JPS6267929A - デコ−ダ回路 - Google Patents

デコ−ダ回路

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JPS6267929A
JPS6267929A JP61219070A JP21907086A JPS6267929A JP S6267929 A JPS6267929 A JP S6267929A JP 61219070 A JP61219070 A JP 61219070A JP 21907086 A JP21907086 A JP 21907086A JP S6267929 A JPS6267929 A JP S6267929A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、入力信号により表されている情報をデコード
するための築積可捕なデコーダ回路に関する。表されて
いる情報がたとえば半導体メモリのアドレスであれば、
上記のデコーダ回路はアドレスデコーダとも呼ばれる。
しかし、表されている情報は、連想メモリにおいて一方
ではアドレス取得の役割をし他方では書込みまたは読出
しすべきデータの構成部分であるデータであってもよい
さらに、情報は、たとえば1つの機械または設備の特定
のどの部分が(これらの情報に関係して)作動すべきか
否かに関するものであってもよい。
このように上記のデコーダ回路の使用目的は非常に多様
である。
集積半導体メモリではたとえば各語線に対してアドレス
デコーダと呼ばれる上記のデコーダ回路が使用される。
1つのこのような半導体メモリがたとえば2P本の語線
を有するならば、その駆動のために、すべて並列に9個
の入力信号またはそれらに対して相補性の信号により駆
動される相応の2’lllのアドレスデコーダが必要で
ある。相応のことがビット線に対しても、ビット線がい
わゆる半語または全語にアドレス的に一括接続されてい
ないかぎり、当てはまる。
ドイツ連邦共和国特許出願公告第2641693号(特
公昭6O−32910)公報から、1つのデコーディン
グ回路および1つの出力段に分割されている上記の種類
のデコーダ回路は公知である。その際、本来のデコーデ
ィングはデコーディング回路内で行われる。このデコー
ディング回路は、供給電圧とデコーディング回路出力端
との間に接続されている負荷トランジスタを有する。デ
コーディング回路はさらに、デコーディング回路出力端
と一般に基準電位(接地)である別の供給電位との間に
接続されている9個の並列接続されたトランジスタを有
する。負荷トランジスタのゲートにはクロック信号が与
えられる。9個の並列接続されたトランジスタのゲート
には9個の異なる入力信号(アドレス信号)のうちのそ
れぞれ1つまたはそれらに対して相補性のアドレス信号
のうちの1つが与えられる。作動中に各メモリサイクル
内で先ずすべてのアドレスデコーダのデコーディング回
路出力端がそれらのクロック信号により制御される負荷
トランジスタを介して供給電圧に充電され、場合によっ
てはそのしきい電圧だけ減ぜられる。
選択されるべきアドレスデコーダのアドレス信号は引き
続きすべて基準電圧に相応する1つのレベル(論理“0
”)を有する。それによって、選択されたアドレスデコ
ーダのデコーディング回路出力端は先に充電された電位
に浮動した状態にとどまる。しかし、その際に生ずる漏
れ電流のために、この状態は制限された時間しか持続し
ない。
すべての他のアドレスデコーダでは、与えられているア
ドレス信号のうちの少なくとも1つが供給電圧に相応す
るレベル(論理“1”)をとり、それによって対応付け
られているデコーディング回路出力端が基準電圧に放電
される。
要約すると、公知のアドレスデコーダについて下記のよ
うに言うことができる。各個のアドレスデコーダにすべ
ての9個のアドレス信号(またはそれらに対して相補性
の信号)が接続されている。
このことはアドレス信号に対する導線の長さが非常に長
くなることに通し、たとえばこれらの導線の容量性負荷
が非常に大きくなるという欠点を伴う。その結果、アド
レスデコーダの前に接続されているアドレスバッファお
よびドライバを特に大きくかつ高性能なものとしなけれ
ばならず、また特に大きなピーク電流に耐えるものとし
なければならない(アドレス信号がすべてを同時に切換
える)。各メモリサイクル中にすべての2  +[li
lのアドレスデコーダが供給電圧に充電されることによ
り、また引き続き選択された電圧デコーダのデコーディ
ング回路出力端を除いてすべてのデコーディング回路出
力端が再び基準電圧に放電されることにより、非常に大
きな電流、従ってまた電力が消費され、その際に電流は
再びピーク電流として消費される。場合によっては必要
なメモリサイクル時間の短縮(メモリアクセス時間の短
縮)の際に上記の電流消費は短縮と共に指数関数的に増
大する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、冒頭に記載した種類の集積デコーダ回
路であって、わずかな電流、特にピーク電流しか消費せ
ず、(Iつの機能ユニ・ノド、たとえば1つの半導体メ
モリのすべての必要とされるデコーディング回路出力端
に関して)入力信号に対して全体でわずかな導線長さし
か必要とせず、またデコーダ出力端がいかなる時点でも
前記のように電位的に自由に浮動せず、常に適切に供給
電位のうちの一方に、場合によってはトランジスタしき
い電圧の大きさだけ変更されて、保たれるデコーダ回路
を提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕 この目的は、本発明によれば、特許請求の範囲第1項に
記載のデコーダ回路により達成される。
有利な実tii態様は特許請求の範囲第2項以下にあげ
