JPH04255258A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
- Publication number
- JPH04255258A JPH04255258A JP1628491A JP1628491A JPH04255258A JP H04255258 A JPH04255258 A JP H04255258A JP 1628491 A JP1628491 A JP 1628491A JP 1628491 A JP1628491 A JP 1628491A JP H04255258 A JPH04255258 A JP H04255258A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- lead frame
- inner lead
- electroplating
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 7
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910001174 tin-lead alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 2
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用のリードフ
レームの製造方法に関する。
レームの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のリードフレームの製造方法は、金
属板をプレス加工により打抜いてリードを形成した後、
内部リードに金や銀のようなワイヤーボンディングに適
した金属をめっきし、その後外部リードに錫−鉛合金の
ような半田付に適した金属めっきをする。
属板をプレス加工により打抜いてリードを形成した後、
内部リードに金や銀のようなワイヤーボンディングに適
した金属をめっきし、その後外部リードに錫−鉛合金の
ような半田付に適した金属めっきをする。
【０００３】図３は従来のリードフレームの製造方法を
説明するための工程図である。
説明するための工程図である。
【０００４】図３に示すように金属板より打抜かれたリ
ードフレームは、脱脂や表面活性化等の前処理を行った
後、内部リードに選択的に銀めっきを行い、洗浄した後
外部リードに錫−鉛合金層をめっきし、場合により外部
リードに設けた半田めっき層の表面酸化を防止するため
にリン酸ソーダによる中和工程を追加し、以後洗浄と乾
燥を行っていた。
ードフレームは、脱脂や表面活性化等の前処理を行った
後、内部リードに選択的に銀めっきを行い、洗浄した後
外部リードに錫−鉛合金層をめっきし、場合により外部
リードに設けた半田めっき層の表面酸化を防止するため
にリン酸ソーダによる中和工程を追加し、以後洗浄と乾
燥を行っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のリードフレーム
の製造方法では、内部リードのめっき層が貴金属であり
外部リードのめっき層が卑金属であるため、最終洗浄工
程中の酸性水溶液中で外部リードのめっき金属が遊離し
、内部リードのめっき層表面に錫が１〜２ｎｍの厚みで
付着する。この内部リード上に付着した錫は半導体装置
の組立工程（ボンディング工程）において半導体素子と
内部リードのめっき部を金線で結線するとき内部リード
の結線強度を著しく低下させるため、半導体装置製造工
程の歩留を低下させ、また、半導体装置の信頼性も低下
させる。また、外部リードのめっき工程の後に実装時の
半田付性向上を目的としたリン酸ソーダ中和処理工程を
入れる場合も、同様の問題が生じる。
の製造方法では、内部リードのめっき層が貴金属であり
外部リードのめっき層が卑金属であるため、最終洗浄工
程中の酸性水溶液中で外部リードのめっき金属が遊離し
、内部リードのめっき層表面に錫が１〜２ｎｍの厚みで
付着する。この内部リード上に付着した錫は半導体装置
の組立工程（ボンディング工程）において半導体素子と
内部リードのめっき部を金線で結線するとき内部リード
の結線強度を著しく低下させるため、半導体装置製造工
程の歩留を低下させ、また、半導体装置の信頼性も低下
させる。また、外部リードのめっき工程の後に実装時の
半田付性向上を目的としたリン酸ソーダ中和処理工程を
入れる場合も、同様の問題が生じる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
の製造方法は、内部リードに第１の金属層を電気めっき
し外部リードに第２の金属層を電気めっきする工程と、
前記内部リードを含むリードフレームをシアン化カリウ
ムを含むアルカリ水溶液中で電解処理して前記第１の金
属層の上に付着した被膜を除去する工程とを含んで構成
される。
の製造方法は、内部リードに第１の金属層を電気めっき
し外部リードに第２の金属層を電気めっきする工程と、
前記内部リードを含むリードフレームをシアン化カリウ
ムを含むアルカリ水溶液中で電解処理して前記第１の金
属層の上に付着した被膜を除去する工程とを含んで構成
される。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】図１は本発明の一実施例を説明するための
工程図である。
工程図である。
【０００９】図１に示すように、金属板より打抜かれた
リードフレームは脱脂や表面活性化等の前処理により表
