JP2006075979A - レーザーアブレーション装置、及びそれを利用したナノ粒子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 一つの工程で微細かつ均一なサイズ分布を有するナノ粒子を製造する。【解決手段】 内部に放電空間を設ける反応チャンバ１０、反応チャンバの内部に位置するものとして、ターゲット１４が装着されるサセプタ１２、レーザービームでターゲットをスパッタリングして、放電空間２０内に正電荷と負電荷とを含むプラズマ放電を起すレーザー発生部３０、及び放電空間に向けて露出される所定位置に正のバイアス電圧を印加して、放電空間から所定位置に負電荷を引きつける高電圧（ＨＶ）発生部４０を備える。
【選択図】 図１

Description

本発明は、ナノ粒子の生成と共に、粒径の分布を容易に制御し、均一なサイズのナノ粒子を製造できるレーザーアブレーション装置、及びそれを利用したナノ粒子の製造方法に関する。

ナノ粒子を製造する代表的な方法として、熱分解法、レーザーアブレーション法などがある。

熱分解法は、前駆体を利用してナノ粒子を製造する方法である。前記前駆体は、反応器で熱分解され、熱分解された前駆体がナノ粒子に成長するようになる。この方法は、比較的簡単であり、ナノ粒径が容易に制御されうる。しかし、ナノ粒径が前駆体の濃度によって決定されるので、小さいナノ粒子を製造するためには、前駆体の濃度が低くなければならない。このような方法では、前駆体の濃度が低いため、一回の製造工程で生産されるナノ粒子の量が少ない。

一方、レーザーアブレーション法は、バルクターゲットまたはエアロゾルパウダ形態のターゲットをレーザービームでスパッタリングして、前記ターゲット物質からナノ粒子を得る。この方法は、レーザースパッタリングからナノ粒子の生成までの過程が数ナノ秒間になされるので、製造されるナノ粒径を制御し難い。したがって、製造されるナノ粒径が不均一であり、粒径の分布偏差が大きい。このような方法では、製造されたナノ粒径の分布を均一にする後続工程が必要である。したがって、ナノ粒子の製造工程が複雑になる。また、前記後続工程で粒子を選別し難いだけでなく、製造された粒子のうち選別される粒子の量が非常に少ないため、生産収率が低くなる。

特許文献１は、シリコンパウダエアロゾルをレーザーで照射してナノ粒子を製造する方法を開示する。

前記開示された製造方法による場合、製造されたナノ粒径は、依然として不均一であり、粒径の分布が非常に広いという問題がある。

また、特許文献２は、粒径による電気移動度の差によってナノ粒子を分離して、既に製造されたナノ粒径の分布を減少させる装置を開示する。

前記開示された装置による場合、製造されたナノ粒径の分布を減少させることができるが、製造された粒子のうち選別される粒子の量が非常に少ないため、生産収率が低いという問題がある。
米国特許第ＵＳ５，５８５，０２０号明細書 米国特許第ＵＳ６，２３０，５７２号明細書

本発明が解決しようとする課題は、前述した従来技術の問題点を解決するためのものであって、ナノ粒子の生成と共に、粒径の分布を容易に制御し、均一なサイズのナノ粒子を製造できるレーザーアブレーション装置、及びそれを利用したナノ粒子の製造方法を提供するところにある。

本発明によれば、内部に放電空間を設ける反応チャンバと、前記反応チャンバの内部に位置するものであって、ターゲットが装着されるサセプタと、レーザービームで前記ターゲットをスパッタリングして、前記放電空間内に正電荷と負電荷とを含むプラズマ放電を起すレーザー発生部と、前記放電空間に露出される所定位置に正のバイアス電圧を印加して、前記放電空間から前記所定位置に前記負電荷を引きつける高電圧（Ｈｉｇｈ Ｖｏｌｔａｇｅ：ＨＶ）発生部と、を備えるレーザーアブレーション装置が提供される。

前記ＨＶ発生部は、前記放電空間に向けて露出される伝導体を備え、前記伝導体を通じて前記負電荷を引きつけることができる。ここで、正のバイアス電圧は、１Ｖないし１００，０００Ｖの範囲にある。望ましくは、前記伝導体の表面に絶縁膜が形成されている。また、前記レーザービームのエネルギー密度は、０．１ないし１０Ｊ／ｃｍ^２である。望ましくは、前記プラズマ放電時、前記反応チャンバ内に前記正電荷間の反応を抑制させる不活性ガスが供給されうる。

