JPS625228B2 - - Google Patents

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JPS625228B2
JPS625228B2 JP57028015A JP2801582A JPS625228B2 JP S625228 B2 JPS625228 B2 JP S625228B2 JP 57028015 A JP57028015 A JP 57028015A JP 2801582 A JP2801582 A JP 2801582A JP S625228 B2 JPS625228 B2 JP S625228B2
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JP
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electrode
substrate
arc
pool
electrode body
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JP57028015A
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Pinkasobu Edowaado
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Wedtech Corp
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Wedtech Corp
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Publication date
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Publication of JPS625228B2 publication Critical patent/JPS625228B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32055Arc discharge
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C23C14/325Electric arc evaporation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は蒸着に関し、特に基板上に通常は金属
である材料の蒸着を行うための方法および装置に
関する。具体的に本発明は、その上に蒸着する材
料、たとえば炭化物およびケイ化物の生成によつ
て基板上に耐食性、保護、装飾的または半導体コ
ーテイングを施す、あるいは基板上に化合物を生
成する方法および装置に関する。
気相から材料を基板上に蒸着するに際して、工
程は通常真空において行われ、基板上に蒸着すべ
き材料は一般に高エネルギーをもつて蒸発され、
そしてその基板を蒸着が行われる場所に移動させ
るものである。
蒸着すべき物質から成る本体の加熱により蒸気
を発生させる先行技術は常に満足すべき均一な蒸
着層を広い表面積に亘つて生ずるものではない。
本発明の主な目的は基板上に材料の蒸着を行う
改良された方法および装置を提供することにあ
り、それによつて先行技術の欠陥を回避するもの
である。
本発明の他の目的は、異なつた組成から成る材
料、すなわち実際に現存する全ての金属および合
金を包含するものの気相から、現実に如何なる基
板上へも、非常に均一な方法で、安価な運転費に
おいて、高いエネルギー効率をもつて蒸着する方
法を提供することにある。
更に本発明の他の目的は広範囲に亘る表面に高
速のコーテイングを行うための方法および装置を
提供することにある。
また本発明の目的は基板上にケイ化物、炭化物
および他の化合物を形成する改良された方法を提
供することにある。
これらの目的および今後明らかとなるであろう
他の目的は本発明により以下の方法において達成
される。すなわち、その方法は電極と蒸発すべき
溶融材料から成るプールとの間に電気的アークを
発生させ、それによつてプールの表面上の材料を
直接蒸発させ、そして蒸発した材料を気相におい
て、たとえば減圧室において基板に対し移動させ
る工程を含んで成る方法である。
本発明によれば、溶融金属のプールは、また電
気的アーク、たとえばこのアークを電極と蒸着す
べき材料の本体との間で発生させることによつて
形成することも可能である。都合が良いのは、蒸
発すべき材料の本体が、アーク発生電極のそれよ
りも大きな横断面を有することであり、その結果
