
| JPS6016354B2 (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPH02150365A (ja) | サーマルヘッド | |
| JPH01222976A (ja) | サーマルヘッド | |
| JPS591276A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPS63226001A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPH0152188B2 (ja) | ||
| JPS62121069A (ja) | 感熱記録用ヘツド | |
| JPH0523042B2 (ja) | ||
| JPS62111767A (ja) | サ−マルヘツド |