JP2005105314A - 蒸着源、その蒸着源を有する蒸着装置、及び薄膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】成膜速度を低下させずに反応性生物の薄膜を形成する。
【解決手段】筒状のアノード電極21の開口部分にガス導入部材25を配置し、それに形成された噴出口28から反応性ガスを導入し、アノード電極21の開口付近に他の領域よりも圧力が高い反応性ガス雰囲気を形成する。アーク放電により、アノード電極21の内部から蒸着材料粒子が放出されるときに、蒸着材料粒子は反応性ガス雰囲気を通り、そこで反応性ガスと反応し、反応生成物が成膜対象物14に向けて飛行し、成膜対象物14表面に反応生成物の薄膜を成長させる。真空槽11の内部を低圧力に維持しながら、比較的高圧力の反応性ガス雰囲気を形成できるから、反応生成物粒子が散乱されず、成膜速度が低下しない。
【選択図】 図1
Description
本発明は薄膜を形成する技術にかかり、特に、同軸型アーク蒸着源を用いて薄膜を形成する技術に関する。
図8の符号110は、従来技術の蒸着装置を示している。
この蒸着装置110は、真空槽111を有しており、該真空槽111の内部には蒸着源112が配置されている。
この蒸着装置110は、真空槽111を有しており、該真空槽111の内部には蒸着源112が配置されている。
蒸着源112は、円筒形のアノード電極121と、アノード電極121の内部に配置されたカソード122と、カソード122の近傍に配置されたトリガ電極123とを有している。アノード電極121とカソード122とトリガ電極123は、電源140に接続されている。
真空槽111には、真空排気系137とガス導入系138が接続されており、真空排気系137によって真空槽111内を真空排気しながら、ガス導入系138から反応性ガスを導入し、電源140によってアノード電極121とカソード122の間に電圧を印加した状態でトリガ電極123にパルス電圧を印加し、トリガ電極123とカソード122の間にトリガ放電を発生させると、カソード122とアノード電極121との間にアノード放電が誘起される。そのアノード放電により、カソードに大電流のアノード電流が流れ、カソード122が溶融してカソード122を構成する蒸着材料粒子が放出される。
放出された粒子のうち、電荷を有し、微小な粒子は、カソード配線132を流れるアノード電流からローレンツ力を受け、アノード電極121の開口方向に軌道が曲げられる。
軌道が曲げられた粒子の飛行方向には基板ホルダ113が配置されており、該基板ホルダ113には、半導体ウェハ等の成膜対象物114が配置されている。
真空槽111の内部やアノード電極112の内部は、一定圧力の反応性ガス雰囲気になっており、軌道が曲げられた粒子は反応性ガスと反応し、反応生成物粒子となって成膜対象物114表面に到達し、反応生成物の薄膜が成長する。
特開平11−350113
特開平11−350114
従来技術の同軸型真空アーク蒸着源で反応性ガスと蒸着材料の反応生成物の薄膜を形成する場合、反応性を高くするために反応性ガスの導入量を増加させると、成膜レートが低下するという問題がある。
本発明は上記課題を解決するため、請求項1記載の発明は、筒状のアノード電極と、前記アノード電極で囲まれた領域内に配置されたカソードと、前記カソード近傍に配置されたトリガー電極と、前記アノード電極の先端の開口部分に配置され、前記アノード電極の開口付近に反応性ガスを導入するガス導入部材とを有する蒸着源である。
請求項2記載の発明は、前記ガス導入部材は筒状に形成され、内周面に一又は二以上のガス噴出口を有する請求項1記載の蒸着源である。
請求項3記載の発明は、前記噴出口の直径は、0.1mm以上0.5mm以下に形成された請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の蒸着源である。
請求項4記載の発明は、真空槽内に請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の蒸着源が配置された蒸着装置である。
