JPH02148790A - 電気回路用基板およびその製造方法 - Google Patents
電気回路用基板およびその製造方法Info
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- JPH02148790A JPH02148790A JP63299726A JP29972688A JPH02148790A JP H02148790 A JPH02148790 A JP H02148790A JP 63299726 A JP63299726 A JP 63299726A JP 29972688 A JP29972688 A JP 29972688A JP H02148790 A JPH02148790 A JP H02148790A
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- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
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Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はベース金属に直接セラミックの絶縁層を形成し
てなる放熱特性に優れた電気回路用基板およびその製造
方法に関するものである。
てなる放熱特性に優れた電気回路用基板およびその製造
方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、ハイブリッドＩＣ用の基板としてアルミナ基板が
知られている。しかしながら、近年高集積化、ハイパワ
ー化したハイブリッドＩＣ用の基板として、従来のアル
ミナ基板よりも熱伝導特性の良好なものが望まれている
。
知られている。しかしながら、近年高集積化、ハイパワ
ー化したハイブリッドＩＣ用の基板として、従来のアル
ミナ基板よりも熱伝導特性の良好なものが望まれている
。
その−例として、第３図にその断面を示すように、銅等
のベース金属１１上にアルミナ等のセラミック材料をプ
ラズマ溶射してセラミック絶縁層１２を形成した溶射基
板が知られている。
のベース金属１１上にアルミナ等のセラミック材料をプ
ラズマ溶射してセラミック絶縁層１２を形成した溶射基
板が知られている。
（発明が解決しようとする課Ｂ）
第３図に示す構造の溶射基板は、熱伝導特性および耐熱
性が良好であり、大型化や加工が容易となる利点はある
ものの、ベース金属１１とセラミック絶縁層１２とが強
固な結合をしていないため、密着強度が充分に得られな
い問題があった。特に、ハイブリッドＩＣを使用する際
顕著である基板に対して高温と低温の操り返し条件が与
えられるヒ−トサイクルにより、ベース金属１１とセラ
ミック絶縁層１２とがはく離しやすくなる問題があった
。
性が良好であり、大型化や加工が容易となる利点はある
ものの、ベース金属１１とセラミック絶縁層１２とが強
固な結合をしていないため、密着強度が充分に得られな
い問題があった。特に、ハイブリッドＩＣを使用する際
顕著である基板に対して高温と低温の操り返し条件が与
えられるヒ−トサイクルにより、ベース金属１１とセラ
ミック絶縁層１２とがはく離しやすくなる問題があった
。
本発明の目的は上述した課題を解消して、ベース金属と
絶縁層であるアルミナコーティング層とが強固に密着し
て熱的なヒートサイクルでも境界面がはく離しない放熱
特性に優れた電気回路用基板およびその製造方法を提供
しようとするものである。
絶縁層であるアルミナコーティング層とが強固に密着し
て熱的なヒートサイクルでも境界面がはく離しない放熱
特性に優れた電気回路用基板およびその製造方法を提供
しようとするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明の電気回路用基板は、少なくともＡｌ１を０．２
〜１２．０重量％、Ｂｅを０．０１〜２．０重世％含有
した銅合金を熱処理することによりその表面に生成した
アルミナウィスカー層と、このアルミナウィスカー層の
上に形成したアルミナコーティング層とからなることを
特徴とするものである。
〜１２．０重量％、Ｂｅを０．０１〜２．０重世％含有
