JPS6274077A - Ｃｖｄ装置用サセプタ− - Google Patents

Ｃｖｄ装置用サセプタ−

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JPS6274077A
JPS6274077A JP21540185A JP21540185A JPS6274077A JP S6274077 A JPS6274077 A JP S6274077A JP 21540185 A JP21540185 A JP 21540185A JP 21540185 A JP21540185 A JP 21540185A JP S6274077 A JPS6274077 A JP S6274077A
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JP
Japan
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susceptor
cvd
hydrofluoric acid
cvd treatment
cvd device
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JP21540185A
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JPH0521985B2 (ja
Inventor
Tomoyuki Katsumata
勝亦　朋之
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Publication of JPS6274077A publication Critical patent/JPS6274077A/ja
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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技１・１：ｊ杏野１ 本発明は耐食性の向上したＣＶＤ装置用サセプターに関
する。
［発明の技術的昔日とその問題点コ ＣＶＤ技術は電子工学、特に半導体製造技術の分野で広
く用いられている有用な技術である。その一つとしてシ
リコンウェハー表面に酸化膜をＣＶＤによって作成する
ことが行なわれているが、この場合、ザヒプターとして
は従来よりアルミニウム板″ｈく用いられてきた。この
アルミニウム仮には、ＣＶＤ工程後、化合物膜か被着す
るので、何度か使用した後には、４０％フッ化水素酸で
洗浄してこの被着物を除去する必要かある。
しかしながら、アルミニウムはフッ化水素酸によって浸
食されやすく、そのため長期間の使用番こより、フッ化
水素酸での洗浄を繰り返し行なっでいるうちにアルミニ
ウム板表面の１ｇ食が進行して使用できなくなるという
欠点があった。
またアルミニ「クムは熱膨張係数が２６４．９ｘ　１０
−７／℃と大きいたＪＣＶＤｉ稈テ４５０〜５００’Ｃ
）ｇ温ドにおくと、変形を生じてシリ」ンウ■バーを平
坦におくことか周知となり、酸化膜の均一性か損われる
という問題しあった。
［発明の目的］ 本発明化はＮｉ−Ｃｒ−「ｅ合金が一ノッ化水素酸に対
して腐食されにくく、かつ熱膨張係数がアルミニウムの
約１／′２と小さいためＣＶＤＩ置用ナセプターどして
最適の材料であることを児出しｌこ。
本発明はこのような知見にもとづいてなされたもので、
腐食されにくく、かつ表面状態の良好なＣＶＤ装置用（
ナセプターを提供することを目的とする。
［発明の概要］ すなわち本発明のＣＶＤ装置用り゛廿ブターは、Ｎ　ｉ
　−ＣＩ”−Ｆｅ合金で形成されてなることを特徴とす
る。
本発明にあけるＮｉ−Ｃｒ−４’ｅ合金としては、Ｎｉ
、Ｃｒ、ＦｅのほかＣ，Ｐ、Ｓ、ＭｎＸ５　ｉ、Ａλ等
の一種または二種以−りを微鼠含んでいてもよい。また
Ｃｒ【よ仝成分中１４〜１７ｗ　ｔ％を占めるのが好ま
しい。１４ｗｔ％に満だない場合には、酸によって腐食
されやすくなり、１７ｗ↑％を越えると加工１（１か悪
くなる場合かあると共）、＝〕スｌ−か高くなる。好ま
しい合金として］よ、たとえばＣｒ１６Ｗ　’ｔ　’：
’（Ｉ　　Ｆ　ｅ　７ｖｖ　１−％−Ｍ［］０．７ｗｔ
％−３ｉ０．３５ｗｔ％−残部Ｎｉ（インコネル６００
）があげられる。
またＣＶＤ’Ｒ置用り装ゾタ−（こｆｉいではシリコン
ウェハーの−りわりをよく１−るために金属表面を一定