請求項5記載の発明は、アノード電極と、カソードと、トリガ電極の周囲を真空雰囲気にし、前記カソードと前記トリガ電極の間にカソード放電を発生させて前記カソードを構成する蒸着材料粒子を放出させ、前記カソードと前記アノード電極の間にアノード放電を誘起させ、前記カソードから蒸着材料粒子を多量に放出させ、前記アノード放電によって流れるアーク電流が形成する磁界により、微小な蒸着材料粒子の軌道を曲げ、噴出口から噴出させた反応性ガスと前記蒸着材料粒子とを反応させて反応生成物粒子を生成し、成膜対象物表面に到達させて薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、前記噴出口を、前記軌道が曲げられた前記蒸着材料粒子の飛行軌道に向けて前記反応性ガスを噴出するように配置する薄膜の製造方法である。
請求項6記載の発明は、前記噴出口を複数用いる請求項5記載の薄膜の製造方法であって、前記複数の噴出口により、前記軌道が曲げられた前記蒸着材料粒子の飛行軌道を取り囲む請求項5記載の薄膜の製造方法である。
請求項2記載の発明は、前記ガス導入部材は筒状に形成され、内周面に一又は二以上のガス噴出口を有する請求項1記載の蒸着源である。
請求項3記載の発明は、前記噴出口の直径は、0.1mm以上0.5mm以下に形成された請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の蒸着源である。
請求項4記載の発明は、真空槽内に請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の蒸着源が配置された蒸着装置である。
請求項5記載の発明は、アノード電極と、カソードと、トリガ電極の周囲を真空雰囲気にし、前記カソードと前記トリガ電極の間にカソード放電を発生させて前記カソードを構成する蒸着材料粒子を放出させ、前記カソードと前記アノード電極の間にアノード放電を誘起させ、前記カソードから蒸着材料粒子を多量に放出させ、前記アノード放電によって流れるアーク電流が形成する磁界により、微小な蒸着材料粒子の軌道を曲げ、噴出口から噴出させた反応性ガスと前記蒸着材料粒子とを反応させて反応生成物粒子を生成し、成膜対象物表面に到達させて薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、前記噴出口を、前記軌道が曲げられた前記蒸着材料粒子の飛行軌道に向けて前記反応性ガスを噴出するように配置する薄膜の製造方法である。
請求項6記載の発明は、前記噴出口を複数用いる請求項5記載の薄膜の製造方法であって、前記複数の噴出口により、前記軌道が曲げられた前記蒸着材料粒子の飛行軌道を取り囲む請求項5記載の薄膜の製造方法である。
本発明は上記のように構成されており、筒状のアノード電極の先端にガス導入部材が配置されており、真空槽に接続された真空排気系によって真空槽内を真空排気しながらガス導入部材から反応性ガスを導入すると、反応性ガスはアノード電極の外部に流れ、真空排気系によって排気される。
このとき、アノード電極の先端に反応性ガスの圧力の高い領域が形成され、蒸着材料粒子は、その圧力の高い領域内を飛行するため、反応性ガスと蒸着材料粒子が高効率で反応し、反応生成物粒子が生成される。
反応生成物粒子の飛行軌道上の圧力はアノード電極の先端付近の圧力よりも低いため、反応生成物粒子は散乱されず、成膜速度が低下することはない。
アノード電極先端付近の反応性ガス圧力を高くし、他の領域の圧力を低くしておくためにはガス導入部材を筒状(リング状を含む。)に形成し、その内周面にガス噴出口を配置すると筒で囲まれた領域の圧力を高くしやすくなる。その場合、ガス噴出口は複数均等に配置するとよい。
真空槽内の一部領域の反応性ガス圧力を高くし、蒸着材料粒子にその領域中を通過させ、反応性ガスと反応させるので、成膜レートを低下させないで反応性を向上させることができる。
図1の符号10は、本発明の蒸着装置である。
この蒸着装置10は、真空槽11と、該真空槽11内に配置された同軸型真空アーク蒸着源12とを有してる。真空槽11はステンレス等の合金で作成されている。
この蒸着装置10は、真空槽11と、該真空槽11内に配置された同軸型真空アーク蒸着源12とを有してる。真空槽11はステンレス等の合金で作成されている。
同軸型真空アーク蒸着源12は、円筒形の金属板から成るアノード電極21と、蒸着材料が円柱状に成形されて成るカソード22と、リング状の金属から成るトリガ電極23とを有している。
カソード22とトリガ電極23は、その中心軸線とアノード電極21の中心軸線とが一致するように、アノード電極21の内部に配置されている。
アノード電極21の外部であって、アノード電極21の中心軸線の延長線上には、基板ホルダ13が配置されている。トリガ電極23とカソード22の位置関係は、トリガ電極23よりもカソード22の方が基板ホルダ13に近い位置に配置されている。
真空槽11の外部には電源40が配置されており、 アノード電極21とカソード22とトリガ電極23は、アノード配線31とカソード配線32とトリガ配線33によって、電源40にそれぞれ接続されている。また、真空槽11も電源40に接続されている。
カソード22とトリガ電極23は、アノード電極21から一定距離だけ離間されている。また、カソード22とトリガ電極23とは、絶縁部材34a、34bによって絶縁されている。
図2は、カソード22等の断面図であり、トリガ電極23は、絶縁部材31a〜31dによって、カソード22やカソード配線32から絶縁されている。
また、アノード電極21は、真空槽11とも絶縁されており、真空槽11を接地電位に接続しながら、アノード電極21とカソード22とトリガ電極23に、それぞれ所望の電圧を印加できるように構成されている。
アノード電極21の先端にはガス導入部材25が取り付けられている。
ガス導入部材25はアノード電極21と略同径の円筒状であり、その内周面にはガス噴出口28が多数設けられている。
ガス導入部材25はアノード電極21と略同径の円筒状であり、その内周面にはガス噴出口28が多数設けられている。
真空槽11の外部には、ガス導入系27が配置されており、ガス導入部材25は配管26によってガス導入系27に接続され、ガス導入系27から反応性ガスを流量制御しながら導入し、各噴出口28から円筒の中心軸線に向けて反応性ガスを噴出できるように構成されている。
図3は、ガス導入部材25の平面図である。ガス噴出口28は、ガス導入部材25の内壁に複数個設けられている。そのガス噴出口28は、例えば、内壁の長手方向に沿って等間隔に3個、円周方向に沿って等間隔に8個、合計24個の噴出口28を配置することができる。各ガス噴出口28の直径は0.1mmである。0.5mmまで大きくすることができる。
上記蒸着装置10を用い、基板表面に薄膜を形成する工程について説明する。
真空槽11には、真空排気系41が接続されている。
先ず、真空排気系41によって真空槽11内を所定圧力まで真空排気し、真空雰囲気を維持した状態で真空槽11内に成膜対象物を搬入し、基板ホルダ13に保持させる。
真空槽11には、真空排気系41が接続されている。
先ず、真空排気系41によって真空槽11内を所定圧力まで真空排気し、真空雰囲気を維持した状態で真空槽11内に成膜対象物を搬入し、基板ホルダ13に保持させる。
符号14は基板ホルダ13に保持された成膜対象物を示している。成膜対象物14は、例えば半導体ウェハである。成膜対象物14が基板ホルダ13に保持された状態では、成膜対象物14の成膜面は同軸型真空アーク蒸着源12に向けられている。
真空槽11は接地電位に接続されており、電源40によってアノード電極21に正電圧又は接地電圧を印加し、カソード22には負電圧を印加しておき、ガス導入部材25から反応性ガスを導入し、アノード電極21の開口29付近や、ガス導入部材25が取り囲む領域の反応性ガス圧力をアノード電極21の外部の圧力よりも高くした状態で、トリガ電極23にパルス状の正電圧を印加する。
その正電圧により、トリガ電極23とカソード22の間に沿面放電が生じ、カソード22を構成する蒸着材料粒子がアノード電極21内に放出される。
放出された蒸着材料粒子により、アノード電極21内部の圧力が上昇し、アノード電極21とカソード22の間の放電耐圧が低下すると、アノード電極21とカソード22の間にアノード放電が発生する。
このように、トリガ放電によってアノード放電が誘起されるとカソード22に大きなアノード電流が流れ、それによってカソード22が溶融すると、アノード電極21内部に、カソード22を構成する蒸着材料の荷電粒子や中性粒子、電子が多量に放出される。
それらの粒子のうち、電子はアノード電極21に引き寄せられ、正の荷電粒子はアノード電極21から反発力を受けるが、荷電粒子のうちの電荷/質量の値が小さな粒子や中性粒子はアノード電極21に衝突し、そこに付着する。