られている。
〔実施例〕
以下、図面に示されている実施例により本発明を一層詳
細に説明する。
第1図には、本発明によるデコーダ回路の第1の実施例
が示されている。このデコーダ回路は、1つの単独の入
力信号AOおよび4つの別の対として互いに相補性の入
力信号A1、An、A1、Anに対する入力端および4
つの出力端DAIないしDA4を有する。デコーダ回路
全体は、本発明によれば、CMOSテクノロジーで構成
されている。これはたとえばnチャネル−テクノロジー
のような従来のテクノロジーにくらべて多くの利点、な
かんずく電流消費が非常に小さいという利点およびクロ
ック信号、従ってまたその発生のためのクロック発生器
が省略されるという利点を有する。特に半導体メモリ内
のデコーダ回路をCMOSテクノロジーで構成すること
は有利である。
なぜならば、たとえば1Mb i t−DRAMのよう
な多くの最近の半導体メモリ形式はCMOSテクノロジ
ーで開発かつ製造されるからである。
さらに、第1図による有利なデコーダ回路は4つの通常
のCMOSインバータ■1ないしI4を含んでおり、そ
れらの出力端がそれぞれ同時に1つのデコーダ出力端D
AIないしDA4を形成している。各CMOSインバー
タ■1ないしI4において一方のチャネル形式のトラン
ジスタのソースは第1の供給電位VCCと接続されてい
る。この第1の供給電位VCCはたとえば、CMOSテ
クノロジーにおける1つの典型的な値である5Vであっ
てよい。4つのCMOSインバータ11ないしI4のう
ちのそれぞれ2つのCMOSインバータ、たとえば一方
ではインバータ11およびI2において、他方ではイン
バータI3およびI4において、それらの他方のチャネ
ル形式のトランジスタのソース端子は互いに接続されて
おり、こうしてそれぞれ1つの第1の接続点C,Cを形
成している。それにより全体で2つの第1の接続点Cお
よびCが形成されている。
各第1の接続点C,Cにさらに他方のチャネル形式のそ
れぞれ1つの第1のスイッチングトランジスタT1また
はTIが接続されている。こうして本発明による第1図
のデコーダ回路は全体で2つの第1のスイッチングトラ
ンジスタT1およびT1を含んでいる。それらのソース
端子は同じく互いに接続されており、また最後の接続点
Aを形成している。
この最後の接続点Aに他方のチャネル形式の最後のスイ
ッチングトランジスタT OA<そのドレインで接続さ
れている。この最後のスイッチングトランジスタTOの
ソースは第2の供給電位■SSと接続されており、また
そのゲートは単独の入力信号AOと接続されている。第
2の供給電位VSSは典型的に通常の基準電位(接地)
であってよい。
各第1の接続点CXCにおいて、それに接続されている
両CMOSインバータ11、I2またはI3、I4のう
ちの一方のCMOSインバータ(I1またはI3)の両
トランジスタのゲートは4つの別の対として互いに相補
性の入力信号A1、An、、A1、Anのうちの第1の
入力信号(An)と接続されている。相応して、第1の
接続点C1Cに接続されている両CMOSインバータ■
1、I2または13、I4のうちの他方のCMOSイン
バータ(I2または14)の両トランジスタのゲートは
、4つの別の対として互いに相補性の入力信号A1、A
n、A1、馬のうちの第1の入力信号(An)に対して
相補性の入力信号馬と接続されている。それにより作動
中にインバータ11およびI3では、接続されている第
1の別の入力信号Anの状態に関係して、同時に一方の
チャネル形式のトランジスタもしくは他方のチャネル形
式のトランジスタが導通せしめられる。インバータI2
およびI4も相応の挙動をするが、それらのスイ゛ンチ
ング挙動は同時に、それらの入力信号石が第1の別の入
力信号Anに対して相補性であるために、全体としてイ
ンバータ11およびI3のスイッチング挙動に対して相
補性である。
最後の接続点Aと接続されている第1のスイッチングト
ランジスタT1、T1のうちの一方のスイッチングトラ
ンジスタ(I1)のゲートは、4つの別の対として互い
に相補性の入力信号A1、An、A1、Anのうちの第
2の入力信号(A1)と接続されている。相応して、最
後の接続点Aと接続されている第1のスイッチングI・
ランジスタT1、T1のうちの他方のスイッチングトラ
ンジスタ(I1)のゲーI・は、4つの別の対として互
いに相補性の入力信号A1、An、A1、Anのうちの
第2の入力信号(A1)に対して相補性の入力信号AI
と接続されている。
すべての接続点A、C,icの各々にさらにそれぞれさ
らに一方のチャネル形式の1つの相補性トランジスタM
O,M1、Mlがそのドレインで接続されており、その
ソースは第1の供給電位vCCと接続されており、また
そのゲートは、ドレインで同じくそれぞれの接続点A、
C,icと接続されており従ってまたそれに接続されて
いる相補性トランジスタMO,M1、Mlのドレインと
接続されているスイッチングトランジスタTO1T1、
T 1のゲートと接続されている 次に第1図による回路の機能を第2図a)、b)による
タイムダイアダラムと結び付けて下記の限定条件のもと
に説明する。第1の供給電位vccが5vである。第2
の供給電位■SsがOV(接地)である。入力信号AO
,A1、An、A1、Anは第1のレベルHとして約5
■、第1のレベル1、として約Ovを有する。相応のレ
ベルをデコーダ出力端DAIないしDA4もとる。上記
の値は例に過ぎない。他の値も、周知のように、CMO
Sテクノロジーでは考えられる。さらに、考察している
クロック周期TPO間に第1の時点t1から、単独の入
力信号AOと4つの別の対として互いに相補性の入力信
号A1、An、A1、石のうちの第1の入力信号(An
)とは第1の論理レベル■1を有し、また4つの別の入
