JPS629657A - リ−ドフレ−ム用合金帯母材 - Google Patents
リ−ドフレ−ム用合金帯母材Info
- Publication number
- JPS629657A JPS629657A JP60149660A JP14966085A JPS629657A JP S629657 A JPS629657 A JP S629657A JP 60149660 A JP60149660 A JP 60149660A JP 14966085 A JP14966085 A JP 14966085A JP S629657 A JPS629657 A JP S629657A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- plating
- lead frame
- base belt
- belt material
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/456—Materials
- H10W70/457—Materials of metallic layers on leadframes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は主としてＩＣリードフレームに用いられる合金
帯母材に関するものである。
帯母材に関するものである。
この種のリードフレームを製造するには合金帯母材を所
望なれば焼鈍および／または冷間圧延し、第２図に示す
ように上記処理された合金帯母材（１）を点線に沿って
数条の合金帯α力、（２）、 Ｑ３ 、α◆にスリット
加工し、所望なればスリット加工後に焼鈍処理を行なっ
てから打抜加工あるいはフォトエツチング加工によって
第３図に示すようなリードフレーム形状（２）に加工す
るのである０該リードフレーム（２）は各ピン（２）の
先端部■が第４図に示すようにシリコンチップ（３）と
細線（４）によって結合される。
望なれば焼鈍および／または冷間圧延し、第２図に示す
ように上記処理された合金帯母材（１）を点線に沿って
数条の合金帯α力、（２）、 Ｑ３ 、α◆にスリット
加工し、所望なればスリット加工後に焼鈍処理を行なっ
てから打抜加工あるいはフォトエツチング加工によって
第３図に示すようなリードフレーム形状（２）に加工す
るのである０該リードフレーム（２）は各ピン（２）の
先端部■が第４図に示すようにシリコンチップ（３）と
細線（４）によって結合される。
従来は上記リードフレーム（２）のビンＱ力の先端部機
には１〜０．５μ厚ＫＡｕをメッキしていたｏしかしＡ
ｕは高価であるから最近ではＡｕに代えてＡｇをメッキ
する方法が検討されている。リードフレーム（２）の材
料としては４２ＳＮｉ鋼や２９Ｎｉ−１７Ｃｏ鋼である
コバールが用いられているが、このような材料はＡｇメ
ッキ性が劣るために第４図に示すように下地メッキ（５
）としてまずＮｉあるいはＣｕを１〜５μ厚にメッキし
、その上に１〜３μ厚のＡｇメッキ（６）を施している
。
には１〜０．５μ厚ＫＡｕをメッキしていたｏしかしＡ
ｕは高価であるから最近ではＡｕに代えてＡｇをメッキ
する方法が検討されている。リードフレーム（２）の材
料としては４２ＳＮｉ鋼や２９Ｎｉ−１７Ｃｏ鋼である
コバールが用いられているが、このような材料はＡｇメ
ッキ性が劣るために第４図に示すように下地メッキ（５
）としてまずＮｉあるいはＣｕを１〜５μ厚にメッキし
、その上に１〜３μ厚のＡｇメッキ（６）を施している
。
しかしとのようにリードフレーム（２）に２回にわたる
メッキ処理を施すのは非常に煩雑な手間のか＼る工程に
なってしまう。
メッキ処理を施すのは非常に煩雑な手間のか＼る工程に
なってしまう。
本発明は上記従来の問題点を解決する手段としてリード
フレーム用合金帯母材にＮｉおよび／ｉたはＣｕをメッ
キするものである。
フレーム用合金帯母材にＮｉおよび／ｉたはＣｕをメッ
キするものである。
本発明を以下に詳細に説明する。
本発明に用いられる合金帯母材の材質は従来と同様に４
２チＮｉ鋼または２９Ｎｉ−１７Ｃｏ鋼であるコバール
である０該合金帯母材にはＮｉおよび／またはＣｕがメ
ッキされるが該メッキ層厚は通常１〜５μ厚である０該
メツキは合金帯母材の一方の面もしくは両方の面に施さ
れてよい。紹メッキの下地としての本来の目的からみれ
ばメッキは合金帯母材の一方の面にのみ施されれば充分
であり両方の面に施すことは材料が浪費されるから望ま
しいものでは危いと思われるが、合金帯母材の一方の面
にのみメッキを施すためには他方の面をマスキングしな
ければならず、これに必要な材料と手間を考慮するとむ
しろ合金帯母材の両方の面にメッキを施すことが望まし
い。合金帯母材はこのようにしてＮｉおよび／またはＣ
ｕをメッキされた後第１図に示されるようにスリット加
工して数条の合金帯に分割される。図において（１）は
合金帯母材、（５）はＮｉおよび／またはＣｕメッキで
ある下地メッキ層、αカ、（６）、α埠、α荀は合金帯
である。該合金帯αη、（財）、ａ３．α→の巾はリー
ドフレーム巾に略一致させるが焼鈍歪式等を考慮に入れ
る。このようにして分割された合金帯αη、ａ２．α］
。
２チＮｉ鋼または２９Ｎｉ−１７Ｃｏ鋼であるコバール
である０該合金帯母材にはＮｉおよび／またはＣｕがメ
ッキされるが該メッキ層厚は通常１〜５μ厚である０該
メツキは合金帯母材の一方の面もしくは両方の面に施さ
れてよい。紹メッキの下地としての本来の目的からみれ
ばメッキは合金帯母材の一方の面にのみ施されれば充分
であり両方の面に施すことは材料が浪費されるから望ま
しいものでは危いと思われるが、合金帯母材の一方の面
にのみメッキを施すためには他方の面をマスキングしな
ければならず、これに必要な材料と手間を考慮するとむ
しろ合金帯母材の両方の面にメッキを施すことが望まし
い。合金帯母材はこのようにしてＮｉおよび／またはＣ
ｕをメッキされた後第１図に示されるようにスリット加
工して数条の合金帯に分割される。図において（１）は
合金帯母材、（５）はＮｉおよび／またはＣｕメッキで
ある下地メッキ層、αカ、（６）、α埠、α荀は合金帯
である。該合金帯αη、（財）、ａ３．α→の巾はリー
ドフレーム巾に略一致させるが焼鈍歪式等を考慮に入れ
る。このようにして分割された合金帯αη、ａ２．α］
。
