JPH0137856B2 - - Google Patents
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- JPH0137856B2 JPH0137856B2 JP53063170A JP6317078A JPH0137856B2 JP H0137856 B2 JPH0137856 B2 JP H0137856B2 JP 53063170 A JP53063170 A JP 53063170A JP 6317078 A JP6317078 A JP 6317078A JP H0137856 B2 JPH0137856 B2 JP H0137856B2
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法にかかり、特に
バイポーラトランジスタの電極取出し領域が多結
晶珪素層で形成される半導体装置の製造方法に関
する。
バイポーラトランジスタの電極取出し領域が多結
晶珪素層で形成される半導体装置の製造方法に関
する。
電極取出し領域が多結晶珪素層で形成された半
導体装置の製造方法の一方法として、コレクタ領
域表面を選択的に露出した珪素単結晶基板に多結
晶珪素層を堆積し、ひき続いて上記多結晶珪素層
を介してイオン注入を行い、上記単結晶基板内に
バイポーラトランジスタを形成する方法がある。
例えばジヤーナル・オブ・アプライド・フイジツ
クス（Journal of Applied Physics）1977、第
48巻、1815〜1821頁に記載されている報告もその
一例である。しかしながら上述した方法において
は多結晶珪素層が上記基板表面のエミツタ・ベー
ス及びコレクタ領域と直接に接触しているため
に、多結晶珪素層と単結晶珪素層の境界近傍の結
晶性が悪くトランジスタの電流増幅率を大きくで
きないという欠点があり、この改善法については
未知であつた。
導体装置の製造方法の一方法として、コレクタ領
域表面を選択的に露出した珪素単結晶基板に多結
晶珪素層を堆積し、ひき続いて上記多結晶珪素層
を介してイオン注入を行い、上記単結晶基板内に
バイポーラトランジスタを形成する方法がある。
例えばジヤーナル・オブ・アプライド・フイジツ
クス（Journal of Applied Physics）1977、第
48巻、1815〜1821頁に記載されている報告もその
一例である。しかしながら上述した方法において
は多結晶珪素層が上記基板表面のエミツタ・ベー
ス及びコレクタ領域と直接に接触しているため
に、多結晶珪素層と単結晶珪素層の境界近傍の結
晶性が悪くトランジスタの電流増幅率を大きくで
きないという欠点があり、この改善法については
未知であつた。
本発明の目的は、電極取出し領域が多結晶珪素
層で形成されたバイポーラトランジスタにおい
て、大きな電流増幅率が得られる製造方法を提供
することである。
層で形成されたバイポーラトランジスタにおい
て、大きな電流増幅率が得られる製造方法を提供
することである。
本発明の特徴は、一導電型のコレクタ領域およ
び該コレクタ領域内に逆導電型のベース領域が形
成されている単結晶珪素基板の一主面上に多結晶
珪素層を形成させる工程と、前記多結晶珪素層を
選択酸化し、これより前記多結晶珪素層からなる
第１の層を前記コレクタ領域内の選択的な部分上
に設け、かつ前記多結晶珪素層からなる第２およ
び第３の層を前記ベース領域内の選択的な部分上
にそれぞれ設け、該第１、第２、第３の層を該選
択酸化により該多結晶珪素層より変換させた二酸
化硅素層により取り囲む工程と、前記第２の層を
通して逆導電型の不純物を前記ベース領域に導入
する工程と、前記第３の層を通して一導電型の不
純物を前記ベース領域内に導入してエミツタ領域
を形成するとともに前記第１の層を通して一導電
型の不純物を前記コレクタ領域に導入する工程
と、しかる後に水素と窒素との混合気体中で400
℃〜1000℃で熱処理し、これにより前記単結晶珪
素基板と前記多結晶珪素層の第１、第２、第３の
層との境界附近の界面準位密度を減少させて電流
増幅率を増大せしめる工程とを有する半導体装置