面を清浄化した後、内部リードの表面に銀層又は金層を
選択的に電気めっきし、洗浄する。次に、外部リードの
表面に錫−鉛合金層を電気めっきして設ける。次に、１
リットル中に３０ｇのシアン化カリウムを含むアルカリ
水溶液中で温度５０℃、陰極電流密度０．２Ａ／ｄｍ２
の電解処理を１５秒間実施して内部リードのめっき層
に付着した被膜を除去し、以後洗浄，乾燥を行いリード
フレームのめっき工程を完了する。
リードフレームは脱脂や表面活性化等の前処理により表
面を清浄化した後、内部リードの表面に銀層又は金層を
選択的に電気めっきし、洗浄する。次に、外部リードの
表面に錫−鉛合金層を電気めっきして設ける。次に、１
リットル中に３０ｇのシアン化カリウムを含むアルカリ
水溶液中で温度５０℃、陰極電流密度０．２Ａ／ｄｍ２
の電解処理を１５秒間実施して内部リードのめっき層
に付着した被膜を除去し、以後洗浄，乾燥を行いリード
フレームのめっき工程を完了する。
【００１０】ここで、外部リードは錫−鉛合金層をめっ
きする代りに錫層をめっきしても良く、アルカリ水溶液
の無電解処理でも良い。
きする代りに錫層をめっきしても良く、アルカリ水溶液
の無電解処理でも良い。
【００１１】本発明のリードフレームの内部リードに線
径３０μｍの金線を超音波ボンダーを用い１５０〜１７
０℃でワイヤーボンディングした後、この金線を４ｇの
荷重をかけて引張ったときのボンディングはがれの発生
率は従来例の０．０９％に低下し、金線の結線強度を飛
躍的に向上させることができた。
径３０μｍの金線を超音波ボンダーを用い１５０〜１７
０℃でワイヤーボンディングした後、この金線を４ｇの
荷重をかけて引張ったときのボンディングはがれの発生
率は従来例の０．０９％に低下し、金線の結線強度を飛
躍的に向上させることができた。
【００１２】図２は本発明のリードフレームの半田付性
（漏れ性）特性を示す図である。
（漏れ性）特性を示す図である。
【００１３】図２に示すように、温度１０５℃、湿度１
００％の恒温槽に保持したリードフレームを錫が６３重
量％で鉛が３７重量％の合金を２３０±５℃で熔融させ
且つロジン−タイプＲのフラックスを加えた半田浴に浸
漬させる。メニスコグラフ半田付性試験の半田漏れ時間
（ゼロクロスタイム）の実測値において、従来例の漏れ
時間指数に対して本発明のリードフレームの漏れ時間指
数が約１／５となり、副次的に半田付性も格別に向上さ
せることができる。
００％の恒温槽に保持したリードフレームを錫が６３重
量％で鉛が３７重量％の合金を２３０±５℃で熔融させ
且つロジン−タイプＲのフラックスを加えた半田浴に浸
漬させる。メニスコグラフ半田付性試験の半田漏れ時間
（ゼロクロスタイム）の実測値において、従来例の漏れ
時間指数に対して本発明のリードフレームの漏れ時間指
数が約１／５となり、副次的に半田付性も格別に向上さ
せることができる。
【００１４】なお、ここで、漏れ時間指数は従来のリー
ドフレームを高温高湿で２４時間保持したときの漏れ時
間を１００として正規化している。
ドフレームを高温高湿で２４時間保持したときの漏れ時
間を１００として正規化している。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、内部リー
ド及び外部リードに金属層を電気めっきした後にアルカ
リ水溶液で中和処理を行うことにより、内部リードにボ
ンディングした金属細線の結線強度を飛躍的に向上させ
ることができるという効果を有する。
ド及び外部リードに金属層を電気めっきした後にアルカ
リ水溶液で中和処理を行うことにより、内部リードにボ
ンディングした金属細線の結線強度を飛躍的に向上させ
ることができるという効果を有する。
【００１６】また、同時に外部リードの半田漏れ性も向
上させることができるという効果を有する。
上させることができるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を説明するための工程図であ
る。
る。
【図２】本発明のリードフレームの半田付性（漏れ性）
特性を示す図である。
特性を示す図である。
【図３】従来のリードフレームの製造方法を説明するた
めの工程図である。
めの工程図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 内部リードに第１の金属層を電気めっ
きし外部リードに第２の金属層を電気めっきする工程と
、前記内部リードを含むリードフレームをシアン化カリ
ウムを含むアルカリ水溶液中で電解処理して前記第１の
金属層の上に付着した被膜を除去する工程とを含むこと
を特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1628491A JPH04255258A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1628491A JPH04255258A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04255258A true JPH04255258A (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=11912255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1628491A Pending JPH04255258A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04255258A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6079760A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-05-07 | Fuji Plant Kogyo Kk | リードフレームへの異種部分メツキ方法 |
