JPS629657A - リ−ドフレ−ム用合金帯母材 - Google Patents
リ−ドフレ−ム用合金帯母材Info
- Publication number
- JPS629657A JPS629657A JP60149660A JP14966085A JPS629657A JP S629657 A JPS629657 A JP S629657A JP 60149660 A JP60149660 A JP 60149660A JP 14966085 A JP14966085 A JP 14966085A JP S629657 A JPS629657 A JP S629657A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- plating
- lead frame
- base belt
- belt material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は主としてICリードフレームに用いられる合金
帯母材に関するものである。
帯母材に関するものである。
この種のリードフレームを製造するには合金帯母材を所
望なれば焼鈍および/または冷間圧延し、第2図に示す
ように上記処理された合金帯母材(1)を点線に沿って
数条の合金帯α力、(2)、 Q3 、α◆にスリット
加工し、所望なればスリット加工後に焼鈍処理を行なっ
てから打抜加工あるいはフォトエツチング加工によって
第3図に示すようなリードフレーム形状(2)に加工す
るのである0該リードフレーム(2)は各ピン(2)の
先端部■が第4図に示すようにシリコンチップ(3)と
細線(4)によって結合される。
望なれば焼鈍および/または冷間圧延し、第2図に示す
ように上記処理された合金帯母材(1)を点線に沿って
数条の合金帯α力、(2)、 Q3 、α◆にスリット
加工し、所望なればスリット加工後に焼鈍処理を行なっ
てから打抜加工あるいはフォトエツチング加工によって
第3図に示すようなリードフレーム形状(2)に加工す
るのである0該リードフレーム(2)は各ピン(2)の
先端部■が第4図に示すようにシリコンチップ(3)と
細線(4)によって結合される。
従来は上記リードフレーム(2)のビンQ力の先端部機
には1〜0.5μ厚KAuをメッキしていたoしかしA
uは高価であるから最近ではAuに代えてAgをメッキ
する方法が検討されている。リードフレーム(2)の材
料としては42SNi鋼や29Ni−17Co鋼である
コバールが用いられているが、このような材料はAgメ
ッキ性が劣るために第4図に示すように下地メッキ(5
)としてまずNiあるいはCuを1〜5μ厚にメッキし
、その上に1〜3μ厚のAgメッキ(6)を施している
。
には1〜0.5μ厚KAuをメッキしていたoしかしA
uは高価であるから最近ではAuに代えてAgをメッキ
する方法が検討されている。リードフレーム(2)の材
料としては42SNi鋼や29Ni−17Co鋼である
コバールが用いられているが、このような材料はAgメ
ッキ性が劣るために第4図に示すように下地メッキ(5
)としてまずNiあるいはCuを1〜5μ厚にメッキし
、その上に1〜3μ厚のAgメッキ(6)を施している
。
しかしとのようにリードフレーム(2)に2回にわたる
メッキ処理を施すのは非常に煩雑な手間のか\る工程に
なってしまう。
メッキ処理を施すのは非常に煩雑な手間のか\る工程に
なってしまう。
本発明は上記従来の問題点を解決する手段としてリード
フレーム用合金帯母材にNiおよび/iたはCuをメッ
キするものである。
フレーム用合金帯母材にNiおよび/iたはCuをメッ
キするものである。
本発明を以下に詳細に説明する。
本発明に用いられる合金帯母材の材質は従来と同様に4
2チNi鋼または29Ni−17Co鋼であるコバール
である0該合金帯母材にはNiおよび/またはCuがメ
ッキされるが該メッキ層厚は通常1〜5μ厚である0該
メツキは合金帯母材の一方の面もしくは両方の面に施さ
れてよい。紹メッキの下地としての本来の目的からみれ
ばメッキは合金帯母材の一方の面にのみ施されれば充分
であり両方の面に施すことは材料が浪費されるから望ま
しいものでは危いと思われるが、合金帯母材の一方の面
にのみメッキを施すためには他方の面をマスキングしな
ければならず、これに必要な材料と手間を考慮するとむ
しろ合金帯母材の両方の面にメッキを施すことが望まし
い。合金帯母材はこのようにしてNiおよび/またはC
uをメッキされた後第1図に示されるようにスリット加
工して数条の合金帯に分割される。図において(1)は
合金帯母材、(5)はNiおよび/またはCuメッキで
ある下地メッキ層、αカ、(6)、α埠、α荀は合金帯
である。該合金帯αη、(財)、a3.α→の巾はリー
ドフレーム巾に略一致させるが焼鈍歪式等を考慮に入れ
る。このようにして分割された合金帯αη、a2.α]
。
2チNi鋼または29Ni−17Co鋼であるコバール
である0該合金帯母材にはNiおよび/またはCuがメ
