JPS6298770A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6298770A JPS6298770A JP23911085A JP23911085A JPS6298770A JP S6298770 A JPS6298770 A JP S6298770A JP 23911085 A JP23911085 A JP 23911085A JP 23911085 A JP23911085 A JP 23911085A JP S6298770 A JPS6298770 A JP S6298770A
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- Japan
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- region
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置、特にバイポーラ・トランジスタ
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
本発明は、バイポーラ・トランジスタの製造方法であっ
て、コレクタ領域上に不純物を含有する非晶質又は多結
晶半導体層全形成した後、不純物が拡散しない温度で半
導体を固相成長させることにより、浅いベース領域全形
成することができるようにしたものである。
て、コレクタ領域上に不純物を含有する非晶質又は多結
晶半導体層全形成した後、不純物が拡散しない温度で半
導体を固相成長させることにより、浅いベース領域全形
成することができるようにしたものである。
第２図を参照して従来のバイポーラ・トランジスタにお
ける、特にベース領域の形成方法について説明する。
ける、特にベース領域の形成方法について説明する。
第２図Ａに示すように、埋込みコレクタ層１７１）が形
成されたＰ型Ｓｌ基板（イ）上にエビキタキンーでＮ−
型の活性コレクタ層（イ）全形成した後、ＬＯＣＯ８法
によりフィールド酸化膜（ハ）を形成する。この後。
成されたＰ型Ｓｌ基板（イ）上にエビキタキンーでＮ−
型の活性コレクタ層（イ）全形成した後、ＬＯＣＯ８法
によりフィールド酸化膜（ハ）を形成する。この後。
電極取出し用のＰ型多結晶Ｓｉ層（イ）と絶縁層でおる
５ＩＯ２層に）全形成する。＠はグラフト・ベースであ
る。
５ＩＯ２層に）全形成する。＠はグラフト・ベースであ
る。
次に第２図Ｂに示すように、ＳｔＯ□層（ト）と多結晶
Ｓｉ層（ハ）にエツチングによシ孔部（７）を形成した
後。
Ｓｉ層（ハ）にエツチングによシ孔部（７）を形成した
後。
ボロノＢｉイオン注入してベース領域−全形成する。
次に第２図Ｃに示すように、ＳｉＯ□のサイドウオール
（１）全孔部に）の側壁に形成した後、ヒ素Ａｓ が
ドープされた多結晶８１０ηのヒ素七基板四に拡散させ
てエミッタ領域０躇ヲ形成する。この後、アニール音節
す。
（１）全孔部に）の側壁に形成した後、ヒ素Ａｓ が
ドープされた多結晶８１０ηのヒ素七基板四に拡散させ
てエミッタ領域０躇ヲ形成する。この後、アニール音節
す。
この後Ａｔのコレクタ電極、ベース電極及びエミッタ電
極金それぞれ形成して・ぐイポーラ・トランジスタ金錫
る。
極金それぞれ形成して・ぐイポーラ・トランジスタ金錫
る。
バイポーラ・トランジスタの高速化を達成するためには
、ベース幅をできるだけ狭くする必要がある。上述した
ように、従来このベース領域はＢ＋全イオン注入するこ
とにより形成している。しかし、イオン注入法によれば
、注入する原子の数量を制御することは容易であるが、
浅い（表面に近い）分布全書ることが難しく、また分布
がガウス分布でおるため、濃度の低い部分でテイルを引
くという欠点があった。
、ベース幅をできるだけ狭くする必要がある。上述した
ように、従来このベース領域はＢ＋全イオン注入するこ
とにより形成している。しかし、イオン注入法によれば
、注入する原子の数量を制御することは容易であるが、
浅い（表面に近い）分布全書ることが難しく、また分布
がガウス分布でおるため、濃度の低い部分でテイルを引
くという欠点があった。
本発明は、上記問題点を解決することができる半導体装
置の製造方法全提供するものである。
置の製造方法全提供するものである。
本生導体装置の製造方法においてに、牛導体基板四のコ
レクタ領域（３）上に不純物全含有する非晶質半導体層
（５）又は多結晶半導体層を形成する工程と、この半導
体層（５）全不純物が拡散しない温度で固相成長させて
ベース領域（６）とベース取出し電極（７）全形成する
工程と、ベース領域（６）に、エミッタ領域（６）を形
成する工程を有する。
レクタ領域（３）上に不純物全含有する非晶質半導体層
（５）又は多結晶半導体層を形成する工程と、この半導
体層（５）全不純物が拡散しない温度で固相成長させて
ベース領域（６）とベース取出し電極（７）全形成する
工程と、ベース領域（６）に、エミッタ領域（６）を形
成する工程を有する。
本発明によれば、ベース領域全従来のイオン注入法では
なく、不純物を含有する非晶質又は多結晶牛導体を固相