の粗さにして４′３りことか必要であり、このため通常
はり−・）ＴＡスグラインダーカロエによって表面処理
を行なっている。しかし本発明の材料はアルミニウムと
異なり、残留ひずみか大きいので、加工熱の比較的大き
な１ノーフトイスグラインダー加工を行なうと加工中に
変形を牛じやすい。従って本発明によるＣＶＤ装置装置
用レーレブタ−面処理はシ」ツｌヘボーニング加工を行
な゛うことか好ましい。
［発明の実施例］ 次ｉ、：：＊発明を実施例によって説明する。
実施例 次表に示１−組成を有する金属材Ｔ」を成形７Ｊ［］工
し７て月差２８０１１ＴｌｌＸ横２８０＋ｎｍＸ厚ざ５
顛のＣＶＤ装置用リレブタ−を作成した。
次いてｉｊルプター表面に砂粒またはカラスピースをノ
ズルを通して吹き付けるショッ１〜ホーニング加工をｉ
ｊなって表面処理した。
１７られたＣＶＤ装置用号はブタ−はフッ化水素酸で処
理した時の耐食性が従来のものに比べて極めて優れてい
た。またシリコンウェハーを載置した時の安定度も良好
で、かつＣＶＤｆｆ１理後の表面形状も反りかほとんど
認められなかった。一方、表面処理として＋↓−フエイ
スグランイダー加工を行なったものとショットホーニン
グｈ０工を行なったものを比較すると、ショットホーニ
ング加工を行なったものの方か加工時の反りが小さく加
工時間し短かった。またシリコンウェハーの安定面しよ
り良好なしのか得られた。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によるＣＶＤ’Ｈ置用サ装プ
ターは耐食性の大きな材料で形成され−Ｃいるので、フ
ッ化水素酸による洗浄＋：操り返し行なっても腐食され
にくい。また熱膨張率か小さいので、ＣＶＤ処理時の熱
によつ−Ｃ反りを生じることもない。
ざらにショッ１〜ホーニング１ノ［１工で表面処理を行
なうことにＪ、つ−℃ウェハーの安定度か良好で反りの
ないＣＶＤ装置用＋Ｊ−ピプターか）、０い加「時間で
得られるので（［し１スト化を実現でさる。
出願人　　　　　株式会社　東芝 代理人弁理士　　須　山　（７ｉ− 手　　続　　補　　正　　占 昭和　６算　１２月１０　日 ２、発明の名称 ＣＶＤ装置用サセプター ３、補正をする茜 事件との関係・特許出願人 神奈川す１Ｎ川崎市全区堀川町７２番地（３０７）株式
会社　東芝 ４、　代　　理　　人　　　　　〒　１０１東京都千代
田区神田多町２丁目１番地 °＼ ６、補正の対ｇＡ！− 明ＩＩ書第５頁の表を次の通り訂正する。
以　　−１

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ合金で形成されてなることを特
    徴とするＣＶＤ装置用サセプター。
  2. （２）Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ合金はＣｒを１４〜２０ｗｔ％
    含むものである特許請求の範囲第１項記載のＣＶＤ装置
    用サセプター。
  3. （３）Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ合金はＣｒ１４〜２０ｗｔ％−
    Ｆｅ６〜１０ｗｔ％−Ｍｎ１．０ｗｔ％以下−Ｓｉ０．
    ５０ｗｔ％以下−残部Ｎｉである特許請求の範囲第２項
    記載のＣＶＤ装置用サセプター。
  4. （４）表面処理がシヨットホーニング加工によって行な
    われる特許請求の範囲第１項記載のＣＶＤ装置用サセプ
    ター。
JP21540185A 1985-09-28 1985-09-28 Ｃｖｄ装置用サセプタ− Granted JPS6274077A (ja)

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JPS6274077A true JPS6274077A (ja) 1987-04-04
JPH0521985B2 JPH0521985B2 (ja) 1993-03-26

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH02265607A (ja) * 1989-04-04 1990-10-30 I I C:Kk 浄水器

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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