溶融材料から成るプールが本体のくぼみ内に形成
される。これは、勿論溶融材料のプール用るつぼ
または容器の必要性を排除するものである。
電極を移動して溶融金属のプールと接触および
脱離させ、それにより若干の溶融物を電極上に蒸
着し、そして電極の尖端を加熱して基板上に蒸着
すべき材料を少くとも一部分蒸発させるのが有利
であることが見出された。
選択的に、または付加的にるつぼあるいは容器
を、溶融金属の浴またはプール用に設けることも
でき、そしてアークをこの浴の上面で発生させる
ことも可能であり、あるいは材料を溶融物から下
方へ、たとえばるつぼ中の開口を介して浸出させ
て、アークを蒸発が行われる地点の下方で発生さ
せることも可能である。
本発明の更に他の特徴によれば、溶融物用のる
つぼまたは容器は、球状体の直径に沿つて、好ま
しくは垂直に延在する電極を備えた球状体、また
は横方向に開放され、たとえば真空ロツクを介し
て、外方に拡大している室であつて、基板におい
て終端するものを備えた球状体を含んで構成する
ことも可能である。
本発明のシステムは、基板上のケイ素の蒸着に
よるケイ素と基板材料との反応によつて、あるい
は基板を実用上、所望の凡ゆる金属または合金に
よつて塗被して保護コーテイングあるいはその他
の目的のためのコーテイングを形成することによ
つて、基板上にシリカ、ケイ化物または炭化物コ
ーテイングを生成するために、およびケイ化物を
製造するために利用することができる。本システ
ムは冶金、化学、電気、電子、電気真空、光学、
ロケツトおよび宇宙ならびに原子力産業に用いる
ことが可能であり、そして鏡面状のコーテイン
グ、反射材、耐食性コーテイングおよび平滑また
は複雑な形状を有する製品の被膜の生成、被膜中
の多層コーテイング、たとえば半導体構成材料お
よび高―オーム抵抗構成材料の製造にとつて特に
有効であることが見出されており、そして単に基
板の表面改変が、たとえ如何なる場所において
も、必要とされる場合には、溶融状態で存在し得
る材料の気相から基板上に送ることによつて改変
を行うことができる。
上記した、およびその他の本発明の目的、特徴
および効果は、添付図面を参照する以下の記載か
らより容易に明らかとなろう。
第1図には、本発明によつて基板カム上に鏡面
状保護被膜を施すための、または耐熱性および耐
火性金属を含む各種の金属または合金の被膜を基
板カムに蒸着して施すための簡単なアーク法を用
いるシステムを示す。
第1図より明らかなように、基本的な装置は減
圧室(図示せず)を有しており、これは第6図に
示す減圧室と類似のものでよい。この減圧室にお
いて、金属電極1は電極本体2に向かつて電極供
給装置7により供給されて溶融金属のプール3を
形成し、これを用いてアーク4を発生させる。
電極本体2は取付具またはホルダー5中に保持
され、そして直流電源は符号8で表わされる従来
のアーク安定化回路を介してアーク電流を電極1
および本体2間に印加する。
電極の過熱を阻止するのに役立つ温度調節器6
を備えた比較的小さい横断面を有する電極を設け
るのが有利であることが見出された。
本体2の横断面は電極1の横断面よりも実質的
に大きいので、プール3は本体2のその場所に形
成された凹状くぼみ内にある。
実施例 チタン、アルミニウム、タングステン、タンタ
ルまたは銅から成る電極1および2を用いる第1
図に示す装置は5000゜乃至7000℃の温度でアーク
を生じてプール3の金属の蒸気を発生し、このプ
ールは基板10に対し10乃至15cmの距離をもつて
横切つており、そして金属の被膜を基板上に形成
する。プール3は電極1および2を構成する金属
の混合物により形成することができ、それによつ
て2個の電極の金属から成る合金を基板上に蒸着
することができる。好ましくは電極はチタンから
成つているが、溶融金属は主としてアルミニウ
ム、タングステン、タンタルまたは銅から成つて
いる。
実質的な改変を伴わずに、第1図の装置を、炭
化物の保護被膜を主成するるつぼ不使用(noncr
―ucible)法、支持体上にケイ化物被膜を生成す
る、あるいは基板上に炭化物またはケイ化物およ
び更に炭化ケイ素層を形成するるつぼ不使用法に
おいて使用することができる。
この場合、第1図の装置は再び通常の減圧室内
で用いられるが、電極1はケイ素または炭素から
成り、一方電極2は生成すべきケイ化物または炭
化物の金属から構成され、あるいは基板上にシリ
コンを蒸着させる場合には勿論シリコンから構成
されるものとする。
たとえば、炭化ケイ素を支持体10上に蒸着し
ようとする場合、電極1はケイ素から成るもので
よく、これに対し電極2は炭素のブロツクであ
り、この中にケイ素と可溶化した炭素のプールが
受け入れられている。
