JPH0521985B2 - - Google Patents
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- JPH0521985B2 JPH0521985B2 JP60215401A JP21540185A JPH0521985B2 JP H0521985 B2 JPH0521985 B2 JP H0521985B2 JP 60215401 A JP60215401 A JP 60215401A JP 21540185 A JP21540185 A JP 21540185A JP H0521985 B2 JPH0521985 B2 JP H0521985B2
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- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 208000037998 chronic venous disease Diseases 0.000 description 17
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910001055 inconels 600 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
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Description
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は耐食性の向上したCVD装置用サセプ
ターに関する。 （従来の技術） CVD技術は、電子工学、特に半導体製造技術
の分野で広く用いられている有用な技術である。
その一つとしてシリコンウエハー表面に酸化膜を
CVDによつて作成することが行なわれているが、
この場合、サセプターとしては従来よりアルミニ
ウム板が用いられてきた。このアルミニウム板に
は、CVD工程後、化合物膜が被着するので、何
度か使用した後には、40％フツ化水素酸で洗浄し
てこの被着物を除去する必要がある。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、このようにアルミニウム板を40
％フツ化水素酸で洗浄する方法では、アルミニウ
ムがフツ化水素酸によつて浸食されやすいため、
長期間の使用により、フツ化水素酸での洗浄を繰
り返し行なつているうちにアルミニウム板表面の
腐食が進行して使用できなくなるという欠点があ
つた。またアルミニウムは熱膨脹係数が264.9×
10-7／℃と大きいためCVD工程で450〜500℃の
高温下におくと、変形を生じてシリコンウエハー
を平坦におくことが困難となり、酸化膜の均一性
が損われるという問題もあつた。 本発明者はこのような従来の難点を解消すべく
研究をすすめたところ、特定の組成のNi−Cr−
Fe合金がフツ化水素酸に対して腐食されにくく、
しかも熱膨脹係数がアルミニウムの約1/2と小さ
くCVD装置用サセプターとして最適の材料であ
ることを見出した。 本発明はこのような知見にもとづいてなされた
もので、腐食されにくく、かつ表面状態の良好な
CVD装置用サセプターを提供することを目的と
する。 （発明が解決しようとする問題点） すなわち本発明のCVD装置用サセプターは、
Cr14〜20wt％、Fe6〜10wt％、残部Niおよび不
純物（Mn 1.0wt％以下、Si 0.50wt％以下を含有
する場合を含む）からなる合金で形成され、シヨ
ツトホーニング加工されたことを特徴としてい
る。 本発明において、CrおよびFeの量を上記のよ
うに限定したのは次の理由による。 すなわち、Crが14wt％に満たない場合には、
酸によつて腐食されやすくなり、20wt％を越え
ると加工性が悪くなる場合があると共にコストが
高くなる。また、Feが6wt％に満たない場合に
は、延性が悪くなり、10wt％を越えると耐食性
が悪くなる。 本発明における上記合金は、Ni、Cr、Feの他
にMn、Si、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Al等の一種または二種
以上を微量含んでいてもよい。好ましい合金とし
ては、たとえばCr16wt％−Fe7wt％−Mn0.7wt
％−Si0.35wt％−残部Ni（インコネル600）があ
げられる。 またCVD装置用サセプターにおいてはシリコ
ンウエハーのすわりをよくするために金属表面を
一定の粗さにしておくことが必要であり、このた
め通常はサーフエイスグラインダー加工によつて
表面処理を行なつている。しかし本発明の材料は
アルミニウムと異なり、残留ひずみが大きいの
で、加工熱の比較的大きなサーフエイスグライダ
ー加工を行なうと加工中に変形を生じやすい。従
つて本発明によるCVD装置用サセプターの表面
処理はシヨツトホーニング加工を行なうことが好
ましい。 ［発明の実施例］ 次に本発明を実施例によつて説明する。 実施例 次表に示す組成を有する金属材料を成形加工し
て縦280mm×横280mm×厚さ５mmのCVD装置用サ
セプターを作成した。
ターに関する。 （従来の技術） CVD技術は、電子工学、特に半導体製造技術
の分野で広く用いられている有用な技術である。
その一つとしてシリコンウエハー表面に酸化膜を
CVDによつて作成することが行なわれているが、
この場合、サセプターとしては従来よりアルミニ
ウム板が用いられてきた。このアルミニウム板に
は、CVD工程後、化合物膜が被着するので、何
