JP3152548B2 - 高周波誘導プラズマ成膜装置 - Google Patents
高周波誘導プラズマ成膜装置Info
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- JP3152548B2 JP3152548B2 JP23461093A JP23461093A JP3152548B2 JP 3152548 B2 JP3152548 B2 JP 3152548B2 JP 23461093 A JP23461093 A JP 23461093A JP 23461093 A JP23461093 A JP 23461093A JP 3152548 B2 JP3152548 B2 JP 3152548B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマトーチ内に形
成されたプラズマ中に被成膜物質を供給し、被成膜物質
を溶融あるいは蒸発させた後基板に付着させるようにし
た高周波誘導熱プラズマ成膜装置に関する。
成されたプラズマ中に被成膜物質を供給し、被成膜物質
を溶融あるいは蒸発させた後基板に付着させるようにし
た高周波誘導熱プラズマ成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は従来の高周波誘導プラズマ成膜装
置を示している。図中１はプラズマトーチであり、この
トーチ１は、円筒状の管２と、管２の上部のガスリング
３と、水冷プローブ４と、管２の外側に配置された高周
波誘導コイル５とより構成されている。高周波誘導コイ
ル５は高周波電源６から高周波が供給される。また、管
２は二重管構造となっており、その二重管部分には冷却
水が流されるように構成されている。同様に、ガスリン
グ３や水冷プローブ４も水冷構造となっている（ガスリ
ング３の水冷構造は図示せず）。プラズマトーチ１の下
部にはチャンバー７が配置されているが、このチャンバ
ー７内には被成膜基板８が設置されている。なお、この
チャンバー７も図示していないが水冷構造となってい
る。
置を示している。図中１はプラズマトーチであり、この
トーチ１は、円筒状の管２と、管２の上部のガスリング
３と、水冷プローブ４と、管２の外側に配置された高周
波誘導コイル５とより構成されている。高周波誘導コイ
ル５は高周波電源６から高周波が供給される。また、管
２は二重管構造となっており、その二重管部分には冷却
水が流されるように構成されている。同様に、ガスリン
グ３や水冷プローブ４も水冷構造となっている（ガスリ
ング３の水冷構造は図示せず）。プラズマトーチ１の下
部にはチャンバー７が配置されているが、このチャンバ
ー７内には被成膜基板８が設置されている。なお、この
チャンバー７も図示していないが水冷構造となってい
る。
【０００３】水冷プローブ４は、粉末供給器９、超音波
噴霧器１０、材料ガス供給器１１に接続されている。粉
末供給器９からはアルゴンガスなどのキャリアガスと共
に被成膜物質である粉末物質が供給される。超音波噴霧
器１０からはキャリアガスと共に霧状の物質が供給され
る。材料ガス供給器１１からはアルゴンなどのキャリア
ガスと共にＳｉＣｌ4 やＢ2 Ｈ6 などの材料ガスが供給
される。ガスリング３は図示していないがアルゴンガス
や酸素ガスなどのプラズマガス源に接続されており、こ
のプラズマガスはガスリング３を介して管２の内側周辺
部から管２内部に向けて供給される。
噴霧器１０、材料ガス供給器１１に接続されている。粉
末供給器９からはアルゴンガスなどのキャリアガスと共
に被成膜物質である粉末物質が供給される。超音波噴霧
器１０からはキャリアガスと共に霧状の物質が供給され
る。材料ガス供給器１１からはアルゴンなどのキャリア
ガスと共にＳｉＣｌ4 やＢ2 Ｈ6 などの材料ガスが供給
される。ガスリング３は図示していないがアルゴンガス
や酸素ガスなどのプラズマガス源に接続されており、こ
のプラズマガスはガスリング３を介して管２の内側周辺
部から管２内部に向けて供給される。
【０００４】チャンバー７内の基板８は、回転可能な基
