JPS63107128A - チツプキヤリア - Google Patents
チツプキヤリアInfo
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- JPS63107128A JPS63107128A JP61251869A JP25186986A JPS63107128A JP S63107128 A JPS63107128 A JP S63107128A JP 61251869 A JP61251869 A JP 61251869A JP 25186986 A JP25186986 A JP 25186986A JP S63107128 A JPS63107128 A JP S63107128A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路、特に超高速論理素子を搭載
するためのチップキャリアに関する。
するためのチップキャリアに関する。
半導体集積回路は一般に、チップキャリアに搭載して密
閉され、各種外部回路に実装される。このチップキャリ
アには、外部回路との電気接続に必要な外部電極が取り
付けられている。
閉され、各種外部回路に実装される。このチップキャリ
アには、外部回路との電気接続に必要な外部電極が取り
付けられている。
ここで従来、チップキャリア上に搭載される半導体集積
回路チップの端子電極と、チップキャリアの外部電極と
の間は、ボンディングワイヤで接続されていた。その外
部電極やボンディングワイヤ等は、外部回路に実装され
たとき、その回路中の伝送線路として、その特性インピ
ーダンスを見た場合、全く不整合であった。従ってこれ
らは浮遊したインダクタンスおよびキャパシタンスとな
っていた。しかし、従来これは無視できる程度のもので
、特に問題とされていなかった。
回路チップの端子電極と、チップキャリアの外部電極と
の間は、ボンディングワイヤで接続されていた。その外
部電極やボンディングワイヤ等は、外部回路に実装され
たとき、その回路中の伝送線路として、その特性インピ
ーダンスを見た場合、全く不整合であった。従ってこれ
らは浮遊したインダクタンスおよびキャパシタンスとな
っていた。しかし、従来これは無視できる程度のもので
、特に問題とされていなかった。
ところが、半導・体集積回路技術の発達、並びにGaA
s (ガリウムヒ素)等の新素子の開発により、最近の
論理素子は超高速化されてきている。
s (ガリウムヒ素)等の新素子の開発により、最近の
論理素子は超高速化されてきている。
従って、従来の半導体集積回路に用いられていたような
、比較的遅いスイッチング速度の論理回路の場合には問
題とならなかった、チップキャリアの浮遊インダクタン
スやキャパシタンスが問題となってきている。
、比較的遅いスイッチング速度の論理回路の場合には問
題とならなかった、チップキャリアの浮遊インダクタン
スやキャパシタンスが問題となってきている。
一般に、論理回路の出力端子は低インピーダンスであり
、入力端子は高インピーダンスであり、論理回路相互間
を接続する配線基板の信号線は、論理回路の出力端子の
インピーダンスに整合がとられている。従って、超高速
論理回路の出力端子から信号パルスが出力され配線基板
の信号線を伝送線路として受端の論理回路の入力端子ま
で伝送される場合、まずチップキャリアの外部電極に至
るまでのボンディングワイヤや、これと外部電極とを結
ぶ接続導体のインピーダンスの不整合により波形歪を生
じる。それが伝搬されると、受端の論理回路の入力端子
でも波形歪とインピーダンス不整合による反射を生じ、
信号遅延や誤動作、あるいは発振を起こしたりしてしま
う。
、入力端子は高インピーダンスであり、論理回路相互間
を接続する配線基板の信号線は、論理回路の出力端子の
インピーダンスに整合がとられている。従って、超高速
論理回路の出力端子から信号パルスが出力され配線基板
の信号線を伝送線路として受端の論理回路の入力端子ま
で伝送される場合、まずチップキャリアの外部電極に至
るまでのボンディングワイヤや、これと外部電極とを結
ぶ接続導体のインピーダンスの不整合により波形歪を生
じる。それが伝搬されると、受端の論理回路の入力端子
でも波形歪とインピーダンス不整合による反射を生じ、
信号遅延や誤動作、あるいは発振を起こしたりしてしま
う。
本発明は16以上の点に着目してなされたもので、周辺
回路とのインピーダンスの整合性の良いチップキャリア
を提供することを目的とするものである。
回路とのインピーダンスの整合性の良いチップキャリア
を提供することを目的とするものである。
本発明のチャツプキャリアは、半導体集積回路チップを
載せる基板と、その基板に設けられて外部回路との接続
を行う外部電極と、この外部電極から上記半導体集積回
路に向かって上記基板上を延長された接続電極と、この
接続電極と上記半導体集積回路の端子電極との間を接続
するボンディングワイヤと、上記基板に上記接続電極と
電気的に絶縁されて設けられ、その接続電極との間に所
定の特性インピーダンスを形成するグランド層と、上記
接続電極と上記グランド層との間を電気接続し、上記特
性インピーダンスに整合する抵抗値を持つスルーホール
とを設けたことを特徴とするものである。
載せる基板と、その基板に設けられて外部回路との接続
を行う外部電極と、この外部電極から上記半導体集積回
路に向かって上記基板上を延長された接続電極と、この