前記レーザーアブレーション装置は、前記反応チャンバに連結されるものとして、前記反応チャンバ内を低圧状態に維持させる真空ポンプをさらに備え、前記反応チャンバに連結されるものとして、前記反応チャンバで製造された粒子の特性を分析する分析装置をさらに備える。

また、前記レーザーアブレーション装置は、前記反応チャンバに連結されるものとして、前記反応チャンバで製造される粒子を前記反応チャンバの外部に移送する移送ガスを提供する移送ガス供給装置をさらに備える。前記移送ガス供給装置は、プラズマ放電時、前記反応チャンバ内に前記移送ガスを供給する。

望ましくは、前記レーザーアブレーション装置は、前記反応チャンバに連結されるものとして、前記反応チャンバで製造された粒子を熱処理する熱処理装置をさらに備える。前記熱処理は、酸素、オゾン、水蒸気、アンモニアまたは水素雰囲気で行われる。

望ましくは、前記レーザーアブレーション装置は、前記熱処理装置に連結されるものとして、前記熱処理された粒子の特性を分析する分析装置をさらに備える。

また、本発明によれば、放電空間を設ける反応チャンバの内部にターゲットを設けるステップと、レーザービームで前記ターゲットをスパッタリングして、前記放電空間内に正電荷と負電荷とを含むプラズマ放電を起すステップと、前記放電空間に露出される所定位置に正のバイアス電圧を印加して、前記放電空間から前記所定位置に前記負電荷を引きつけるステップと、を含むナノ粒子の製造方法が提供される。

前記放電空間に向けて露出される所定位置に伝導体が設けられ、前記伝導体に正のバイアス電圧が印加され、前記伝導体が、前記負電荷を引きつける。前記正のバイアス電圧は、１Ｖないし１００，０００Ｖの範囲にあり、前記レーザービームのエネルギー密度は、０．１ないし１０Ｊ／ｃｍ^２である。望ましくは、前記伝導体の表面に絶縁膜が形成されている。また、前記プラズマ放電時、前記反応チャンバの内部が低圧状態に維持される。また、前記プラズマ放電時、前記反応チャンバ内に前記正電荷間の反応を抑制させる不活性ガスが供給されうる。

前記プラズマ放電時、前記反応チャンバ内に、前記反応チャンバでそれぞれのステップを経て製造された粒子を前記反応チャンバの外部に移送する移送ガスが供給されうる。

望ましくは、前記ナノ粒子の製造方法は、前記反応チャンバでそれぞれのステップを経て製造された粒子を熱処理するステップをさらに含み、前記熱処理は、酸素、オゾン、水蒸気、アンモニアまたは水素雰囲気で行われる。

本発明によるレーザーアブレーション装置及びそれを利用したナノ粒子の製造方法によれば、ナノ粒子の生成と共に、粒径の分布が容易に制御されうる。すなわち、本発明によって製造される粒子は、均一なサイズを有し、粒径の分布偏差が小さい。

したがって、従来のように、ナノ粒子の製造工程後に製造された粒径の分布偏差を小さくする別途の後続工程を要せず、一つの工程で微細かつ均一なサイズ分布を有するナノ粒子が製造される。すなわち、生産工程が単純化される。

また、生産工程が単純化されるにつれて、ナノ粒子の製造コストが低減し、生産収率が向上する。

以下、本発明の実施形態によるレーザーアブレーション装置及びそれを利用したナノ粒子の製造方法を、添付された図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施形態によるレーザーアブレーション装置、及びそれを利用したナノ粒子の製造方法を示す概略的な断面図である。

図１に示すように、本発明の一実施形態によるレーザーアブレーション装置は、反応チャンバ１０、レーザー発生部３０、ＨＶ発生部４０及び真空ポンプ５０を備える。

前記反応チャンバ１０の内部には、ターゲット１４が装着されたサセプタ１２が位置し、前記サセプタ１２に対応してレーザー発生部３０が位置する。前記サセプタ１２とレーザー発生部３０との間に、プラズマ放電が起きる。前記反応チャンバ１０の一側に装着された前記ＨＶ発生部４０は、前記放電空間に向けて露出される伝導体４２を備える。また、前記反応チャンバ１０に真空ポンプ５０が連結されており、前記反応チャンバ１０の一側にガス引入口６１が設けられている。

前記ターゲット１４は、ナノ粒子に作ろうとする物質であって、バルクまたはパウダなどの形態に存在するほとんどの固体物質となることができる。例えば、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕのような金属材料だけでなく、ＭｇＯ、ＣａＯのような酸化物質などがターゲット１４の物質となり、その他にも可能な限り多くの固体物質がある。