成長させることによ多形成するため、ベース幅を任意に
制御することができ、従って浅いベース領域の形成も可
能になる。
なく、不純物を含有する非晶質又は多結晶牛導体を固相
成長させることによ多形成するため、ベース幅を任意に
制御することができ、従って浅いベース領域の形成も可
能になる。
第１図上参照して本発明の詳細な説明する。
先ず第１図Ａに示すように、Ｐ型Ｓｔ基板（１ンにＮ型
の埋込みコレクタ署（２）全形成する。
の埋込みコレクタ署（２）全形成する。
次に第１図Ｂに示すように、エピタΦシーで基板（１）
上Ｋｌ型の活性コレクタ領域（３］金形成する。
上Ｋｌ型の活性コレクタ領域（３］金形成する。
次に第１図Ｃに示すように、 ＬＯＣＯ８法によりベー
ス領域上及びコレクタ電極形成部分を除いてフィールド
酸化膜（４）全形成する。
ス領域上及びコレクタ電極形成部分を除いてフィールド
酸化膜（４）全形成する。
次に第１図りに示すように、ゲロンＢｉ含む非晶質８１
全ＣＶＤによシ堆積して非晶質Ｓｉ層（５）全形成する
。
全ＣＶＤによシ堆積して非晶質Ｓｉ層（５）全形成する
。
次に第１図Ｅに示すように、非晶質８１層（５）のボロ
ンＢが拡散し々い温度、即ち８００Ｃ以下の温度で固相
成長させることにより、活性コレクタ領域（３）上に単
結晶のベース領域（６）を形成し またフィールド酸化
膜（４）上に多結晶のベース取出し領域（７）全形成す
る。
ンＢが拡散し々い温度、即ち８００Ｃ以下の温度で固相
成長させることにより、活性コレクタ領域（３）上に単
結晶のベース領域（６）を形成し またフィールド酸化
膜（４）上に多結晶のベース取出し領域（７）全形成す
る。
次に第１図Ｆに示すように、多結晶Ｓｔ ｆ堆積した後
、全面にボロンＢ＋＋イオン注入して高濃度のベース泡
出しＲ（８）を形成する。
、全面にボロンＢ＋＋イオン注入して高濃度のベース泡
出しＲ（８）を形成する。
次に第１図Ｇに示すように、ベース取出し層（８）上に
層間絶縁層としてのＳ １０２層（９）ｔ−形成する。
層間絶縁層としてのＳ １０２層（９）ｔ−形成する。
次に第１図Ｈに示すように、５ｉｎ２層（９）とベース
取出し層（８）ヲエッチングして孔部α０’に形成した
後、孔部α０の側壁に８１０２のサイドウオールα１１
−形成する。
取出し層（８）ヲエッチングして孔部α０’に形成した
後、孔部α０の側壁に８１０２のサイドウオールα１１
−形成する。
次に第１図工に示すように、孔部αＱに多結晶Ｓｉ（至
）全形成した後、ヒ素Ａｓ ｆイオン注入してベース
領域（６）にエミッタ領域（６）を形成する。また、同
時にコレクタ電極取出し用の高濃度領域α→も形成する
。この後、ＩＲ（赤外線）アニールを施して活性化を行
う。このＩＲアニールの際、ベース領域（６）の濃度分
布は均一なので、拡散は殆ど生じない。
）全形成した後、ヒ素Ａｓ ｆイオン注入してベース
領域（６）にエミッタ領域（６）を形成する。また、同
時にコレクタ電極取出し用の高濃度領域α→も形成する
。この後、ＩＲ（赤外線）アニールを施して活性化を行
う。このＩＲアニールの際、ベース領域（６）の濃度分
布は均一なので、拡散は殆ど生じない。
これに対して、従来のようにベース領域ｔイオン注入に
より形成した場合には、濃度分布がガウス分布であシ、
ピークからテイルにかけて急激に変化しているため、ア
ニール時に拡散が起り易い。
より形成した場合には、濃度分布がガウス分布であシ、
ピークからテイルにかけて急激に変化しているため、ア
ニール時に拡散が起り易い。
次に第１図Ｊに示すように、 Ａｔのベース電極０゜エ
ミッタ領域α◆及びコレクタ電極ｑ→をそれぞれ形成し
て本実施例に係るバイポーラ・トランジスタαＱを得る
。同図中、へηはベース電極取出し用の高濃度領域であ
る。
ミッタ領域α◆及びコレクタ電極ｑ→をそれぞれ形成し
て本実施例に係るバイポーラ・トランジスタαＱを得る
。同図中、へηはベース電極取出し用の高濃度領域であ
る。
なお、上記実施例において、ベース領域（６）は非品質
Ｓ１を固相成長させて形成したが、非晶質８３０代わり
に多結晶Ｓｌ全用い、同じように多結晶Ｓｔ中の不純物
が拡散しない温度で固相成長させることにより形成する
こともできる。
Ｓ１を固相成長させて形成したが、非晶質８３０代わり
に多結晶Ｓｌ全用い、同じように多結晶Ｓｔ中の不純物
が拡散しない温度で固相成長させることにより形成する
こともできる。
本発明によれば、ベース領域を、不純物を含有する非晶
質又は多結晶半導体を同相成長させることにより形成す
るため、浅いベース領域の形成が可能になる。従って、
ベース領域を従来のイオン注入法で形成した場合と比べ
て、バイポーラ・トランジスタのより商運化全達成する
ことができる。
質又は多結晶半導体を同相成長させることにより形成す
るため、浅いベース領域の形成が可能になる。従って、
ベース領域を従来のイオン注入法で形成した場合と比べ
て、バイポーラ・トランジスタのより商運化全達成する
ことができる。
なお、ベース幅全狭くしたときにはベース抵抗が大きく
なり、またベース・コレクタ間逆耐圧が小さくなるが、
本製法によるときは不純物全含有し之非晶質又は多結晶