力信号A1、An、A1、Anのうちの第2の入力信号
(A1)は第2の論理レベルLを有する。その結果とし
て、第2の時点t2から、4つの別の入力信号A1、A
n、A1、Anのうちの第1の入力信号(An)に対し
て相補性の入力信号Anは第2の論理レヘルLを有し、
また4つの別の入力信号A1、An、A1、Anのうち
の第2の入力信号(A1)に対して相補性の入力体温A
1は第1の論理レベルHを有する。
上記の限定条件のもとに、単独の入力信号AOと4つの
別の対として互いに相補性の入力信号A1、An、A1
、Anのうちの第1の入力信号(An)および第2の入
力信号(A1)とはクロック周期TPの開始時点から時
点t1まで第2の論理レベルLを存する。相応して、4
つの別の入力信号A1、An、A1、Anのうちの第1
の入力信号(An)および第2の入力信号(A1)に対
して相補性の入力信号An、AIはクロック周期TPの
開始時点から時点t1まで第1の論理レベルHを有する
。入力信号AO3A1、An、AIおよびAnのこの組
み合わせではクロック周期TPO開始時点から時点t1
までの時間中にすべてのデコーダ出力fiDA1ないし
DA4は第1の論理レベルHを有する。
従って、デコーダ出力IDAlおよびDA3は、それぞ
れのCMOSインバータI1、T3に付属の一方のチャ
ネル形式のトランジスタが第1の供給電位■CCに導通
せしめられているので、第1の論理レベルI(にある。
従って、デコーダ出力端DA2は、付属のCMOSイン
バータI2に付属の他方のチャネル形式のトランジスタ
が第1の接続点Cに導通せしめられているので、第1の
論理レベルHにある。しかし、これは、それに対応付け
られている相補性トランジスタM1の導通のゆえに、第
1の論理レベルHを有する。相応して、デコーダ出力端
DA4は、一方では付属のCMOSインバータI4に付
属の他方のチャネル形式のトランジスタが第1の接続点
Cに導通せしめられているので、また他方では第1のス
イッチングトランジスタT1が最後の接続点Aに導通せ
しめられているので、第1の論理レベルHを有する。し
かし、これは、相補性トランジスタMOの導通のゆえに
、第1の論理レベルHを有する。
時点t1から入力信号AO1A1、An、A1、Anは
、表すべき情報(典型的にはアドレス情報)に相応する
論理レベルをとる。すなわち、今の例では、単独の入力
信号AO1第1の別の入力信号Anおよび第2の別の入
力信号A1に対して相補性の入力信号A1は第1の論理
レベルI(をとり、またはこのレベルを保つ。相応して
、第1の別の入力信号Anに対して相補性の入力信号A
nおよび第2の別の入力信号A1は第2の論理レベルL
をとり、またはこのレベルを保つ。こうして最後の接続
点Aは、最後のスイッチングトランジスタTOが導通せ
しめられており、またそれに対応付けられているキープ
アップ・トランジスタMOが遮断状態にあるので、第2
の論理レベルLをとる。
こうして第1のスイッチングトランジスタT1、T1の
ソース端子には第2の論理レベル■7が与えられている
第1のスイッチングトランジスタTIは遮断されている
が、対応付けられている相補性トランジスタM1は導通
状態にある。相応して第1の接続点Cは第1の論理レベ
ルト1を有する。第1のCMOSインバータ11におい
て他方のチャネル形式のトランジスタが導通しているの
で、第1の接続点Cの第1の論理レベルHはこのトラン
ジスタを経て第1のデコーダ出力端DAIに通される。
第2のデコーダ出力端DA2においては付属のCMOS
インバータI2において一方のチャネル形式のトランジ
スタが導通しており、第2のデコーダ出力端DA2は同
じく第1の論理レベルHを有する。
第1のスイッチングトランジスタTIは導通しており、
その対応付けられている相補性トランジスタM1は遮断
されている。それによって第1の接続点じに第2の論理
レベル■7が与えられている。
第3のデコーダ出力端])A3に対応付けられている第
3のCMOSインバータI3において他方のチャネル形
式のトランジスタが導通するので、第1の接続点Cに与
えられている第2の論理レベルLがデコーダ出力1′7
1ilD A 3に通される。それによってこのデコー
ダ出力端DA3が選択されている。
第4のデコーダ出力mDA4は対応付けられている第4
のCMOSインバータI4の一方のチャネル形式の導通
状態にあるトランジスタを経て第1の論理レベル■(に
とどまる。
その後の時点t2から入力信号AO1A1、An、A1
、Anは再び、クロック周期TPの開始時点から第1の
時点t1までに有するそれらの元のレベルを占める。そ
の結果、第1の時点t1までの時間に対して先に説明し
たように、デコーダ出力端DAIないしDA4はそれら
の第1の論理レベルHをとり、またはこれにとどまる。
選択されたデコーダ出力端DA3に生ずる出力信号はた
とえば後に接続されている1つの他のデコーダ回路に、
それが本発明によるデコーダ回路であるか公知のデコー
ダ回路であるかに関係なく、与えられ得る。この場合、
本発明によるデコーダ回路は前置デコーダとして作用す
る。各デコーダ出力&1Mr)AIないしDA4からの
出力信号は、本発明によるデコーダ回路が1つの半導体
メモリ内に集積されている場合には、間接的に一群の語
線およびビット線に与えられる。しかし、出力信号は直
接的に、駆動すべき他の回路または制御線、たとえば半
導体メモリにおける1つの語線および1つのビット線に
与えられることもできる。
このように構成されたデコーダ回路は公知のデコーダ回
路の前記の欠点のすべてを回避する。電流消費が最小化
されることと並んで、本発明によるデコーダ回路は、接
続点A、C,m、従ってまたデコーダ出力端DAIない
しDA4における電位状態が常に明らかに決められてい