その蒸気が基板に送られ、そしてその上に炭化
ケイ素層を蒸着する。基板はチタンはあればよ
く、また基板上に形成された蒸着層はケイ化チタ
ンおよび炭化チタンの混合物であればよい。
あるいは、電極1がケイ素または炭素から構成
され、そして電極本体2がチタンから成つている
場合は、異なつた組成を有する基板上に炭化チタ
ンまたはケイ化チタンを蒸着することができる。
減圧室内に僅かに酸化雰囲気を供給すると、基
板上に二酸化ケイ素蒸着層が形成される。
第1図の装置は明らかに、半導体の製造に特に
有効である。
温度調節器6は電極1の長さに沿つて2基設け
てもよく、そして追加の温度調節器は電極本体2
に設置してその過熱を防止すればよい。
電極1または本体2のいずれかがケイ素から成
り、他方が炭素から構成されるときは、その反応
によつて炭化ケイ素が生成され、そしてその炭化
ケイ素は元のシリカおよび炭素よりも高い純度を
もつて蒸着される。
両電極がケイ素から構成される場合は、特に半
導体のコーテイングに関して望ましいように高密
度シリカおよびケイ素蒸着層を得ることができ
る。
第2図に示す装置は第1図のものと大体類似し
ているが、若干異なつた原理によつて操作され
る。すなわち、蒸発は少くとも一部は湿潤上部電
極101から行われる。
本図中、第1図の要素に対応する要素には、百
位のみが異なる同様の参照数字が用いられてい
る。
第2図において、電極供給装置107は垂直方
向往復装置112と連結されており、この装置は
電極101に対し矢印114の方向における往復
運動を付与して電極101の尖端を、電極本体1
02中に生成された溶融金属のプール103中に
同期的に突込むようにする。
このプールからの上昇がアーク104を再発生
させ、電極101上の溶融金属のコーテイング1
13が蒸発し、そして蒸着層が基板110上に形
成される。
電極本体102はホルダー105中に示されて
おり、そしてアーク電流供給回路は上記した方法
によつて直流電源109および安定化装置108
により構成され、また電極101は温度調節器1
06を備えている。
このシステムは、先に述べた実施例の変型とし
て電極101をチタンとアルミニウムから形成さ
れるプール103から構成すると、特に有効であ
ることが見出された。
第3図は本発明の実施態様を示し、該態様では
蒸気は、溶融金属203を容れた上部開放リング
形状のるつぼ217の下方に置かれた基板210
上に蒸着され、そしてこのるつぼはホルダーまた
はフレーム205中に装着されている。
ここでは上部電極201は球形部分の形状を有
し、これは反射鏡として機能し、その結果アーク
204が電極201とつるぼ217内の溶融物と
の間で生じる場合、蒸気は矢印219により表わ
されるように上方へ進み、そして下方へ反射され
て矢印218により示されるように基板210上
に集中される。
ここでは直流電源209はアーク安定化装置2
08を経由して電極201とるつぼ217間に接
続されており、そしてロツド216に装着されて
いる上部電極201は供給装置207によつて垂
直方向に位置決めされ、また電極201の位置を
蒸発金属上方に調節する補助機構215によつて
水平方向に位置決めする。
本実施態様において、電極201はチタン、モ
リブデンまたはタングステンから構成することが
でき、一方溶融金属はアルミニウムまたは銅か
ら、更にるつぼ205はグラフアイトから夫々構
成可能である。
第4図は、蒸気が下方へ流れて基板310上に
蒸着する本発明の他の実施態様を示す。
この場合、溶融金属303を容れた上部開放る
つぼ317は追加の溶融金属を、参照数字322
で表わされるとりべまたは他の供給源から受ける
ことができ、あるいは固体金属の供給を受けてこ
れをるつぼ317中で溶融することも可能であ
る。この固体金属は誘導加熱器323のような補
助装置により加熱することができ、この加熱器は
ホルダー305中に支持される。
るつぼ317の底部には小孔321が形成さ
れ、ここから溶融金属の液滴が生じ、これらの液
滴は電極301とるつぼ317の底部との間に発
生するアーク304により蒸発させられる。
アークの領域における温度は補助誘導装置32
4によつて制御可能であり、そして電極301は
冷却要素306により表わされるように冷却可能
である。
電極301は電極ホルダー307によりるつぼ
317に向かつて送られ、そしてアークは直流電
源309に接続されたアーク安定化装置308に
より維持される。
本実施態様において溶融金属は銅であつてもよ
い。補助装置324の代りに、塗被すべき基板
を、この位置に、たとえばチタンリングの形状で
設置してもよく、このリングが蒸気をコーテイン
グの形態で収集する。
第5図の実施態様では、溶融金属が閉鎖空間で