度か使用した後には、40％フツ化水素酸で洗浄し
てこの被着物を除去する必要がある。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、このようにアルミニウム板を40
％フツ化水素酸で洗浄する方法では、アルミニウ
ムがフツ化水素酸によつて浸食されやすいため、
長期間の使用により、フツ化水素酸での洗浄を繰
り返し行なつているうちにアルミニウム板表面の
腐食が進行して使用できなくなるという欠点があ
つた。またアルミニウムは熱膨脹係数が264.9×
10-7／℃と大きいためCVD工程で450〜500℃の
高温下におくと、変形を生じてシリコンウエハー
を平坦におくことが困難となり、酸化膜の均一性
が損われるという問題もあつた。 本発明者はこのような従来の難点を解消すべく
研究をすすめたところ、特定の組成のNi−Cr−
Fe合金がフツ化水素酸に対して腐食されにくく、
しかも熱膨脹係数がアルミニウムの約1/2と小さ
くCVD装置用サセプターとして最適の材料であ
ることを見出した。 本発明はこのような知見にもとづいてなされた
もので、腐食されにくく、かつ表面状態の良好な
CVD装置用サセプターを提供することを目的と
する。 （発明が解決しようとする問題点） すなわち本発明のCVD装置用サセプターは、
Cr14〜20wt％、Fe6〜10wt％、残部Niおよび不
純物（Mn 1.0wt％以下、Si 0.50wt％以下を含有
する場合を含む）からなる合金で形成され、シヨ
ツトホーニング加工されたことを特徴としてい
る。 本発明において、CrおよびFeの量を上記のよ
うに限定したのは次の理由による。 すなわち、Crが14wt％に満たない場合には、
酸によつて腐食されやすくなり、20wt％を越え
ると加工性が悪くなる場合があると共にコストが
高くなる。また、Feが6wt％に満たない場合に
は、延性が悪くなり、10wt％を越えると耐食性
が悪くなる。 本発明における上記合金は、Ni、Cr、Feの他
にMn、Si、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Al等の一種または二種
以上を微量含んでいてもよい。好ましい合金とし
ては、たとえばCr16wt％−Fe7wt％−Mn0.7wt
％−Si0.35wt％−残部Ni（インコネル600）があ
げられる。 またCVD装置用サセプターにおいてはシリコ
ンウエハーのすわりをよくするために金属表面を
一定の粗さにしておくことが必要であり、このた
め通常はサーフエイスグラインダー加工によつて
表面処理を行なつている。しかし本発明の材料は
アルミニウムと異なり、残留ひずみが大きいの
で、加工熱の比較的大きなサーフエイスグライダ
ー加工を行なうと加工中に変形を生じやすい。従
つて本発明によるCVD装置用サセプターの表面
処理はシヨツトホーニング加工を行なうことが好
ましい。 ［発明の実施例］ 次に本発明を実施例によつて説明する。 実施例 次表に示す組成を有する金属材料を成形加工し
て縦280mm×横280mm×厚さ５mmのCVD装置用サ
セプターを作成した。
【表】
【表】
次いでサセプター表面に砂粒またはガラスビー
ズをノズルを通して吹き付けるシヨツトホーニン
グ加工を行なつて表面処理した。 得られたCVD装置用サセプターはフツ化水素
酸で処理した時の耐食性が従来のものに比べて極
めて優れており、200回処理しても腐蝕は全く認
められなかつた。またシリコンウエハーを載置し
た時の安定度も良好で、かつCVD処理後の表面
形状も反りがほとんど認められなかつた。一方、
表面処理としてサーフエイスグランイダー加工を
行なつたものとシヨツトホーニング加工を行なつ
たものを比較すると、シヨツトホーニング加工を
行なつたものの方が加工時の反りが小さく加工時
間も短かつた。またシリコンウエハーの安定度も
より良好なものが得られた。 これに対して従来のアルミニウムからなる
CVD装置用サセプターの場合には、フツ化水素
酸で処理した時の耐食性に乏しく20回の処理で腐
蝕が著しいため使用不能となつた。 ［発明の効果］ 以上説明したように本発明によるCVD装置用
サセプターは耐食性の大きな材料で形成されてい
るので、フツ化水素酸による洗浄を繰り返し行な
つても腐食されにくい。また熱膨脹率が小さいの
で、CVD処理時の熱によつて反りを生じること
もない。 さらにシヨツトホーニング加工で表面処理を行
なうことによつてウエハーの安定度が良好で反り
のないCVD装置用サセプターが短い加工時間で
得られるので低コスト化を実現できる。
ズをノズルを通して吹き付けるシヨツトホーニン
グ加工を行なつて表面処理した。 得られたCVD装置用サセプターはフツ化水素
酸で処理した時の耐食性が従来のものに比べて極
めて優れており、200回処理しても腐蝕は全く認
められなかつた。またシリコンウエハーを載置し
た時の安定度も良好で、かつCVD処理後の表面
形状も反りがほとんど認められなかつた。一方、
表面処理としてサーフエイスグランイダー加工を
行なつたものとシヨツトホーニング加工を行なつ
たものを比較すると、シヨツトホーニング加工を
行なつたものの方が加工時の反りが小さく加工時
間も短かつた。またシリコンウエハーの安定度も
より良好なものが得られた。 これに対して従来のアルミニウムからなる
CVD装置用サセプターの場合には、フツ化水素
酸で処理した時の耐食性に乏しく20回の処理で腐
蝕が著しいため使用不能となつた。 ［発明の効果］ 以上説明したように本発明によるCVD装置用
サセプターは耐食性の大きな材料で形成されてい
るので、フツ化水素酸による洗浄を繰り返し行な