る点で優れている。前置デコーダとして前記のように半
導体メモリ内に使用する際には、デコーダ出力端DAI
ないしDA4により先ず語線またはビット線の群が指定
され、個々の語線またはビット線は、本発明によるデコ
ーダ回路の後に接続されているデコーダによりその他の
アドレス線と関係して指定され得る。後に接続されてい
るデコーダは本発明によるものであってもよいし公知の
技術によるものであってもよい。こうして本発明による
デコーダ回路では、特にそれを集積半導体回路内に集積
する場合には、なかんずく、公知の技術によるデコーダ
回路にくらべて占有面積が顕著に縮小され得る。
本発明の基礎となっているアイデアは、先に第1図およ
び第2図a)、b)により説明したように全体で5つの
入力信号AO,A1、An、肩、Anおよび4つのデコ
ーダ出力端DA 1ないしDA4を有するデコーダ回路
だけでなく、2n+1個の入力信号AO・・・および2
n個のデコーダ出力端DAI・・・を有するデコーダ回
路にも一般的に応用可能である。以下には、第3図およ
び第4図によりn=3の場合について本発明によるデコ
ーダ回路の実施例を説明する。zl>3の場合に必要な
措置も説明するが、図面を見易くするため、図示はされ
ていない。第3図による本発明による回路は第1図によ
る実施例を拡張したものである。
本発明によるデコーダ回路のこの実施例は、先に説明し
た第1図(n=2)による実施例と比較して、別の2 
(n−2)個の対として互いに相補性の入力信号に対す
る入力端を有する。すなわち、n=3の場合には(第3
図参照)、2つの別の対として互いに相補性の入力信号
A2およびA2に対する入力端を有する。さらに、この
実施例は別の2 ” −’ fllJのデコーダ出力端
、n=3の場合の第3図では別の4つのデコーダ出力端
DA5ないしDA8ををする。これらは同時に別の2n
−1個のCMOSインバータ、たとえば+5ないし+8
の出力端である。
第1図による実施例と類似して、別のCMOSインバー
タ■5ないし+8のうちのそれぞれ2つのCMOSイン
バータ(I5および+6または+7および18)におい
て、それらの他方のチャネル形式のトランジスタのソー
ス端子は互いに接続されており、またの別の第1の接続
点りまたはDを形成しており、それにより全体で2n−
1個の第1の接続点C,D、?”:、nが形成されてい
る。
別のCMOSインバータ■5ないし+8はその他の点で
は第1の4つのC,M OSインバータ■1ないし+4
と全く同じく接続されている。すなわち、特にそれらの
トランジスタのゲートは、CMOSインバータからCM
OSインバータへ交互に、第1の別の入力信号Anおよ
びそれに対して相補性の入力信号Anと接続されている
第1図による実施例と異なり、第3図による本発明によ
る回路では、すべての第1の接続点C1D、 ?m、、
Tmの各々にさらに他方のチャネル形式の第1のスイッ
チングトランジスタT20、T2 +。
+20、+21がそのドレインで接続されている。
すべての第1のスイッチングトランジスタT 2 o 
+2 +、+2 o、+2 +のうちのそれぞれ2つの
第1のスイッチングトランジスタ(I20およびT 2
 oまたは+21および+21)のソース端子は第2の
接続点BまたはHに一括接続されており、それにより全
体で2n−2(lIの第2の接続点B1Hが形成されて
いる。
n≧3の場合、第2の接続点B、Hの各々にさらに他方
のチャネル形式の第2のスイッチングトランジスタT 
I o 、 T 1 oがそのドレインで接続されてい
る。すなわち、第2の接続点B、1’Jへの第2のスイ
ッチングトランジスタのこの接続は、先に説明した第1
の接続点への第1のスイッチングトランジスタのドレイ
ンの接続と同一の仕方で行われる。それに相応して第2
のスイッチングトランジスタのうちのそれぞれ2つのス
イッチングトランジスタT1o、、T10のソース端子
は互いに接続されており、それにより全体で2n−J個
の別の接続点が形成されている。n≧3の場合、スイッ
チングトランジスタのこの並べ方はそれぞれ2つのスイ
ッチングトランジスタのソース端子の一括のもとに本発
明によりハイアラーキ−形態で(たとえば第3図中で上
から下へ)第1の接続点C,D、m、Tmからハイアラ
ーキ−股肉で数えてn−1個のスイッチング段で行われ
る。こうしてこの並びの終端に別の接続点のうらの最後
の接続点として最後の接続点Aが形成されている。また
それにより第1の接続点c、n、c、rtの間に第2の
接続点B、TJおよび別の接続点を経て最後の接続点A
までに全体でn−] (IAIのスイッチング段が形成
されている。
第1のスイッチングトランジスタ(T20、T21、T
2O、”r21)、第2のスイッチングトランジスタ(
T10、1’ 1 o )および別のスイッチングトラ
ンジスタのゲート・は下記のように接続されている。第
2の接続点r3またはHの各々において、第2の接続点
BまたはHと接続されている2つの第1のスイッチング
トランジスタT20およびT 2 oまたはT2.およ
び’T’2.のうちの一方の第1のスイッチングトラン
ジスタ(I”20またはT21)のゲートは別の2(n
−2)IITdの対として互いに相補性の入力信号A2
、A2のうちの第1の入力信号(A2)と接続されてい
る。相応して、第2の接続点Bまたはnと接続されてい
る2つの第1のスイッチングトランジスタT 2 。
およびT20またはT21およびT2.のうちの他方の
第1のスイッチングトランジスタ(rlまたはT21)
のゲートは別の2(n−2)l個の対として互いに相補
性の入力信号A2、肩のうちの第1の入力信号(A2)
に刻して相補性の入力信号A2と接続されている。
n≧3の場合、さらに、別の接続点の各々に対して最後
のスイッチングトランジスタTOを有するスイッチング