の製造方法にある。
び該コレクタ領域内に逆導電型のベース領域が形
成されている単結晶珪素基板の一主面上に多結晶
珪素層を形成させる工程と、前記多結晶珪素層を
選択酸化し、これより前記多結晶珪素層からなる
第１の層を前記コレクタ領域内の選択的な部分上
に設け、かつ前記多結晶珪素層からなる第２およ
び第３の層を前記ベース領域内の選択的な部分上
にそれぞれ設け、該第１、第２、第３の層を該選
択酸化により該多結晶珪素層より変換させた二酸
化硅素層により取り囲む工程と、前記第２の層を
通して逆導電型の不純物を前記ベース領域に導入
する工程と、前記第３の層を通して一導電型の不
純物を前記ベース領域内に導入してエミツタ領域
を形成するとともに前記第１の層を通して一導電
型の不純物を前記コレクタ領域に導入する工程
と、しかる後に水素と窒素との混合気体中で400
℃〜1000℃で熱処理し、これにより前記単結晶珪
素基板と前記多結晶珪素層の第１、第２、第３の
層との境界附近の界面準位密度を減少させて電流
増幅率を増大せしめる工程とを有する半導体装置
の製造方法にある。
この発明によれば、多結晶珪素層を介してエミ
ツタ領域を形成した後、引き続いて水素と窒素の
混合気体中で熱処理を行うことにより良好でかつ
均一性のよい特性たとえば電流増幅率が大きく且
つこの電流増幅率の均一性がよい半導体装置を精
度よく再現性よく製造することができる。
ツタ領域を形成した後、引き続いて水素と窒素の
混合気体中で熱処理を行うことにより良好でかつ
均一性のよい特性たとえば電流増幅率が大きく且
つこの電流増幅率の均一性がよい半導体装置を精
度よく再現性よく製造することができる。
以下、実施例に基づく図面を参照して本発明を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
まず、第１図ａに示すように、Ｐ型珪素単結晶
基板１の一表面部を二酸化硅素層２で選択的に覆
い、珪素単結晶基板表面を選択的に露出し、上記
表面が露出された領域にＮ型島状領域３を形成す
る。このＮ型島状領域３の形成は加速電圧が20乃
至200kVで注入量が1013乃至1015／cm2の燐イオン
を注入し、ひき続いて900℃乃至1200℃で押込み
拡散を施して形成する。尚、この島状領域３の表
面濃度は1015乃至1017／cm3であり、その接合深さ
は１乃至10μｍである。次に第１図ｂに示すよう
に、上記島状領域３の表面に0.1乃至1μｍの二酸
化珪素層４を形成し、続いて開孔５を形成し、表
面にＮ型島状領域３が形成されていない単結晶基
板表面１を露出し、ひき続いて開孔５を通して高
濃度Ｐ型領域６を形成する。次に第１図ｃに示す
ように、Ｐ型領域６及び二酸化珪素層４の表面を
酸化する。この酸化工程により、Ｐ型領域６は基
板内部に押込み拡散を受け、その表面濃度は1017
〜1020／cm3となり、且つ接合深さは１乃至5μｍと
なる。尚、このＰ型領域６はＰ型単結晶基板１の
表面にＮ型の反転チヤンネルが形成されるのを防
止する役目をする。続いて、二酸化珪素層４に開
孔７を設け、Ｎ型島状領域３の表面を露出する。
次に第１図ｄに示すように、加速電圧が20乃至
200kVで、注入量が1013乃至1015／cm2のほう素イ
オン８０を表面が露出されたＮ型島状領域に注入
し、Ｐ型領域８を形成する。次に第１図ｅに示す
ように、Ｐ型領域８の表面を酸化し、続いてこの
酸化珪素膜４′に開孔を設けＮ型島状領域３及び
Ｐ型領域８の表面を選択的に露出する。ひき続い
て、上記酸化珪素膜４及び表面を露出されたＮ型
領域及び表面を露出されたＰ型領域の上面に多結
晶珪素層９を0.1乃至1μｍ堆積する。更にひき続
いて多結晶珪素膜９の上面に0.02乃至0.2μｍの二
酸化珪素層１０を形成し、この二酸化珪素層１０
の上面に窒化珪素膜１１を0.02乃至0.2μｍ堆積す
る。次に第１図ｆに示すように、珪素単結晶基板
のＮ型島状領域３及びＰ型領域８の上部に堆積さ
れた窒化珪素膜１１のみを選択的に残し、表面が
窒化珪素膜で覆れていない多結晶珪素膜を選択酸
化し、二酸化珪素層１２を形成する。この二酸化
