JPS63102329A - 半導体集積回路素子実装方法 - Google Patents
半導体集積回路素子実装方法Info
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- JPS63102329A JPS63102329A JP24906586A JP24906586A JPS63102329A JP S63102329 A JPS63102329 A JP S63102329A JP 24906586 A JP24906586 A JP 24906586A JP 24906586 A JP24906586 A JP 24906586A JP S63102329 A JPS63102329 A JP S63102329A
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はバンプ付き回路基板を用いた半導体集積回路素
子実装方法に関する。
子実装方法に関する。
〔従来の技術
従来の半導体集積回路素子実装方法として最も高密度実
装が可能なものの一つに、フリップチップボンディング
技術がある。これは第2図に示すように、半導体集積回
路素子8として半田バンプ13を設けたものを用い、基
板1上に形成された導体リード12の端部とこの半田バ
ンプ13とを位置合わせした後、半田の融点以上に加熱
することにより、半田バンプ15を溶融させて、導体リ
ード12と接合する方法である。
装が可能なものの一つに、フリップチップボンディング
技術がある。これは第2図に示すように、半導体集積回
路素子8として半田バンプ13を設けたものを用い、基
板1上に形成された導体リード12の端部とこの半田バ
ンプ13とを位置合わせした後、半田の融点以上に加熱
することにより、半田バンプ15を溶融させて、導体リ
ード12と接合する方法である。
しかし、前述の従来技術では、接合時に半田の融点以上
すなわち約230℃程度まで加熱する必要があるため、
耐熱性の低い安価な基板は使用できないこと、あるいは
同様に耐熱性の点から、液晶の入った液晶パネルのガラ
ス上へ直接ドライバーとしての半導体集積回路素子を実
装できないという欠点を有し、また基板のリード表面は
半田付は可能な金属で被覆する必要もある。また為半導
体集積回路素子には半田バンブが必要なことから、高価
でありかつ入手が困難であるなど様々な問題点を有して
いる。
すなわち約230℃程度まで加熱する必要があるため、
耐熱性の低い安価な基板は使用できないこと、あるいは
同様に耐熱性の点から、液晶の入った液晶パネルのガラ
ス上へ直接ドライバーとしての半導体集積回路素子を実
装できないという欠点を有し、また基板のリード表面は
半田付は可能な金属で被覆する必要もある。また為半導
体集積回路素子には半田バンブが必要なことから、高価
でありかつ入手が困難であるなど様々な問題点を有して
いる。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、標準のアルミパッドの集積回路
素子及び耐熱性が低い安価な基板を使用しても接合可能
な接合方法を提供するところにある。
の目的とするところは、標準のアルミパッドの集積回路
素子及び耐熱性が低い安価な基板を使用しても接合可能
な接合方法を提供するところにある。
本発明の半導体集積回路素子実装方法は、半導体集積回
路素子と回路基板との接合時において、以下の工程から
成ることを特徴とする。
路素子と回路基板との接合時において、以下の工程から
成ることを特徴とする。
α)回路基板としてバンプ付き基板を用い、半導体集積
回路素子を搭載する箇所に、マイクロカプセル型の導電
性接着剤を塗布する工程、b)前記回路基板導体パター
ンリード上のバンプと、半導体集積回路素子のアルミパ
ッドとを向い合わせ、位置合わせを行なう工程、 C)前記半導体集積回路素子を、前記回路基板へ押し当
て、前記導電性接着剤のマイクロカプセルを、半導体集
積回路素子のアルミパッドと、回路基板のバンプ間にて
はさみ、加圧破壊させることにより、このアルミパッド
とバンプ間のみ等電性接着剤を選択的に硬化せしめる工
程、”d)前記導電性接着剤の非硬化部分を溶剤にて洗
浄除去する工程。
回路素子を搭載する箇所に、マイクロカプセル型の導電
性接着剤を塗布する工程、b)前記回路基板導体パター
ンリード上のバンプと、半導体集積回路素子のアルミパ
ッドとを向い合わせ、位置合わせを行なう工程、 C)前記半導体集積回路素子を、前記回路基板へ押し当
て、前記導電性接着剤のマイクロカプセルを、半導体集
積回路素子のアルミパッドと、回路基板のバンプ間にて
はさみ、加圧破壊させることにより、このアルミパッド
とバンプ間のみ等電性接着剤を選択的に硬化せしめる工
程、”d)前記導電性接着剤の非硬化部分を溶剤にて洗
浄除去する工程。
本発明の上記の工程によれば、接合時に半導体集積回路
素子のアルミパッド部に介在する導電性接着剤が、回路
基板のバンプにより加圧されることから、マイクロカプ