０→は所望なればスリットの際の歪を除去するためにス
リット加工後に焼鈍処理を行なう。このようにして得ら
れた合金帯を打抜加工もしくはフォトエツチング加工し
て第３図に示すようなリードフレーム（２）を製造する
。Ｎｉおよび／またはＣｕメッキは合金帯母材をスリッ
トして合金帯とした後に施してもよいがそれだけ処理さ
れるべき部材個数が多くなるから合金帯母材の状態で行
なうことが望ましい。
リット加工後に焼鈍処理を行なう。このようにして得ら
れた合金帯を打抜加工もしくはフォトエツチング加工し
て第３図に示すようなリードフレーム（２）を製造する
。Ｎｉおよび／またはＣｕメッキは合金帯母材をスリッ
トして合金帯とした後に施してもよいがそれだけ処理さ
れるべき部材個数が多くなるから合金帯母材の状態で行
なうことが望ましい。
上記のようにして得られたリードフレーム（２）につい
ては第３図に示すように各ピン３◇の先端部にＡｇメッ
キ（６）を施すのみでよい。Ａｇメッキ（６）を施した
後は下地メッキ（５）がＣｕメッキの場合にはＣｕが発
錆し易いために露出しているＣｕメッキ部分をエラチン
液等で溶出除去することが望ましい０ 〔発明の作用・効果〕 本発明においては合金帯母材は広巾でかつ単純形状であ
るからメッキが容易であり、またメッキ処理を施こすべ
き部材数としても従来よシ大巾に縮小され連続処理も可
能であり、したがってリードフレームの製造工程が大巾
に合理化される。
ては第３図に示すように各ピン３◇の先端部にＡｇメッ
キ（６）を施すのみでよい。Ａｇメッキ（６）を施した
後は下地メッキ（５）がＣｕメッキの場合にはＣｕが発
錆し易いために露出しているＣｕメッキ部分をエラチン
液等で溶出除去することが望ましい０ 〔発明の作用・効果〕 本発明においては合金帯母材は広巾でかつ単純形状であ
るからメッキが容易であり、またメッキ処理を施こすべ
き部材数としても従来よシ大巾に縮小され連続処理も可
能であり、したがってリードフレームの製造工程が大巾
に合理化される。
以下に本発明の実施例を示す。
４２ Ｓ Ｎｉ鋼からな］０．２５５ｍ厚、３００鱈巾
の合金帯母材のコイルを一端から引出し連続的にメッキ
槽に浸漬して両面に３μ厚のＮｉメッキを施こす。メッ
キ後スリット加工によシ該合金帯母材を４１鱈巾の合金
帯７本に分割する。かくして得られた合金帯を焼鈍して
スリット加工の際の歪を除去した後リードフレーム形状
に打抜き加工してからトリクレンによシ脱脂処理、次い
で酸洗処理を行なう。このようにして処理されたリード
フレームの所定個所に３μ厚のＡｇメッキを施した後３
０μ径のＡｕ１Ｂ線を結合した所良好な結合性が得られ
た。
の合金帯母材のコイルを一端から引出し連続的にメッキ
槽に浸漬して両面に３μ厚のＮｉメッキを施こす。メッ
キ後スリット加工によシ該合金帯母材を４１鱈巾の合金
帯７本に分割する。かくして得られた合金帯を焼鈍して
スリット加工の際の歪を除去した後リードフレーム形状
に打抜き加工してからトリクレンによシ脱脂処理、次い
で酸洗処理を行なう。このようにして処理されたリード
フレームの所定個所に３μ厚のＡｇメッキを施した後３
０μ径のＡｕ１Ｂ線を結合した所良好な結合性が得られ
た。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は従来例の
斜視図、第３図はリードフレームの平面図、第４図は第
３図におけるＡ−Ａ断面図である。
斜視図、第３図はリードフレームの平面図、第４図は第
３図におけるＡ−Ａ断面図である。
Claims (1)
- 一方の表面または両方の表面にＮｉおよび／またはＣｕ
をメッキしたことを特徴とするリードフレーム用合金帯
母材
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60149660A JPS629657A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | リ−ドフレ−ム用合金帯母材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60149660A JPS629657A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | リ−ドフレ−ム用合金帯母材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS629657A true JPS629657A (ja) | 1987-01-17 |
Family
ID=15480065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60149660A Pending JPS629657A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | リ−ドフレ−ム用合金帯母材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS629657A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06120370A (ja) * | 1992-10-08 | 1994-04-28 | Toshiba Corp | 積層板の製造方法 |
| CN105702656A (zh) * | 2014-12-10 | 2016-06-22 | 意法半导体私人公司 | 在引线互连点上具有镀层的集成电路器件及其形成方法 |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP60149660A patent/JPS629657A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06120370A (ja) * | 1992-10-08 | 1994-04-28 | Toshiba Corp | 積層板の製造方法 |
| CN105702656A (zh) * | 2014-12-10 | 2016-06-22 | 意法半导体私人公司 | 在引线互连点上具有镀层的集成电路器件及其形成方法 |
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