接続電極と上記半導体集積回路の端子電極との間を接続
するボンディングワイヤと、上記基板に上記接続電極と
電気的に絶縁されて設けられ、その接続電極との間に所
定の特性インピーダンスを形成するグランド層と、上記
接続電極と上記グランド層との間を電気接続し、上記特
性インピーダンスに整合する抵抗値を持つスルーホール
とを設けたことを特徴とするものである。
本発明においては、チップキャリアの基板に、接続電極
と電気的に絶縁されて設けられ、その接続電極との間に
所定の特性インピーダンスを形成するグランド層を設け
たので、チップキャリア内の信号伝送線路のインピーダ
ンス整合を行うことができる。
と電気的に絶縁されて設けられ、その接続電極との間に
所定の特性インピーダンスを形成するグランド層を設け
たので、チップキャリア内の信号伝送線路のインピーダ
ンス整合を行うことができる。
さらに、上記接続電極と上記グランド層との間に挿入さ
れ、上記特性インピーダンスに整合する抵抗値を持つス
ルーホールを設けたので、基板を大型化することなく信
号伝送線路の整合終端を実現することができる。
れ、上記特性インピーダンスに整合する抵抗値を持つス
ルーホールを設けたので、基板を大型化することなく信
号伝送線路の整合終端を実現することができる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は、本発明のチップキャリアの一実施例を示す部
分断面図で第2図はその外観斜視図である。
分断面図で第2図はその外観斜視図である。
本発明のチップキャリアは、第2図に示すように、基板
1上に半導体集積回路チップを搭載して気密封止したも
のである。この基板1の側面には、多数の凹溝が形成さ
れ、外部回路との接続を行う外部電極2が設けられてい
る。また、基板1の上面には、半導体集積回路チップを
気密に覆う蓋3が取り付けられている。
1上に半導体集積回路チップを搭載して気密封止したも
のである。この基板1の側面には、多数の凹溝が形成さ
れ、外部回路との接続を行う外部電極2が設けられてい
る。また、基板1の上面には、半導体集積回路チップを
気密に覆う蓋3が取り付けられている。
さて、第1図の断面図に示すように、基板1は多層構造
とされ、中央の凹部に半導体集積回路チップ4が接着固
定されている。
とされ、中央の凹部に半導体集積回路チップ4が接着固
定されている。
基板1の周縁部において、その最上層5は、蓋3を接着
固定するための上部絶縁層で、その下側に、接続電極6
と、中間絶縁層7と、グランド層8と、底部絶縁層9が
順に設けられている。外部電極2は、この基板1の側面
から下面に回り込むように形成された導電体層からなり
、これから半導体集積回路チップ4に向かって、接続電
極6が延長されている。接続電極6の一端は、ボンディ
ングワイヤ10によって、半導体集積回路チップ4の端
子電極11と接続されている。グランド層8は、中間絶
縁層7と底部絶縁層9との間に形成された導体層である
。このグランド層8と接続電極6との間には、これによ
って、実装される外部回路と整合する所定の特性インピ
ーダンスが形成されている。そこで、所定の軍さの中間
絶縁層7が設けられ、グランド層8の面積もこれに対応
するように、選定されている。
固定するための上部絶縁層で、その下側に、接続電極6
と、中間絶縁層7と、グランド層8と、底部絶縁層9が
順に設けられている。外部電極2は、この基板1の側面
から下面に回り込むように形成された導電体層からなり
、これから半導体集積回路チップ4に向かって、接続電
極6が延長されている。接続電極6の一端は、ボンディ
ングワイヤ10によって、半導体集積回路チップ4の端
子電極11と接続されている。グランド層8は、中間絶
縁層7と底部絶縁層9との間に形成された導体層である
。このグランド層8と接続電極6との間には、これによ
って、実装される外部回路と整合する所定の特性インピ
ーダンスが形成されている。そこで、所定の軍さの中間
絶縁層7が設けられ、グランド層8の面積もこれに対応
するように、選定されている。
一方、このグランド層8は、スルーホール12を介して
接続電極6と電気接続されている。このスルーホール1
2は、上記特性インピーダンに整合する抵抗値を有する
抵抗体により形成されている。
接続電極6と電気接続されている。このスルーホール1
2は、上記特性インピーダンに整合する抵抗値を有する
抵抗体により形成されている。
以上の構成のチップキャリアの、外部電極2を、図示し
ない外部回路の配線基板上の回路パタンに電気接続する
と、この外部回路の特性インピーダンスと、チップキャ
リアの接続電極6の特性インピーダンスが整合する。ま
た、スルーホール12は、接続電極6を特性インピーダ
ンスで終端する。
ない外部回路の配線基板上の回路パタンに電気接続する
と、この外部回路の特性インピーダンスと、チップキャ
リアの接続電極6の特性インピーダンスが整合する。ま
た、スルーホール12は、接続電極6を特性インピーダ
ンスで終端する。
このため、この部分でのインピーダンスミスマツチによ
る反射波の発生等が抑制される。
る反射波の発生等が抑制される。
また、スルーホール12を設けておけば、終端抵抗を外
部回路に設ける必要はない。
部回路に設ける必要はない。
なお、上記グランド層8は、上記絶縁層5の内部に埋設
されていてもよいし、また、底部絶縁層9の下面に形成
されていてもさしつかえない。
されていてもよいし、また、底部絶縁層9の下面に形成