板ホルダー１２上に載せられているが、この基板ホルダ
ー１２も水冷構造となっている。チャンバー７内はロー
タリーポンプのごとき真空ポンプ１３によって排気され
るが、チャンバー７と真空ポンプ１３との間には、排気
ガスを冷却する冷却器１４と、排気ガス中に含まれてい
る粉末物質などを取り除くフィルター１５が設けられて
いる。このような構成の動作を次に説明する。
板ホルダー１２上に載せられているが、この基板ホルダ
ー１２も水冷構造となっている。チャンバー７内はロー
タリーポンプのごとき真空ポンプ１３によって排気され
るが、チャンバー７と真空ポンプ１３との間には、排気
ガスを冷却する冷却器１４と、排気ガス中に含まれてい
る粉末物質などを取り除くフィルター１５が設けられて
いる。このような構成の動作を次に説明する。
【０００５】まず、チャンバー７内を真空ポンプ１３に
よって排気し、チャンバー７内を１Torr以下の真空度と
する。次に、ガスリング３を介してプラズマガスとして
アルゴンガスを管２の内壁の周辺部から管２内部に供給
し、更に、高周波電源５より高周波誘導コイル５に、例
えば、４ＭＨｚの周波数の高周波電力を供給し、管２内
部にグロー放電を励起させる。その後、管２やチャンバ
ー７内を２００Torr程度の圧力に設定し、高周波電力を
上昇させると共に、アルゴンガスに加えて酸素ガスや窒
素ガスなどの反応ガスを管２内に供給する。
よって排気し、チャンバー７内を１Torr以下の真空度と
する。次に、ガスリング３を介してプラズマガスとして
アルゴンガスを管２の内壁の周辺部から管２内部に供給
し、更に、高周波電源５より高周波誘導コイル５に、例
えば、４ＭＨｚの周波数の高周波電力を供給し、管２内
部にグロー放電を励起させる。その後、管２やチャンバ
ー７内を２００Torr程度の圧力に設定し、高周波電力を
上昇させると共に、アルゴンガスに加えて酸素ガスや窒
素ガスなどの反応ガスを管２内に供給する。
【０００６】上記したステップで管２とチャンバー７内
にプラズマＰを形成し、このプラズマＰが安定した時点
で、例えば、粉末供給器９からアルゴンガスなどのキャ
リアガスに搬送させてシリコンなどの粉末材料をプロー
ブ４を介してプラズマＰ中に供給する。プラズマＰ中に
供給された粉末材料は、１万度以上のプラズマ中で蒸発
・反応され、プラズマフレーム下部に配置された基板８
上に蒸着される。例えば、粉末材料としてシリコン（Ｓ
ｉ）を用い、反応ガスとして酸素ガス（Ｏ2）を用いる
と、基板８にはＳｉＯ2が蒸着される。
にプラズマＰを形成し、このプラズマＰが安定した時点
で、例えば、粉末供給器９からアルゴンガスなどのキャ
リアガスに搬送させてシリコンなどの粉末材料をプロー
ブ４を介してプラズマＰ中に供給する。プラズマＰ中に
供給された粉末材料は、１万度以上のプラズマ中で蒸発
・反応され、プラズマフレーム下部に配置された基板８
上に蒸着される。例えば、粉末材料としてシリコン（Ｓ
ｉ）を用い、反応ガスとして酸素ガス（Ｏ2）を用いる
と、基板８にはＳｉＯ2が蒸着される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記した構成で、粉末
材料をプラズマ中に供給する際、粉末を完全に蒸発させ
る必要から、高周波出力によっても異なるが１μｍ以下
の径の微粉末を完全に分散させた状態で定量供給させる
高性能の粉末供給装置が必要となる。このような高性能
の超微粉末供給装置は技術的に大変難しい。
材料をプラズマ中に供給する際、粉末を完全に蒸発させ
る必要から、高周波出力によっても異なるが１μｍ以下
の径の微粉末を完全に分散させた状態で定量供給させる
高性能の粉末供給装置が必要となる。このような高性能
の超微粉末供給装置は技術的に大変難しい。
【０００８】また、蒸発材料を超音波噴霧器１０により
霧状にしてプラズマ中に供給する場合、原材料を完全に
霧の状態に保つことが難しく、霧を供給するチューブ内
やプローブ４の先端に霧が澱んでしまい、そこで液滴が
発生し、プラズマで蒸発できない大きさの液滴が管２内
に供給されてしまう。更に、材料ガスの供給では、塩素
などの成膜に関係のない有害な副生成物が発生し、その
