JPS6256466A - 光学活性物質 - Google Patents
光学活性物質Info
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- JPS6256466A JPS6256466A JP19383185A JP19383185A JPS6256466A JP S6256466 A JPS6256466 A JP S6256466A JP 19383185 A JP19383185 A JP 19383185A JP 19383185 A JP19383185 A JP 19383185A JP S6256466 A JPS6256466 A JP S6256466A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- optically active
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- carbon atom
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は新規な光学活性物質である一般式（Ｉ）
（Ｒ”は不斉炭素原子を有する炭素数４〜１２のアルキ
ル基を表わす、） で表わされる光学活性な４−アルコキシベンゼンチオー
ル及びそれを含有する組成物に関し、さらに新規な光学
活性物質である一般式（ＩＩ）（Ｒ”は不斉炭素原子を
有する炭素数４〜１２のアルキル基を表わす、〕 で表わされる光学活性なビス（４−アルコキシフェニル
）ジスルフィド及びそれを含有する組成物に関する。
ル基を表わす、） で表わされる光学活性な４−アルコキシベンゼンチオー
ル及びそれを含有する組成物に関し、さらに新規な光学
活性物質である一般式（ＩＩ）（Ｒ”は不斉炭素原子を
有する炭素数４〜１２のアルキル基を表わす、〕 で表わされる光学活性なビス（４−アルコキシフェニル
）ジスルフィド及びそれを含有する組成物に関する。
［従来の技術］
光学活性を有することを特徴とする光学素子としては、
具体的には、 １〕液晶状態においてコレステリック・ネマティック相
転移効果を利用するもの（Ｊ、 Ｊ。
具体的には、 １〕液晶状態においてコレステリック・ネマティック相
転移効果を利用するもの（Ｊ、 Ｊ。
Ｗｙｓｏｋｉ、 Ａ、 Ａｄａｍｓ ａｎｄ Ｗ、 Ｈ
ａａｓ； Ｉフィジカル・レヴユー・レターズＪ （
Ｐｈｙｓ、 Ｒｅｖ、 Ｌｅｔｔ、）、 ２０゜１０２
４ （１９６８））。
ａａｓ； Ｉフィジカル・レヴユー・レターズＪ （
Ｐｈｙｓ、 Ｒｅｖ、 Ｌｅｔｔ、）、 ２０゜１０２
４ （１９６８））。
２）液晶状態においてホワイト・ティラー形ゲスト・ホ
スト効果を利用するもの（Ｄ、 Ｌ、 Ｗｈｉｔｅ ａ
ｎｄＧ、 Ｎ、 Ｔａｙｌｏｒ； ｒジャーナル・オ
ブ・アプライド・フィジクスＪ （Ｊ、 Ａｐｐｌ、
Ｐｈｙｓ、） 、 ４５．４７１８（１９７４）
）、 ３）液晶状態においてカイラル・スメクチックＣ相、Ｈ
相、Ｆ相、工相、Ｇ相、に相、Ｊ相の強誘電性効果を利
用するもの（Ｎ、 Ａ、 Ｃ１ａｒｋ ａｎｄＳ、 Ｔ
、 Ｌａｇｅｒｗａｌｌ； ｒアプライド・フィジクス
ーレターズＪ （Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、
）、 ３Ｂ、 ８９！３（１９８０））、 ４）液晶状態においてコレステリック相を持つものをマ
トリックス中へ固定することにより、その選択散乱特性
を利用し、ノツチフィルターやバンドパスフィルターと
して利用するもの（Ｆ、 Ｊ。
スト効果を利用するもの（Ｄ、 Ｌ、 Ｗｈｉｔｅ ａ
ｎｄＧ、 Ｎ、 Ｔａｙｌｏｒ； ｒジャーナル・オ
ブ・アプライド・フィジクスＪ （Ｊ、 Ａｐｐｌ、
Ｐｈｙｓ、） 、 ４５．４７１８（１９７４）
）、 ３）液晶状態においてカイラル・スメクチックＣ相、Ｈ
相、Ｆ相、工相、Ｇ相、に相、Ｊ相の強誘電性効果を利
用するもの（Ｎ、 Ａ、 Ｃ１ａｒｋ ａｎｄＳ、 Ｔ
、 Ｌａｇｅｒｗａｌｌ； ｒアプライド・フィジクス
ーレターズＪ （Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、
）、 ３Ｂ、 ８９！３（１９８０））、 ４）液晶状態においてコレステリック相を持つものをマ
トリックス中へ固定することにより、その選択散乱特性
を利用し、ノツチフィルターやバンドパスフィルターと
して利用するもの（Ｆ、 Ｊ。
Ｋａｈｎ； ｒアプライド・フィジクス・レターズ」
（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、）、 １８．２
３１ （１９７１） ） 、円偏光特性を利用した円偏
光ビームスプリッタ−として利用するもの（Ｓ、 Ｄ、
Ｊａｃｏｂｓ、 ５ＰｒＥ、３７．９８等が知られて
いる。個々の方式についての詳細な説明は省略するが、
表示素子や変調素子として重要である。
（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、）、 １８．２
３１ （１９７１） ） 、円偏光特性を利用した円偏
光ビームスプリッタ−として利用するもの（Ｓ、 Ｄ、
Ｊａｃｏｂｓ、 ５ＰｒＥ、３７．９８等が知られて
いる。個々の方式についての詳細な説明は省略するが、
表示素子や変調素子として重要である。
またツィステッド・ネマチック（ＴＮ）型表示素子用の
ネマチック液晶組成物にごく少量添加することにより表
示面のしま模様（リバースドメイン）の発生を防止し、
その表示の均一性を増大させることにも利用することが
出来る。
ネマチック液晶組成物にごく少量添加することにより表
示面のしま模様（リバースドメイン）の発生を防止し、
その表示の均一性を増大させることにも利用することが
出来る。
従来、光学活性を有することを特徴とする光学素子に必
要な機能性材料を合成するための光学活性中間体として
は、２−メチルブタノール、２級オクチルアルコール、
２級ブチルアルコール、塩化ｐ−（２−メチルブチル）
安息香酸、２級フェネチルアルコール、アミノ酸誘導体
、ショウノウ誘導体、コレステロール誘導体等が知られ
ている。
要な機能性材料を合成するための光学活性中間体として
は、２−メチルブタノール、２級オクチルアルコール、
２級ブチルアルコール、塩化ｐ−（２−メチルブチル）
安息香酸、２級フェネチルアルコール、アミノ酸誘導体
、ショウノウ誘導体、コレステロール誘導体等が知られ
ている。
しかし、これらは次のような問題点を有している。光学
活性な鎖状炭化水素誘導体は構造の変更が困難で、しか
も一部のものを除き非常に高価なものである。アミノ＃
誘導体は比較的安価な上に構造の変更も容易であるがア
ミンの水素基が化学的に活性が強く、水素結合や化学反
応を生じゃすいために機能性材料の特性を制限してしま
し・やすい。ショウノウ誘導体・コレステロール誘導体
は構造の変更が困難なうえに立体的な障害によって機能
性材料の特性に悪影響を与えやすい。
活性な鎖状炭化水素誘導体は構造の変更が困難で、しか
も一部のものを除き非常に高価なものである。アミノ＃
誘導体は比較的安価な上に構造の変更も容易であるがア
ミンの水素基が化学的に活性が強く、水素結合や化学反
応を生じゃすいために機能性材料の特性を制限してしま
し・やすい。ショウノウ誘導体・コレステロール誘導体
は構造の変更が困難なうえに立体的な障害によって機能
性材料の特性に悪影響を与えやすい。
上記のような欠点は、種々の材料を開光する上で大きな
記１約となっていた。
記１約となっていた。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明は、上記の点に鑑みなされたものである。すなわ
ち、本発明は、適度な分子間力と形状をもった機能性材
料中間体と光学活性を損うことなく結合させることがで
き、分子設計を自由に行うことができる化合物を提供す
ることを目的とする。
ち、本発明は、適度な分子間力と形状をもった機能性材
料中間体と光学活性を損うことなく結合させることがで
き、分子設計を自由に行うことができる化合物を提供す
ることを目的とする。
本発明はアルキル基の長さを変更することが容易で、こ
のことによりＨ，Ａｒｎｏｌｄ、 ｒツァイトシュリフ
ト フユア フィジ力すッシェ ヒエミー」（Ｚ、 Ｐ
ｈｙｓ、 Ｃｈｅｗ、）、 ２２８．１４８ （１９Ｅ
１４）に示されるように液晶状態においで発現する液晶
相の種ｍや温度範囲を制御することが可能な液晶性化合
物及びそれを少なくとも１種類配合成分として含有する
液晶組成物を提供することを目的とする。またＬＢ （
Ｌａｒ＋ｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）脱法により小
分子累積膜を作製する場合には容易に疎水基を制御する
ことが出来、安定に成膜することが可能な化合物の提供
を目的とする。
のことによりＨ，Ａｒｎｏｌｄ、 ｒツァイトシュリフ
ト フユア フィジ力すッシェ ヒエミー」（Ｚ、 Ｐ
ｈｙｓ、 Ｃｈｅｗ、）、 ２２８．１４８ （１９Ｅ
１４）に示されるように液晶状態においで発現する液晶
相の種ｍや温度範囲を制御することが可能な液晶性化合
物及びそれを少なくとも１種類配合成分として含有する
液晶組成物を提供することを目的とする。またＬＢ （
Ｌａｒ＋ｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）脱法により小
分子累積膜を作製する場合には容易に疎水基を制御する
ことが出来、安定に成膜することが可能な化合物の提供
を目的とする。
［問題点を解決するための手段及び作用］未発１月は一
般式（Ｉ） （Ｒ・は不斉炭素原子を有するアルキル基を表わす。） で表わされる光学活性な４−アルコキシベンゼンチオー
ル及びそれを少なくとも一種類配合成分として含有する
液晶組成物を提供する。
般式（Ｉ） （Ｒ・は不斉炭素原子を有するアルキル基を表わす。） で表わされる光学活性な４−アルコキシベンゼンチオー
ル及びそれを少なくとも一種類配合成分として含有する
液晶組成物を提供する。
さらに本発明は一般式（ＩＩ）
（Ｒ“は不斉炭素原子を有するアルキル、広を表わす、
） で表わされる光学活性なビス（４−フルコキシフェニル
）ジスルフィド及びそれを少なくとも一種類配合成分と
して含有する液晶組成物を提供する。
） で表わされる光学活性なビス（４−フルコキシフェニル
）ジスルフィド及びそれを少なくとも一種類配合成分と
して含有する液晶組成物を提供する。
前記−・般式（Ｉ）、（ｒｌ）で示される化合物はベン
ゼン環を介しＣ不斉炭素とチオール基が存在しているた
めに、その光学活性を失うことなくチオールカルボン酸
エステル結合、スルフィド結合、スルホキシド結合等に
より容易に種々の誘導体を合成することができるので、
非常に広範囲に利用することが可能であると期待される
化合物である。しかしながら、現在までに式（１）。
ゼン環を介しＣ不斉炭素とチオール基が存在しているた
めに、その光学活性を失うことなくチオールカルボン酸
エステル結合、スルフィド結合、スルホキシド結合等に
より容易に種々の誘導体を合成することができるので、
非常に広範囲に利用することが可能であると期待される
化合物である。しかしながら、現在までに式（１）。
（Ｈ）で示されるような光学活性な化合物は知られてい
ない。
ない。
本発明者らは以上のような知見に基き鋭意研究を重ねた
結果、前記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）で示される化合物の
合成に成功し、本発明を完成した。
結果、前記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）で示される化合物の
合成に成功し、本発明を完成した。
本発明の一般式（Ｉ）、（ＩＩ）で表わされるところの
新規な光学活性物質はネマチック液晶に添加することに
よりツィステッド・ネマチック（ＴＮ）型セルにおける
リバースドメインを防止することに有効である。またネ
マチック液晶に添加することによりカイラルネマチック
液晶として相転移型液晶素子やホワイト・ティラー型ゲ
スト・ホスト型液晶素子に使用することが可能である。
新規な光学活性物質はネマチック液晶に添加することに
よりツィステッド・ネマチック（ＴＮ）型セルにおける
リバースドメインを防止することに有効である。またネ
マチック液晶に添加することによりカイラルネマチック
液晶として相転移型液晶素子やホワイト・ティラー型ゲ
スト・ホスト型液晶素子に使用することが可能である。
カイラルスメクチック相の強誘電性を利用するところの
素子において、その液晶組成物へ添加することでその特
性を改善することも可能であるが、次に示すようなスメ
クチック液晶に本発明の一般式（Ｉ） 、 （ＩＩ
）で表わされるところの光学活性物質を添加することに
より強誘電性力・ｆラルスメクチック相として利用する
ことも可能となる。
素子において、その液晶組成物へ添加することでその特
性を改善することも可能であるが、次に示すようなスメ
クチック液晶に本発明の一般式（Ｉ） 、 （ＩＩ
）で表わされるところの光学活性物質を添加することに
より強誘電性力・ｆラルスメクチック相として利用する
ことも可能となる。
４．４′−デシルオギシアゾキシベンゼン７７”（Ｉ２
０”（Ｉ２３°Ｃ Ｃｒｙｓｔ−＝ ５Ｉｌｅ ” Ｎ ” Ｉｓｏ。
０”（Ｉ２３°Ｃ Ｃｒｙｓｔ−＝ ５Ｉｌｅ ” Ｎ ” Ｉｓｏ。
ビリミジン
以上のように本発明の一般式（Ｉ） 、 （ＩＩ）で
表わされるところの新規な光学活性物質は強銹電性液晶
素子やτＮ型液晶素子の性能改善に使用する材料として
非常に有効である。
表わされるところの新規な光学活性物質は強銹電性液晶
素子やτＮ型液晶素子の性能改善に使用する材料として
非常に有効である。
次に本発明の液晶性化合物の合成法について述べる。
本発明に従い前記一般式（Ｉ）の光学活性な（４−アル
コキシ）ベンゼンチオールを製造するには、まず光学活
性な脂肪族アルコールを用いる。
コキシ）ベンゼンチオールを製造するには、まず光学活
性な脂肪族アルコールを用いる。
具体的には３−メチルペンタノール、４−メチルヘキサ
ノール、１−メチルヘプタツール、２−メチルブタノー
ル、２−メチルオクタツール、２−メチルノナノール、
２−メチルデカノール等が用いられる。
ノール、１−メチルヘプタツール、２−メチルブタノー
ル、２−メチルオクタツール、２−メチルノナノール、
２−メチルデカノール等が用いられる。
光学活性アルコールをハロゲン化もしくはスルホネート
化したのちフェノールとエーテル結合させて得た光学活
性アルコキシベンゼンをクロロスルホニル化する。得ら
れた（４−アルコキシ）フェニルスルホニルクロライド
を還元することにより、一般式（１）の光学活性な（４
−アルコキシ）ベンゼンチオールが得られる。
化したのちフェノールとエーテル結合させて得た光学活
性アルコキシベンゼンをクロロスルホニル化する。得ら
れた（４−アルコキシ）フェニルスルホニルクロライド
を還元することにより、一般式（１）の光学活性な（４
−アルコキシ）ベンゼンチオールが得られる。
前記式（ＩＩ）の光学活性なビス（４−アルコキシフェ
ニル）ジスルフィドは前述と同様にして得られた光学活
性な（４−アルコキシ）フェニルスルホニルクロライド
を還元する条件等を変更することにより得られる。
ニル）ジスルフィドは前述と同様にして得られた光学活
性な（４−アルコキシ）フェニルスルホニルクロライド
を還元する条件等を変更することにより得られる。
以上の合成経路をまとめると次のとおりである。
このようにして得られる化合物としては、下記のものが
ある。
ある。
（中）−４−（２’−メチル−ブトキシ）ベンゼンチオ
−（＋）−４−（１’−メチル−プロポキシ）ベンゼン
チオール （−）−４−（１’−メチル−プロポキシ）ベンゼンチ
オール （−）−４−（１’−メチルヘキシルオキシル （−）−４−（１’−メチルへキシルオキシ）ペンゼチ
オール オール オール （＋）−４−（Ｌ’−メチルブトキシ）ベンゼンチオー
ル（−）−４−（１’−メチルブトキシ）ベンゼンチオ
ール（＋）−４−（３’−メチルペンチルオキシ）ベン
ゼンチオール （−）−４−（２’−メチルオクチルオキシ）ベンゼン
チオール （−）−４−（２’−メチルノニルオキシ）ベンゼンチ
オール （−）−４−（２’−メチルデシルオキシ）ベンゼンチ
オール （＋）−４−（４’−メチルへキシルオキシ）ベンゼン
チオール （−）−ビス（４−（１’−メチルへブチルオキシ）フ
ェニル）ジスルフィド このようにして得られた式（Ｉ）、（ＩＩ）の光学活性
物質は、ネマチック液晶に添加することによりＴＮ型セ
ルにおけるリバースドメインを防止することに有効であ
る。この場合、液晶組成物の０．０１〜５０重量％の割
合で使用することが好ましい。
−（＋）−４−（１’−メチル−プロポキシ）ベンゼン
チオール （−）−４−（１’−メチル−プロポキシ）ベンゼンチ
オール （−）−４−（１’−メチルヘキシルオキシル （−）−４−（１’−メチルへキシルオキシ）ペンゼチ
オール オール オール （＋）−４−（Ｌ’−メチルブトキシ）ベンゼンチオー
ル（−）−４−（１’−メチルブトキシ）ベンゼンチオ
ール（＋）−４−（３’−メチルペンチルオキシ）ベン
ゼンチオール （−）−４−（２’−メチルオクチルオキシ）ベンゼン
チオール （−）−４−（２’−メチルノニルオキシ）ベンゼンチ
オール （−）−４−（２’−メチルデシルオキシ）ベンゼンチ
オール （＋）−４−（４’−メチルへキシルオキシ）ベンゼン
チオール （−）−ビス（４−（１’−メチルへブチルオキシ）フ
ェニル）ジスルフィド このようにして得られた式（Ｉ）、（ＩＩ）の光学活性
物質は、ネマチック液晶に添加することによりＴＮ型セ
ルにおけるリバースドメインを防止することに有効であ
る。この場合、液晶組成物の０．０１〜５０重量％の割
合で使用することが好ましい。
またネマチック液晶に添加することによりカイラルネマ
チック液晶として相転移型液晶素子やホワイト・ティラ
ー形ゲスト・ホスト型液晶素子に液晶組成物として使用
することが可能である。この場合、液晶組成物の０．０
１〜８０重竜％の割合で用いることが好ましい。
チック液晶として相転移型液晶素子やホワイト・ティラ
ー形ゲスト・ホスト型液晶素子に液晶組成物として使用
することが可能である。この場合、液晶組成物の０．０
１〜８０重竜％の割合で用いることが好ましい。
また、前記式（Ｉ）の光学活性物質は、それ自体で強誘
電性のカイラルスメクチック液晶状態を呈する液晶組成
物に例えば０．０１〜８０重量％添加して耐久性等の特
性を改善することができる。更には、スメクチック液晶
に添加して強誘電性カイラルスメクチック相を皇する液
晶組成物を与えることもできる。この場合、液晶組成物
の０．０１〜８０重量％の割合で添加することが好まし
い。
電性のカイラルスメクチック液晶状態を呈する液晶組成
物に例えば０．０１〜８０重量％添加して耐久性等の特
性を改善することができる。更には、スメクチック液晶
に添加して強誘電性カイラルスメクチック相を皇する液
晶組成物を与えることもできる。この場合、液晶組成物
の０．０１〜８０重量％の割合で添加することが好まし
い。
［実施例］
実施例１
ビス（４−（２’−メチルブトキシ）フェニル）ジスル
フィド 第一工程 ■ Ｉ ７００．Ｏｇ （７，！３４１ｍｏ６）をピリジン
２８１ｇに溶かし、水冷し、ＰＢｒ３８５３ｇ （３，
１５ｍｏｆｆ）を徐々に滴下する。（６ｈ）減圧蒸留（
７０〜７４℃、１５０〜５０ｍＨｇ、 ３．４ｈ ）に
より、８９９ｇを得た０石油エーテル２．３１で抽出し
、５％ＮａＯＨ１８５０ｍｆ Ｘ ３ Ｈｚ０１８５０
ｍｊ）Ｘ ３ 、 １０％Ｈ２ＳＯ４１８５０＋＋＋ｆ
Ｘ ２ 、ｃｏｎＣＨ２ＳＯＨ２ＳＯ４１２Ｏ０２、Ｈ
２Ｏ１５００ｍｊ？Ｘ ３ テ洗い、Ｎａ２ ＳＯ４テ
乾燥後、溶媒留去し、精留し、 ５４９．８ｇ （３，
１３４０ｍｏｉ’）を得た。収率４５．８％。
フィド 第一工程 ■ Ｉ ７００．Ｏｇ （７，！３４１ｍｏ６）をピリジン
２８１ｇに溶かし、水冷し、ＰＢｒ３８５３ｇ （３，
１５ｍｏｆｆ）を徐々に滴下する。（６ｈ）減圧蒸留（
７０〜７４℃、１５０〜５０ｍＨｇ、 ３．４ｈ ）に
より、８９９ｇを得た０石油エーテル２．３１で抽出し
、５％ＮａＯＨ１８５０ｍｆ Ｘ ３ Ｈｚ０１８５０
ｍｊ）Ｘ ３ 、 １０％Ｈ２ＳＯ４１８５０＋＋＋ｆ
Ｘ ２ 、ｃｏｎＣＨ２ＳＯＨ２ＳＯ４１２Ｏ０２、Ｈ
２Ｏ１５００ｍｊ？Ｘ ３ テ洗い、Ｎａ２ ＳＯ４テ
乾燥後、溶媒留去し、精留し、 ５４９．８ｇ （３，
１３４０ｍｏｉ’）を得た。収率４５．８％。
笈≦Ｌ：丘
ＬＩ
Ｕ ３８１．０ｇ （２，５２２ｍｏｊり ７ ！ノー
ル２［ｆ５ｇ、 Ｉｈ０１０００ｍＩ！、塩化ベンジル
トリメチルアンモニウム１５ｇを丸底フラスコに入れ、
沸騰させ、Ｉ２０Ｈ２Ｏ３２Ｏに溶かしたＮａ０）１９
８ｇを滴下し、９０〜１０２℃テ４０ｈ反応し、Ｈ’Ｅ
２．０１で抽出した。５％ＮａＯＨ８００ｔｊ） Ｘ
２で水洗し、乾燥後溶媒を留去し、２９８．４ｇ （
１，８０５ｍｏｆ’）得た。純度８５％、収率７１．６
％。
ル２［ｆ５ｇ、 Ｉｈ０１０００ｍＩ！、塩化ベンジル
トリメチルアンモニウム１５ｇを丸底フラスコに入れ、
沸騰させ、Ｉ２０Ｈ２Ｏ３２Ｏに溶かしたＮａ０）１９
８ｇを滴下し、９０〜１０２℃テ４０ｈ反応し、Ｈ’Ｅ
２．０１で抽出した。５％ＮａＯＨ８００ｔｊ） Ｘ
２で水洗し、乾燥後溶媒を留去し、２９８．４ｇ （
１，８０５ｍｏｆ’）得た。純度８５％、収率７１．６
％。
凪ｊＬＬ丘
ｖ
ｍ ３０７．４ｇ＝１．８７２ｍｏｆ ｔ ＣＨＣｈ
７７０ａｉ） ニ溶カシ、水浴中（−１２加）でＣＲ’
；ＣｈＨ４３６，８ｇを滴下する。
７７０ａｉ） ニ溶カシ、水浴中（−１２加）でＣＲ’
；ＣｈＨ４３６，８ｇを滴下する。
２．５ｈ後、友応終了をＴＬＧで確認し、氷上に注入し
た。 ＣＨＧｉ）：＋ ３．ＯＲで抽出し、水洗、乾燥
後、溶媒を留去して２４７．０ｇを得た。これをカラム
クロマトグラフィー（シリカゲル２．５ｋｇ 、移動層
ｎ−ヘキサン： ｌＰＥ−５：ｆ ）で精製し、２００
．Ｅｔｇ＝０．７８３ｍｏｉ）を得た。収率４０．８％
。
た。 ＣＨＧｉ）：＋ ３．ＯＲで抽出し、水洗、乾燥
後、溶媒を留去して２４７．０ｇを得た。これをカラム
クロマトグラフィー（シリカゲル２．５ｋｇ 、移動層
ｎ−ヘキサン： ｌＰＥ−５：ｆ ）で精製し、２００
．Ｅｔｇ＝０．７８３ｍｏｉ）を得た。収率４０．８％
。
ＩＲ： ２９１３０ｃｍ−１，２９５０ｃｍ−１，２
ＨＯｃｍ−１゜１８０００！ｌ−１，１３８５０ＩＩ−
１，１２８０（Ｉ−１゜１１７５０！ｌ−１’ ＮＮＲ： ８．１〜８．９ｐｐｍ （ｑ、 ４Ｈ）、
３．９ｐｐｍ （ｄ、 ２Ｈ）２．１〜ｏ、ａｐｐヨ（
ｍ、 ９Ｈ） 五に亘 ■ 赤リン４５．９ｇ、 Ｉ２１．８８３ｇ、 ＡｃＯＨ３
ＦＪ、８ｍｆ！の混合物を加熱し、沸騰したら■を１１
３ｇ （１，１０）滴下する。 １２Ｇａｓが出てきた
ら、 １４４Ｊｇ （！３／１０）の■を滴下し還流す
る０反応がもはや進まなくなった時、Ｉ２を１．８８ｇ
追加した。 ｌ２Ｇａｓが完全になくなったら、Ｉ２０
を３８．７＋＋ｊ！加えてさらに１ｈ加熱した。（８５
°Ｃ，８ｈ） ｒＰＥ １．２ｊ！で抽出し、水洗、乾
燥後、溶媒を留去して１５０．を得た。これをシリカゲ
ルでカラムクロマトグラフィーを用い分離した。
ＨＯｃｍ−１゜１８０００！ｌ−１，１３８５０ＩＩ−
１，１２８０（Ｉ−１゜１１７５０！ｌ−１’ ＮＮＲ： ８．１〜８．９ｐｐｍ （ｑ、 ４Ｈ）、
３．９ｐｐｍ （ｄ、 ２Ｈ）２．１〜ｏ、ａｐｐヨ（
ｍ、 ９Ｈ） 五に亘 ■ 赤リン４５．９ｇ、 Ｉ２１．８８３ｇ、 ＡｃＯＨ３
ＦＪ、８ｍｆ！の混合物を加熱し、沸騰したら■を１１
３ｇ （１，１０）滴下する。 １２Ｇａｓが出てきた
ら、 １４４Ｊｇ （！３／１０）の■を滴下し還流す
る０反応がもはや進まなくなった時、Ｉ２を１．８８ｇ
追加した。 ｌ２Ｇａｓが完全になくなったら、Ｉ２０
を３８．７＋＋ｊ！加えてさらに１ｈ加熱した。（８５
°Ｃ，８ｈ） ｒＰＥ １．２ｊ！で抽出し、水洗、乾
燥後、溶媒を留去して１５０．を得た。これをシリカゲ
ルでカラムクロマトグラフィーを用い分離した。
２９°Ｃ＝ ＋ ７．８・
旋光度： ［α］Ｄ
ＩＲ： ２９７０ｃｍ−１，２９３０Ｃ！ｌ−１，２
８８００ＥＩ−１゜１８００ｃｍ−’、 １５００ｃ
ｍ−１，１４８５ｃｍ−１゜１２８２ｃｍ−１，１２５
０ｃｍ−１ ＮＮＲ： ７．５〜８．８ｐｐｍ （ｑ、 ４Ｈ）、
３．Ｉ３ｐｐｍ （ｄ、 ２Ｈ）２、Ｉ Ｎｏ、８ｐｐ
ｍ （ｍ、９Ｈ）実施例２ ４（２′−メチルブトキシ〕ベンゼンチオール■ 実施例１と同じ方法で合成したｍｌＧ、を実施例１第四
工程と同じ方法で再還元し、同量の水に入れ、 ＩＰＥ
で抽出、乾燥ろ通抜、溶媒留去して、■を８．７ｇ得た
。
８８００ＥＩ−１゜１８００ｃｍ−’、 １５００ｃ
ｍ−１，１４８５ｃｍ−１゜１２８２ｃｍ−１，１２５
０ｃｍ−１ ＮＮＲ： ７．５〜８．８ｐｐｍ （ｑ、 ４Ｈ）、
３．Ｉ３ｐｐｍ （ｄ、 ２Ｈ）２、Ｉ Ｎｏ、８ｐｐ
ｍ （ｍ、９Ｈ）実施例２ ４（２′−メチルブトキシ〕ベンゼンチオール■ 実施例１と同じ方法で合成したｍｌＧ、を実施例１第四
工程と同じ方法で再還元し、同量の水に入れ、 ＩＰＥ
で抽出、乾燥ろ通抜、溶媒留去して、■を８．７ｇ得た
。
ＩＲ： ２９８０ｃ＋ｓ−１，２９５０ｃ＋ｓ−１、
２９００ｃｍ−１。
２９００ｃｍ−１。
１７２０ｃ＋ｓ−１，１６２００！Ｉ−１，１５２０Ｃ
！ｌ−１゜１２８０Ｃ１１−１，１１３０Ｃ！ｌ−１Ｎ
ＭＲ： ７．３〜ｆ３．８ｐｐｍ （ｑ、４Ｈ）、
３．８ｐｐｍ （ｄ、２Ｈ）第二工程 ■ 反応生成物を中和し、ＩＰＥ １５０ｔｊ）で抽出、水
洗後、溶媒習去し、６．９ｇ得た。減圧蒸留により、−
ＳＨ体を分離し、２．２２９１ｇを得た。（２ｍ＋Ｈｇ
、 Ｈ〜９４℃） ２９′Ｃ 旋光度： ［α］ ＝＋８．１’ ＩＲ： ２９８０ｃｍ１．２９４０Ｃ１１−１，２８
９ＱＣ！＋−１゜２５８０ｃｍ−１，ＩＥ１１０ｃ＋ｍ
−！、 １５０５ｃｍ−１゜１２５５ｃ＋ｗ−１，ｔ２
９５ｃｍ−１ＮＭＲ： ７．３〜Ｅ１．７ｐｐｍ （ｑ
、 ４Ｈ）。
！ｌ−１゜１２８０Ｃ１１−１，１１３０Ｃ！ｌ−１Ｎ
ＭＲ： ７．３〜ｆ３．８ｐｐｍ （ｑ、４Ｈ）、
３．８ｐｐｍ （ｄ、２Ｈ）第二工程 ■ 反応生成物を中和し、ＩＰＥ １５０ｔｊ）で抽出、水
洗後、溶媒習去し、６．９ｇ得た。減圧蒸留により、−
ＳＨ体を分離し、２．２２９１ｇを得た。（２ｍ＋Ｈｇ
、 Ｈ〜９４℃） ２９′Ｃ 旋光度： ［α］ ＝＋８．１’ ＩＲ： ２９８０ｃｍ１．２９４０Ｃ１１−１，２８
９ＱＣ！＋−１゜２５８０ｃｍ−１，ＩＥ１１０ｃ＋ｍ
−！、 １５０５ｃｍ−１゜１２５５ｃ＋ｗ−１，ｔ２
９５ｃｍ−１ＮＭＲ： ７．３〜Ｅ１．７ｐｐｍ （ｑ
、 ４Ｈ）。
３．８〜３．７ｐｐｔｎ （ｑ、 ２）り３．３ｐｐ国
（Ｓ、 ＬＨ） １．８〜０．８ｐｐｍ （ｍ、 ９Ｈ）実施例３ リクソンＧＲ−８３（チッソ製ビフェニル液晶混合物）
９９重量部に対して本発明実施例２の（＋）−４−（２
′−メチル）ブトキシベンゼンチオール１重量部を加え
た液晶混合物を使用したツィステッドネマチック（ＴＮ
）セルは、この化合物を添加しないで製造したＴＮセル
に比較してリバース・ドメインが大幅に減少しているこ
とが説察された。
（Ｓ、 ＬＨ） １．８〜０．８ｐｐｍ （ｍ、 ９Ｈ）実施例３ リクソンＧＲ−８３（チッソ製ビフェニル液晶混合物）
９９重量部に対して本発明実施例２の（＋）−４−（２
′−メチル）ブトキシベンゼンチオール１重量部を加え
た液晶混合物を使用したツィステッドネマチック（ＴＮ
）セルは、この化合物を添加しないで製造したＴＮセル
に比較してリバース・ドメインが大幅に減少しているこ
とが説察された。
実施例４
リクンンＧＲ−６３（チッソ製ビフェニル液晶混合物）
９９重量部に対して本発明実施例１の（＋）−ビス（
４−（２’−メチルフトキシ）フェニル）ジスルフィド
１重１部を加えた液晶混合物を使用したツィステッドネ
マチック（ＴＮ）セルは、この化合物を添加しないで製
造したＴＮセルに比較してリバース・ドメインが大幅に
減少していることが筬察された。
９９重量部に対して本発明実施例１の（＋）−ビス（
４−（２’−メチルフトキシ）フェニル）ジスルフィド
１重１部を加えた液晶混合物を使用したツィステッドネ
マチック（ＴＮ）セルは、この化合物を添加しないで製
造したＴＮセルに比較してリバース・ドメインが大幅に
減少していることが筬察された。
［発明の効果］
本発明の４−（アルコキシ）ベンゼンチオールおよびビ
ス−（４−アルコキシフェニル）ジスルフィドは適当な
分子間力と形状をもった機能性材料中間体と光学活性を
損うことなく結合させることができ、分子設計を自由に
行うことができる。特にアルキル基の長さを選択するこ
とにより液晶状態において発現する液晶相の種須や温度
範囲を制御することが可能である。
ス−（４−アルコキシフェニル）ジスルフィドは適当な
分子間力と形状をもった機能性材料中間体と光学活性を
損うことなく結合させることができ、分子設計を自由に
行うことができる。特にアルキル基の長さを選択するこ
とにより液晶状態において発現する液晶相の種須や温度
範囲を制御することが可能である。
また本発明の４−（アルコキシ）ベンゼンチオールおよ
びビス−（４−アルコキシフェニル）ジスルフィドを少
なくとも１種類含有するところの液晶組成物はカイラル
ネマチック液晶、カイラルスメクチック液晶として使用
することにより性能改善に有効である。
びビス−（４−アルコキシフェニル）ジスルフィドを少
なくとも１種類含有するところの液晶組成物はカイラル
ネマチック液晶、カイラルスメクチック液晶として使用
することにより性能改善に有効である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （Ｒ＾＊は不斉炭素原子を有する炭素数４〜１２のアル
キル基を表わす。） で表わされる光学活性な４−アルコキシベンゼンチオー
ル。 ２）下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （Ｒ＾＊は不斉炭素原子を有する炭素数４〜１２のアル
キル基を表わす。） で表わされる光学活性なビス（４−アルコキシフェニル
）ジスルフィド。 ３）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （Ｒ＾＊は不斉炭素原子を有する炭素数４〜１２のアル
キル基を表わす。） で表わされる光学活性な４−アルコキシベンゼンチオー
ルを少なくとも一種類含有することを特徴とする液晶組
成物。 （４）下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （Ｒ＾＊は不斉炭素原子を有する炭素数４〜１２のアル
キル基を表わす。） で表わされる光学活性なビス（４−アルコキシフェニル
）ジスルフィドを少なくとも一種類含有することを特徴
とする液晶組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19383185A JPS6256466A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 光学活性物質 |
| DE19863629446 DE3629446A1 (de) | 1985-09-04 | 1986-08-29 | Optisch aktive thiole und deren mesomorphe esterderivate |
| US07/302,145 US4876027A (en) | 1985-09-04 | 1989-01-27 | Optically active composition, mesomorphic compound and liquid crystal device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19383185A JPS6256466A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 光学活性物質 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6256466A true JPS6256466A (ja) | 1987-03-12 |
Family
ID=16314463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19383185A Pending JPS6256466A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 光学活性物質 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6256466A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07324051A (ja) * | 1986-06-30 | 1995-12-12 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | フッ素含有カイラルスメクチック液晶 |
| JP2008110969A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-05-15 | Toyama Chem Co Ltd | 置換基を有する芳香族チオール誘導体またはその中間体の新規製造法 |
-
1985
- 1985-09-04 JP JP19383185A patent/JPS6256466A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07324051A (ja) * | 1986-06-30 | 1995-12-12 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | フッ素含有カイラルスメクチック液晶 |
| JP2705714B2 (ja) * | 1986-06-30 | 1998-01-28 | ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー | フッ素含有カイラルスメクチック液晶 |
| JP2008110969A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-05-15 | Toyama Chem Co Ltd | 置換基を有する芳香族チオール誘導体またはその中間体の新規製造法 |
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