した銅合金を熱処理することによりその表面に生成した
アルミナウィスカー層と、このアルミナウィスカー層の
上に形成したアルミナコーティング層とからなることを
特徴とするものである。
また、本発明の電気回路用基板の製造方法は、少なくと
も＾ｌを０．２〜１２．０重量％、Ｂｅを０．０１〜２
．０重量％含有した銅合金より成る基板を５００〜９０
０℃で１０分間以上熱処理することにより基板表面にア
ルミナウィスカー層を生成させ、そのアルミナウィスカ
ー層上にアルミナを５０μｍ以上被覆することを特徴と
するものである。
も＾ｌを０．２〜１２．０重量％、Ｂｅを０．０１〜２
．０重量％含有した銅合金より成る基板を５００〜９０
０℃で１０分間以上熱処理することにより基板表面にア
ルミナウィスカー層を生成させ、そのアルミナウィスカ
ー層上にアルミナを５０μｍ以上被覆することを特徴と
するものである。
（作用）
上述した構成において、少なくとも所定量のＪｌｊ！、
Ｂｅを含む銅合金を熱処理好ましくは５００〜９００℃
で１０分間以上の熱処理をすることにより、銅合金基板
の表面にアルミナウィスカー層を生成させ、その上に例
えばアルミナのプラズマ溶射により好ましくは５０μｍ
以上のアルミナコーティング層を設けている。そのため
、第１図（ａ） 、 （ｂ）に断面図およびそのＡ部の
拡大図を示すように、基板表面に生成したアルミナウィ
スカー層３がくさびの役目をして、銅合金からなるベー
ス金属１と絶縁体であるアルミナコーティング層２との
間で強固な密着を達成することができ、熱的なヒートサ
イクルを受けても境界面がはく離しない。なお、プラズ
マ溶射によるアルミナコーティング層の表面上に、ゾル
ゲル法によるアルミナコーティングを行えば、被覆層の
表面の平滑性がさらによくなり、耐電圧により優れた電
気回路用基板を得ることができる。
Ｂｅを含む銅合金を熱処理好ましくは５００〜９００℃
で１０分間以上の熱処理をすることにより、銅合金基板
の表面にアルミナウィスカー層を生成させ、その上に例
えばアルミナのプラズマ溶射により好ましくは５０μｍ
以上のアルミナコーティング層を設けている。そのため
、第１図（ａ） 、 （ｂ）に断面図およびそのＡ部の
拡大図を示すように、基板表面に生成したアルミナウィ
スカー層３がくさびの役目をして、銅合金からなるベー
ス金属１と絶縁体であるアルミナコーティング層２との
間で強固な密着を達成することができ、熱的なヒートサ
イクルを受けても境界面がはく離しない。なお、プラズ
マ溶射によるアルミナコーティング層の表面上に、ゾル
ゲル法によるアルミナコーティングを行えば、被覆層の
表面の平滑性がさらによくなり、耐電圧により優れた電
気回路用基板を得ることができる。
なお、本発明において、銅合金中に含まれるＡｆｆの含
有量を０．２〜１２．０重量％と限定する理由は、０．
２重量％未満であると熱処理で充分なアルミナウィスカ
ーが生成できないとともに、１２．０重量％を超えると
合金材の加工性が極端に悪化するためである。Ｂｅの含
有量を０，０１〜２．０重世％と限定する理由は、０．
０１重量％未満では合金材の強度が低くなるとともに、
２．０重量％を超えると合金材の加工性が悪化するため
である。
有量を０．２〜１２．０重量％と限定する理由は、０．
２重量％未満であると熱処理で充分なアルミナウィスカ
ーが生成できないとともに、１２．０重量％を超えると
合金材の加工性が極端に悪化するためである。Ｂｅの含
有量を０，０１〜２．０重世％と限定する理由は、０．
０１重量％未満では合金材の強度が低くなるとともに、
２．０重量％を超えると合金材の加工性が悪化するため
である。
また、ベース金属を形成する銅合金中に必要に応じてＺ
ｎＯ〜１０．０重量％、Ｃｏｏ〜２．０重量％添加する
ことが可能である。Ｚｎの添加は合金材の強度を向上さ
せるが１０重量％を超えると合金材の加工性が悪化する
とともに、Ｃｏの添加は合金材の強度を向上させるが２
重量％を超えると加工性が悪くなる。
ｎＯ〜１０．０重量％、Ｃｏｏ〜２．０重量％添加する
ことが可能である。Ｚｎの添加は合金材の強度を向上さ
せるが１０重量％を超えると合金材の加工性が悪化する
とともに、Ｃｏの添加は合金材の強度を向上させるが２
重量％を超えると加工性が悪くなる。
熱処理条件は銅合金基板表面上にアルミナウィスカーが
