JP4769932B2 - 微小なドットを備えた基板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 57
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 18
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 15
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 8
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 238000010284 wire arc spraying Methods 0.000 description 2
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004349 Ti-Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021362 Ti-Al intermetallic compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004692 Ti—Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 150000002505 iron Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004452 microanalysis Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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Description
本発明は、大気中で発生させた小直径の誘導結合型マイクロプラズマを利用して、基板、特に低融点の基板にダメージを与えることなく、比較的簡単な工程で、直接小さな径又は幅の金属等のドット又はラインを形成する技術に関する。
現在の基板微細加工技術は、転写法と直接法の二つに大別され、それぞれの代表的な方法として、前者ではフォトリソグラフィー法、後者ではプラズマプロセシング法が上げられる。
しかしながら、フォトリソグラフィー法の工程は、“基板洗浄→レジスト塗布→露光→蒸着・エッチング→レジスト除去”といった時間を要する多段階プロセスであり、コストも大であるなどの問題点があげられる。
しかしながら、フォトリソグラフィー法の工程は、“基板洗浄→レジスト塗布→露光→蒸着・エッチング→レジスト除去”といった時間を要する多段階プロセスであり、コストも大であるなどの問題点があげられる。
これに対して、プラズマプロセシング法では、“微細パタンマスク作製→基板上に被覆→CVDまたはPVD”といった工程であり、フォトリソグラフィー法と比較して格段に簡素な工程かつ小コストである。
しかし、プラズマからの熱伝導による加工基板の経時劣化が避けられないことから、加工基板種が高融点（約800°C以上）基板に限られていた。
しかし、プラズマからの熱伝導による加工基板の経時劣化が避けられないことから、加工基板種が高融点（約800°C以上）基板に限られていた。
近年Biochip、BioMEMS（Bio-related
micro-electromechanical system）や、μTASなどの微小な分析システムの開発が進んでいる。これらは主に、ポリイミドなどの低融点基板上にリソグラフィー技術を駆使して作製した微小電極、微細回路や微細流路など（どれも直径、幅＝1〜100μm）で構成されている。
このように、今後ますますこれら分析システムの需要が高まる中で、より簡単に、かつ低コストで低融点基板上に微小電極や微細回路を形成する技術の開発が望まれている。
micro-electromechanical system）や、μTASなどの微小な分析システムの開発が進んでいる。これらは主に、ポリイミドなどの低融点基板上にリソグラフィー技術を駆使して作製した微小電極、微細回路や微細流路など（どれも直径、幅＝1〜100μm）で構成されている。
このように、今後ますますこれら分析システムの需要が高まる中で、より簡単に、かつ低コストで低融点基板上に微小電極や微細回路を形成する技術の開発が望まれている。
従来技術として、例えば先端に広孔部を有しプラズマ炎の通路をなすノズル孔とそのノズル孔の狭孔部に開口する金属粉末管と、ノズル孔の広狭部にプラズマの進行方向に向かって開口するプラスチックス粉末挿入管を備えたプラズマトーチ（特許文献１参照）、ツイン（２組）のワイヤー、すなわち具体的にはスチールと銅のワイヤーをアーク溶射して、それらの交差方向の軌跡と分散状況から堆積物の分布やラメラ構造を分析した例が記載されている（特許文献２参照）。