処理が大掛かりなものとなっている。
霧状にしてプラズマ中に供給する場合、原材料を完全に
霧の状態に保つことが難しく、霧を供給するチューブ内
やプローブ４の先端に霧が澱んでしまい、そこで液滴が
発生し、プラズマで蒸発できない大きさの液滴が管２内
に供給されてしまう。更に、材料ガスの供給では、塩素
などの成膜に関係のない有害な副生成物が発生し、その
処理が大掛かりなものとなっている。
【０００９】このように、図１に示した構造でプラズマ
中に材料を供給する方式では、基本的にプラズマの蒸発
エネルギーに関係なく材料が挿入されてしまう問題があ
り、プラズマ中に未蒸発あるいは未蒸発と蒸発した材料
との不均一な被成膜物質が基板に到達し、基板と膜との
密着度を悪化させるばかりか未蒸発の粉末自体が基板に
堆積するなどの問題を引き起こす原因に繋がっていた。
中に材料を供給する方式では、基本的にプラズマの蒸発
エネルギーに関係なく材料が挿入されてしまう問題があ
り、プラズマ中に未蒸発あるいは未蒸発と蒸発した材料
との不均一な被成膜物質が基板に到達し、基板と膜との
密着度を悪化させるばかりか未蒸発の粉末自体が基板に
堆積するなどの問題を引き起こす原因に繋がっていた。
【００１０】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、未蒸発材料などが基板に直接堆積
することを防止できる高周波誘導熱プラズマ成膜装置を
実現するにある。
もので、その目的は、未蒸発材料などが基板に直接堆積
することを防止できる高周波誘導熱プラズマ成膜装置を
実現するにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく高周波誘
導熱プラズマ成膜装置は、筒状の管と、この管の下端に
設けられプラズマガスを管内に供給するためのガスリン
グと、前記管の外側に配置された高周波誘導コイルとを
備えた高周波プラズマトーチの上方に、基板を配置し、
高周波誘導プラズマトーチ内に形成されたプラズマ中に
被成膜物質を供給し、プラズマ中で被成膜物質を溶融あ
るいは蒸発させた後、基板に付着させるようにした高周
波誘導熱プラズマ成膜装置において、被成膜物質を載
せ、上下方向に移動可能な支持部材を、前記ガスリング
に設けたことを特徴としている。
導熱プラズマ成膜装置は、筒状の管と、この管の下端に
設けられプラズマガスを管内に供給するためのガスリン
グと、前記管の外側に配置された高周波誘導コイルとを
備えた高周波プラズマトーチの上方に、基板を配置し、
高周波誘導プラズマトーチ内に形成されたプラズマ中に
被成膜物質を供給し、プラズマ中で被成膜物質を溶融あ
るいは蒸発させた後、基板に付着させるようにした高周
波誘導熱プラズマ成膜装置において、被成膜物質を載
せ、上下方向に移動可能な支持部材を、前記ガスリング
に設けたことを特徴としている。
【００１２】
【作用】本発明に基づく高周波誘導熱プラズマ成膜装置
は、プラズマの下方から被成膜物質を供給し、プラズマ
によって蒸発させられた物質をプラズマ上方の基板に蒸
着させる。
は、プラズマの下方から被成膜物質を供給し、プラズマ
によって蒸発させられた物質をプラズマ上方の基板に蒸
着させる。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図２は本発明の一実施例である高周波誘導
熱プラズマ成膜装置を示している。この実施例で、図中
２０はプラズマトーチであり、このトーチ２０は、円筒
状の管２１と、管２１の下部のガスリング２２と、ガス
リング２２の中心部のガスリングヘッド２３と、管２０
の外側に配置された高周波誘導コイル２４とより構成さ
れている。高周波誘導コイル２４は図示していないが、
高周波電源から高周波が供給される。
に説明する。図２は本発明の一実施例である高周波誘導
熱プラズマ成膜装置を示している。この実施例で、図中
２０はプラズマトーチであり、このトーチ２０は、円筒
状の管２１と、管２１の下部のガスリング２２と、ガス
リング２２の中心部のガスリングヘッド２３と、管２０
の外側に配置された高周波誘導コイル２４とより構成さ