生成する５００〜９００℃で１０分間以上の条件が好ま
しい。この条件において、５００ ’ＣＩＯ分間未満で
はアルミナウィスカーを生成しないとともに、９００℃
以上ではアルミナウィスカーの生成が急激なため基材と
アルミナウィスカーとが充分に密着しない。
生成する５００〜９００℃で１０分間以上の条件が好ま
しい。この条件において、５００ ’ＣＩＯ分間未満で
はアルミナウィスカーを生成しないとともに、９００℃
以上ではアルミナウィスカーの生成が急激なため基材と
アルミナウィスカーとが充分に密着しない。
プラズマ溶射等により形成するアルミナコーティング層
の厚さは５０μｍ未満では充分な絶縁性能を得られない
おそれがあるため、５０μｍ以上であると好ましい。ま
た、このアルミナコーティング層をプラズマ溶射により
形成した場合は表面が粗くなるため、必要に応じてアル
ミナのゾルゲル法によるコート層をその上に形成すると
、さらに絶縁性能を良好にすることができる。
の厚さは５０μｍ未満では充分な絶縁性能を得られない
おそれがあるため、５０μｍ以上であると好ましい。ま
た、このアルミナコーティング層をプラズマ溶射により
形成した場合は表面が粗くなるため、必要に応じてアル
ミナのゾルゲル法によるコート層をその上に形成すると
、さらに絶縁性能を良好にすることができる。
（実施例）
以下、実際の例について説明する。
１施±
まず、基体となる金属として、真空溶解炉中にて第１表
に示す所定の組成に調合した銅合金を溶解しインゴット
を作った。得られたインゴットを熱間圧延加工後冷間圧
延加工と焼鈍を繰り返すことにより約５０Ｘ５０Ｘ２Ｍ
の板を作製して試験用基材とした。
に示す所定の組成に調合した銅合金を溶解しインゴット
を作った。得られたインゴットを熱間圧延加工後冷間圧
延加工と焼鈍を繰り返すことにより約５０Ｘ５０Ｘ２Ｍ
の板を作製して試験用基材とした。
得られた試験用基材に対し５００ ”Ｃ１３０分間の熱
処理を行ない表面にアルミナウィスカーを生成させた後
、プラズマ溶射法により約１００μｍのアルミナコーテ
ィングを行ない基板とした。
処理を行ない表面にアルミナウィスカーを生成させた後
、プラズマ溶射法により約１００μｍのアルミナコーテ
ィングを行ない基板とした。
特性を評価するため、５００℃の電気炉中に自動で基板
を出し入れする装置を使用して、得られた基板に対して
ヒートサイクル試験を行なった。ヒートサイクル試験の
条件は５００℃５１５分間と室温１５分間との１０００
サイクルとし、試験後の試験体の表面状態を観察した。
を出し入れする装置を使用して、得られた基板に対して
ヒートサイクル試験を行なった。ヒートサイクル試験の
条件は５００℃５１５分間と室温１５分間との１０００
サイクルとし、試験後の試験体の表面状態を観察した。
また、圧延加工時の割れの有・無も加工中に観察した。
結果を第１表に示す。
第１表の結果から、銅合金中に八２を０．２重量％以上
含有しないと、充分な密着性が得られないとともに、Ａ
ｆｆを１２．０重量％、Ｂｅを２．０重量％よりも多く
含有すると、圧延加工時に割れが発生し製品化が難しい
ことがわかった。また、ｌおよびＢｅの含有率が本発明
の範囲内であれば、Ｚｎ、Ｃ。
含有しないと、充分な密着性が得られないとともに、Ａ
ｆｆを１２．０重量％、Ｂｅを２．０重量％よりも多く
含有すると、圧延加工時に割れが発生し製品化が難しい
ことがわかった。また、ｌおよびＢｅの含有率が本発明
の範囲内であれば、Ｚｎ、Ｃ。
を含有しても良好な特性の基板を得ることができること
もわかった。
もわかった。
次に、熱処理条件の影響を調べるため、Ａｊ２２．０重
量％、Ｂｅ１．０重量％、残部銅からなる基材に対して
第２表に示す熱処理条件で熱処理を実施してアルミナウ
ィスカーを生成させた後、プラズマ溶射法により１００
μｍのアルミナコーティングを行ない基板を作製し、
この基板に対して前記と同様のヒートサイクル試験を実
施した。結果を第２表に示す。
量％、Ｂｅ１．０重量％、残部銅からなる基材に対して
第２表に示す熱処理条件で熱処理を実施してアルミナウ
ィスカーを生成させた後、プラズマ溶射法により１００
μｍのアルミナコーティングを行ない基板を作製し、
この基板に対して前記と同様のヒートサイクル試験を実
施した。結果を第２表に示す。