珪素層１２により周囲に覆われた多結晶珪素の島
状領域１３，１４，１５が形成される。次に第１
図ｇに示すようにＰ型領域８の上部に存在する窒
化珪素層１１及び二酸化珪素層１２を選択的に除
去し、開孔１６を設け多結晶珪素層の表面を露出
する。この開孔１６を通してホウ素を熱拡散し、
Ｐ型島状領域８内に高濃度のＰ型領域１７を形成
する。尚、上記ホウ素の熱拡散により多結晶珪素
層は高濃度のＰ型多結晶領域１８になる。次に第
１図ｈに示すようにＰ型島状領域８及びＮ型島状
領域３の上面の窒化珪素膜及び二酸化珪素層を選
択的に除去し、開孔１９，２０を設け、多結晶珪
素層の表面を露出する。この開孔１９，２０を通
して燐或は砒素を熱拡散し、Ｐ型領域８内及びＮ
型島状領域３内にそれぞれ高濃度Ｎ型領域２１，
２２を形成する。
基板１の一表面部を二酸化硅素層２で選択的に覆
い、珪素単結晶基板表面を選択的に露出し、上記
表面が露出された領域にＮ型島状領域３を形成す
る。このＮ型島状領域３の形成は加速電圧が20乃
至200kVで注入量が1013乃至1015／cm2の燐イオン
を注入し、ひき続いて900℃乃至1200℃で押込み
拡散を施して形成する。尚、この島状領域３の表
面濃度は1015乃至1017／cm3であり、その接合深さ
は１乃至10μｍである。次に第１図ｂに示すよう
に、上記島状領域３の表面に0.1乃至1μｍの二酸
化珪素層４を形成し、続いて開孔５を形成し、表
面にＮ型島状領域３が形成されていない単結晶基
板表面１を露出し、ひき続いて開孔５を通して高
濃度Ｐ型領域６を形成する。次に第１図ｃに示す
ように、Ｐ型領域６及び二酸化珪素層４の表面を
酸化する。この酸化工程により、Ｐ型領域６は基
板内部に押込み拡散を受け、その表面濃度は1017
〜1020／cm3となり、且つ接合深さは１乃至5μｍと
なる。尚、このＰ型領域６はＰ型単結晶基板１の
表面にＮ型の反転チヤンネルが形成されるのを防
止する役目をする。続いて、二酸化珪素層４に開
孔７を設け、Ｎ型島状領域３の表面を露出する。
次に第１図ｄに示すように、加速電圧が20乃至
200kVで、注入量が1013乃至1015／cm2のほう素イ
オン８０を表面が露出されたＮ型島状領域に注入
し、Ｐ型領域８を形成する。次に第１図ｅに示す
ように、Ｐ型領域８の表面を酸化し、続いてこの
酸化珪素膜４′に開孔を設けＮ型島状領域３及び
Ｐ型領域８の表面を選択的に露出する。ひき続い
て、上記酸化珪素膜４及び表面を露出されたＮ型
領域及び表面を露出されたＰ型領域の上面に多結
晶珪素層９を0.1乃至1μｍ堆積する。更にひき続
いて多結晶珪素膜９の上面に0.02乃至0.2μｍの二
酸化珪素層１０を形成し、この二酸化珪素層１０
の上面に窒化珪素膜１１を0.02乃至0.2μｍ堆積す
る。次に第１図ｆに示すように、珪素単結晶基板
のＮ型島状領域３及びＰ型領域８の上部に堆積さ
れた窒化珪素膜１１のみを選択的に残し、表面が
窒化珪素膜で覆れていない多結晶珪素膜を選択酸
化し、二酸化珪素層１２を形成する。この二酸化
珪素層１２により周囲に覆われた多結晶珪素の島
状領域１３，１４，１５が形成される。次に第１
図ｇに示すようにＰ型領域８の上部に存在する窒
化珪素層１１及び二酸化珪素層１２を選択的に除
去し、開孔１６を設け多結晶珪素層の表面を露出
する。この開孔１６を通してホウ素を熱拡散し、
Ｐ型島状領域８内に高濃度のＰ型領域１７を形成
する。尚、上記ホウ素の熱拡散により多結晶珪素
層は高濃度のＰ型多結晶領域１８になる。次に第
１図ｈに示すようにＰ型島状領域８及びＮ型島状
領域３の上面の窒化珪素膜及び二酸化珪素層を選
択的に除去し、開孔１９，２０を設け、多結晶珪
素層の表面を露出する。この開孔１９，２０を通
して燐或は砒素を熱拡散し、Ｐ型領域８内及びＮ
型島状領域３内にそれぞれ高濃度Ｎ型領域２１，
２２を形成する。
上記Ｎ型領域２１，２２の表面濃度は1020乃至
1021／cm3であり、その接合深さは0.1乃至2μｍで
ある。尚上記燐或は砒素の熱拡散により多結晶珪
素層は高濃度のＮ型多結晶領域２３，２４とな
る。上記高濃度多結晶領域１８，２３，２４はそ