カソード配線32を流れるアノード電流は、アノード電流が流れる方向とは逆向きのローレンツ力を発生させる。アノード配線31は、アノード電極21の中心軸線上に位置しており、荷電粒子のうちの電荷/質量の値が大きい粒子は、ローレンツ力によって軌道が曲げられ、アノード電極21の中心軸線に沿って飛行する。アノード電極21の中心軸線の延長線上には基板ホルダ13が位置しており、結局、軌道が曲げられた粒子は基板ホルダ13に向かう。
アノード電極21の開口29やガス導入部材25が取り囲む領域内は、反応性ガスの圧力が他の領域の圧力よりも高くなっており、軌道が曲げられた粒子がアノード電極21の開口29やガス導入部材25が取り囲む領域内、即ち、反応性ガス圧力が高い領域内を飛行する際に反応性ガスと反応し、反応生成物粒子となってガス導入部材25の開口から真空槽11内に放出される。
反応生成物粒子の飛行方向には基板ホルダ13に保持された成膜対象物14が位置しているので反応生成物粒子は成膜対象物14表面に到達し、そこに付着して反応生成物の薄膜が形成される。成膜対象物14表面に薄膜が成長しているときは、成膜対象物14表面に均一に反応生成物粒子が到達するように基板ホルダ13を回転させる。
アノード電流は電源40内のコンデンサから供給されており、そのコンデンサの放電が終了すると停止する。
コンデンサは放電終了後、所定電圧まで充電されるため、充電終了後、トリガ電極23にパルス電圧を印加すると、再度アノード電流が流れ、成膜対象物14表面に反応生成物粒子が供給される。
このように、アーク放電が生じる毎に所定量の反応生成物粒子が供給されるので、トリガ放電によって繰り返しアーク放電を誘起させ、所望膜厚の反応生成物薄膜を成長させることができる。
なお、カソード22は、タングステン、タンタル、アルミニウム、チタン等の金属、それらの合金等のトリガ放電やアーク放電が生じ得る導電性物質を用いることができる。
反応性ガスは、酸素、窒素等の他、メタン等の化合物ガスも用いることができる。カソード22に金属を用い、反応性ガスに酸素、窒素、炭化水素を用いると、金属酸化物(WO、Ta2O3、Al2O3、TiO2等の)薄膜、金属窒化物薄膜、金属炭化物薄膜がそれぞれ得られる。
また、本発明の蒸着装置10では、ガス導入部材25から2sccmの反応性ガスを導入したときに、ガス導入部材25で囲まれた領域の圧力は2.6Pa程度になるが、真空槽11内の圧力は1×10-2Pa程度の大きさになる。この圧力では平均自由行程が長いため、成膜レートは低下せず、且つ、反応性ガスが酸素の場合、2.6Paの圧力では十分酸化する。
カソード22をハフニウムで構成し、反応性ガスとして酸素を用い、上記プロセスにて酸化ハフニウム薄膜を形成する。
図1の真空槽11の外周には、ヒータ45が巻回されており、先ず、真空槽11内を真空排気し、圧力が1.3×10-4Paに到達したところで、ヒータ45に通電し、真空槽11を加熱し、真空槽11の内壁に吸着している水を放出させ、真空排気によって真空槽11内部から水分を排出する。
その状態を1日乃至2日持続させ、真空槽11の内部圧力が6.5×10-7Pa以下の所定の到達圧力になったところでヒータ45への通電を停止する。
真空槽11とアノード電極21は接地電位に接続し、カソード22に−100Vの直流電圧を印加した状態でトリガ電極23に3.4kVの正の高電圧パルスを印加し、トリガ放電とアノード放電を発生させた。アノード電流を供給するコンデンサの容量は8800μFであり、アノード電流の先頭電流の大きさは約1200〜1400Aであり、アノード電流は1ms流れる。
アノード放電により、カソード22からハフニウムの微小粒子が放出される。
ガス導入部材25から導入する酸素ガスを数sccm〜100sccmの範囲で調節し、異なる圧力下で酸化ハフニウム膜(HfO2)を形成した。なお、成膜中の真空槽11内部の圧力は反応性ガス(酸素ガス)の分圧と等しい。
ガス導入部材25から導入する酸素ガスを数sccm〜100sccmの範囲で調節し、異なる圧力下で酸化ハフニウム膜(HfO2)を形成した。なお、成膜中の真空槽11内部の圧力は反応性ガス(酸素ガス)の分圧と等しい。
図4〜図6は、上記条件で形成した酸化ハフニウム膜(HfO2)のオージェ分光分析結果である。各図のグラフの横軸は深さ、縦軸は組成である。図4は成膜中の真空槽11内の圧力が1.33×10-5Paの場合、図5は1.33×10-3Paの場合、図6は6.67×10-1Paの場合である。
成膜前の真空槽11内の到達圧力は2.8×10-7Pa、成膜対象物表面とカソード22先端の間の距離は200mm、成膜時間は約3時間である。放電パルス数は10000発である。放電パルスは1発/秒で出力されている。