第２表の結果から、熱処理温度は４００ ’Ｃ以下では
充分なアルミナウィスカーが生成せずヒートサイクル試
験ではく離してしまうとともに、９００℃を超えるとア
ルミナウィスカーの生長が大き過ぎては（離してしまう
ことがわかった。また、熱処理時間が１０分未満では充
分なアルミナウィスカーの生成ができず、はく離が生じ
ることもわかった。
充分なアルミナウィスカーが生成せずヒートサイクル試
験ではく離してしまうとともに、９００℃を超えるとア
ルミナウィスカーの生長が大き過ぎては（離してしまう
ことがわかった。また、熱処理時間が１０分未満では充
分なアルミナウィスカーの生成ができず、はく離が生じ
ることもわかった。
次に、アルミナコーティング層の厚さと耐電圧との関係
を調べるため、ＡＬ！、０重量％、Ｂｅ１．０重量％、
残部銅からなる銅合金基材に対し５００℃１３０分間の
熱処理を行ない表面にアルミナウィスカーを生成させた
後、プラズマ溶射法によりアルミナコーチイブ層の厚さ
を変えて基板を作製し、得られた基板に対して耐電圧を
測定した。同時に、各基板のアルミナコーチイブ層上に
、ゾルゲル法によるアルミナコーティング層を設けた基
板についても、同様に耐電圧を測定した。結果を第２図
に示す。
を調べるため、ＡＬ！、０重量％、Ｂｅ１．０重量％、
残部銅からなる銅合金基材に対し５００℃１３０分間の
熱処理を行ない表面にアルミナウィスカーを生成させた
後、プラズマ溶射法によりアルミナコーチイブ層の厚さ
を変えて基板を作製し、得られた基板に対して耐電圧を
測定した。同時に、各基板のアルミナコーチイブ層上に
、ゾルゲル法によるアルミナコーティング層を設けた基
板についても、同様に耐電圧を測定した。結果を第２図
に示す。
第２図の結果から、アルミナコーティング層の厚さは耐
電圧と比例関係にあり、５０μｍ未満では耐電圧は５０
０■以下となるため、５０μｍが一般に使用できる下限
である。また、アルミナコーティング層上にゾルゲル法
によるアルミナコーティング層を設けると耐電圧が向上
することもわかった。
電圧と比例関係にあり、５０μｍ未満では耐電圧は５０
０■以下となるため、５０μｍが一般に使用できる下限
である。また、アルミナコーティング層上にゾルゲル法
によるアルミナコーティング層を設けると耐電圧が向上
することもわかった。
（発明の効果）
以上の説明から明らかなように、本発明の電気回路用基
板およびその製造方法によれば、銅合金よりなるベース
金属上に設けたアルミナウィスカー層がアルミナコーテ
ィング層に対してくさびの役目をするため、銅合金から
なるベース金属とアルミナコーティング層との間で強固
な密着を達成することができ、熱的なヒートサイクルを
受けても銅合金とアルミナ絶縁層との境界面がはく離し
ない電気回路用基板を得ることができる。
板およびその製造方法によれば、銅合金よりなるベース
金属上に設けたアルミナウィスカー層がアルミナコーテ
ィング層に対してくさびの役目をするため、銅合金から
なるベース金属とアルミナコーティング層との間で強固
な密着を達成することができ、熱的なヒートサイクルを
受けても銅合金とアルミナ絶縁層との境界面がはく離し
ない電気回路用基板を得ることができる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ本発明の電気回路
用基板の一例の模式的な構成を示す断面図およびそのＡ
部の部分拡大図、 第２図は本発明の基板におけるアルミナコーティング層
の厚さと耐電圧の関係を示すグラフ、第３図は従来の電
気回路用基板の一例の模式的な構成を示す断面図である
。 １・・・ベース金属 ２・・・アルミナコーティング層 ３・・・アルミナウィスカー層 特 許 出 願 人 日 本 碍 子 株 弐 Δ 社 第２図 アルミナコーティング層厚で（／７ｍ）第３図 第１図 （ａ） （ｂ） 手 続 補 正 嗜ｊ 平成 元年１１月２９日
用基板の一例の模式的な構成を示す断面図およびそのＡ
部の部分拡大図、 第２図は本発明の基板におけるアルミナコーティング層
の厚さと耐電圧の関係を示すグラフ、第３図は従来の電
気回路用基板の一例の模式的な構成を示す断面図である
。 １・・・ベース金属 ２・・・アルミナコーティング層 ３・・・アルミナウィスカー層 特 許 出 願 人 日 本 碍 子 株 弐 Δ 社 第２図 アルミナコーティング層厚で（／７ｍ）第３図 第１図 （ａ） （ｂ） 手 続 補 正 嗜ｊ 平成 元年１１月２９日
