JPH10284668A - 半導体装置用リードフレーム及びその表面処理方法並びにこのリードフレームを用いた半導体装置 - Google Patents
半導体装置用リードフレーム及びその表面処理方法並びにこのリードフレームを用いた半導体装置Info
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- JPH10284668A JPH10284668A JP9667797A JP9667797A JPH10284668A JP H10284668 A JPH10284668 A JP H10284668A JP 9667797 A JP9667797 A JP 9667797A JP 9667797 A JP9667797 A JP 9667797A JP H10284668 A JPH10284668 A JP H10284668A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 非銅系の金属基材の表面に、封止樹脂との密
着性が高い銅の黒色酸化膜を形成した半導体装置用のリ
ードフレームを提供する。 【解決手段】 非銅系の金属基材２から成るリードフレ
ーム１の封止樹脂９との接合面に銅メッキ層１０を形成
し、この銅メッキ層１０の表層部に銅の黒色酸化膜１１
を形成した。銅の黒色酸化膜１１は羽毛状の粗面を成す
ため、封止樹脂が膜内に進入して結合が強固になる。黒
色酸化膜１１の下には銅メッキ層１０が残存するので非
銅系の金属基材２との結合も強固である。黒色酸化膜１
１の形成にあたり、有機アルカリの溶液中で、リードフ
レーム１の銅メッキ層１０を陽極酸化させる表面処理方
法を採用する。有機アルカリは金属を含まないので、洗
浄後に黒色酸化膜９の上に金属が残留することがない。
着性が高い銅の黒色酸化膜を形成した半導体装置用のリ
ードフレームを提供する。 【解決手段】 非銅系の金属基材２から成るリードフレ
ーム１の封止樹脂９との接合面に銅メッキ層１０を形成
し、この銅メッキ層１０の表層部に銅の黒色酸化膜１１
を形成した。銅の黒色酸化膜１１は羽毛状の粗面を成す
ため、封止樹脂が膜内に進入して結合が強固になる。黒
色酸化膜１１の下には銅メッキ層１０が残存するので非
銅系の金属基材２との結合も強固である。黒色酸化膜１
１の形成にあたり、有機アルカリの溶液中で、リードフ
レーム１の銅メッキ層１０を陽極酸化させる表面処理方
法を採用する。有機アルカリは金属を含まないので、洗
浄後に黒色酸化膜９の上に金属が残留することがない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】樹脂封止型半導体装置用のリ
ードフレームと、その表面処理方法及びそのリードフレ
ームを用いた半導体装置に関するものである。
ードフレームと、その表面処理方法及びそのリードフレ
ームを用いた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置においては、封止
樹脂とリードフレームとの接合部に吸湿しやすく、リフ
ロー半田付け時に、内部の水分が気化膨張してパッケー
ジにクラックが生じる等の不都合が発生することがあ
る。このため、封止樹脂とリードフレームとの密着性を
向上させるための技術開発が待望されている。
樹脂とリードフレームとの接合部に吸湿しやすく、リフ
ロー半田付け時に、内部の水分が気化膨張してパッケー
ジにクラックが生じる等の不都合が発生することがあ
る。このため、封止樹脂とリードフレームとの密着性を
向上させるための技術開発が待望されている。
【０００３】本出願人は、半導体装置における銅系放熱
板と封止樹脂との密着性を向上させるため、放熱板の表
面に黒色酸化膜を形成することを提案した（特開平７−
６６３２８号公報参照）。
板と封止樹脂との密着性を向上させるため、放熱板の表
面に黒色酸化膜を形成することを提案した（特開平７−
６６３２８号公報参照）。
【０００４】銅系のリードフレームの表面に、同様の黒
色酸化膜を形成することにより、封止樹脂との密着性を
向上させることができることがわかっている。しかしな
がら、鉄−ニッケル合金のような非銅系のリードフレー
ムには、封止樹脂との密着性を改善する酸化膜を形成す
ることができない。黒色酸化膜の形成法として、一般に
用いられる苛性アルカリ溶液中での陽極酸化法を採用す
ると、入念に洗浄した後においても、黒色酸化膜上にア