ッキされるが該メッキ層厚は通常1〜5μ厚である0該
メツキは合金帯母材の一方の面もしくは両方の面に施さ
れてよい。紹メッキの下地としての本来の目的からみれ
ばメッキは合金帯母材の一方の面にのみ施されれば充分
であり両方の面に施すことは材料が浪費されるから望ま
しいものでは危いと思われるが、合金帯母材の一方の面
にのみメッキを施すためには他方の面をマスキングしな
ければならず、これに必要な材料と手間を考慮するとむ
しろ合金帯母材の両方の面にメッキを施すことが望まし
い。合金帯母材はこのようにしてNiおよび/またはC
uをメッキされた後第1図に示されるようにスリット加
工して数条の合金帯に分割される。図において(1)は
合金帯母材、(5)はNiおよび/またはCuメッキで
ある下地メッキ層、αカ、(6)、α埠、α荀は合金帯
である。該合金帯αη、(財)、a3.α→の巾はリー
ドフレーム巾に略一致させるが焼鈍歪式等を考慮に入れ
る。このようにして分割された合金帯αη、a2.α]
。
0→は所望なればスリットの際の歪を除去するためにス
リット加工後に焼鈍処理を行なう。このようにして得ら
れた合金帯を打抜加工もしくはフォトエツチング加工し
て第3図に示すようなリードフレーム(2)を製造する
。Niおよび/またはCuメッキは合金帯母材をスリッ
トして合金帯とした後に施してもよいがそれだけ処理さ
れるべき部材個数が多くなるから合金帯母材の状態で行
なうことが望ましい。
リット加工後に焼鈍処理を行なう。このようにして得ら
れた合金帯を打抜加工もしくはフォトエツチング加工し
て第3図に示すようなリードフレーム(2)を製造する
。Niおよび/またはCuメッキは合金帯母材をスリッ
トして合金帯とした後に施してもよいがそれだけ処理さ
れるべき部材個数が多くなるから合金帯母材の状態で行
なうことが望ましい。
上記のようにして得られたリードフレーム(2)につい
ては第3図に示すように各ピン3◇の先端部にAgメッ
キ(6)を施すのみでよい。Agメッキ(6)を施した
後は下地メッキ(5)がCuメッキの場合にはCuが発
錆し易いために露出しているCuメッキ部分をエラチン
液等で溶出除去することが望ましい0 〔発明の作用・効果〕 本発明においては合金帯母材は広巾でかつ単純形状であ
るからメッキが容易であり、またメッキ処理を施こすべ
き部材数としても従来よシ大巾に縮小され連続処理も可
能であり、したがってリードフレームの製造工程が大巾
に合理化される。
ては第3図に示すように各ピン3◇の先端部にAgメッ
キ(6)を施すのみでよい。Agメッキ(6)を施した
後は下地メッキ(5)がCuメッキの場合にはCuが発
錆し易いために露出しているCuメッキ部分をエラチン
液等で溶出除去することが望ましい0 〔発明の作用・効果〕 本発明においては合金帯母材は広巾でかつ単純形状であ
るからメッキが容易であり、またメッキ処理を施こすべ
き部材数としても従来よシ大巾に縮小され連続処理も可
能であり、したがってリードフレームの製造工程が大巾
に合理化される。
以下に本発明の実施例を示す。
42 S Ni鋼からな]0.255m厚、300鱈巾
の合金帯母材のコイルを一端から引出し連続的にメッキ
槽に浸漬して両面に3μ厚のNiメッキを施こす。メッ
キ後スリット加工によシ該合金帯母材を41鱈巾の合金
帯7本に分割する。かくして得られた合金帯を焼鈍して
スリット加工の際の歪を除去した後リードフレーム形状
に打抜き加工してからトリクレンによシ脱脂処理、次い
で酸洗処理を行なう。このようにして処理されたリード
フレームの所定個所に3μ厚のAgメッキを施した後3
0μ径のAu1B線を結合した所良好な結合性が得られ
た。
の合金帯母材のコイルを一端から引出し連続的にメッキ
槽に浸漬して両面に3μ厚のNiメッキを施こす。メッ
キ後スリット加工によシ該合金帯母材を41鱈巾の合金
帯7本に分割する。かくして得られた合金帯を焼鈍して
スリット加工の際の歪を除去した後リードフレーム形状
に打抜き加工してからトリクレンによシ脱脂処理、次い
で酸洗処理を行なう。このようにして処理されたリード
フレームの所定個所に3μ厚のAgメッキを施した後3
0μ径のAu1B線を結合した所良好な結合性が得られ
た。
第1図は本発明の一実施例の斜視図、第2図は従来例の
斜視図、第3図はリードフレームの平面図、第4図は第
3図におけるA−A断面図である。
斜視図、第3図はリードフレームの平面図、第4図は第
3図におけるA−A断面図である。
Claims (1)
- 一方の表面または両方の表面にNiおよび/またはCu
をメッキしたことを特徴とするリードフレーム用合金帯
母材
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60149660A JPS629657A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | リ−ドフレ−ム用合金帯母材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60149660A JPS629657A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | リ−ドフレ−ム用合金帯母材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS629657A true JPS629657A (ja) | 1987-01-17 |
Family
ID=15480065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60149660A Pending JPS629657A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | リ−ドフレ−ム用合金帯母材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS629657A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06120370A (ja) * | 1992-10-08 | 1994-04-28 | Toshiba Corp | 積層板の製造方法 |
CN105702656A (zh) * | 2014-12-10 | 2016-06-22 | 意法半导体私人公司 | 在引线互连点上具有镀层的集成电路器件及其形成方法 |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP60149660A patent/JPS629657A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06120370A (ja) * | 1992-10-08 | 1994-04-28 | Toshiba Corp | 積層板の製造方法 |
CN105702656A (zh) * | 2014-12-10 | 2016-06-22 | 意法半导体私人公司 | 在引线互连点上具有镀层的集成电路器件及其形成方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6297360A (ja) | 半導体装置のボンデイングワイヤ用表面被覆高純度銅極細線 | |
DE19734434C1 (de) | Halbleiterkörper mit Rückseitenmetallisierung und Verfahren zu deren Herstellung | |
JPS629657A (ja) | リ−ドフレ−ム用合金帯母材 | |
JPH05109958A (ja) | リードフレーム | |
US5639014A (en) | Integral solder and plated sealing cover and method of making same | |
JPS57114265A (en) | Ic lead frame and transistor comb and manufacture thereof | |
JPS629658A (ja) | リ−ドフレ−ム用合金帯母材の製造方法 | |
JPH0438860A (ja) | 半導体装置用リードフレームの製造方法 | |
JPH06163780A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JPS6285453A (ja) | Ic用リ−ドフレ−ム材 | |
JPS62156089A (ja) | 部分クラツド材の製造方法 | |
JPH02182886A (ja) | 銀めっき剥離方法 | |
JP2648354B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JPS6064456A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
JPS6254947A (ja) | リ−ドフレ−ム用金属条材 | |
JPH04333271A (ja) | リードフレーム及びその製造方法と半導体装置 | |
JPH01187958A (ja) | リードフレーム | |
JPS6330995B2 (ja) | ||
JPS63199448A (ja) | めつきリ−ドフレ−ムおよびその製造方法 | |
JPS61128552A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
JPS60154650A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
JPS63241957A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
JPH0488662A (ja) | 半導体装置用リードフレームの製造方法 | |
JPS62296977A (ja) | 部分クラッド材の製造方法 | |
JPH04255258A (ja) | リードフレームの製造方法 |