段を例外として別のスイッチングトランジスタを有する
各スイッチング段において、一方ではそれぞれの別の接
続点と接続されている2つの別のスイッチングトランジ
スタのうちの一方のスイッチングトランジスタのゲート
が別の2(n −2)個の対として互いに相補性の入力
信号のうちの他方の入力信号と接続されており、また他
方では別の接続点と接続されている2つの別のスイッチ
ングトランジスタのうちの他方のスイツチングトランジ
スタのゲートが別の2 (n−2)個の対として互いに
相補性の入力信号のうちの他方の入力信号に対して相補
性の入力信号と接続されている。
相応して第1図による実施例に対するアナロジ−で第3
図によれば最後のスイッチングトランジスタTOを有す
るスイッチング段では2つの第2のスイッチングトラン
ジスタT ] o 、 T 1 oのうちの一方のスイ
ッチングトランジスタ(T10)のゲートが4つの別の
対として互いに相補性の入力信号A1、AnXA1、A
nのうちの第2の入力信号(A1)と接続されており、
また2つの第2のスイッチングトランジスタTIO,,
TIOのうちの他方のスイッチングトランジスタ(T1
0)のゲートが4つの別の対として互いに相補性の入力
信号AIXAn、A1..Anのうちの第2の入力信号
(A1)に対して相補性の入力信号A1と接続されてい
る。
一般的な本発明の原理によれば、特に第3図による実施
例によれば、すべての第1の接続点C1D、、m、nの
各々に、かつすべての第2の接続点(B、、1”()お
よび別の接続点の各々に、スイッチング1−ランジスタ
のほかにそれぞれ1つの一方のチャネル形式の相補性ト
ランジスタM20.M21、M2 o、M2 1、Ml
 oXMl oがそのドレインで接続されている。これ
らの相補性トランジスタM20、M2 +、M20XM
2 ls Ml olM10の各々のソースはそれぞれ
第1の供給電位VCCと接続されている。そのゲートは
それぞれ、ドレインで同じくそれぞれの接続点と、従っ
てまたそれに接続されている相補性トランジスタM10
、Ml o、M20、、M21、M2O,M2 。
と接続されているスイッチングトランジスタT1o、 
Tl g、 T2O,T21、T20、 T2 +のゲ
ートと接続されている 第3図による回路の機能はたとえば第4図a)。
b)によるタイムダイアグラムにより下記のように説明
され得る。入力信号AO1A1、An、A〒およびX1
は全クロック周期1゛Pの間、第1図による回路および
第2図a)、b)によるタイムダイアグラムにおける時
間的経過と同一の時間的経過を有する。クロック周期T
Pの開始から第1の時点t1まで別の入力信号A2は第
2の論理レベルLを有し、またそれに対して相補性の別
の入力信号A2は第1の論理レベル11を有する。第1
の時点t1からその後の第2の時点t2まで別の入力信
号A2は第1の論理レベルI]を有し、またそれに対し
て相補性の別の入力信号A2は第2の論理レベルI7を
有する。
クロック周期TPの開始から第1の時点t1まですべて
のデコーダ出力端DAIないしD A 8は第1の論理
レベルHを有する。なぜならば、一方では単独の入力信
号AOと別の入力信号A1およびAnと別の2(rl−
2)llliIの入力信号のうちの入力信号A2とがそ
れらの第2の論理レベル1、を有し、また他方では別の
入力信号A1、A2、A第1の論理レベルHを有するか
らである。それによってすべての接続点A、B、C,D
、、1’J、、im。
D、従ってまたすべてのデコーダ出力端DAIないしD
ABは第1の論理レベルHを有する。
第1の時点t1から、前記のように、単独の入力信号A
Oおよび別の入力信号Anもそれに対して相補性の入力
信号iもそれらの論理レベルを反転する。さらに、別の
2(n−2)個の入力信号のうちの入力信号A2が第1
の論理レベルHをとる。相応して、それに対して相補性
の入力信号A2が第2の論理レベルLをとる。
その結果として、tlとI2との間の時間中は最後の接
続点Aは第2の論理レベルLを有する(最後のスイッチ
ングトランジスタTOは導通せしめられている)。
2つの第2の接続点B、Hのうちの一方の接続点(B)
はそれに対応付けられている相補性トランジスタM 1
 oを経て第1の論理レベルHにある。
なぜならば、この相補性トランジスタM10と2つの第
2のスイッチングトランジスタTIO,T1oのうちの
一方のスイッチングトランジスタ(T 1 o )とを
制御する別の入力信号A1が第2の論理レベルLを有す
るからである。相応して、2つの第2の接続点B、4の
うちの他方の接続点(■)は2つの第2のスイッチング
トランジスタT1o、T10のうちの他方のスイッチン
グトランジスタ(T10)を経て最後の接続点Aにおけ
る論理レベル、すなわち第2の論理レベルLにある。
すなわち、上記の別の入力信号A1に対して相補性の入
力信号Atにより2つのスイッチングトランジスタT 
1 o 、 T 1 oのうちの他方のスイッチングト
ランジスタ(T10)は導通状態にあり、また付属の相
補性トランジスタM 1 oは遮断状態にある。
別の2(n−2)個の入力信号A2、A2のうちの入力
信号A2は第1のスイッチングトランジスタT20、、
T21を導通させる。それによって第1の接続点Cおよ
びDは、2つの第2の接続点B、Uが有する論理レベル
をとる。すなわち、第1の接続点Cは第1の論理レベル
Hにあり、第1の接続点りは第2の論理レベルLにある
同時に、別の2 (n−2)個の入力信号A2、A2の
うちの入力信号A2に対して相補性の入力信号A2はそ
れにより制御されるスイッチングトランジスタT20お
よびI2.を遮断させる。相応して、この相補性の入力
信号A2は第1のスイッチングトランジスタT20.T
21に対応付けられている相補性トランジスタM1−お