れぞれベース取出し電極、エミツタ取出し電極及
びコレクタ取出し電極を形成している。更にひき
続いて400乃至1000℃の水素と窒素の混合気体中
で熱処理を施し、トランジスタの電流増幅率を増
加させ、且つトランジスタの電流増幅率を均一性
よくする。最後に第１図ｉに示すように、高濃度
の不純物を含んだ多結晶珪素領域１８，２３，２
４に接触してアルミニウムなどの金属電極２５，
２６，２７を形成して、電極取出し領域が多結晶
珪素層で形成された電流増幅率が大きく、且つ電
流増幅率の均一性がよい半導体装置が得られる。
1021／cm3であり、その接合深さは0.1乃至2μｍで
ある。尚上記燐或は砒素の熱拡散により多結晶珪
素層は高濃度のＮ型多結晶領域２３，２４とな
る。上記高濃度多結晶領域１８，２３，２４はそ
れぞれベース取出し電極、エミツタ取出し電極及
びコレクタ取出し電極を形成している。更にひき
続いて400乃至1000℃の水素と窒素の混合気体中
で熱処理を施し、トランジスタの電流増幅率を増
加させ、且つトランジスタの電流増幅率を均一性
よくする。最後に第１図ｉに示すように、高濃度
の不純物を含んだ多結晶珪素領域１８，２３，２
４に接触してアルミニウムなどの金属電極２５，
２６，２７を形成して、電極取出し領域が多結晶
珪素層で形成された電流増幅率が大きく、且つ電
流増幅率の均一性がよい半導体装置が得られる。
第２図は従来法及び本発明法により作製された
半導体装置の電流増幅率を示す曲線図であり、縦
軸及び横軸はそれぞれ電流増幅率及び水素処理温
度を表わす。点２８，２９は従来法、即ちＮ型エ
ミツタ領域２１形成後に水素雰囲気中で熱処理し
ない場合の電流増幅率を表わしたもので、点２８
と点２９はエミツタ領域２１への不純物添加量が
異なり、点２８が添加量の少ない場合、点２９が
添加量の多い場合である。一方、曲線３０，３１
は本発明の方法、即ちＮ型エミツタ領域２１形成
後、更に400℃、500℃及び600℃の窒素と水素の
混合気体（混合比は５：３）中で熱処理を行つた
場合のものである。又、曲線３０はエミツタ領域
への不純物添加量が少ない場合であり、曲線３１
は不純物添加量が多い場合である。
半導体装置の電流増幅率を示す曲線図であり、縦
軸及び横軸はそれぞれ電流増幅率及び水素処理温
度を表わす。点２８，２９は従来法、即ちＮ型エ
ミツタ領域２１形成後に水素雰囲気中で熱処理し
ない場合の電流増幅率を表わしたもので、点２８
と点２９はエミツタ領域２１への不純物添加量が
異なり、点２８が添加量の少ない場合、点２９が
添加量の多い場合である。一方、曲線３０，３１
は本発明の方法、即ちＮ型エミツタ領域２１形成
後、更に400℃、500℃及び600℃の窒素と水素の
混合気体（混合比は５：３）中で熱処理を行つた
場合のものである。又、曲線３０はエミツタ領域
への不純物添加量が少ない場合であり、曲線３１
は不純物添加量が多い場合である。
上記曲線図から、本発明による曲線３０，３１
は従来法による点２８，２９に比較して電流増幅
率が３乃至４倍大きくなることがわかる。尚、第
２図では水素処理温度が600℃以下の場合のみ図
示したが、600℃乃至1000℃までの水素処理温度
で同様に電流増幅率は増加することが確かめられ
ている。
は従来法による点２８，２９に比較して電流増幅
率が３乃至４倍大きくなることがわかる。尚、第
２図では水素処理温度が600℃以下の場合のみ図
示したが、600℃乃至1000℃までの水素処理温度
で同様に電流増幅率は増加することが確かめられ
ている。
又、第２図の破線４０はエミツタ深さ1μで多
結晶珪素層のないバイポーラトランジスタに対し
て水素と窒素との混合気体中で熱処理した時の電
流増幅率の特性を示すものであり、点３９は上記
多結晶珪素層のないバイポーラトランジスタに水
素と窒素との混合気体中で熱処理しない場合の電
流増幅率を示している。熱処理しない点３９の電
流増幅率が３５であるのに対して熱処理しても電
流増幅率は40程度にしか高くならない。これら判
るように電流増幅率の増加はたかだか10〜20％し
か得られない。これに対して多結晶珪素層を電極