ルカリ金属残渣が存在し、これが半導体装置の信頼性を
損なう。これは、酸化被膜が微細な羽毛状を呈し、被膜
界面の洗浄性がきわめて悪いことに起因する。
色酸化膜を形成することにより、封止樹脂との密着性を
向上させることができることがわかっている。しかしな
がら、鉄−ニッケル合金のような非銅系のリードフレー
ムには、封止樹脂との密着性を改善する酸化膜を形成す
ることができない。黒色酸化膜の形成法として、一般に
用いられる苛性アルカリ溶液中での陽極酸化法を採用す
ると、入念に洗浄した後においても、黒色酸化膜上にア
ルカリ金属残渣が存在し、これが半導体装置の信頼性を
損なう。これは、酸化被膜が微細な羽毛状を呈し、被膜
界面の洗浄性がきわめて悪いことに起因する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、鉄
−ニッケル合金のような非銅系の金属基材の表面に封止
樹脂との密着性が高い銅の黒色酸化膜を形成したリード
フレームとその表面処理方法及びそのリードフレームを
用いた半導体装置を提供すること、またその黒色酸化膜
のアルカリ金属残渣を半導体装置の信頼性に悪影響を及
ぼすことがない程度に微量なものとするリードフレーム
の表面処理方法を提供することを目的としている。
−ニッケル合金のような非銅系の金属基材の表面に封止
樹脂との密着性が高い銅の黒色酸化膜を形成したリード
フレームとその表面処理方法及びそのリードフレームを
用いた半導体装置を提供すること、またその黒色酸化膜
のアルカリ金属残渣を半導体装置の信頼性に悪影響を及
ぼすことがない程度に微量なものとするリードフレーム
の表面処理方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明においては、上記
課題を解決するため、非銅系の金属基材２から成るリー
ドフレーム１の少なくとも封止樹脂９との接合面の一部
に銅メッキ層１０を形成し、この銅メッキ層１０の表層
部に銅の黒色酸化膜１１を形成した。銅の黒色酸化膜１
１は羽毛状の粗面を成すため、封止樹脂が膜内に進入し
て結合が強固になる。黒色酸化膜１１の下には銅メッキ
層１０が残存するので非銅系の金属基材２との結合も強
固である。また、黒色酸化膜１１の形成に当り、有機ア
ルカリの溶液中で、陽極酸化法により又は酸化剤を添加
して、銅メッキ層１０を酸化させる表面処理方法を採用
した。有機アルカリは金属を含まないので、洗浄後に黒
色酸化膜の上に金属が残留することがない。
課題を解決するため、非銅系の金属基材２から成るリー
ドフレーム１の少なくとも封止樹脂９との接合面の一部
に銅メッキ層１０を形成し、この銅メッキ層１０の表層
部に銅の黒色酸化膜１１を形成した。銅の黒色酸化膜１
１は羽毛状の粗面を成すため、封止樹脂が膜内に進入し
て結合が強固になる。黒色酸化膜１１の下には銅メッキ
層１０が残存するので非銅系の金属基材２との結合も強
固である。また、黒色酸化膜１１の形成に当り、有機ア
ルカリの溶液中で、陽極酸化法により又は酸化剤を添加
して、銅メッキ層１０を酸化させる表面処理方法を採用
した。有機アルカリは金属を含まないので、洗浄後に黒
色酸化膜の上に金属が残留することがない。
【０００７】
【発明の実施の形態】図面を参照して本発明の実施の形
態を説明する。図１はリードフレームの平面図、図２は
図１におけるII−II線による概略的断面図である。
態を説明する。図１はリードフレームの平面図、図２は
図１におけるII−II線による概略的断面図である。
【０００８】図において、リードフレーム１は、鉄−ニ
ッケル合金のような非銅系の金属から成る薄板状の金属
基材２を、例えばプレス成型により打ち抜いて所定のリ
ードパターンを形成したものである。リードフレーム１
は、チップ搭載部３、内部リード部４、外部リード部５
及びワイヤボンディング部６を備えている。チップ搭載
部３の上には、回路チップ７が、半田付け又はエポキシ
系接着剤等により固定して搭載され、回路チップ７上の
端子と内部リード部４の先端のワイヤボンディング部６
との間がワイヤ８で接続される。そして、チップ搭載部
３、内部リード部４が、回路チップ７及びワイヤ８と共
に封止樹脂９で封止され、半導体装置が構成される。
ッケル合金のような非銅系の金属から成る薄板状の金属
基材２を、例えばプレス成型により打ち抜いて所定のリ
ードパターンを形成したものである。リードフレーム１
は、チップ搭載部３、内部リード部４、外部リード部５
及びワイヤボンディング部６を備えている。チップ搭載