つても腐食されにくい。また熱膨脹率が小さいの
で、CVD処理時の熱によつて反りを生じること
もない。 さらにシヨツトホーニング加工で表面処理を行
なうことによつてウエハーの安定度が良好で反り
のないCVD装置用サセプターが短い加工時間で
得られるので低コスト化を実現できる。
Claims (1)
- １ Cr14〜20wt％、Fe6〜10wt％、残部Niおよ
び不純物（Mn1wt％以下、Si0.5wt％以下を含有
する場合を含む）からなる合金で形成されてな
り、シヨツトホーニング加工されてなることを特
徴とするCVD装置用サセプター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21540185A JPS6274077A (ja) | 1985-09-28 | 1985-09-28 | Ｃｖｄ装置用サセプタ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21540185A JPS6274077A (ja) | 1985-09-28 | 1985-09-28 | Ｃｖｄ装置用サセプタ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6274077A JPS6274077A (ja) | 1987-04-04 |
| JPH0521985B2 true JPH0521985B2 (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16671714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21540185A Granted JPS6274077A (ja) | 1985-09-28 | 1985-09-28 | Ｃｖｄ装置用サセプタ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6274077A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9776067B2 (en) | 1999-04-01 | 2017-10-03 | Heeling Sports Limited | Heeling apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2805709B2 (ja) * | 1989-04-04 | 1998-09-30 | 株式会社アイアイシー | 浄水器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4884029A (ja) * | 1972-02-12 | 1973-11-08 | ||
| JPS54162617A (en) * | 1978-06-14 | 1979-12-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Ni base alloy |
| JPS54162619A (en) * | 1978-06-14 | 1979-12-24 | Showa Denko Kk | Manufacture of lead-calcium alloy |
| JPS55152156A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-27 | Toshiba Corp | Low expansion alloy |
| JPS5959861A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-05 | Toshiba Corp | 管内部品 |
-
1985
- 1985-09-28 JP JP21540185A patent/JPS6274077A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4884029A (ja) * | 1972-02-12 | 1973-11-08 | ||
| JPS54162617A (en) * | 1978-06-14 | 1979-12-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Ni base alloy |
| JPS54162619A (en) * | 1978-06-14 | 1979-12-24 | Showa Denko Kk | Manufacture of lead-calcium alloy |
| JPS55152156A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-27 | Toshiba Corp | Low expansion alloy |
| JPS5959861A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-05 | Toshiba Corp | 管内部品 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9776067B2 (en) | 1999-04-01 | 2017-10-03 | Heeling Sports Limited | Heeling apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6274077A (ja) | 1987-04-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |