JPS6254808A

JPS6254808A - 磁気ヘツドおよびその製造方法

Info

Publication number: JPS6254808A
Application number: JP19317585A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Kurebayashi; 榑林　正明; Katsuo Konishi; 小西　捷雄; Masamichi Yamada; 雅通山田; Kanji Kawano; 寛治川野; Norio Goto; 典雄後藤; Hitoshi Yanagihara; 仁柳原; Juichi Morikawa; 森川　寿一
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1985-09-03
Filing date: 1985-09-03
Publication date: 1987-03-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕本発明は、磁気ヘッドおよび製造方法、詳述するなら、
高飽和磁束密度ををする金属磁性薄膜を用いてなり、狭
トラツク幅を高精度に決定可能な、例えばＶＴＲ用ヘッ
ド等に用いて好適な磁気ヘッドおよびその製造方法に関
する。

〔発明の背景〕

近年高密度記録に対応するため、高飽和磁束密度を有す
るセンダスト等の金属材料からなる金属磁性ｌＩ膜を、
磁気ヘッドの少なくとも作動ギャップ（［気ギャップ）
近傍の磁気回路に用いたものが各種提案されている。

例えば、特開昭５６−１６９１２３号公報には、金属磁
性１１膜を用いた浮動型磁気ヘッドが示されている。こ
の先順に示された磁気ヘッドは、金属磁性薄膜を形成し
た基板とスライダブロックとを貼着する構造においてリ
ード線の導出を容易にしたものであるが、トラック幅を
研摩量によって決定するため、高精度のトラック幅のコ
ントロールを能率良く行なうことができないという問題
があつた。

また、１対の非磁性基板の表面に金属磁性薄膜を形成し
、この１対の非磁性基板にトラック幅規制用溝を形成し
た後、両非磁性基板を貼合せ、ヘッドコアブロックとし
て切出した構成の磁気ヘッドが特開昭５８−１７９９２
５号公報に示されている。この先願の構成は第１１図に
示した如く、１対の非磁性材料よりなるコア基板ＩＱ１
．１０２上の金属磁性薄膜１０３．１０４が膜面と平行
に突き合わされた構造を採り、トラック幅規制溝１０５
．１０５によってトラック幅が決定されている。１０６
は作動ギャップ、１０７．１０７はトラック幅規制溝１
０５．１０５に充填されたガラス、１０８は巻線穴であ
る。しかしながら、この先願においても、トラック幅出
しは機械的研摩によって決定されるため、この加工が煩
雑で作業効率が悪いという欠点を存することは否めない
。

また、非磁性のコア基体１０１．１０２と金属磁性Ｆｌ
膜１０３．　１０４とのそれぞれの境界線が作動ギャッ
プ４と平行であるため、コンタ−効果によってヘッド特
性の信転性を劣下させる虞れもあった。

更には、上述した２つの先願に示された磁気ヘッドは、
共に磁束が作動ギャップ近傍において金属磁性薄膜面に
対し垂直に流れる構成であるため、高周波特性の改善の
ために金属磁性薄膜の多層化を計ると、各層間が磁気抵
抗となって効率が低下するという問題もあった。また、
特開昭５８−１７９９２５号の構造では、多層化するこ
とによって前述したコンタ−効果による悪影響がより増
大する。

上述した欠点に対処するため、特開昭５６−１２４１１
１号公報、同５６−１２４１１２号公報に示されたよう
に、金属磁性薄膜の端面同志を突き合わせして、作動ギ
ャップを得るようにした磁気ヘッドも知られている。こ
の先願に示された磁気ヘッドは、第１２図に示すように
Ｍｎ−Ｚｎフェライト、センダス等のバルク材料からな
るコア主体部１１１，１１１の溝１１２に、スパッタリ
ング或いは蒸着で被着した金属磁性′ｇｉ膜１１３゜１
１３の端面同志を作動ギャップ１１４をもつように突き
合わせ、作動ギャップ１１４近傍の前記溝１１２に非磁
性材１１５を充填した構造となっており、トラック幅Ｔ
ｗは金属磁性薄膜１１３の膜厚で決定されるようになっ
ている。従って、研摩によるトラック幅出し工程がなく
、且つコンタ−効果も生じない。しかしながら、第１２
図示の構成の磁気ヘッドは、前記したバルク材料からな
る基板にＩＪ字形を切削し、該Ｕ字形溝壁面に金属磁性
薄膜をスパッタリング等で被着した後、対となる基板を
密着・接合してヘッドコアブロックとして図示の形状に
切出す手法を採っているため、Ｕ字形溝壁面にスパッタ
リングで膜形成をするにあたり、Ｕ字形清の垂直壁部（
作動ギャップ形成予定部）と粒子飛来方向とが略平行と
なって、膜形成が難しいと共に、形成された膜の特性劣
下が問題となるものであった。この点に対処するため、
基板を傾斜させた状態でスパッタリングを行なうことも
考えられるが、この手法を採ると、各Ｕ字形溝毎の膜形
成条件、特にターゲット基板間距離が異なるため、溝毎
の膜特性がバラツクという問題を生じた。

〔発明の目的〕

従って本発明の目的とするところは、上記した従来欠点
を解消し、トラック幅の精度出しが容易で且つ高周波特
性に優れると共に、金属磁性薄膜の形成および膜特性管
理の容易な、磁気ヘッドおよびその製造方法を提供する
にある。

（発明の概要〕本発明の上記目的は、高飽和磁束密度を有する金属磁性
薄膜の端面同志を突き合わせて作動ギャップを形成する
と共に、該作動ギャップを形成した被記録媒体との摺接
面において、前記突き合わされた金属磁性薄膜が略直線
状とされた磁気ヘッドによって概略達成される。

また、本発明の上記目的は、基板の一面上にその端部か
ら所定長さのＶ字形溝を形成する工程と、前記Ｖ字形溝
の壁面を含む基板の一面上に薄膜技術によって高飽和磁
束密度を有する金属磁性薄膜を被着する工程と、前記金
属磁性薄膜を被着した７字形溝内に非磁性材料を充填す
る工程と、前記基板の平面上に被着した金属磁性ＩＨ！
が少なくとも除去されるまで基板平面を研摩する工程と
、２枚の基板のＶ字形溝にそれぞれ形成された前記金属
磁性薄膜同志が一直線となるように両金属磁性薄膜の端
面をギャップスペーサ材を介して突き合わせると共に、
２枚の基板を重ね合わせて一体化する工程と、この一体
化された２枚の基板をチップ状に切出す工程と、チップ
状に切出された部材の作動ギャップ形成面を研摩する工
程とを、備えた磁気ヘッドの製造方法によって概略達成
される。

〔発明の実施例〕

第１図および第２図は本発明の１実施例に係り、第１図
（ａｌ〜ｆｇｌは製造工程を示す説明図、第２図（５）
。

（ｂｌは完成されたヘッドコアブロックを示す斜視図で
ある。

以下、該実施例による磁気ヘッドの製造方法を第１図に
よって説明する。

図において、１は高透磁率を有するフェライト等の磁性
材料からなる基板で、該基板の１の−面上には、その端
部から適宜の長さの複数本の７字形溝２が加工・刻設さ
れる〔第１図（ａ）〕。そして、この■字Ｖ字形溝設け
た側の基板１表面には、高飽和磁束密度をもつ金属磁性
薄膜３が薄膜技術で被着される〔第１図（１））〕、該
実施例においては、Ｃｏ系非晶譬合金磁性薄膜をＲＦス
パッタリング法で形成しているが、金属磁性薄膜３とし
ては、この他にＦｅ系非晶質合金薄膜、センダスト薄膜
。

高硬度のパーマロイ薄膜等が使用でき、薄形成方法とし
ても、ＲＦスパッタリング以外のスパッタリングは勿論
、蒸着、イオンブレーティング、ＰＶＤ等のｖｉＩ膜形
成手法を採用可能である。

この金属磁性Ｆｉｌ膜３の形成に際し、前記Ｖ字形溝２
の傾斜面の角度θは、膜特性の決定要因として大きく作
用し、効率よく充分な膜特性と必要十分な膜厚を得るた
めには、θは３０’〜７０°の範囲が実施例では選択で
きる。即ち、θの値が大きいとＶ字形溝の壁面（傾斜面
）への粒子の被着効率が劣下するため、現状では充分な
膜厚育成には７０°程度がその上限であるからである。

参考までに該実施例によるθと膜特性としての保持力Ｈ
ｃとの関係を第３図に示すと、θが６０’程度までは膜
特性が安定していることがわかる。（なお、膜特性の角
度依存性は、膜形成条件、膜の材質、形成方法等に左右
されるものであるから、その上限は必ずしも６０°〜７
０’　と限定されるものではない、）一方、θの下限値
は、後述する如く金属磁性薄膜３がヘッド摺接面におい
て作動（磁気ギャップ）となす角度が小さくなると（平
行に近づくと）前述したコンタ−効果による恵影響がで
るため、３０°以上、望ましくは４５°以上とされる。

第１図（ｂｌの如くされた基板１の前記１字形溝２内に
は、非磁性材料４が充填される〔第１図（ｃｌ）。

該実施例においては、ｐｂ系の低融点ガラスを熔融して
充填しているが、ガラス系材料以外にも、スパッタリン
グ、蒸着等の方法を用いて形成したフォルステライト、
ステアタイト、アルミナおよびこれら類似組成のセラミ
ック系の材料を使用することも可能である。

然る後、基板１の表面を研摩し、少なくとも基板ｌの表
面（平面）に被着した前記金属磁性薄膜３が除去される
まで、非磁性材ｆ４４および金属磁性薄膜３の一部を研
摩して取除く　〔第１図（ｄ＋）。

この際、後述する工程で接合される対をなす基板１の一
方には、コイルを巻回するためのＳ線式形成用のｔｒｉ
　５が加工・刻設される〔第１図ｔｅ１３゜そして、上
述の如く加工された２つの基板１゜１は、第１図（ｆｌ
に示すように、両基板の金属磁性１１１！Ｘ３，３同志
が一直線となるように突き合わされ、ギャップスペーサ
材とギャップ接着剤（スペーサ材６）を介して両基板１
．１を介して接合・一体化される。然る後、両基板１，
１を第１図ｆｆｌにおいて一点ｉｌ線で示した仮想切断
線に沿って切断すれば、第１図（幻にその一部（ヘッド
摺接面側）が示されたヘッドコアブロックが（複数個）
切出されることになり、この後、摺接面が必要に応じ研
摩される。

このように形成されたヘッドコアブロックは第２図に示
したように形状を呈し、（１）気テープ等の記録媒体と
の摺接面において、その摺動方向（第２図で矢印で図示
）に対して一定の傾斜角をもって金属磁性Ｆｉ）１３３
．３が作動ギャップ７を介して直線状に連らなったもの
となる。そして、突き合わされた金属磁性薄膜３．３と
、後端（第２図で下側）で連らなった両（磁性）基板１
，１よりなるコア主体部で閉磁路が構成される。なお、
同図において８は巻線穴である。

上述の如く作製された磁気ヘッドにおいては、そのトラ
ックＩｉＴｗは、第４図に示したように金属磁性ＴＲＨ
ａ３の膜厚Ｔ、金属磁性薄膜３の摺動方向に対してなす
角度θ１およびアジマス角θ、によって一意的に決定さ
れる。即ち、トラック幅ＴＷは、ｃｏｓ　（０１壬θ＾）で決定され、研摩作業によらずしてトラック幅ＴＷが定
まるため、その寸法管理は容易で、バラツキなく正確な
ものとなる。（なお、上記θ１は、金属磁性薄膜３が摺
動方向と平行な場合をθ、−０°とし、また、θ、壬θ
、は、第４図（ａｌの場合を負の符号とし、同図（ｂｌ
の場合を正の符号としている。）第５図〜第７図は本発明の他の実施例に係り、第５図ｔ
ａ）〜（「）は製造工程を、第６図ｔａ＋は製造途上時
の要部断面を、同（ｂｌ〜（ｆｌは後述する金属磁性薄
膜の除去するための各実施ａ様を、第７図ｆａ１．　（
ｂｌは切出されたヘッドコアブロックをそれぞれ示して
いる。

該実施例において用いられる基板１１は、非磁性材料か
らなり、該実施例においては結晶化ガラス基板を用いた
が、ＭｎＯからなる非磁性セラミックス等を用いること
も可能である。該基板１の一面上にはその一辺から他辺
に亘って複数本の７字形溝１２が加工・刻設される。こ
の７字形溝１２の傾斜面の角度は前記実施例と同様に設
定される。

また、後述する工程で接合されるべ（対をなす基板１１
の一方には、７字形溝１２を横断する巻線穴形成用の溝
１５が加工・刻設される〔第５図（ａｌ）。

そして、この各基板１１上には前記実施例と同様にＲＦ
スパッタリングによってＣＯ系非晶質合金膜よりなる金
属磁性薄膜１３が被着され〔第５図（＋１）〕、■字形
字形溝内２は、低融点Ｐｂ系ガラスよりなる非磁性材料
１４が電気炉で４６０℃まで加熱・溶融して充填され、
然る後、前記実施例と同様に、基板ｌの表面に被着した
金属磁性薄膜１３が除去されるまで、基板１１の表面は
研摩さ、れる〔第５図（Ｃ１）、（上記金属磁性薄膜１
３および非磁性材料１４は、前述した如く他の材料、形
成手法に代替できることは勿論である。）この際、前記
溝１５内にも非磁性材料１４が被着することが考えられ
るが、巻線する際に支障がない限り問題はなく、万一支
障がある程度に被着しても容易に研摩可能である。

上記した工程で得られた一方の（ｌＪ１１５形成を形成
した）基板１１の溝１５における作動ギャップ側の傾斜
面１５ａには、第６図ｆａ＋に示したように金属磁性薄
膜１３が被着している。この傾斜面１５ａに被着した金
属磁性薄膜１３の上端部（作動ギャップ直下部）は、ギ
ャップデプスが金属磁性′＠膜１３の膜厚以下の領域に
おいては、エツジによるコンタ−効果等による悪影響を
もたらす。

そして、該実施例のように非磁性の基板１１を用い、金
属磁性薄膜１３のみで磁路を構成しようとする場合、磁
気抵抗を下げるため金ｒ！Ａ磁性薄膜１３の膜厚は通常
４０μｍとされる。また、ギャップデプスはこの種磁気
ヘッドにおいては３０μｍ以下とされる。従って、上記
した傾斜面１５ａ上部の不要の金属磁性薄膜１３の存在
は非常に問題となる。

そこで、第５図（ｄｉの工程においては、上述の溝１５
の作動ギャップ側傾斜面１５ａの上部側の不要金属磁性
薄膜１３が除去される。この除去部分１９の形状は任意
で、例えば、第６図（ｂｌ〜（ｆｌに示した種々の形状
１９Ａ〜１９Ｅを採ることができ、磯波的加工法以外に
もドライエツチング等の手法をとることも可能である。

然る後、２つの基板１１．１１は、第５図ｔｅｌに示す
ように側基板の金属磁性薄膜１３同志が一直線となるよ
うに突き合わされ、ギャップスペーサ材およびギャップ
接着剤（スペーサ材１６）を介して接合・一体化された
後、同図において一点鎖線で図示した仮想切断線に沿っ
て切断され、第５図ｆｆｌにその摺接面側が示されたヘ
ッドコアブロックが（複数個）切出されることとなる。

このように形成された磁気ヘッドは第７図（５）、　（
ｂｌその表裏を斜視して示したような形状を呈し、金属
磁性薄膜１３．１３のみで閉磁路が形成される。なお、
図において、１７は作動ギャップ、１８は巻線窓である
。

該実施例によれば、前記実施例と同様にトラック幅の精
度向上を図れると共に、良好なｌ１４（［気）特性をも
つ金属磁性薄膜をもつ磁気ヘッドが提供できる。更に、
該実施例によれば、非磁性基板を用いているため、磁路
長の短縮化と不要インダスタンスの低減が企れ、インダ
クタンス当たりの出力の改善が図れると共に、フェライ
トを用いないため高周波領域での摺動ノイズの低減が計
れる。

また、基板材料の自由度が広がり、加工性１歩留りの向
上２原価の低減等に及ぼす効果も大きい。

更にはまた、前述した除去部分１９の形状を、第６図（
Ｃ１〜ｆｄ＋に示したように傾斜（又は湾曲）させれば
、作動ギャップ部での磁束の急速な収束がないため、不
要の漏れ磁束の発生がなく、磁気効率の向上も図れる。

第８図および第９図は本発明の更に他の実施例に係り、
第８図（８）〜ｆｇｌは製造工程を、第９図は切出され
たヘッドコアブロックをそれぞれ示している。

該実施例における基板２１は、非磁性基板または石ｎ性
基板が用いられ、その−面には７字形又はＵ字形の溝３
０が複数本加工・刻設される〔第８図（ａ）〕。この溝
３０は、基板２１が非磁性基板の場合、基板２１の一辺
から他辺まで溝加工され、磁性基板である場合はその一
辺から適宜長さに溝加工される。然る後、基板２１の一
面上には溝３０に充填する如く非磁性材料３１が被着さ
れる（第８図Ｑ＋）〕。この非磁性材料３１は、該実施
例においては、電子線蒸着によるフォルステライト（２
ＭｇＯ，ＳｉＯ□）を用いているが、ｐｂ系の低融点ガ
ラス、ステアタイトアルミナおよびこれらに類似する組
成のセラミック系の材料等が使用可能で、形成方法とし
ても蒸着、スパッタリング等の他に、低融点ガラス等の
場合は、溝３０のみに溶融・充填しても良い。

そして、この基板２１は第８図ｔｃ＋に示したように溝
３０の底部に充填・被着した非磁性材料３１が３角状の
頂部として残るように７字形溝２２が隣接して複数本加
工・刻設される。この７字形溝２２は、前記した両実施
例における７字形溝２゜１２に対応するもので、その傾
斜面の角度は前記実施例と同等に設定される。（なお、
基板２１が非磁性基板である場合には、対となす基板の
一方に前記した巻線穴形成用の溝１５と同様の導がこの
時形成される。）続いて、基板２１上には薄膜形成技術によって金属磁性
薄膜２３が被着された後〔第８図（ｄ）〕、■字Ｖ字形
溝に非磁性材料２４が充填され、続いて基板２１の表面
（平面）に被着した前記非磁性材料３１が除去されるま
で基板２１の表面が研摩される〔第８図ｔｅ）〕、この
際、基板２１が非磁性基板である場合には、巻線穴形成
用の図示せぬ溝のギャップ側傾斜面の上部に被着した金
属磁性薄膜２３が前記第２の実施例と同様に除去される
。

また、基板２１が磁性基板である場合には、この時第１
の実施例で運べたＳｋＢ穴形成用の溝５と対応する溝が
加工される。なお、非磁性材料２４は＋１ｉ記非磁性材
料３１と同材料であっても別のものであっても良く、そ
の材料、被着手法の選択は任官である。

然る後、２つの基板２１．２１は前記した２つの実施例
と同様に突き合わされ、前述と同様のスペーサ材２６を
介して接合・一体化され（第８図＋０）−第８図ｔｆ）
で一点鎖線で示した仮想切断線に沿ってこれをカッティ
ングすれば、第８図［ｇｌに示したように、ヘッドコア
ブロックが切出されて、第９図（ａ）、　（ｂｌに斜視
したようなヘッドコアブロックが得られることとなる。

なお、第９図において２７は作動ギャップ、２８は巻線
穴である。

該実施例においても前記した２つの実施例と同等にトラ
ック幅の裔精度の寸法出し制御、並びに安定した特性の
金属磁性薄膜の形成が可能である。

更には、該実施例においては、ヘッド摺接面において作
動ギャップ２７の近傍にガラス等の非磁性材料２４．３
１が配されているため、耐摩耗性が向上すると共に、走
行特性も安定する。また、非磁性材料２４．３１の材質
は選択範囲が広く、摺接面に占める非磁性材料の占める
領域も、７字形溝２２の深さ調整等で容易に可変できる
。

第１０図は本発明の更に他の実施例を示しており、該実
施例においては、金属磁性薄膜４３を多層構造としてい
る。この金属磁性薄膜４３は、基板４１のＶ字形溝にＲ
Ｆスパッタリングによって被着されたもので、全体の厚
みを約２０μｍ、各金属磁性薄膜層４３の厚みを５μｍ
とし、各層間をＲＦスパッタリングで被着した５ｉＯｚ
の０．１μｍ厚の１角縁Ｐ！１４５で１色８＆した。な
お、４４は７字形溝に充填した非磁性材料である。

この実施例の場合も良好な膜特性とトラック幅制御が可
能である。また、該実施例においては、フェライトより
もそのうずｔ流損が大きくこの影響も無視できない金属
磁性′ｇｉ膜４３が１層当たり５μｍとされて各層間を
絶縁しているので、うず電流損を減少させることができ
、筒周波特性を改善できる。なお、この場合磁束は、各
金属磁性薄膜４３と平行に流れるので、効率の低下やコ
ンタ−効果を生じることはない。

〔発明の効果〕

以上のように本発明による磁気ヘッドは、金属磁性薄膜
の厚み、摺動面において直線状となす金属磁性薄膜と摺
動方向のなす角、およびアジマス角によってトラック幅
が決定できるため、機械的切削・研摩によらずに、高精
度のトラック幅出し制御が可能となる上、金属磁性薄膜
も膜（磁気）特性を劣下させることな（、容易に形成可
能となる。また、金属磁性薄膜が作動ギャップと非平行
であるため、エツジによる妨害、コンタ−効果などを取
除くことが可能となり、同時に多層化による高周波特性
の改善も容易である。また、金属磁性薄膜が摺動（テー
プ走行方向）に対して斜行した直線状であるため、偏摩
耗が少なく、長期に亘って安定した走行特性が期待でき
る等の顕著な効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図ｔａ＋〜ｆｇｌは本発明の第１の実施例による磁
気ヘッドの製造工程を示す説明図、第２図（ａｌ、　（
ｂｌは第１の実施例による製造工程で得られたヘッドコ
アブロックを表裏からそれぞれ見た斜視図、第３図は金
属磁性薄膜形成面の角廣θと保持力との関係を示すグラ
フ図、第９図＋Ｍ１．　ｆｂｌはトラック幅の決定要素
を示すための説明図、第５図〜第７図は本発明の第２の
実施例に係り、第５図（５）〜（ｆｌは製造工程を示す
説明図、第６図（８）は製造途上時の要部断面を示す説
明図、第６図（ｂ）〜＋ｆｌは溝上部の不要の金属磁性
薄膜を除去するための各実施態様を示す説明図、第７図
ｆａｔ、　（ｂｌは第２の実施例の工程によって得られ
たヘッドコアブロックを示す斜視図、第８図（Ｍｌ〜（
ｇｌは本発明の第３の実施例に係る製造工程を示す説明
図、第９図＋Ｍ１．　（ｂ）は第３の実施例による工程
で得られたヘッドコアブロックを示す斜視図、第１０図
は本発明の第４の実施例に係る磁気ヘッドの要部説明図
、第１１図および第１２図は各々異なる従来例を示す説
明図である。１．１１，２１．４１・・・・基板、２，１２．２２・
・・・Ｖ字形溝、３，１３，２３．４３・・・・金属磁
性薄膜、４．１４．２４．４４・・・・非磁性材料、５
．１５・・・・Ｓ線穴形成用の溝、６，１６．２６・・
・・スペーサ材、７．１７．２７・・・・作動（磁気ギ
ャップ）、８．１８．２８・・・・巻線穴、１９゜１９
Ａ〜１９Ｅ・・・・除去部分、３１・・・・非磁性材料
、４５・・・・絶縁層。第１図第７図（Ｑ）　　　　　　　　　　　　（ｂ）第２図（Ｇ）　　　　　　　（ｂ）第４図（ａ）（ｂ）第３図膜ザへｉ、角度θ 第５図第６図（ａ）　　　　　　　　　（ｂ）（ｃ）　　　　　　　　　（ｄ）（ｅ）　　　　　　　　　　（ｆ）第８図（ａ）　　　　　　　　　（ｂ）（Ｃ）（ｆ）（９）第９図（ａ）　　　　　　　　　　（ｂ）第１０図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）高飽和磁束密度を有する金属磁性薄膜の端面同志
を突き合わせて作動ギャップを形成すると共に、該作動
ギャップを形成した記録媒体との摺接面において、前記
突き合わされた金属磁性薄膜が略直線状となつているこ
とを特徴とする磁気ヘッド。
（２）トラック幅が、前記金属磁性薄膜の膜厚と、前記
摺接面において略直線となつた金属磁性薄膜と前記記録
媒体の走向方向とのなす角度と、アジマス角との３者に
よつて決定されることを特徴とする特許請求の範囲第（
１）項記載の磁気ヘッド。
（３）前記金属磁性薄膜は、磁性基板または非磁性基板
のＶ字形溝内に被着されて突き合わされることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載の磁気ヘッド。
（４）前記摺接面における前記金属磁性薄膜近傍には、
前記基板とは異なる材質の非磁性材料が充填されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第（３）項記載の磁気
ヘッド。
（５）前記金属磁性薄膜は、磁性基板の作動ギャップ近
傍にのみ被着されていることを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項記載の磁気ヘッド。
（６）前記金属磁性薄膜は２つの非磁性基板にそれぞれ
形成されて突き合わされ、該２つの非磁性基板に被着さ
れた金属磁性薄膜同志で閉磁路を形成したことを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載の磁気ヘッド。
（７）前記非磁性基板の一方には、コイル巻回用の巻線
穴が形成され、該巻線穴の前記作動ギャップ側傾斜面に
被着した前記金属磁性薄膜のうち、作動ギャップ近傍の
磁性薄膜を除去したことを特徴とする特許請求の範囲第
（６）項記載の磁気ヘッド。
（８）各々対となる金属磁性薄膜の端面同志を突き合わ
せて複数の作動ギャップを形成したことを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載の磁気ヘッド。
（９）基板の一面上にその端部から所定長さのＶ字形溝
を形成する工程と、前記Ｖ字形溝の壁面を含む基板の一
面上に薄膜技術によつて高飽和磁束密度を有する金属磁
性薄膜を被着する工程と、前記金属磁性薄膜を被着した
Ｖ字形溝内に非磁性材料を充填する工程と、前記基板の
平面上に被着した金属磁性薄膜が少なくとも除去される
まで基板平面を研摩する工程と、２枚の基板のＶ字形溝
にそれぞれ形成された前記金属磁性薄膜同志が一直線と
なるように両金属磁性薄膜の端面をギャップスペーサ材
を介して突き合わせると共に、２枚の基板を重ね合わせ
て一体化する工程と、この一体化された２枚の基板をチ
ップ状に切出す工程と、チップ状に切出された部材の作
動ギャップ形成面を研摩する工程とを、備えたことを特
徴とする磁気ヘッドの製造方法。
（１０）前記基板は磁性基板より成り、前記Ｖ字形溝は
作動ギャップ形成予定領域近傍にのみ設けられているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（９）項記載の磁気ヘ
ッドの製造方法。
（１１）前記基板は非磁性基板より成り、前記Ｖ字形溝
は基板の一面上の一辺から対向他辺まで形成されると共
に、前記重ね合わされる２枚の基板の一方には、前記Ｖ
字形溝を横断する巻線穴形成用の溝が設けられているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（９）項記載の磁気ヘ
ッドの製造方法。
（１２）前記巻線穴形成用の溝における作動ギャップ側
傾斜面に被着した前記金属磁性薄膜は、この傾斜面上部
側が除去されることを特徴とする特許請求の範囲第（１
１）項記載の磁気ヘッドの製造方法。
（１３）前記Ｖ字形溝の形成工程前に、前記基板に複数
本のＵ字形又はＶ字形の溝を形成してこの溝に所定膜厚
の非磁性膜を被着する工程をもち、前記Ｖ字形溝は、こ
のＵ字形又はＶ字形の溝の底部に被着した非磁性膜が頂
部となるように複数本形成されることを特徴とする特許
請求の範囲第（９）項記載の磁気ヘッドの製造方法。
（１４）前記金属磁性薄膜は、非磁性絶縁薄膜を介して
複数層形成されることを特徴とする特許請求の範囲第（
９）項記載の磁気ヘッドの製造方法。