部３の上には、回路チップ７が、半田付け又はエポキシ
系接着剤等により固定して搭載され、回路チップ７上の
端子と内部リード部４の先端のワイヤボンディング部６
との間がワイヤ８で接続される。そして、チップ搭載部
３、内部リード部４が、回路チップ７及びワイヤ８と共
に封止樹脂９で封止され、半導体装置が構成される。
【０００９】図１において仮想線で示される封止樹脂９
による矩形の封止領域内に位置するチップ搭載部３、内
部リード部４の表面には銅メッキ層１０が形成されてい
る。封止外郭線の外側の外部リード部５は、金属基材２
が露出している。チップ搭載部３及びワイヤボンディン
グ部６の上面には、銅メッキ層１０に重ねて銀メッキ層
３ａ，６ａが形成されている。
による矩形の封止領域内に位置するチップ搭載部３、内
部リード部４の表面には銅メッキ層１０が形成されてい
る。封止外郭線の外側の外部リード部５は、金属基材２
が露出している。チップ搭載部３及びワイヤボンディン
グ部６の上面には、銅メッキ層１０に重ねて銀メッキ層
３ａ，６ａが形成されている。
【００１０】銀メッキ層３ａ，６ａが形成されていない
部位の銅メッキ層１０の表層部には、黒色酸化膜（Ｃｕ
Ｏ）１１が形成されている。図２に示されるように、黒
色酸化膜１１の下には銅メッキ層１０が残存している。
従って、リードフレーム１の黒色酸化膜１１で被覆され
た部位が封止樹脂９で封止されることになる。黒色酸化
膜１１は、目視によればビロード状で、微視的には羽毛
が密生した状態を成しているため、モールディングの際
に、溶融した封止樹脂９が膜内に進入して強固に喰い付
き強い結合が得られる。
部位の銅メッキ層１０の表層部には、黒色酸化膜（Ｃｕ
Ｏ）１１が形成されている。図２に示されるように、黒
色酸化膜１１の下には銅メッキ層１０が残存している。
従って、リードフレーム１の黒色酸化膜１１で被覆され
た部位が封止樹脂９で封止されることになる。黒色酸化
膜１１は、目視によればビロード状で、微視的には羽毛
が密生した状態を成しているため、モールディングの際
に、溶融した封止樹脂９が膜内に進入して強固に喰い付
き強い結合が得られる。
【００１１】このリードフレーム１は、例えば、まずプ
レス成型した金属基材２の全表面に銅メッキ層１０を形
成し、その上に部分銀メッキ層３ａ，６ａを形成した
後、封止樹脂９による封止領域をマスクし、その外側の
銅メッキ層１０をシアン化ナトリウム溶液中における電
解等の方法で溶解剥離して金属基材２を露出させ、次い
で残る銅メッキ層１０の表層に黒色酸化膜１１を形成す
る方法により製作される。
レス成型した金属基材２の全表面に銅メッキ層１０を形
成し、その上に部分銀メッキ層３ａ，６ａを形成した
後、封止樹脂９による封止領域をマスクし、その外側の
銅メッキ層１０をシアン化ナトリウム溶液中における電
解等の方法で溶解剥離して金属基材２を露出させ、次い
で残る銅メッキ層１０の表層に黒色酸化膜１１を形成す
る方法により製作される。
【００１２】黒色酸化膜１１は、例えばリードフレーム
１を有機アルカリの溶液中で陽極酸化させることにより
形成される。銅メッキ層１０は、封止領域内のみに形成
されており、その内の所要部位には銀メッキ層３ａ，６
ａが形成されているから、黒色酸化膜１１の形成領域
は、封止領域内の非銀メッキ部分に限定される。従っ
て、モールディングによる樹脂バリが封止領域外に発生
しても、そこには黒色酸化膜１１が存在しないので、こ
れを容易に除去することができる。しかして、黒色酸化
膜６の金属残渣は、好ましくは１ng/cm2以下になるよう
調整される。
１を有機アルカリの溶液中で陽極酸化させることにより
形成される。銅メッキ層１０は、封止領域内のみに形成
されており、その内の所要部位には銀メッキ層３ａ，６
ａが形成されているから、黒色酸化膜１１の形成領域
は、封止領域内の非銀メッキ部分に限定される。従っ
て、モールディングによる樹脂バリが封止領域外に発生
しても、そこには黒色酸化膜１１が存在しないので、こ
れを容易に除去することができる。しかして、黒色酸化
膜６の金属残渣は、好ましくは１ng/cm2以下になるよう
調整される。
【００１３】黒色酸化膜１１は、銅メッキ層１０との界
面の近傍でＣｕ2ＯとＣｕＯが混在し、表層はＣｕＯで
ある。黒色酸化膜１１は、銅メッキ層１０の表層部を酸
化して形成されるので、黒色酸化膜１１の層が厚さを増
せば、銅メッキ層１０が相対的に残存厚さを減少させ