Claims (2)
- １．少なくともＡｌを０．２〜１２．０重量％、Ｂｅを
０．０１〜２．０重量％含有した銅合金を熱処理するこ
とによりその表面に生成したアルミナウィスカー層と、
このアルミナウィスカー層の上に形成したアルミナコー
ティング層とからなることを特徴とする電気回路用基板
。 - ２．少なくともＡｌを０．２〜１２．０重量％、Ｂｅを
０．０１〜２．０重量％含有した銅合金より成る基板を
５００〜９００℃で１０分間以上熱処理することにより
基板表面にアルミナウィスカー層を生成させ、そのアル
ミナウィスカー層上にアルミナを５０μｍ以上被覆する
ことを特徴とする電気回路用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63299726A JPH02148790A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 電気回路用基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63299726A JPH02148790A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 電気回路用基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02148790A true JPH02148790A (ja) | 1990-06-07 |
| JPH0563108B2 JPH0563108B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=17876221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63299726A Granted JPH02148790A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 電気回路用基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02148790A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9404171B2 (en) | 2007-05-21 | 2016-08-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Rare earth oxide-containing sprayed plate and making method |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101167425B1 (ko) * | 2010-09-16 | 2012-07-23 | 삼성전기주식회사 | 방열기판 및 그 제조방법 |
| KR101204191B1 (ko) * | 2010-11-02 | 2012-11-23 | 삼성전기주식회사 | 방열기판 |
-
1988
- 1988-11-29 JP JP63299726A patent/JPH02148790A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9404171B2 (en) | 2007-05-21 | 2016-08-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Rare earth oxide-containing sprayed plate and making method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0563108B2 (ja) | 1993-09-09 |
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Legal Events
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