の半導体層全形成するときに多量の不純物のドーピング
が可能であるため、ベース領域の不純物濃度を上げるこ
とができ、上記の点が改善される。
なり、またベース・コレクタ間逆耐圧が小さくなるが、
本製法によるときは不純物全含有し之非晶質又は多結晶
の半導体層全形成するときに多量の不純物のドーピング
が可能であるため、ベース領域の不純物濃度を上げるこ
とができ、上記の点が改善される。
第１図Ａ−Ｊは本実施例の工程図、第２図Ａ〜Ｃは従来
例の工程図である。 （１）ｆｌｓｉ基板、（２ンは埋込みコレクタ層、（３
〕は活性コレクタ領域、（５）は非晶質Ｓ１層、（６）
ハベース領域、（７）はベース取出し領域、（６）はエ
ミンタ領域である。
例の工程図である。 （１）ｆｌｓｉ基板、（２ンは埋込みコレクタ層、（３
〕は活性コレクタ領域、（５）は非晶質Ｓ１層、（６）
ハベース領域、（７）はベース取出し領域、（６）はエ
ミンタ領域である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板のコレクタ領域上に不純物を含有する非晶質
又は多結晶半導体層を形成する工程と、該半導体層を上
記不純物が拡散しない温度で固相成長させてベース領域
とベース取出し電極を形成する工程と、 上記ベース領域にエミッタ領域を形成する工程を有する
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23911085A JPS6298770A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23911085A JPS6298770A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6298770A true JPS6298770A (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=17039947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23911085A Pending JPS6298770A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6298770A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0240923A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-02-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | バイポーラ・トランジスタの製造方法 |
| JPH02163934A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02234435A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-09-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | バイポーラトランジスタの製造方法 |
| WO1991003841A1 (en) * | 1989-09-09 | 1991-03-21 | Tadahiro Ohmi | Element, method of fabricating the same, semiconductor element and method of fabricating the same |
-
1985
- 1985-10-25 JP JP23911085A patent/JPS6298770A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0240923A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-02-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | バイポーラ・トランジスタの製造方法 |
| JPH02163934A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02234435A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-09-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | バイポーラトランジスタの製造方法 |
| WO1991003841A1 (en) * | 1989-09-09 | 1991-03-21 | Tadahiro Ohmi | Element, method of fabricating the same, semiconductor element and method of fabricating the same |
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