よび「TTを導通させる。こうして第1の接続点じおよ
びDは第1の論理レベルHを有する。
第1の接続点C,CおよびDが第1の論理レベル11を
有するので、デコーダ出力fiDA1ないしDA4、D
A7およびDABは、当該のCMOSインバータ11な
いしI4、I7およびI8の入力端に与えられている入
力信号Anおよび愚の論理レベルに関係なく、第1の論
理レベル■1のみを有する。
同じくデコーダ出力端DA6は第1の論理レベルHにと
どまる。なぜならば、相応のCMOSインバータI6に
与えられている入力信号AnがこのCMOSインバータ
■6のなかで一方のチャネル形式のトランジスタを導通
状態に切換えるからである。それにより第1の供給電位
■CCが第1の論理レベルHとしてデコーダ出力fiD
A6に到達する。
しかし、CMOSインバータ■5の入力端に与えられて
いる入力信号AnがこのCMOSインバータI6のなか
で他方のチャネル形式のトランジスタを導通状態に切換
え、それによって第1の接続点りに与えられている第2
の論理レベルLがデコーダ出力端DA5に通される。す
なわち、入力信号値の組み合わせとして例として選ばれ
た情報により一義的に、安定にかつ排他的にデコーダ出
力端DA5が選択され、残りのデコーダ出力fiDA1
ないしDA4およびDA6ないしDA8は選択されない
状態にとどまる。
その後の時点t2からクロック周期TPの終了時点まで
すべての入力信号は、それらがクロック周期TPの開始
時点から第1の時点t1までに有する元の値を有する。
一方のチャネル形式のトランジスタが特にエンハンスメ
ント形のpチャネル−トランジスタであり、他方のチャ
ネル形式のトランジスタが特にエンハンスメント形のn
チャネル−トランジスタであり、また第1の供給電位■
CCが第2の供給電位VSSよりも正の電位であること
も本発明の一部をなす。
相応して、逆の対応付けも可能である。すなわち、一方
のチャネル形式のトランジスタがnチャネル−トランジ
スタであり、他方のチャネル形式のトランジスタがpチ
ャネル−トランジスタであり、また第1の供給電位VC
Cが第2の供給電位VSSよりも負の電位であってもよ
い。これらのトランジスタが同じくエンハンスメント形
であることは有利である。
すべての入力信号(AOlA1、A2、A n %A1
、A2、An)のうちの第1の群(AOlA1、A2、
An)がクロック周期TPO開始時点から第1の時点t
l(非能動化状態)まで論理レベルとして、第2の供給
電位■SSにほぼ等しい値を有することは有利である。
相応して、第1の群(AOlA1、A2、An)の相応
の入力信号に対して相補性である残りの入力信号A1、
A2、Anはこの時間中に、第1の供給電位VCCにほ
ぼ等しい論理レベルを有する。
公知の技術によるデコーダ回路と本発明によるデコーダ
回路の以上に説明した実施例との間の主な相違点は、公
知の技術によるデコーダ回路では1つの選択されたデコ
ーダ出力端が第1の論理レベルHを保ち、また選択され
ない状態では第2の論理レベルLに接続されることにあ
る。しかし、以上に説明した実施例では、選択されてい
るデコーダ出力端は第2の論理レベルLを有し、またす
べての他の選択されていないデコーダ出力端は第】の論
理レベルHを有する。しかし、このことは後段に接続さ
れる回路部分の構成に不利な影響を与えない。本発明に
よるデコーダ回路の1つの実施例として、デコーダ出力
端が選択されている状態で第1の論理レベルHを有し、
選択されていない状態で第2の論理レベルLを有する(
公知の技術によるデコーダを参照)ように構成すること
は当業者により容易に可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるデコーダ回路の第1の実施例の回
路図、第2図a)、b)は第1図による実施例の機能を
説明するためのタイムダイアダラム、第3図は本発明に
よるデコーダ回路の第2の実施例の回路図、第4図a)
、b)は第3図による実施例の機能を説明するためのタ
イムダイアダラムである。 AOlA1、A2、An、A1、A2、A n −・−
入力信号、DAI〜DA8・・・デコーダ出力端、■1
〜■8・・・CMOSインバータ、vcc、vss・・
・供給電位、A、B、C,D、TJ、C、D・・・接続
点、TOlT1、T1、Tl  o、T2 o、T21
、TM 2 + 、M 2 o 、 M 2ビ・・相補
性トランジスタ、n・・・自然数。 IGI VC[。 l α) b) Fi O−) ト)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)入力信号により表されている情報をデコードするた
    めのデコーダ回路において、 a)1つの単独の入力信号(A0)および4つの別の対
    として互いに相補性の入力信号(A1、An、@A1@
    、@An@)に対する入力端および4つの出力端(DA
    1ないしDA4)を有し、 b)CMOSテクノロジーで構成されており、c)4つ
    のCMOSインバータ(I1ないしI4)を含んでおり
    、 d)各デコーダ出力端(DA1ないしDA4)が同時に
    CMOSインバータ(I1ないしI4)のうちの1つの
    CMOSインバータの出力端であり、 e)各CMOSインバータ(I1ないしI4)において
    一方のチャネル形式のトランジスタがそのソースで第1
    の供給電位(VCC)と接続されており、 f)4つのCMOSインバータ(I1ないしI4)のう
    ちのそれぞれ2つのCMOSインバータ(I1、I2;
    I3、I4)においてそれらの他方のチャネル形式のト
    ランジスタのソース端子が互いに接続されており、また
    1つの第1の接続点(C;@C@)を形成しており、そ
    れにより全体で2つの第1の接続点(C、@C@)が形
    成されており、 g)各第1の接続点(C、@C@)にさらに他方のチャ
    ネル形式のそれぞれ1つのスイッチングトランジスタ(
    T1、@T1@)が接続されており、 h)両第1のスイッチングトランジスタ(T1、@T1
    @)のソース端子が互いに接続されており、また1つの
    最後の接続点(A)を形成しており、 i)最後の接続点(A)に他方のチャネル形式の1つの
    最後のスイッチングトランジスタ(T0)がそのドレイ
    ンで接続されており、そのソースは第2の供給電位(V
    SS)と接続されており、またそのゲートに、4つの別
    の入力信号(A1、An、@A1@、@An@)のいず
    れに対しても相補性でない単独の入力信号(A0)が与
    えられており、 j)各第1の接続点(C;@C@)において、j1)そ
    れに接続されている両CMOSインバータ(I1、I2
    ;I3、I4)のう ちの一方のCMOSインバータ(I1; I3)の両トランジスタのゲートが4つ の別の対として互いに相補性の入力信号 (A1、An、@A1@、@An@)のうちの第1の入
    力信号(An)と接続されており、 j2)第1の接続点(C;@C@)に接続されている両
    CMOSインバータ(I1、I2 ;I3、I4)のうちの他方のCMOS インバータ(I2;I4)の両トランジ スタのゲートが4つの別の対として互い に相補性の入力信号(A1、An、@A1@、@An@
    )のうちの第1の入力信号(An)に対して相補性の入
    力信号(@An@)と接続されており、 k)最後の接続点(A)において、 k1)最後の接続点(A)と接続されている第1のスイ
    ッチングトランジスタ(T1、 @T1@)のうちの一方のスイッチングトランジスタ(
    T1)のゲートが4つの別の 対として互いに相補性の入力信号(A1、 An、@A1@、@An@)のうちの第2の入力信号(
    A1)と接続されており、 k2)最後の接続点(A)と接続されている第1のスイ
    ッチングトランジスタ(T1、 @T1@)のうちの他方のスイッチングトランジスタ(
    @T1@)のゲートが4つの別の対として互いに相補性
    の入力信号(A1、 An、@A1@、@An@)のうちの第2の入力信号(
    A1)に対して相補性の入力信号 (@A1@)と接続されており、 l)すべての接続点(A、C、@C@)の各々にそれぞ
    れさらに一方のチャネル形式の1つの相補性トランジス
    タ(M0、M1、@M1@)がそのドレインで接続され
    ており、そのソースは第1の供給電位(VCC)と接続
    されており、またそのゲートは、ドレインで同じくそれ
    ぞれの接続点(A、C、@C@)と接続されており従っ
    てまたそれに接続されている相補性トランジスタ(M0
    、M1、@M1@)のドレインと接続されているスイッ
    チングトランジスタ(T0、T1、@T1@)のゲート
    と接続されている ことを特徴とするデコーダ回路。 2)n>2として、 a)別の2(n−2)個の対として互いに相補性の入力
    信号(A2、@A2@)に対する入力端を有し、 b)同時に別の2^n^−^1個のCMOSインバータ
    (I5ないしI8)の出力端である別の2^n^−^1
    個のデコーダ出力端(DA5ないしDA8)を有し、 c)別のCMOSインバータ(I5ないしI8)のうち
    のそれぞれ2つのCMOSインバータ(I5、I6;I
    7、I8)において、それらの他方のチャネル形式のト
    ランジスタのソース端子が互いに接続されており、また
    1つの別の第1の接続点(D、@D@)を形成しており
    、それにより全体で2^n^−^1個の第1の接続点(
    C、D、@C@、@D@)が形成されており、d)別の
    CMOSインバータ(I5ないしI8)がその他の点で
    は第1の4つのCMOSインバータ(I1ないしI4)
    と全く同じく接続されており、 e)すべての第1の接続点(C、D、@C@、@D@)
    の各々にさらに他方のチャネル形式の1つの第1のスイ
    ッチングトランジスタ(T2_0、T2_1、@T2_
    0@、@T2_1@)がそのドレインで接続されており
    、 f)すべての第1のスイッチングトランジスタのうちの
    それぞれ2つの第1のスイッチングトランジスタ(T2
    _0、@T2_0@;T2_1、@T2_1@)のソー
    ス端子が1つの第2の接続点(B;@B@)に一括接続
    されており、それにより全体で2^n^−^2個の第2
    の接続点(B、@B@)が形成されており、 g)第2の接続点(B、@B@)の各々にさらに他方の
    チャネル形式の1つの第2のスイッチングトランジスタ
    (T1_0、@T1_0@)がそのドレインで特徴e)
    の意味で接続されており、その際に特徴f)の意味で第
    2のスイッチングトランジスタ(T1_0、@T1_0
    @)のソース端子が互いに接続されており、それにより
    全体で2^n^−^3個の別の接続点が形成されており
    、 h)スイッチングトランジスタのこのような並べ方がそ
    れぞれ2つのスイッチングトランジスタのソース端子の
    一括のもとに全体で、特徴e)から数えてn−1回行わ
    れており、従ってこの並びの終端に別の接続点のうちの
    最後の接続点として最後の接続点(A)が形成されてお
    り、またそれにより第1の接続点(C、D、@C@、@
    D@)の間に第2の接続点(B、@B@)および別の接
    続点を経て最後の接続点(A)までに全体でn−1個の
    スイッチング段が形成されており、 i)第2の接続点(B;@B@)の各々において、i1
    )第2の接続点(B;@B@)と接続されている2つの
    第1のスイッチングトランジ スタ(T2_0、@T2_0@;T2_1、@T2_1
    @)のうちの一方の第1のスイッチングトラ ンジスタ(T2_0;T2_1)のゲートが別の2(n
    −2)個の対として互いに相 補性の入力信号(A2、@A2@)のうちの第1の入力
    信号(A2)と接続されてお り、 i2)第2の接続点(B;@B@)と接続されている2
    つの第1のスイッチングトランジ スタ(T2_0、@T2_0@;T2_1、@T2_1
    @)のうちの他方の第1のスイッチングトラ ンジスタ(@T2_0@;@T2_1@)のゲートが別
    の2(n−2)個の対として互いに相 補性の入力信号(A2、@A2@)のうちの第1の入力
    信号(A2)に対して相補性 の入力信号(@A2@)と接続されており、j)最後の
    スイッチングトランジスタ(T0)を有するスイッチン
    グ段を例外として別のスイッチングトランジスタを有す
    る各スイッチング段において、 j1)別の接続点と接続されている2つの別のスイッチ
    ングトランジスタのうちの一 方のスイッチングトランジスタのゲート が別の2(n−2)個の対として互いに 相補性の入力信号(A2、@A2@)のうちの他方の入
    力信号と接続されており、 j2)別の接続点と接続されている2つの別のスイッチ
    ングトランジスタのうちの他 方のスイッチングトランジスタのゲート が別の2(n−2)個の対として互いに 相補性の入力信号(A2、@A2@)のうちの他方の入
    力信号に対して相補性の入力 信号と接続されており、 k)すべての第1の接続点(C、D、@C@、@D@)
    の各々に、かつすべての第2の接続点(B、@B@)お
    よび別の接続点の各々に、スイッチングトランジスタの
    ほかにそれぞれ1つの一方のチャネル形式の相補性トラ
    ンジスタ(M2_0、M2_1、@M2_0@、@M2
    _1@、M1_0、@M1_0@)がそのドレインで接
    続されており、そのソースが第1の供給電位(VCC)
    と接続されており、またそのゲートが、ドレインで同じ
    くそれぞれの接続点(C、D、@C@、@D@、B、@
    B@)と、従ってまたそれに接続されている相補性トラ
    ンジスタ(M2_0、M2_1、@M2_0@、@M2
    _1@、M1_0、@M1_0@)と接続されているス
    イッチングトランジスタ(T2_0、T2_1、@T2
    _0@、@T2_1@、T1_0、@T1_0@)のゲ
    ートと接続されている ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のデコーダ
    回路。 3)一方のチャネル形式のトランジスタがpチャネル−
    トランジスタであり、他方のチャネル形式のトランジス
    タがnチャネル−トランジスタであり、また第1の供給
    電位(VCC)が第2の供給電位(VSS)よりも正の
    電位であることを特徴とする特許請求の範囲第1項また
    は第2項記載のデコーダ回路。 4)一方のチャネル形式のトランジスタがnチャネル−
    トランジスタであり、他方のチャネル形式のトランジス
    タがpチャネル−トランジスタであり、また第1の供給
    電位(VCC)が第2の供給電位(VSS)よりも負の
    電位であることを特徴とする特許請求の範囲第1項また
    は第2項記載のデコーダ回路。 5)トランジスタがエンハンスメント形であることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項ないし第4項のいずれか
    1項に記載のデコーダ回路。 6)別の入力信号(A1、A2、An、@A1@、@A
    2@、@An@)のうちの残りの入力信号(A1、A2
    、An)に対して相補性である入力信号(@A1@、@
    A2@、@An@)が非能動化状態(t1まで)で、第
    1の供給電位(VCC)にほぼ等しい電位値を有し、別
    の入力信号(A1、A2、An、@A1@、@A2@、
    @An@)のうちの残りの入力信号(A1、A2、An
    )と単独の入力信号(A0)とが非能動化状態(t1ま
    で)で、第2の供給電位(VSS)にほぼ等しい電位値
    を有することを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし
    第5項のいずれか1項に記載のデコーダ回路。 7)別の入力信号(A1、A2、An、@A1@、@A
    2@、@An@)のうちの残りの入力信号(A1、A2
    、An)に対して相補性である入力信号(@A1@、@
    A2@、@An@)が非能動化状態(t1まで)で、第
    2の供給電位(VSS)にほぼ等しい電位値を有し、別
    の入力信号(A1、A2、An、@A1@、@A2@、
    @An@)のうちの残りの入力信号(A1、A2、An
    )と単独の入力信号(A0)とが非能動化状態(t1ま
    で)で、第1の供給電位(VCC)にほぼ等しい電位値
    を有することを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし
    第5項のいずれか1項に記載のデコーダ回路。
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