セルが破壊し、カプセル内の硬化剤が流れ出し、カプセ
ル外の主剤と反応を開始し、はぼ常温にて硬化し、アル
ミパッドと基板のバンプな接着することができる。この
際、半導体集積回路素子のアルミパッド以外の部分すな
わち能動領域等は、基板の凸部とは会い対していないた
め、接着剤のマイクロカプセルが破れるだけの大きさの
間隙に到らないため、接着剤は硬化しない。そしてこの
非硬化部分は簡単に溶剤にて溶解除去できる。したがっ
て、半導体集積回路素子のアルミパッドと、回路基板導
体リードのバンプのみを選択的に接合でき、電気的接続
が達成される。
素子のアルミパッド部に介在する導電性接着剤が、回路
基板のバンプにより加圧されることから、マイクロカプ
セルが破壊し、カプセル内の硬化剤が流れ出し、カプセ
ル外の主剤と反応を開始し、はぼ常温にて硬化し、アル
ミパッドと基板のバンプな接着することができる。この
際、半導体集積回路素子のアルミパッド以外の部分すな
わち能動領域等は、基板の凸部とは会い対していないた
め、接着剤のマイクロカプセルが破れるだけの大きさの
間隙に到らないため、接着剤は硬化しない。そしてこの
非硬化部分は簡単に溶剤にて溶解除去できる。したがっ
て、半導体集積回路素子のアルミパッドと、回路基板導
体リードのバンプのみを選択的に接合でき、電気的接続
が達成される。
したがりて、はぼ常温での加工のために基板の耐熱性は
低くても問題なく、基板側へバンプを設けることにより
、集積回路素子は半田バンブ付きで無くともよい。
低くても問題なく、基板側へバンプを設けることにより
、集積回路素子は半田バンブ付きで無くともよい。
第1図は本発明の実施例における工程図であって、先ず
第1図(α)に示すようなバンプ付きの回路基板を用い
る。1は基板であり、その上に導体リードが形成されて
いる。この導体リード引き回し部2の先端部近傍には、
ハーフエツチング等により、導体リード凹部3を設け、
相対的にリード先端部を突起状とし、バンプ4を形成し
ている。この基板のバンプは高さ約20μmであり印刷
あるいはメッキ等に依って形成してもよい。
第1図(α)に示すようなバンプ付きの回路基板を用い
る。1は基板であり、その上に導体リードが形成されて
いる。この導体リード引き回し部2の先端部近傍には、
ハーフエツチング等により、導体リード凹部3を設け、
相対的にリード先端部を突起状とし、バンプ4を形成し
ている。この基板のバンプは高さ約20μmであり印刷
あるいはメッキ等に依って形成してもよい。
次に第1図(b)に示すように、マイクロカプセル型の
導電性接着剤を、集積回路素子を搭載する位置に、はぼ
集積回路素子の平面形状に近い形にて印刷等により塗布
する。この塗布形状は四角のベタ形状でも良いが、基板
のバンプ部を覆う枠状としても良い。ここで6は導電粒
子、5はペースト伏の接着剤主剤、7はマイクロカプセ
ル状硬化剤である。この導電粒子は約3μmの銀粉であ
るが、ニッケルあるいはカーボン等の粒子でもよV”@
1り使用するマイクロカプセルは径約6μmである。主
剤及び硬化剤は一エポキシ系であるが、アクリル系等で
もよい。塗布する接着剤の厚みは約30μmである。実
用的には5μm〜50μmである。
導電性接着剤を、集積回路素子を搭載する位置に、はぼ
集積回路素子の平面形状に近い形にて印刷等により塗布
する。この塗布形状は四角のベタ形状でも良いが、基板
のバンプ部を覆う枠状としても良い。ここで6は導電粒
子、5はペースト伏の接着剤主剤、7はマイクロカプセ
ル状硬化剤である。この導電粒子は約3μmの銀粉であ
るが、ニッケルあるいはカーボン等の粒子でもよV”@
1り使用するマイクロカプセルは径約6μmである。主
剤及び硬化剤は一エポキシ系であるが、アクリル系等で
もよい。塗布する接着剤の厚みは約30μmである。実
用的には5μm〜50μmである。
次に第1図(C)に示すように、半導体集積回路素子8
のアルミパッド9と、回路基板10基板バンプ4とを、
相対する状態にて位置合わせを行なう。
のアルミパッド9と、回路基板10基板バンプ4とを、
相対する状態にて位置合わせを行なう。
次に第1図(d)に示すように、半導体集積回路素子8
を、基板1の方向へ押し付は加工し、アルミパッド9と
基板バンプ4間1oにて、マイク日カプセル7を加圧破
壊させ、カプセル内の硬化剤を押し出させて、その周辺
の主剤と反応させ、硬化させる。基本的には常温にても
硬化が可能であるが、100″0程度にtJU熱すると
硬化が速い。
を、基板1の方向へ押し付は加工し、アルミパッド9と
基板バンプ4間1oにて、マイク日カプセル7を加圧破
壊させ、カプセル内の硬化剤を押し出させて、その周辺
の主剤と反応させ、硬化させる。基本的には常温にても
硬化が可能であるが、100″0程度にtJU熱すると
硬化が速い。
バンプ以外の部分11は、バンプの高さ分だけの間隙が
保たれるため、マイクqカプセルは押しつぶされずに残
り、硬化しない、10は接着剤硬化部、11は接着剤非
硬化部である。
保たれるため、マイクqカプセルは押しつぶされずに残
り、硬化しない、10は接着剤硬化部、11は接着剤非
硬化部である。
次に第1図(−)に示すように、有機溶剤により洗浄し
、接着剤の非硬化部分を洗い流すことにより除去する。
、接着剤の非硬化部分を洗い流すことにより除去する。
短時間で洗い流しやすくするためには、超音波洗浄を行
なう、また、基板の半導体県費回路素子能動領域に相対
する位置に、洗浄液が流入しやすいよう穴をあけておく
と、より効果的である。また、予め4J電性接着剤塗布
時に、バンプ近傍部のみに限り専電性接着剤を塗布する
ようにした方が、より洗浄時間が速い。
なう、また、基板の半導体県費回路素子能動領域に相対
する位置に、洗浄液が流入しやすいよう穴をあけておく
と、より効果的である。また、予め4J電性接着剤塗布
時に、バンプ近傍部のみに限り専電性接着剤を塗布する
ようにした方が、より洗浄時間が速い。
次に信頼性上必要な場合には、非硬化部分が除去された
空間に、エポキシ等の絶縁性のモールド剤を充てんする
。
空間に、エポキシ等の絶縁性のモールド剤を充てんする
。
以上により、半導体集積回路素子と回路基板の接合が完
了する。
了する。
以上述べたように本発明によれば、マイクロカプセル型
導電性接着剤を用いることにより、常温にて接合が可能
となるため、低耐熱性の安価な基板の使用が可能となる
。あるいは、液晶パネルへの半導体県債回路素子Q直接
搭載すなわちチップ午ンパネル実装が可能となるという
効果を有する、また、接着剤による接合であることによ
り、回路基板の導体リードの表面を、半田づけ可能な金
属で被覆する必要が無くなり、工To等でも接続可能と
なる。また、バンプ付き基板を用いることにより、集積
回路素子側の高価な半田バンプが不必要となり、入手が
容易な標準アルミパッドの集積回路素子が利用でき、コ
ストダウンも図れるなど侵れた効果を有する。
導電性接着剤を用いることにより、常温にて接合が可能
となるため、低耐熱性の安価な基板の使用が可能となる
。あるいは、液晶パネルへの半導体県債回路素子Q直接
搭載すなわちチップ午ンパネル実装が可能となるという
効果を有する、また、接着剤による接合であることによ
り、回路基板の導体リードの表面を、半田づけ可能な金
属で被覆する必要が無くなり、工To等でも接続可能と
なる。また、バンプ付き基板を用いることにより、集積
回路素子側の高価な半田バンプが不必要となり、入手が
容易な標準アルミパッドの集積回路素子が利用でき、コ
ストダウンも図れるなど侵れた効果を有する。
第1図(α)〜(g)は本発明の半導体集積回路素子実
装方法の一実施例を示す工程図。 第2図は従来の半導体集積回路素子実装方法を示す主要
断面図。 1・・・・・・・・・基板 2・・・・・・・・・導体リード引き回し部5・・・・
・・・・・導体リード凹部 4・・・・・・・・・基板バンプ 5・・・・・・・・・接着剤主剤 6・・・・・・・・・導電粒子 7・・・・・・・・・マイクロカプセル状硬化剤8・・
・・・・・・・半導体集積回路素子9・・・・・・・・
・アルミパッド 10・・・・・・接着剤硬化部 11・・・・・・接着剤非硬化部 12・・・・・・導体リード 13・・・・・・半田バンプ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 44仮八゛)ア /U 第1図 第Z図
装方法の一実施例を示す工程図。 第2図は従来の半導体集積回路素子実装方法を示す主要
断面図。 1・・・・・・・・・基板 2・・・・・・・・・導体リード引き回し部5・・・・
・・・・・導体リード凹部 4・・・・・・・・・基板バンプ 5・・・・・・・・・接着剤主剤 6・・・・・・・・・導電粒子 7・・・・・・・・・マイクロカプセル状硬化剤8・・
・・・・・・・半導体集積回路素子9・・・・・・・・
・アルミパッド 10・・・・・・接着剤硬化部 11・・・・・・接着剤非硬化部 12・・・・・・導体リード 13・・・・・・半田バンプ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 44仮八゛)ア /U 第1図 第Z図
Claims (1)
- (1)半導体集積回路素子と、回路基板との接合時にお
いて、以下の工程から成ることを特徴とする半導体集積
回路素子実装方法。 a)回路基板としてバンプ付き基板を用い、半導体集積
回路素子を搭載する箇所に、マイクロカプセル型の導電
性接着剤を塗布する工程、 b)前記回路基板導体パターンリード上のバンプと、半
導体集積回路素子のアルミパッドとを向い合わせ、位置
合わせを行なう工程、 c)前記半導体集積回路素子を、前記回路基板へ押し当
て、前記導電性接着剤のマイクロカプセルを、半導体集
積回路素子のアルミパッドと、回路基板のバンプ間にて
はさみ、加圧破壊させることにより、このアルミパッド
とバンプ間のみ導電性接着剤を選択的に硬化せしめる工
程、 d)前記導電性接着剤の非硬化部分を溶剤にて洗浄除去
する工程。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24906586A JPS63102329A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 半導体集積回路素子実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24906586A JPS63102329A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 半導体集積回路素子実装方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63102329A true JPS63102329A (ja) | 1988-05-07 |
Family
ID=17187485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24906586A Pending JPS63102329A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 半導体集積回路素子実装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63102329A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998033212A1 (en) * | 1997-01-23 | 1998-07-30 | Seiko Epson Corporation | Film carrier tape, semiconductor assembly, semiconductor device, manufacturing method therefor, mounting board, and electronic equipment |
CN1133207C (zh) * | 1996-12-11 | 2003-12-31 | 现代电子产业株式会社 | 用于集成电路芯片筛选测试组件的电路板及方法 |
JP2004205225A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | マイクロチップ基板の接合方法及びマイクロチップ |
JP2017181985A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2017181984A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP24906586A patent/JPS63102329A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1133207C (zh) * | 1996-12-11 | 2003-12-31 | 现代电子产业株式会社 | 用于集成电路芯片筛选测试组件的电路板及方法 |
WO1998033212A1 (en) * | 1997-01-23 | 1998-07-30 | Seiko Epson Corporation | Film carrier tape, semiconductor assembly, semiconductor device, manufacturing method therefor, mounting board, and electronic equipment |
US6175151B1 (en) | 1997-01-23 | 2001-01-16 | Seiko Epson Corporation | Film carrier tape, semiconductor assembly, semiconductor device, and method of manufacturing the same, mounted board, and electronic instrument |
US6414382B1 (en) | 1997-01-23 | 2002-07-02 | Seiko Epson Corporation | Film carrier tape, semiconductor assembly, semiconductor device and method of manufacturing the same, mounted board, and electronic instrument |
US6646338B2 (en) | 1997-01-23 | 2003-11-11 | Seiko Epson Corporation | Film carrier tape, semiconductor assembly, semiconductor device, and method of manufacturing the same, mounted board, and electronic instrument |
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