また、ＴｉカソードとＡｌアノードを用いてアークスプレーし、Ｔｉ−Ａｌの金属間化合物を形成する技術が記載されている（特許文献３参照）。
しかし、いずれもマイクロプラズマによって、微小なドット又はラインを形成するものではなく、本願で説明する従来技術の問題を解決するものではない。したがって、上記の問題点を解決できるものではなかった。
特開昭４７−３４１３２号公報
Y.L.Zhu外3名著「CharacterizationVia image analysis of cross-over trajectories and inhomogeneity in twin wirearc spraying」、Surface and coating Technology 162(2003) 301-308
Takayuki 外2名著「Electrodephenomena investigation of wire arc spraying for preparation of Ti-Al intermetallic compounds」, Thin Solid Films 407 (2002)98-103
また、ＴｉカソードとＡｌアノードを用いてアークスプレーし、Ｔｉ−Ａｌの金属間化合物を形成する技術が記載されている（特許文献３参照）。
しかし、いずれもマイクロプラズマによって、微小なドット又はラインを形成するものではなく、本願で説明する従来技術の問題を解決するものではない。したがって、上記の問題点を解決できるものではなかった。
本発明は、上記従来技術の問題点を解消し、マイクロプラズマの径を可能な限り小さくし、その熱容量を低減させることでプラズマジェット照射時の低融点基板のダメージを防ぐと共に、マイクロプラズマ中に挿入した金属等のワイヤーを溶融、蒸発又は気化させ、プラズマジェットと共に噴出させることにより、低融点基板上に微小なサイズの金属等のドット及びラインを形成することを目的とする。
本発明らは、プラズマの熱容量を小さくすること、すなわち熱容量は体積の示量性状態量であることから、プラズマのサイズを縮小化すれば、熱容量を小さくすることが可能であるとの知見を得た。
本発明は、この知見に基づいて、１）１００μｍ以下の内径を有する石英管のキャピラリー先端から基板に向かって噴射されたマイクロプラズマにより溶融、蒸発又は気化した材料が基板上に再凝固し、ドット状に堆積した直径１〜１００μｍの前記材料のドットを備え、ドット状に堆積した堆積物が、平均粒径が１００ｎｍ以下の粒子状堆積物であることを特徴とする微小なドットを備えた基板を提供する。
本発明は、この知見に基づいて、１）１００μｍ以下の内径を有する石英管のキャピラリー先端から基板に向かって噴射されたマイクロプラズマにより溶融、蒸発又は気化した材料が基板上に再凝固し、ドット状に堆積した直径１〜１００μｍの前記材料のドットを備え、ドット状に堆積した堆積物が、平均粒径が１００ｎｍ以下の粒子状堆積物であることを特徴とする微小なドットを備えた基板を提供する。
また、本発明は、２）直径５〜５０μｍのドットであることを特徴とする１）記載の基板、３）基板の融点が５００°Ｃ以下であることを特徴とする１）又は２）記載の基板を提供する。
さらに本発明は、４）基板の融点が３００°Ｃ以下であることを特徴とする３）記載の基板、５）堆積させる材料が、金属、金属を主成分とする材料又はその他のマイクロプラズマにより溶融、蒸発又は気化する材料であることを特徴とする１）〜４）のいずれかに記載の基板を提供する。
マイクロプラズマの径を可能な限り小さくし、その熱容量を低減させることにより、プラズマジェット照射時の低融点基板のダメージを防ぐと共に、マイクロプラズマ中に挿入した金属等のワイヤーを溶融、蒸発又は気化させ、プラズマジェットと共に噴出させることにより、低融点基板上に微小なサイズの金属等のドット及びラインを形成することができるという優れた効果を有する。
本発明は、マイクロプラズマにより堆積する材料である金属等のワイヤーを、マイクロプラズマ発生用キャピラリー内に予め挿入しておき、誘導コイルに高周波を高出力で印加することで、金属ワイヤーを溶融あるいは気化させるものであり、このように溶融、蒸発あるいは気化した金属等の材料を、キャピラリー内に供給したプラズマガス（Ar）の流れと共にキャピラリー先端から噴出させ、低融点基板の微小領域に析出させるものである。
上記のように、外周のコイルと挿入したワイヤーとの間でマイクロプラズマが発生することが条件となるので、堆積させる材料としては主に金属である。しかし、金属に他の微量非金属が存在していてもマイクロプラズマが発生するので、金属を主成分とする材料又はその他マイクロプラズマが発生し、これにより溶融、蒸発又は気化する材料が全て本発明の対象となる。
上記のように、外周のコイルと挿入したワイヤーとの間でマイクロプラズマが発生することが条件となるので、堆積させる材料としては主に金属である。しかし、金属に他の微量非金属が存在していてもマイクロプラズマが発生するので、金属を主成分とする材料又はその他マイクロプラズマが発生し、これにより溶融、蒸発又は気化する材料が全て本発明の対象となる。
この具体例を図に基づいて説明する。なお、この例は本発明の理解を容易にするために作成したものであり、この実施例によって本発明を制限するものではない。すなわち、本発明の技術思想に基づく、他の実施例、変形、態様は全て本発明に含まれるものとする。
図１に本発明で使用したマイクロプラズマ発生装置の概略図を示した。誘導結合型マイクロプラズマを発生させるキャピラリー１には、先端部が細くなった形状のものを使用した。このキャピラリー１は、内径300μｍ-外形1000μｍ（壁厚350μｍ）の石英管を、加熱引張加工することで作製した。
誘導結合型プラズマを発生させるために、上記キャピラリー１を高周波印加用コイル内に装填する必要がある。プラズマ発生用石英ガラスキャピラリー１の内径を100μｍより小さくした場合、プラズマ発生用石英ガラスキャピラリー１をコイル内へ直接装填する際に、キャピラリー１先端部を容易に破損してしまう。
誘導結合型プラズマを発生させるために、上記キャピラリー１を高周波印加用コイル内に装填する必要がある。プラズマ発生用石英ガラスキャピラリー１の内径を100μｍより小さくした場合、プラズマ発生用石英ガラスキャピラリー１をコイル内へ直接装填する際に、キャピラリー１先端部を容易に破損してしまう。
そこで、キャピラリー１上に内径1100μｍ−外径1500μｍの石英管保護ジャケット２を被せることが望ましい。この石英管の先端部から約10ｍｍの部分に、銅製コイル３を設置した。
原料金属のワイヤー４（直径50〜100μｍ）を、キャピラリー１の根元から挿入した。このキャピラリー１中に、ガス供給口５からプラズマガス（Ar）を供給し、高周波電源６から高周波を10〜20Wの出力で高周波コイル３に印加した。
原料金属のワイヤー４（直径50〜100μｍ）を、キャピラリー１の根元から挿入した。このキャピラリー１中に、ガス供給口５からプラズマガス（Ar）を供給し、高周波電源６から高周波を10〜20Wの出力で高周波コイル３に印加した。
このことにより、コイル３を巻いた部分のキャピラリー１内部に誘導電磁界が発生し、それに伴いコイル３内に届いているタングステンワイヤーが高周波誘導加熱を受け加熱される。この状態で、イグナイター７を一瞬作動させ、挿入ワイヤー４先端とコイル間に高電圧を印加して放電を起こさせ、誘導結合型マイクロプラズマを点灯させた。
以上のような方法で、最小直径20μｍのマイクロプラズマの安定発生が可能となった。発生したマイクロプラズマはキャピラリー１の先端から噴き出し、先端部から約100μｍの距離をおいて設置した基板表面（図示せず）へも到達する。
以上のような方法で、最小直径20μｍのマイクロプラズマの安定発生が可能となった。発生したマイクロプラズマはキャピラリー１の先端から噴き出し、先端部から約100μｍの距離をおいて設置した基板表面（図示せず）へも到達する。
次に、ガラスエポキシ基板（融点約300°C）への高融点金属のタングステン（融点約3400°C）蒸着の具体例を示す。
先端部内径50μｍの石英キャピラリー１内に、直径50μｍのタングステンワイヤー４を挿入した。このキャピラリー１内に、プラズマガス（Ar）を供給し、高周波を20Wの出力で高周波コイル３に印加して、誘導結合型マイクロプラズマを発生させた。
挿入されたタングステンワイヤーは、印加された高周波による誘導加熱および発生したマイクロプラズマの熱により、その表面が溶融あるいは気化し、プラズマガスの流れにのってキャピラリーから噴出した。その結果、キャピラリー先端から100〜400μｍの距離をおいて配置した基板上に堆積した。
先端部内径50μｍの石英キャピラリー１内に、直径50μｍのタングステンワイヤー４を挿入した。このキャピラリー１内に、プラズマガス（Ar）を供給し、高周波を20Wの出力で高周波コイル３に印加して、誘導結合型マイクロプラズマを発生させた。
挿入されたタングステンワイヤーは、印加された高周波による誘導加熱および発生したマイクロプラズマの熱により、その表面が溶融あるいは気化し、プラズマガスの流れにのってキャピラリーから噴出した。その結果、キャピラリー先端から100〜400μｍの距離をおいて配置した基板上に堆積した。
キャピラリー先端から100μｍの距離をおいて配置したガラスエポキシ基板上に、上記条件下、大気中でマイクロプラズマを1分間発生させて作製した堆積物の走査型電子顕微鏡写真を図２に示す（図２−1：横方向からの観察写真、図２−２：真上方向からの観察写真）。
底面の直径が約80μｍ、高さが約35μｍの山状の物質が堆積していた（ドット状の堆積物）。この堆積物の高分解能走査型電子顕微鏡観察では、この堆積物は直径20〜50μｍ程度のサイズであった。
また、その堆積物（ドット状の堆積物）を詳細に観察すると、さらに１００ｎｍ程度の微粒子で構成されていることが分かった（図２−３）。また、図２−１、２−２で明らかなように、タングステンが堆積された領域の周囲はダメージを受けていなかった。
底面の直径が約80μｍ、高さが約35μｍの山状の物質が堆積していた（ドット状の堆積物）。この堆積物の高分解能走査型電子顕微鏡観察では、この堆積物は直径20〜50μｍ程度のサイズであった。
また、その堆積物（ドット状の堆積物）を詳細に観察すると、さらに１００ｎｍ程度の微粒子で構成されていることが分かった（図２−３）。また、図２−１、２−２で明らかなように、タングステンが堆積された領域の周囲はダメージを受けていなかった。
キャピラリー１先端とガラスエポキシ基板との距離を100〜400μｍで変化させた場合にも、タングステンは山状に堆積した。その底面の直径や高さなどのサイズは、この距離にはそれほど依存しない。
本方法では、タングステンに限らず様々な材料を低融点基板の微小領域に堆積させることが可能である。鉄などの磁性金属や、電極素子に用いられる白金をはじめ高融点金属も堆積させることが可能である。
また、発生させるマイクロプラズマのサイズや発生時間を変化させることで、堆積物の直径、高さを制御することも可能である。
本方法では、タングステンに限らず様々な材料を低融点基板の微小領域に堆積させることが可能である。鉄などの磁性金属や、電極素子に用いられる白金をはじめ高融点金属も堆積させることが可能である。
また、発生させるマイクロプラズマのサイズや発生時間を変化させることで、堆積物の直径、高さを制御することも可能である。
キャピラリー１内に直径100μｍの鉄ワイヤーを挿入、プラズマガス（Ar）を供給して、高周波を15Wの出力でコイルに印加し、10秒間発生させた直径約20μmの誘導結合型マイクロプラズマによって作製した堆積物の走査型電子顕微鏡写真を図３に示す。
キャピラリー先端から100μｍの距離をおいて配置したガラスエポキシ基板上に、直径約10μｍの堆積物が生成した（図３−１：真上からの観察写真）。
堆積物の高さはプラズマ発生時間に依存し、10秒間の発生では、高さ約1μｍの鉄の堆積物が得られた（図３−２：横方向からの観察写真）。この鉄堆積物も、直径20〜100μｍの球状鉄微粒子で構成されていた（図３−３：高分解能走査型電子顕微鏡写真）。
キャピラリー先端から100μｍの距離をおいて配置したガラスエポキシ基板上に、直径約10μｍの堆積物が生成した（図３−１：真上からの観察写真）。
堆積物の高さはプラズマ発生時間に依存し、10秒間の発生では、高さ約1μｍの鉄の堆積物が得られた（図３−２：横方向からの観察写真）。この鉄堆積物も、直径20〜100μｍの球状鉄微粒子で構成されていた（図３−３：高分解能走査型電子顕微鏡写真）。
上記のドット形成技術を応用して、基板上に鉄のドットパターンを形成した実施例を示す。ガラスエポキシ基板を、３軸マニピュレーターに接続された基板支持部に固定した。基板とプラズマトーチ先端部との距離を100μｍに固定し、上記の鉄ドット作製例と同じ条件で、径20μｍのマイクロプラズマを10秒間発生させた。
発生終了後、基板支持部を横または縦方向に100μｍの距離移動させ、前記と同じ条件でマイクロプラズマを発生させた。その結果、ガラスエポキシ基板上に、100μｍのピッチ幅で形成された直径約10μｍの鉄ドットのパターンが形成された（図４−１）。
発生終了後、基板支持部を横または縦方向に100μｍの距離移動させ、前記と同じ条件でマイクロプラズマを発生させた。その結果、ガラスエポキシ基板上に、100μｍのピッチ幅で形成された直径約10μｍの鉄ドットのパターンが形成された（図４−１）。
次に、基板上に鉄のラインパターンを形成した例を示す。基板とプラズマトーチ先端部との距離を100μｍに固定し、上記と同じ条件でマイクロプラズマを発生させた。発生直後、基板を横方向に10μｍ／秒の速度で1000μｍの距離移動させた。基板上には、長さ1000μｍ、幅約10μｍのラインパターンが形成された。
以上のように、直径が50μｍ以下のマイクロプラズマを利用することにより、融点が約300°Cの基板にダメージを与えることなく容易に金属材料を堆積させることができる。また、マイクロプラズマ中に挿入した金属ワイヤーを意図的に溶出させることで、基板上に金属ドットおよびラインを形成することが可能である。したがって、本発明は基板微細加工技術として極めて有用である。
１ マイクロプラズマ発生用石英キャピラリー
２ キャピラリー保護ジャケット用石英管
３ 銅製コイル
４ 金属ワイヤー
５ ガス供給口
６ 高周波電源
７ イグナイター
２ キャピラリー保護ジャケット用石英管
３ 銅製コイル
４ 金属ワイヤー
５ ガス供給口
６ 高周波電源
７ イグナイター
Claims (5)
- １００μｍ以下の内径を有する石英管のキャピラリー先端から基板に向かって噴射されたマイクロプラズマにより溶融、蒸発又は気化した材料が基板上に再凝固し、ドット状に堆積した直径１〜１００μｍの前記材料のドットを備え、ドット状に堆積した堆積物が、平均粒径が１００ｎｍ以下の粒子状堆積物であることを特徴とする微小なドットを備えた基板。
- 直径５〜５０μｍのドットであることを特徴とする請求項１記載の基板。
- 基板の融点が５００°Ｃ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の基板。
- 基板の融点が３００°Ｃ以下であることを特徴とする請求項３記載の基板。
- 堆積させる材料が、金属、金属を主成分とする材料又はその他のマイクロプラズマにより溶融、蒸発又は気化する材料であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004079483A JP4769932B2 (ja) | 2004-03-19 | 2004-03-19 | 微小なドットを備えた基板 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008208924A Division JP4565244B2 (ja) | 2008-08-14 | 2008-08-14 | マイクロプラズマによる堆積方法及び装置 |
| JP2008208900A Division JP4617480B2 (ja) | 2008-08-14 | 2008-08-14 | 微小なラインを備えた基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005262111A JP2005262111A (ja) | 2005-09-29 |
| JP4769932B2 true JP4769932B2 (ja) | 2011-09-07 |
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ID=35087203
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004079483A Expired - Lifetime JP4769932B2 (ja) | 2004-03-19 | 2004-03-19 | 微小なドットを備えた基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4769932B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8512816B2 (en) | 2006-08-22 | 2013-08-20 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method of fabricating thin film by microplasma processing and apparatus for same |
| JP5004088B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2012-08-22 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 変調マイクロプラズマによる加工方法及びその装置 |
| JP4803674B2 (ja) * | 2007-02-26 | 2011-10-26 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | モリブデン若しくはタングステン粒子又は該粒子からなる薄膜及びその製造方法 |
| CN101083868B (zh) * | 2007-07-06 | 2010-11-10 | 清华大学 | 基于预电离点火装置的大气压放电冷等离子体发生器 |
| US8512437B2 (en) | 2008-03-04 | 2013-08-20 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method of producing inorganic nanoparticles in atmosphere and device therefor |
-
2004
- 2004-03-19 JP JP2004079483A patent/JP4769932B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005262111A (ja) | 2005-09-29 |
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