れている。高周波誘導コイル２４は図示していないが、
高周波電源から高周波が供給される。
【００１４】また、管２１は二重管構造となっており、
その二重管部分には冷却水が流されるように構成されて
いる。同様に、ガスリング２２やガスリングヘッド２３
も水冷構造となっている（ガスリング２２の水冷構造は
図示せず）。プラズマトーチ２０の上部にはチャンバー
２５が配置されているが、このチャンバー２５内には被
成膜基板２６が設置されているが、この基板２６は、回
転可能な基板ホルダー２７に取り付けられている。な
お、このチャンバー２５や基板ホルダー２７も図示して
いないが水冷構造となっている。
その二重管部分には冷却水が流されるように構成されて
いる。同様に、ガスリング２２やガスリングヘッド２３
も水冷構造となっている（ガスリング２２の水冷構造は
図示せず）。プラズマトーチ２０の上部にはチャンバー
２５が配置されているが、このチャンバー２５内には被
成膜基板２６が設置されているが、この基板２６は、回
転可能な基板ホルダー２７に取り付けられている。な
お、このチャンバー２５や基板ホルダー２７も図示して
いないが水冷構造となっている。
【００１５】ガスリングヘッド２３はガスリング２２の
中心部で上下方向に移動可能に設けられており、ガスリ
ングヘッド２３の上部には被蒸発材料２８が載せられて
いる（ガスリングヘッド２３は被蒸発材料２８の支持部
材を構成している）。このガスリングヘッド２３の上下
移動機構としては、エアピストン駆動や電磁駆動方式を
用いることができる。
中心部で上下方向に移動可能に設けられており、ガスリ
ングヘッド２３の上部には被蒸発材料２８が載せられて
いる（ガスリングヘッド２３は被蒸発材料２８の支持部
材を構成している）。このガスリングヘッド２３の上下
移動機構としては、エアピストン駆動や電磁駆動方式を
用いることができる。
【００１６】ガスリング２２はアルゴンガス，酸素ガ
ス，窒素ガスなどのプラズマガス源（図示せず）と接続
されており、ガスリング２２を介してプラズマガスは管
２１の内側周辺部から管２１内部に供給される。なお、
チャンバー２５内は図１に示した従来装置と同様に、ロ
ータリーポンプのごとき真空ポンプによって排気され、
更に、チャンバー２５と真空ポンプとの間には、図示し
ていないが、排気ガスを冷却する冷却器と、排気ガス中
に含まれている粉末物質などを取り除くフィルターが設
けられている。なお、２９はＯリングである。このよう
な構成の動作を次に説明する。
ス，窒素ガスなどのプラズマガス源（図示せず）と接続
されており、ガスリング２２を介してプラズマガスは管
２１の内側周辺部から管２１内部に供給される。なお、
チャンバー２５内は図１に示した従来装置と同様に、ロ
ータリーポンプのごとき真空ポンプによって排気され、
更に、チャンバー２５と真空ポンプとの間には、図示し
ていないが、排気ガスを冷却する冷却器と、排気ガス中
に含まれている粉末物質などを取り除くフィルターが設
けられている。なお、２９はＯリングである。このよう
な構成の動作を次に説明する。
【００１７】まず、チャンバー２５内を真空ポンプによ
って排気し、チャンバー２５内を１Torr以下の真空度と
する。次に、ガスリング２２を介してプラズマガスとし
てアルゴンガスを管２１の内壁の周辺部から管２１内部
に供給し、更に、高周波電源より高周波誘導コイル２４
に、例えば、４ＭＨｚの周波数の高周波電力を供給し、
管２１内部にグロー放電を励起させる。その後、管２１
やチャンバー２５内を２００Torr程度の圧力に設定し、
高周波電力を上昇させると共に、ガスリング２２を介し
てアルゴンガスに加えて酸素ガス，窒素ガス，水素ガス
などの反応ガスを管２１内に供給する。
って排気し、チャンバー２５内を１Torr以下の真空度と
する。次に、ガスリング２２を介してプラズマガスとし
てアルゴンガスを管２１の内壁の周辺部から管２１内部
に供給し、更に、高周波電源より高周波誘導コイル２４
に、例えば、４ＭＨｚの周波数の高周波電力を供給し、
管２１内部にグロー放電を励起させる。その後、管２１