生成されるので、溶融金属は蒸発し、その蒸気は
開口425を介して基板410上に排出される。
この場合、液体のプールは、電極402中の中
央せん孔426を経由する電極供給装置407を
介して対向電極401を供給することによりホル
ダー405によつて支持された電極402を溶融
して生成され、また電極401は案内を形成する
絶縁スリーブ427中を通つている。温度調節器
406はアーク404に近接して2個の電極の周
りに同軸的に設けられていて、開口425の前方
の領域における過熱を防止する。蒸着層は基板4
10上に形成される。
電流は、前述した方法によりアーク安定化装置
408および電源409を介して両電極間に供給
される。
第6図は、前記した原理を用いて反射性、耐
食、保護および半導体タイプの金属ケイ化物なら
びに炭化物コーテイングを蒸着するポータブル電
池式アーク装置を示している。
この装置は、その上端にハンドル530を形成
してポータブルユニツトを容易に運搬できるよう
にした減圧室500を含んで構成されている。
この室内には、中空の球状体517が設けられ
ていて、その下部は溶融金属503用のるつぼを
形成しており、その内部は、たとえば酸化アルミ
ニウムのような高温耐熱(耐火物)材料によつて
被覆されている。
この球状体の上部は531において、浴から反
射性層に反射する熱を一個所に集める該層によつ
て被覆されている。
アーク504が電極1と浴503との間で発生
し、電極材料が消耗すると、電極501がユニツ
ト507によつて浴に向かい供給される。
追加の金属、たとえば固体状のもの、はロツド
532として浴に供給され、このロツドもまた供
給装置533′に連結されているので、浴が消耗
したときには追加の金属が浴に送られる。
電極501と浴503は、上記した方法により
アーク安定化装置および直流電源の反対の端子に
接続されている。
管状電極502はロツド532を取り囲んでい
る。
室500の下部には参照数字533で示される
エアポンプが設けられ、このエアポンプは中空球
状体517を収容した室を、真空ホース534,
弁535、外方へ散開する形状のアダプタ536
であつて、中空球状体517の側方開口525に
連結し得るものを介して減圧とする。
室536には、望ましくない蒸気の凝縮を防止
するために加熱コイル537を設けることも可能
である。
開口525とアダプタ536との間には、真空
ロツド538および異なつた形状および寸法の各
種アダプタを保持するための装着装置539が設
置されている。
更にアダプタ536は真空ガスケツト540を
形成しており、これによつてアダプタは塗被すべ
き基板510を圧することができる。
第6図に示すポータブルユニツトは塗被すべき
基板510の場所に運搬され、そして適当なアダ
プタ536を取付具539上に装着し、そしてガ
スケツト540を塗被すべき表面510に押圧す
る。アーク電流が供給され、そしてシステムはエ
アポンプ533によつて減圧され、それにより中
空球状体内で金属を溶融し、かつ浴503を形成
する。次にゲート538を開放し、そして蒸気を
少くとも一部分、球状体517の内部とアダプタ
536との間に保持した弁535により制御しな
がら差圧によつて基板510上に送り込む。
特に如何なる現場の如何なる製品をも塗被する
ことができ、また異なつた形状および寸法を有す
る各種アダプタを使用することにより、たとえ複
雑な物体の塗被であつてもそれらが使用されるべ
き領域から移動することなしに行うことができ
る。この装置はダクト等の内側のコーテイングを
行うために用い得るように組立可能となつてい
る。
本図面に示す装置は、アダプタ536を用いず
に単位体または空間内の設備用推進体として使用
することが可能である。
アークが発生した場合に必要なことは、ただゲ
ート538を開けて開口525を介して気流を排
出し、そして反対方向に推進を行えばよい。空間
内の真空は、装置にとつて自然の真空をもたら
し、それでエアポンプ533を必要としなくな
る。実際に空間における適用で見出される凡ゆる
廃棄物を容器517中で利用して、この種の推進
力を発生させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例により蒸着を行うた
めの装置を示す概略立面図、第2図は他の装置に
ついての同様な立面図であるが、蒸着材料が垂直
方向に往復可能な電極上に収集されている状態を
示し、第3図は金属のプールの下方に置かれた基
板上に材料を蒸着するための装置を示す概略縦断
面図、第4図は本発明の他の実施例を示す第3図
と同様な縦断面図、第5図は本発明による基板上
に材料を蒸着するための他の装置を示す軸方向横