る。また酸化過程において銅が一部溶解する現象が生じ
る。黒色酸化膜１１と封止樹脂９との所要の結合強度を
得るためには、黒色酸化膜１１及びその下層の残存銅メ
ッキ層１０の厚さが適正範囲内にある必要があることを
発明者は試験により見出した。即ち、黒色酸化膜１１が
厚過ぎると、黒色酸化膜１１の中間で剥離しやすくな
り、また薄過ぎると封止樹脂９との結合強度が低くなる
傾向がある。黒色酸化膜１１が適正厚さであっても、残
存する銅メッキ層１０がなければ所要の結合強度が得ら
れない。
面の近傍でＣｕ2ＯとＣｕＯが混在し、表層はＣｕＯで
ある。黒色酸化膜１１は、銅メッキ層１０の表層部を酸
化して形成されるので、黒色酸化膜１１の層が厚さを増
せば、銅メッキ層１０が相対的に残存厚さを減少させ
る。また酸化過程において銅が一部溶解する現象が生じ
る。黒色酸化膜１１と封止樹脂９との所要の結合強度を
得るためには、黒色酸化膜１１及びその下層の残存銅メ
ッキ層１０の厚さが適正範囲内にある必要があることを
発明者は試験により見出した。即ち、黒色酸化膜１１が
厚過ぎると、黒色酸化膜１１の中間で剥離しやすくな
り、また薄過ぎると封止樹脂９との結合強度が低くなる
傾向がある。黒色酸化膜１１が適正厚さであっても、残
存する銅メッキ層１０がなければ所要の結合強度が得ら
れない。
【００１４】ニッケルを４２％含有する鉄−ニッケル合
金（一般に「４２合金」と称されて市販されている）製
の金属基材２の表面に銅メッキ層１０を形成し、その表
層に黒色酸化膜１１を形成し、さらにこの黒色酸化膜１
１上に半導体装置用の封止樹脂であるエポキシ樹脂をモ
ールディングして接合した被検体を製作した。黒色酸化
膜１１の厚さの異なる複数の被検体を製作し、夫々につ
き金属基材２と封止樹脂との引き剥がし強度を測定した
結果を表１に示す。なお、黒色酸化膜１１の下層の銅メ
ッキ層１０の残存厚さは平均０.５μmとした。この試験
の結果、黒色酸化膜１１の厚さが０.４〜０.９μmの範
囲で良好な結合強度が得られることがわかった。
金（一般に「４２合金」と称されて市販されている）製
の金属基材２の表面に銅メッキ層１０を形成し、その表
層に黒色酸化膜１１を形成し、さらにこの黒色酸化膜１
１上に半導体装置用の封止樹脂であるエポキシ樹脂をモ
ールディングして接合した被検体を製作した。黒色酸化
膜１１の厚さの異なる複数の被検体を製作し、夫々につ
き金属基材２と封止樹脂との引き剥がし強度を測定した
結果を表１に示す。なお、黒色酸化膜１１の下層の銅メ
ッキ層１０の残存厚さは平均０.５μmとした。この試験
の結果、黒色酸化膜１１の厚さが０.４〜０.９μmの範
囲で良好な結合強度が得られることがわかった。
【表１】
【００１５】黒色酸化膜１１の下層の残存銅メッキ層１
０は、黒色酸化膜１１と非銅系金属基材２とを結合する
介添え役を果たす。試験の結果、残存銅メッキ層１０の
適正厚さは、０.０５μm以上であることがわかった。こ
れ以下であると、黒色酸化膜１１が金属基材２から剥離
しやすく、金属基材２と封止樹脂との安定した結合強度
が得られない。
０は、黒色酸化膜１１と非銅系金属基材２とを結合する
介添え役を果たす。試験の結果、残存銅メッキ層１０の
適正厚さは、０.０５μm以上であることがわかった。こ
れ以下であると、黒色酸化膜１１が金属基材２から剥離
しやすく、金属基材２と封止樹脂との安定した結合強度
が得られない。
【００１６】図３に示すリードフレーム１は、チップ搭
載部３の表面に銅メッキ層１０が形成され、その表面に
は黒色酸化膜１１が形成されており、銅メッキ層１０上
に銀メッキ層３ａは形成されていない。回路チップ７
は、エポキシ系接着剤にてチップ搭載部３の黒色酸化膜
１１上に接着される。
載部３の表面に銅メッキ層１０が形成され、その表面に
は黒色酸化膜１１が形成されており、銅メッキ層１０上
に銀メッキ層３ａは形成されていない。回路チップ７
は、エポキシ系接着剤にてチップ搭載部３の黒色酸化膜
１１上に接着される。
【００１７】図４に示すチップ搭載部を有しないリード
フレーム１においては、内部リード部４の部分のみに黒
色酸化膜１１が形成される。
フレーム１においては、内部リード部４の部分のみに黒
色酸化膜１１が形成される。
【００１８】図５には、有機アルカリ溶液による陽極酸
化方法の概略を示す。容器２１中には、有機アルカリ溶
液２２が満たされ、ヒータ２３により所定の温度に加熱
されている。有機アルカリ溶液２２中には、電極板２４
と、リードフレーム１が設置される。リードフレーム１