| JPS63291445A (ja) * | 1987-05-23 | 1988-11-29 | Fuji Plant Kogyo Kk | リ−ドフレ−ムへの２色部分メッキ方法 |
| JPH02281749A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-19 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの製造方法 |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP1628491A patent/JPH04255258A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6079760A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-05-07 | Fuji Plant Kogyo Kk | リードフレームへの異種部分メツキ方法 |
| JPS63291445A (ja) * | 1987-05-23 | 1988-11-29 | Fuji Plant Kogyo Kk | リ−ドフレ−ムへの２色部分メッキ方法 |
| JPH02281749A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-19 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6034422A (en) | Lead frame, method for partial noble plating of said lead frame and semiconductor device having said lead frame | |
| US5459103A (en) | Method of forming lead frame with strengthened encapsulation adhesion | |
| CA2118758C (en) | Lead frame for integrated circuits | |
| JPS58139493A (ja) | プリント回路の製造方法 | |
| JPH09148508A (ja) | 半導体装置用リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
| EP0823719A1 (en) | Molded electronic component having pre-plated lead terminals and manufacturing process thereof | |
| JPH10287994A (ja) | ボンディング部のメッキ構造 | |
| JP2000269398A (ja) | 半導体デバイスのアルミニウム製リードフレームおよび製造方法 | |
| JP2925815B2 (ja) | 半導体チップ実装用リードフレームとその製造方法 | |
| JPH11121673A (ja) | リードフレーム | |
| JP7096955B1 (ja) | Ｎｉ電解めっき皮膜を備えるめっき構造体及び該めっき構造体を含むリードフレーム | |
| JP3701373B2 (ja) | リードフレームとリードフレームの部分貴金属めっき方法、及び該リードフレームを用いた半導体装置 | |
| JPH04255258A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH03237750A (ja) | 半導体集積回路用リードフレーム | |
| JPH07180085A (ja) | 非シアン銀めっき方法及びそれに用いられる非シアン溶液 | |
| JPH0553879B2 (ja) | ||
| JPS6218744A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH09331009A (ja) | リードフレームとリードフレーム部材、およびこれらを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH1084065A (ja) | 電子部品用導電材料 | |
| JPH0395960A (ja) | アウターリードが半田めっきされてなるリードフレームの製造方法 | |
| JPH02281749A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH04174546A (ja) | 銅合金製半導体リードフレームの製造方法 | |
| JPH10284666A (ja) | 電子部品機器 | |
| JPH10284668A (ja) | 半導体装置用リードフレーム及びその表面処理方法並びにこのリードフレームを用いた半導体装置 | |
| JPH05222541A (ja) | 金めっき方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970520 |