この条件で成膜した場合、成膜速度は0.03〜0.07nm/秒(パルス)であり、膜厚は約30〜70nmである。
図4〜図6の分析結果のうち、図5の1.33×10-3Paで成膜した場合がハフニウムと酸素の比が50:50になっており、図6の6.67×10-1Paで成膜した場合がハフニウム:酸素=40:60になっていて、図6の場合が化学量論比の組成に近い。
また、図4〜図6を見ると、本発明によって形成された酸化ハフニウム膜は、膜厚の深さ方向の組成比が一定になっている。従って、本発明によれば、カソード22からのハフニウムの放出と、放出されたハフニウムと酸素の反応が安定に行われていることが分かる。
また、前記のように深さ方向に組成比が一定であることから、膜厚を膜厚1nmよりも薄くすることが可能となっている。
図7は比較例のグラフであり、ガス導入部材ではなく真空槽111の壁面から内部に酸素ガスを導入する従来技術によって形成した酸化ハフニウム膜の、酸素濃度と真空槽111中の酸素ガス分圧の関係を示すグラフである。
酸素ガス分圧を1.00×100Pa付近まで高くしないと酸素濃度は大きくならず、化学量論比に近い酸化ハフニウム膜が得られていないが、酸素ガス分圧を高くすると成膜レートが低くなってしまっている。
なお、本発明に用いた上記ガス導入部材25は円筒形状であったが、四角や六角形の筒であってもよい。
また、筒でなくてもよい。例えば、アノード電極21の開口19付近に一又は二以上のパイプを配置し、各パイプの先端を噴出口として、各噴出口から反応性ガスを噴出させ、アノード電極21の開口19付近に、他の領域よりも高濃度の反応性ガス雰囲気を形成することもできる。
要するに、本発明の蒸着源は、カソード22を構成する微粒子の飛行軌道上に他の領域よりも反応性ガス圧力が高い雰囲気を形成し、且つ、真空槽内の真空雰囲気を、反応生成物粒子が散乱されない程度の高真空状態に維持できるように構成すればよい。
金属と酸素、窒素、その他の反応性ガスとの化合物の他、様々な蒸着材料と反応性ガスの化合物の薄膜を製造するのに適している。
14……成膜対象物
21……アノード電極
22カソード
23……トリガ電極
25……ガス導入部材
28……噴出口
21……アノード電極
22カソード
23……トリガ電極
25……ガス導入部材
28……噴出口
Claims (6)
- 筒状のアノード電極と、
前記アノード電極で囲まれた領域内に配置されたカソードと、
前記カソード近傍に配置されたトリガー電極と、
前記アノード電極の先端の開口部分に配置され、前記アノード電極の開口付近に反応性ガスを導入するガス導入部材とを有する蒸着源。 - 前記ガス導入部材は筒状に形成され、内周面に一又は二以上のガス噴出口を有する請求項1記載の蒸着源。
- 前記噴出口の直径は、0.1mm以上0.5mm以下に形成された請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の蒸着源。
- 真空槽内に請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の蒸着源が配置された蒸着装置。
- アノード電極と、カソードと、トリガ電極の周囲を真空雰囲気にし、
前記カソードと前記トリガ電極の間にカソード放電を発生させて前記カソードを構成する蒸着材料粒子を放出させ、前記カソードと前記アノード電極の間にアノード放電を誘起させ、前記カソードから蒸着材料粒子を多量に放出させ、
前記アノード放電によって流れるアーク電流が形成する磁界により、微小な蒸着材料粒子の軌道を曲げ、噴出口から噴出させた反応性ガスと前記蒸着材料粒子とを反応させて反応生成物粒子を生成し、成膜対象物表面に到達させて薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、
前記噴出口を、前記軌道が曲げられた前記蒸着材料粒子の飛行軌道に向けて前記反応性ガスを噴出するように配置する薄膜の製造方法。 - 前記噴出口を複数用いる請求項5記載の薄膜の製造方法であって、
前記複数の噴出口により、前記軌道が曲げられた前記蒸着材料粒子の飛行軌道を取り囲む請求項5記載の薄膜の製造方法。
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