としてこれに同様の熱処理を行なう本発明の方で
は、この熱処理によつて電流増幅率を倍以上増加
させることができる。また、熱処理における温度
の下限は多結晶珪素層の界面準位を水素でトラツ
プするのに必要な温度によつて規定され、これが
約400℃であり、一方上限はエミツタ接合やベー
ス・コレクタ接合が熱処理によつて再拡散し拡散
分布が乱されない温度にて規定される。1μｍ以
下のトランジスタではこれが約1000℃である。
結晶珪素層のないバイポーラトランジスタに対し
て水素と窒素との混合気体中で熱処理した時の電
流増幅率の特性を示すものであり、点３９は上記
多結晶珪素層のないバイポーラトランジスタに水
素と窒素との混合気体中で熱処理しない場合の電
流増幅率を示している。熱処理しない点３９の電
流増幅率が３５であるのに対して熱処理しても電
流増幅率は40程度にしか高くならない。これら判
るように電流増幅率の増加はたかだか10〜20％し
か得られない。これに対して多結晶珪素層を電極
としてこれに同様の熱処理を行なう本発明の方で
は、この熱処理によつて電流増幅率を倍以上増加
させることができる。また、熱処理における温度
の下限は多結晶珪素層の界面準位を水素でトラツ
プするのに必要な温度によつて規定され、これが
約400℃であり、一方上限はエミツタ接合やベー
ス・コレクタ接合が熱処理によつて再拡散し拡散
分布が乱されない温度にて規定される。1μｍ以
下のトランジスタではこれが約1000℃である。
この水素処理による電流増幅率の増大は多結晶
珪素層と単結晶珪素層の境界附近の界面準位密度
が水素処理により減少することに起因していると
考えられる。
珪素層と単結晶珪素層の境界附近の界面準位密度
が水素処理により減少することに起因していると
考えられる。
以上述べたように、本発明半導体装置の製造方
法によれば、電流増幅率が大きく且つ電極取出し
領域が多結晶珪素層で形成された半導体装置を再
現性よく、精度よく製造することができ、実用上
きわめて有効なものである。
法によれば、電流増幅率が大きく且つ電極取出し
領域が多結晶珪素層で形成された半導体装置を再
現性よく、精度よく製造することができ、実用上
きわめて有効なものである。
第１図ａ乃至第１図ｉは本発明の実施例の製造
工程を示す断面図であり、第２図は半導体装置の
電流増幅率と水素処理温度の相関を示す図であ
り、従来法技術による場合と本発明による場合と
を比較して示したものである。 尚図において、１……珪素単結晶基板、２……
二酸化珪素層、３……Ｎ型島状領域、４……二酸
化珪素層、６，８……高濃度Ｐ型領域、９，１
３，１４，１５……多結晶珪素層、１０，１２…
…二酸珪素層、１１……窒化珪素層、１７……高
濃度Ｐ型領域、１８……高濃度Ｐ型多結晶珪素
層、２１，２２……高濃度Ｎ型領域、２３，２４
……高濃度Ｎ型多結晶珪素層、２５，２６，２７
……金属電極である。
工程を示す断面図であり、第２図は半導体装置の
電流増幅率と水素処理温度の相関を示す図であ
り、従来法技術による場合と本発明による場合と
を比較して示したものである。 尚図において、１……珪素単結晶基板、２……
二酸化珪素層、３……Ｎ型島状領域、４……二酸
化珪素層、６，８……高濃度Ｐ型領域、９，１
３，１４，１５……多結晶珪素層、１０，１２…
…二酸珪素層、１１……窒化珪素層、１７……高
濃度Ｐ型領域、１８……高濃度Ｐ型多結晶珪素
層、２１，２２……高濃度Ｎ型領域、２３，２４
……高濃度Ｎ型多結晶珪素層、２５，２６，２７
……金属電極である。
Claims (1)
- １ 一導電型のコレクタ領域および該コレクタ領
域内に逆導電型のベース領域が形成されている単
結晶珪素基板の一主面上に多結晶珪素層を形成さ
せる工程と、前記多結晶珪素層を選択酸化し、こ
れより前記多結晶珪素層からなる第１の層を前記
コレクタ領域内の選択的な部分上に設け、かつ前
記多結晶珪素層からなる第２および第３の層を前
記ベース領域内の選択的な部分上にそれぞれ設
け、該第１、第２、第３の層を該選択酸化により
該多結晶硅素層より変換させた二酸化硅素層によ