されていてもさしつかえない。
以上説明したように本発明は、チップキャリアの接続電
極を所定の特性インピーダンスに整合させ、さらに、ス
ルーホールによって形成した終端抵抗で、その入力端子
を整合終端したので、波形歪や反射をなくし、信号遅延
や誤動作をなくした超高速論理回路を実現できる効果が
ある。
極を所定の特性インピーダンスに整合させ、さらに、ス
ルーホールによって形成した終端抵抗で、その入力端子
を整合終端したので、波形歪や反射をなくし、信号遅延
や誤動作をなくした超高速論理回路を実現できる効果が
ある。
また、スルーホールによる終端抵抗はスペースをとらず
、外部回路の簡素化を図ることもできる。
、外部回路の簡素化を図ることもできる。
第1図は本発明のチップキャリアの要部断面図、第2図
は本発明のチップキャリアの外観斜視図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・外部電極、3・・
・・・・蓋、4・・・・・・半導体集積回路チップ、6
・・・・・・接続電極、8・・・・・・グランド層、1
0・・・・・・ボンディングワイヤ、11・・・・・・
端子電極、 12・・・・・・スルーホール。
は本発明のチップキャリアの外観斜視図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・外部電極、3・・
・・・・蓋、4・・・・・・半導体集積回路チップ、6
・・・・・・接続電極、8・・・・・・グランド層、1
0・・・・・・ボンディングワイヤ、11・・・・・・
端子電極、 12・・・・・・スルーホール。
Claims (1)
- 半導体集積回路チップを載せる基板と、その基板に設け
られて外部回路との接続を行う外部電極と、この外部電
極から前記半導体集積回路に向かって前記基板上を延長
された接続電極と、この接続電極と前記半導体集積回路
の端子電極との間を接続するボンディングワイヤと、前
記基板に前記接続電極と電気的に絶縁されて設けられ、
その接続電極との間に所定の特性インピーダンスを形成
するグランド層と、前記接続電極と前記グランド層との
間を電気接続し、前記特性インピーダンスに整合する抵
抗値を持つスルーホールとを設けたことを特徴とするチ
ップキャリア。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61251869A JPS63107128A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | チツプキヤリア |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61251869A JPS63107128A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | チツプキヤリア |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63107128A true JPS63107128A (ja) | 1988-05-12 |
Family
ID=17229140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61251869A Pending JPS63107128A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | チツプキヤリア |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63107128A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0491543A2 (en) * | 1990-12-17 | 1992-06-24 | Hughes Aircraft Company | Via resistors within multilayer 3-dimensional structures/substrates |
EP0923277A2 (en) * | 1997-12-12 | 1999-06-16 | Fujitsu Limited | Printed circuit board |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP61251869A patent/JPS63107128A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0491543A2 (en) * | 1990-12-17 | 1992-06-24 | Hughes Aircraft Company | Via resistors within multilayer 3-dimensional structures/substrates |
EP0923277A2 (en) * | 1997-12-12 | 1999-06-16 | Fujitsu Limited | Printed circuit board |
EP0923277A3 (en) * | 1997-12-12 | 2000-12-06 | Fujitsu Limited | Printed circuit board |
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