には、予め所要部位に銅メッキ、銀メッキが施されてい
る。リードフレーム１と電極板２４との間に所定の直流
電圧が印加される。リードフレーム１側を陽極、電極板
２４側を陰極とする。リードフレーム１には、銀メッキ
部３ａ，６ａ以外の銅メッキ層１０の表層に黒色酸化膜
１１が形成される。印加電圧と、処理時間を調整するこ
とによって、黒色酸化膜１１の厚さを調整する。黒色酸
化膜１１は、銅メッキ層１０の表面に積層するのでな
く、内部に生成する。従って、当初の銅メッキの厚さ
は、所要の黒色酸化膜１１の厚さ及び残存銅メッキ層１
０の厚さを考慮して予め定められる。
化方法の概略を示す。容器２１中には、有機アルカリ溶
液２２が満たされ、ヒータ２３により所定の温度に加熱
されている。有機アルカリ溶液２２中には、電極板２４
と、リードフレーム１が設置される。リードフレーム１
には、予め所要部位に銅メッキ、銀メッキが施されてい
る。リードフレーム１と電極板２４との間に所定の直流
電圧が印加される。リードフレーム１側を陽極、電極板
２４側を陰極とする。リードフレーム１には、銀メッキ
部３ａ，６ａ以外の銅メッキ層１０の表層に黒色酸化膜
１１が形成される。印加電圧と、処理時間を調整するこ
とによって、黒色酸化膜１１の厚さを調整する。黒色酸
化膜１１は、銅メッキ層１０の表面に積層するのでな
く、内部に生成する。従って、当初の銅メッキの厚さ
は、所要の黒色酸化膜１１の厚さ及び残存銅メッキ層１
０の厚さを考慮して予め定められる。
【００１９】有機アルカリとしては、例えば〔（Ｃ
Ｈ3）3Ｎ（ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）〕+ＯＨ-あるいは〔（ＣＨ
3）4Ｎ〕+ＯＨ-を用いることができる。溶液２２の濃度
は、１０％〜１５％程度が適当である。濃度が１０％よ
り低いとリードフレーム１上にＣｕ2Ｏの赤色酸化膜が
生成される。この赤色酸化膜によってはリードフレーム
１と封止樹脂との強固な結合が得られない。また、濃度
が１５％より高いと銀メッキ部分が浸蝕される。有機ア
ルカリは、金属を含有しないから、通常の洗滌の後に黒
色酸化膜１１上に金属が残留することがない。従って、
残留金属が半導体装置の信頼性に影響を及ぼすおそれが
ない。
Ｈ3）3Ｎ（ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）〕+ＯＨ-あるいは〔（ＣＨ
3）4Ｎ〕+ＯＨ-を用いることができる。溶液２２の濃度
は、１０％〜１５％程度が適当である。濃度が１０％よ
り低いとリードフレーム１上にＣｕ2Ｏの赤色酸化膜が
生成される。この赤色酸化膜によってはリードフレーム
１と封止樹脂との強固な結合が得られない。また、濃度
が１５％より高いと銀メッキ部分が浸蝕される。有機ア
ルカリは、金属を含有しないから、通常の洗滌の後に黒
色酸化膜１１上に金属が残留することがない。従って、
残留金属が半導体装置の信頼性に影響を及ぼすおそれが
ない。
【００２０】黒色酸化膜１１の形成方法としては、他に
化学的形成方法がある。即ち、リードフレーム１を、例
えば有機アルカリに亜塩素酸塩などの酸化剤を添加した
水溶液中に浸漬して加熱し、銅メッキ層１０の表面を酸
化させる方法である。
化学的形成方法がある。即ち、リードフレーム１を、例
えば有機アルカリに亜塩素酸塩などの酸化剤を添加した
水溶液中に浸漬して加熱し、銅メッキ層１０の表面を酸
化させる方法である。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、非銅
系の金属基材２から成るリードフレーム１の少なくとも
封止樹脂９との接合面の一部に銅メッキ層１０を形成
し、この銅メッキ層１０の表層部に銅の黒色酸化膜１１
を形成した。このため、非銅系の金属基材２上に、封止
樹脂との喰い付きのよい表面の粗い酸化膜を容易に形成
できる。黒色酸化膜１１は羽毛状を成すため、封止樹脂
が膜内に進入して結合が強固になり、リードフレーム１
と封止樹脂９との間への吸湿が阻止され、リフロー半田
付け時のパッケージのクラックの発生を防止することが
できるという効果を有する。る。
系の金属基材２から成るリードフレーム１の少なくとも
封止樹脂９との接合面の一部に銅メッキ層１０を形成
し、この銅メッキ層１０の表層部に銅の黒色酸化膜１１
を形成した。このため、非銅系の金属基材２上に、封止
樹脂との喰い付きのよい表面の粗い酸化膜を容易に形成
できる。黒色酸化膜１１は羽毛状を成すため、封止樹脂
が膜内に進入して結合が強固になり、リードフレーム１
と封止樹脂９との間への吸湿が阻止され、リフロー半田
付け時のパッケージのクラックの発生を防止することが
できるという効果を有する。る。
【００２２】従って、上記のようなリードフレーム１を
用いた信頼性の高い半導体装置を提供することができる
という効果を有する。
用いた信頼性の高い半導体装置を提供することができる
という効果を有する。
【００２３】また、黒色酸化膜１１の形成に当り、有機
アルカリの溶液中で銅メッキ層１０を酸化させる表面処
理方法を採用した。有機アルカリは金属を含まないの
で、黒色酸化膜１１上にアルカリ金属残渣がほとんどな
く、従って半導体装置の信頼性を損なうおそれもないと
いう効果を有する。
アルカリの溶液中で銅メッキ層１０を酸化させる表面処
理方法を採用した。有機アルカリは金属を含まないの
で、黒色酸化膜１１上にアルカリ金属残渣がほとんどな
く、従って半導体装置の信頼性を損なうおそれもないと
いう効果を有する。
【図１】リードフレームの平面図である。
【図２】図１におけるII−II線による概略的断面図であ
る。
る。
【図３】他の実施形態のリードフレームの概略的断面図
である。
である。
【図４】他の実施形態のリードフレームの概略的断面図
である。
である。
【図５】有機アルカリ溶液による陽極酸化方法の概略を
示す説明図である。
示す説明図である。
１ リードフレーム ２ 金属基材 ３ チップ搭載部 ４ 内部リード部 ５ 外部リード部 ６ ワイヤボンディング部 ７ 回路チップ ８ ワイヤ ９ 封止樹脂 １０ 銅メッキ層 １１ 黒色酸化膜
Claims (10)
- 【請求項１】 非銅系の金属基材から成るリードフレー
ムであって、少なくとも封止樹脂との接合面の一部に銅
メッキ層が形成され、この銅メッキ層の上層部に銅の黒
色酸化膜が形成されていることを特徴とする半導体装置
用リードフレーム。 - 【請求項２】 非銅系の金属基材から成るリードフレー
ムであって、封止樹脂との接合面の少なくとも一部、チ
ップ搭載部、ワイヤボンディング部の表面に銅メッキ層
が形成され、チップ搭載部及びワイヤボンディング部の
銅メッキ層の上に部分銀メッキ層が形成され、それ以外
の銅メッキ層の上層部に銅の黒色酸化膜が形成されてい
ることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項３】 非銅系の金属基材から成るリードフレー
ムであって、封止樹脂との接合面の少なくとも一部、チ
ップ搭載部、ワイヤボンディング部の表面に銅メッキ層
が形成され、ワイヤボンディング部の銅メッキ層の上に
部分銀メッキ層が形成され、それ以外の銅メッキ層の表
層部に銅の黒色酸化膜が形成されていることを特徴とす
る半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項４】 前記黒色酸化膜の厚さが、0.4〜0.9μm
で、この黒色酸化膜の下に残存する銅メッキ層の厚さ
が、0.05μm以上であることを特徴とする請求項１ない
し３の何れかに記載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項５】 非銅系の金属基材の少なくとも封止樹脂
との接合面の一部に銅メッキ層が形成され、この銅メッ
キ層の表層部に銅の黒色酸化膜が形成されているリード
フレームを有する半導体装置。 - 【請求項６】 リードフレームの非銅系の金属基材の全
表面に銅メッキ層を形成する工程と、 この金属基材のワイヤボンディング及び／又はチップ搭
載部の上面に部分銀メッキ層を形成する工程と、 この金属基材の樹脂封止範囲の外側の銅メッキ層を溶解
剥離して、金属基材を露出させる工程と、 この金属基材の前記銅メッキ層を酸化させ、黒色酸化膜
を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置
用リードフレームの表面処理方法。 - 【請求項７】 前記金属基材を濃度１０〜１５％の有機
アルカリの溶液に浸漬して前記銅メッキ層を陽極酸化さ
せ、黒色酸化膜を形成することを特徴とする請求項６に
記載の半導体装置用リードフレームの表面処理方法。 - 【請求項８】 有機アルカリとして、〔（ＣＨ3）3Ｎ
（ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）〕+ＯＨ-を用いることを特徴とする