やチャンバー２５内を２００Torr程度の圧力に設定し、
高周波電力を上昇させると共に、ガスリング２２を介し
てアルゴンガスに加えて酸素ガス，窒素ガス，水素ガス
などの反応ガスを管２１内に供給する。
【００１８】上記したステップで管２１とチャンバー２
５内にプラズマＰが形成されるが、この時点で、プラズ
マが安定状態となるまで、図３に示すようにガスリング
ヘッド２３はガスリング２２の中心部で下方に移動させ
られており、被蒸発物質２８がプラズマＰに晒されない
ようにしている。このプラズマＰが安定した時点で、図
２に示すようにガスリングヘッド２３を上方に移動さ
せ、被蒸発材料２８をプラズマＰに晒すようにセットす
る。この結果、被蒸発物質２８のプラズマに晒された部
分は加熱され、蒸発される。蒸発し反応ガスと反応した
物質は、プラズマと一緒にチャンバー２５内を上方に移
動し、基板２６に蒸着される。なお、被蒸発物質２８の
蒸発量の制御は、高周波電力やガスリングヘッドの径お
よびガスリングヘッドの位置の制御あるいは膜厚コント
ローラによって行うことができる。
５内にプラズマＰが形成されるが、この時点で、プラズ
マが安定状態となるまで、図３に示すようにガスリング
ヘッド２３はガスリング２２の中心部で下方に移動させ
られており、被蒸発物質２８がプラズマＰに晒されない
ようにしている。このプラズマＰが安定した時点で、図
２に示すようにガスリングヘッド２３を上方に移動さ
せ、被蒸発材料２８をプラズマＰに晒すようにセットす
る。この結果、被蒸発物質２８のプラズマに晒された部
分は加熱され、蒸発される。蒸発し反応ガスと反応した
物質は、プラズマと一緒にチャンバー２５内を上方に移
動し、基板２６に蒸着される。なお、被蒸発物質２８の
蒸発量の制御は、高周波電力やガスリングヘッドの径お
よびガスリングヘッドの位置の制御あるいは膜厚コント
ローラによって行うことができる。
【００１９】このように、上記した実施例では、電子銃
やスパッタリング成膜装置のように、高真空を使用しな
いため、被蒸発物質の蒸発量が化学反応速度に依存する
ことがない。従って、化学反応をともなった蒸着膜を高
速に形成させることが可能となる。言い換えれば、ＣＶ
Ｄ法のように化学反応の高速化を損なわず、ＣＶＤの欠
点であった原料の効率悪化や副生成物の発生を防止する
ことができる。
やスパッタリング成膜装置のように、高真空を使用しな
いため、被蒸発物質の蒸発量が化学反応速度に依存する
ことがない。従って、化学反応をともなった蒸着膜を高
速に形成させることが可能となる。言い換えれば、ＣＶ
Ｄ法のように化学反応の高速化を損なわず、ＣＶＤの欠
点であった原料の効率悪化や副生成物の発生を防止する
ことができる。
【００２０】以上本発明の実施例を説明したが、本発明
はこの実施例に限定されない。例えば、図２の実施例
で、基板ホルダー２７とガスリングヘッド２３との間に
高周波や直流電源を設け、バイアス電圧を印加すること
は好ましい。このバイアス電圧の印加により、電子や負
のイオンが基板２８に衝突し、基板表面のクリーニング
を行うことができる。更に、蒸着状態の際には、スパッ
タリング効果のように蒸発物質が勢い良く基板に衝突
し、膜の密着性を向上させることができる。また、チャ
ンバー内の圧力は、熱プラズマが存在する圧力であれ
ば、前記した値に限定されない。
はこの実施例に限定されない。例えば、図２の実施例
で、基板ホルダー２７とガスリングヘッド２３との間に
高周波や直流電源を設け、バイアス電圧を印加すること
は好ましい。このバイアス電圧の印加により、電子や負
のイオンが基板２８に衝突し、基板表面のクリーニング
を行うことができる。更に、蒸着状態の際には、スパッ
タリング効果のように蒸発物質が勢い良く基板に衝突
し、膜の密着性を向上させることができる。また、チャ
ンバー内の圧力は、熱プラズマが存在する圧力であれ
ば、前記した値に限定されない。
【００２１】更に、ガスリングヘッド２３の構造は、図
２，図３に示した構造に限定されない。例えば、図４は
ガスリングヘッドの形状を改良した実施例を示してい
る。この図で、図２の実施例と同一部分には同一番号が