り取り囲む工程と、前記第２の層を通して逆導電
型の不純物を前記ベース領域に導入する工程と、
前記第３の層を通して一導電型の不純物を前記ベ
ース領域内に導入してエミツタ領域を形成すると
ともに前記第１の層を通して一導電型の不純物を
前記コレクタ領域に導入する工程と、しかる後に
水素と窒素との混合気体中で400℃〜1000℃で熱
処理し、これにより前記単結晶珪素基板と前記多
結晶珪素層の第１、第２、第３の層との境界附近
の界面準位密度を減少させて電流増幅率を増大せ
しめる工程とを有することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6317078A JPS54154271A (en) | 1978-05-25 | 1978-05-25 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6317078A JPS54154271A (en) | 1978-05-25 | 1978-05-25 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54154271A JPS54154271A (en) | 1979-12-05 |
| JPH0137856B2 true JPH0137856B2 (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=13221503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6317078A Granted JPS54154271A (en) | 1978-05-25 | 1978-05-25 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54154271A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5690559A (en) * | 1979-12-22 | 1981-07-22 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5796567A (en) * | 1980-12-09 | 1982-06-15 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49127575A (ja) * | 1973-04-06 | 1974-12-06 | ||
| JPS52119192A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | Nec Corp | Semiconductor |
| JPS52149477A (en) * | 1976-06-07 | 1977-12-12 | Fujitsu Ltd | Forming method of schottky barriers |
-
1978
- 1978-05-25 JP JP6317078A patent/JPS54154271A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49127575A (ja) * | 1973-04-06 | 1974-12-06 | ||
| JPS52119192A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | Nec Corp | Semiconductor |
| JPS52149477A (en) * | 1976-06-07 | 1977-12-12 | Fujitsu Ltd | Forming method of schottky barriers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54154271A (en) | 1979-12-05 |
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