請求項６又は７に記載の半導体装置用リードフレームの
表面処理方法。 - 【請求項９】 有機アルカリとして、〔（ＣＨ3）4Ｎ〕
+ＯＨ-を用いることを特徴とする請求項６又は７に記載
の半導体装置用リードフレームの表面処理方法。 - 【請求項１０】 前記金属基材を有機アルカリと酸化剤
の溶液に浸漬して前記銅メッキ層を酸化させ、黒色酸化
膜を形成することを特徴とする請求項６に記載の半導体
装置用リードフレームの表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9667797A JPH10284668A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 半導体装置用リードフレーム及びその表面処理方法並びにこのリードフレームを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9667797A JPH10284668A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 半導体装置用リードフレーム及びその表面処理方法並びにこのリードフレームを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284668A true JPH10284668A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=14171439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9667797A Pending JPH10284668A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 半導体装置用リードフレーム及びその表面処理方法並びにこのリードフレームを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10284668A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009010407A (ja) * | 2008-08-19 | 2009-01-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | パッケージ部品及びその製造方法ならびに半導体パッケージ |
| KR101121862B1 (ko) | 2010-09-17 | 2012-03-20 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 |
| JP2020068292A (ja) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | 株式会社三井ハイテック | リードフレーム、及びリードフレームパッケージ |
-
1997
- 1997-03-31 JP JP9667797A patent/JPH10284668A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009010407A (ja) * | 2008-08-19 | 2009-01-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | パッケージ部品及びその製造方法ならびに半導体パッケージ |
| JP4698708B2 (ja) * | 2008-08-19 | 2011-06-08 | 新光電気工業株式会社 | パッケージ部品及び半導体パッケージ |
| KR101121862B1 (ko) | 2010-09-17 | 2012-03-20 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 |
| JP2020068292A (ja) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | 株式会社三井ハイテック | リードフレーム、及びリードフレームパッケージ |
| CN111092065A (zh) * | 2018-10-24 | 2020-05-01 | 株式会社三井高科技 | 引线框架及引线框架封装体 |
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