付されている。図４（ａ）は、プラズマＰが安定となる
までの状態、図４（ｂ）は、プラズマＰが安定化した後
に被蒸発材料２８の蒸発を積極的に行う際の状態を示し
ている。すなわち、図４（ａ）では、ガスリングヘッド
２３は下方に下げられており、図４（ｂ）では、ガスリ
ングヘッド２３は上方に移動させられている。この実施
例で、ガスリングヘッド２３の被蒸発材料２８が載せら
れている先端部分（被成膜物質載置部）には、大きな窪
みが形成されている。その結果、図４（ｂ）の状態、す
なわち、ヘッド２３が上方に移動され、プラズマＰに被
蒸発材料２８が晒されるとき、蒸発した材料がガスリン
グ２２の内壁に付着することは防止される。
２，図３に示した構造に限定されない。例えば、図４は
ガスリングヘッドの形状を改良した実施例を示してい
る。この図で、図２の実施例と同一部分には同一番号が
付されている。図４（ａ）は、プラズマＰが安定となる
までの状態、図４（ｂ）は、プラズマＰが安定化した後
に被蒸発材料２８の蒸発を積極的に行う際の状態を示し
ている。すなわち、図４（ａ）では、ガスリングヘッド
２３は下方に下げられており、図４（ｂ）では、ガスリ
ングヘッド２３は上方に移動させられている。この実施
例で、ガスリングヘッド２３の被蒸発材料２８が載せら
れている先端部分（被成膜物質載置部）には、大きな窪
みが形成されている。その結果、図４（ｂ）の状態、す
なわち、ヘッド２３が上方に移動され、プラズマＰに被
蒸発材料２８が晒されるとき、蒸発した材料がガスリン
グ２２の内壁に付着することは防止される。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく高
周波誘導熱プラズマ成膜装置は、プラズマの下方から被
成膜物質を供給し、プラズマによって蒸発させられた物
質をプラズマ上方の基板に蒸着させるように構成したの
で、未蒸発物質が基板に付着することは防止され、完全
に蒸気化した材料だけを基板に到達させて膜を形成する
ことができる。また、成膜に関係ない塩素などの副生成
物を発生させることなく、化学反応をともなった蒸着膜
の高速化および厚膜コーティングを行うことができる。
さらに、本発明では、プラズマが安定状態となるまで、
支持部材は下方に移動させられており、被成膜物質がプ
ラズマに晒されず、プラズマが安定した時点で、支持部
材が上方に移動して、被成膜物質をプラズマに晒すよう
にセットできるので、被成膜物質のプラズマに晒された
部分は、良好に加熱され蒸発する。また、この支持部材
の位置の制御により、被成膜物質の蒸発量を制御するこ
ともできる。 加えて、支持部材の被成膜物質載置部に窪
みを形成すれば、支持部材が上方に移動し、プラズマに
被成膜物質が晒されるとき、蒸発した被成膜物質がガス
リングの内壁に付着することは防止される。
周波誘導熱プラズマ成膜装置は、プラズマの下方から被
成膜物質を供給し、プラズマによって蒸発させられた物
質をプラズマ上方の基板に蒸着させるように構成したの
で、未蒸発物質が基板に付着することは防止され、完全
に蒸気化した材料だけを基板に到達させて膜を形成する
ことができる。また、成膜に関係ない塩素などの副生成
物を発生させることなく、化学反応をともなった蒸着膜
の高速化および厚膜コーティングを行うことができる。
さらに、本発明では、プラズマが安定状態となるまで、
支持部材は下方に移動させられており、被成膜物質がプ
ラズマに晒されず、プラズマが安定した時点で、支持部
材が上方に移動して、被成膜物質をプラズマに晒すよう
にセットできるので、被成膜物質のプラズマに晒された
部分は、良好に加熱され蒸発する。また、この支持部材
の位置の制御により、被成膜物質の蒸発量を制御するこ
ともできる。 加えて、支持部材の被成膜物質載置部に窪
みを形成すれば、支持部材が上方に移動し、プラズマに
被成膜物質が晒されるとき、蒸発した被成膜物質がガス
リングの内壁に付着することは防止される。
【図１】従来の高周波誘導熱プラズマ成膜装置の概略を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明に基づく高周波誘導熱プラズマ成膜装置
の一実施例を示す図である。
の一実施例を示す図である。
【図３】図２の実施例のガスリングヘッドの状態を示す
図である。
図である。
【図４】本発明に基づく成膜装置に用いられるガスリン
グヘッドの他の例を示す図である。
グヘッドの他の例を示す図である。
２０ プラズマトーチ ２１ 管 ２２ ガスリング ２３ ガスリングヘッド ２４ 高周波誘導コイル ２５ チャンバー ２６ 被成膜基板 ２７ 基板ホルダー ２８ 被蒸発材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 H05H 1/42
Claims (2)
- 【請求項１】 筒状の管と、この管の下端に設けられプ
ラズマガスを管内に供給するためのガスリングと、前記
管の外側に配置された高周波誘導コイルとを備えた高周
波プラズマトーチの上方に、基板を配置し、高周波誘導
プラズマトーチ内に形成されたプラズマ中に被成膜物質
を供給し、プラズマ中で被成膜物質を溶融あるいは蒸発
させた後、基板に付着させるようにした高周波誘導熱プ
ラズマ成膜装置において、被成膜物質を載せ、上下方向に移動可能な支持部材を、
前記ガスリングに設け た高周波誘導熱プラズマ成膜装
置。 - 【請求項２】 前記支持部材の被成膜物質載置部が下方
に窪んでいることを特徴とする請求項１記載の高周波誘
導熱プラズマ成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23461093A JP3152548B2 (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 高周波誘導プラズマ成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23461093A JP3152548B2 (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 高周波誘導プラズマ成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0790556A JPH0790556A (ja) | 1995-04-04 |
| JP3152548B2 true JP3152548B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=16973742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23461093A Expired - Lifetime JP3152548B2 (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 高周波誘導プラズマ成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3152548B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6969953B2 (en) * | 2003-06-30 | 2005-11-29 | General Electric Company | System and method for inductive coupling of an expanding thermal plasma |
| CN106987807B (zh) * | 2017-06-01 | 2019-04-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种蒸镀源、蒸镀装置及蒸镀方法 |
-
1993
- 1993-09-21 JP JP23461093A patent/JP3152548B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0790556A (ja) | 1995-04-04 |
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