断面図、および第6図は本発明の方法を実施する
非常にコンパクトな携帯装置を示す軸方向横断面
図である。 1,101,201,301,401,501
…金属電極、2,102,402,502…電極
本体、3,103…プール、4,104,20
4,304,504…アーク、5,105,20
5,305,405…ホルダー、6,106,4
06…温度調節器、7,107,207,407
…電極供給装置、8,108,208,308,
408…安定化装置、9,109,209…直流
電源、10,110,210,310,410,
510…基板、203,303,503…溶融金
属、217,317…るつぼ、321…小孔、5
17…中空球状体、536…アダプタ、538…
真空ロツク。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 基板上に材料を蒸着させる方法であつて、電
    極本体と金属電極とを相互に所定の間隔で対向配
    置する工程と、 前記電極本体と前記電極との間に電源を接続し
    た状態でこの両者を互いに接触および離脱させる
    ことによりアークを発生させ、これによつて前記
    電極本体からその材料を蒸発させる工程と、 前記アークから離れた位置で、かつ前記電極本
    体および前記電極から発生した材料の蒸気の通路
    内の位置に前記基板を配置し、この基板上に気相
    から前記材料を蒸着させる工程、 を備えた方法。 2 前記電極本体にその材料が溶融したプールを
    形成し、前記電極を間欠的にプール中に浸漬して
    前記電極上に前記電極本体の材料の被膜を形成
    し、そしてアークにより前記電極上の材料の被膜
    を蒸発して蒸気材の材料を生成する工程を更に備
    えた特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 前記プールが前記電極本体の材料を溶融する
    ことにより形成され、かつ前記電極本体中に形成
    されたくぼみ内にある特許請求の範囲第2項記載
    の方法。 4 前記くぼみがアークにより前記電極本体を溶
    融することによつて形成される特許請求の範囲第
    3項記載の方法。 5 前記プールの液滴が、該プールを保持する容
    器の底部に設けられた小孔から得られるように
    し、前記アークで液滴を蒸発させる特許請求の範
    囲第2項記載の方法。 6 前記電極と前記プールとの間、ならびに前記
    アークと前記基板との間の空間を減圧することを
    更に備えた特許請求の範囲第2項記載の方法。
JP57028015A 1981-02-24 1982-02-23 Method and device for evaporation depositing material on substrate Granted JPS57155370A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/237,670 US4351855A (en) 1981-02-24 1981-02-24 Noncrucible method of and apparatus for the vapor deposition of material upon a substrate using voltaic arc in vacuum

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57155370A JPS57155370A (en) 1982-09-25
JPS625228B2 true JPS625228B2 (ja) 1987-02-03

Family

ID=22894686

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57028015A Granted JPS57155370A (en) 1981-02-24 1982-02-23 Method and device for evaporation depositing material on substrate

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4351855A (ja)
JP (1) JPS57155370A (ja)
CA (1) CA1193494A (ja)
DE (1) DE3206622A1 (ja)
FR (1) FR2500486B1 (ja)
GB (2) GB2093484B (ja)

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