前記反応チャンバ１０は、その内部に放電空間２０を設け、前記反応チャンバ１０の内部は、前記真空ポンプ５０、例えばロータリポンプにより３ないし１０ｔｏｒｒ程度の低圧状態に維持される。

前記レーザー発生部３０は、レーザービームで前記サセプタ１２に装着されたターゲット１４をスパッタリングして、前記放電空間２０内に正電荷と負電荷とを含むプラズマ放電を起す。前記サセプタ１２は、中心軸で８ないし１０ｒｐｍで回転されうる。

前記ＨＶ発生部４０は、前記プラズマ放電に露出される所定位置に正のバイアス電圧を印加して、前記プラズマ放電から前記所定位置に前記負電荷を引きつける。例えば、前記ＨＶ発生部４０は、前記プラズマ放電が生じる放電空間２０に向けて露出される伝導体４２を備え、前記伝導体４２を通じて前記負電荷を引きつける。ここで、正のバイアス電圧は、１Ｖないし１０００００Ｖの範囲である。望ましく、前記伝導体４２は、その表面に絶縁膜（図示せず）を具備できる。前記絶縁膜（図示せず）は、放電空間２０内でプラズマ放電による前記伝導体４２の表面損傷を防止する。このような絶縁膜は、テフロン、酸化物質、またはその他の絶縁物質などにより形成されうる。

前記プラズマ放電時、前記伝導体４２に正のバイアス電圧が印加されれば、前記放電空間２０内にある複数の負電荷が前記伝導体４２に引きつけられる。したがって、前記放電空間２０内に複数の正電荷が残っており、正電荷間の反発によりナノ粒子の成長が抑制されて、ナノ粒子の生成と共に、ナノ粒径が制御されうる。したがって、前記正のバイアス電圧の印加により、微細かつ均一なナノ粒子が製造され、粒径の分布偏差が小さくなることができる。

本発明によるレーザーアブレーション装置によれば、ナノ粒子の生成と共に、粒径の分布が容易に制御されうる。すなわち、本発明のレーザーアブレーション装置により製造される粒子は、均一なサイズを有し、粒径の分布偏差が小さい。

したがって、従来のようにナノ粒子の製造工程後に、製造された粒径の分布偏差を小さくする別途の後続工程を要せず、一つの工程で微細かつ均一なサイズの分布を有するナノ粒子が製造される。

以下では、図１を参照して、図１のレーザーアブレーション装置を利用したナノ粒子の製造方法を詳細に説明する。

まず、放電空間を設ける前記反応チャンバ１０の内部に、ナノ粒子に作ろうとするターゲット１４がサセプタ１２上に準備される。次いで、前記反応チャンバ１０内に不活性ガス、例えばＡｒガスが前記ガス引入口６１を通じて０．５ないし１Ｌ／ｍｉｎの流量で注入される。前記反応チャンバ１０の内部は、前記真空ポンプ５０により３ないし１０ｔｏｒｒ程度の低圧状態に維持される。

前記レーザー発生部３０で発生されるレーザービームにより前記ターゲット１４がスパッタリングされて、前記放電空間２０内に正電荷と負電荷とを含むプラズマ放電が起きる。前記ターゲットがＳｉに準備される場合、正電荷としてＳｉ^１＋、Ｓｉ^２＋、Ｓｉ^３＋、Ｓｉ^４＋などが発生し、負電荷として電子が発生する。プラズマ放電時、前記放電空間２０内に複数の正電荷と負電荷とが発生し、前記放電空間２０内で複雑な電気的反応が起きる。ここで、レーザービームのエネルギー密度は、０．１ないし１０Ｊ／ｃｍ^２であり、望ましくは、２ないし４Ｊ／ｃｍ^２である。ここで、前記レーザーは、ターゲット１４をスパッタリングできる公知のレーザー、例えば２４８ｎｍ ＫｒＦエキシマーレーザーである。

ナノ粒子が製造される原理を見れば、前記レーザースパッタリングによりターゲット１４から正電荷が複数発生し、このような正電荷が互いに衝突しつつ結合して、一つのナノ粒子に成長する。この場合、衝突回数が多くなるほど、さらに大きいナノ粒子に成長する。しかし、レーザースパッタリングからナノ粒子の生成までの過程が数ナノ秒間に起きるため、ナノ粒径を制御し難い。したがって、従来には、前述したような方法で製造されたナノ粒径の分布偏差を減らす工程を別途に行って、ナノ粒径の分布を均一にした。

本発明によれば、前記プラズマ放電に露出される所定位置に正のバイアス電圧が印加されて、前記プラズマ放電から前記所定位置に前記負電荷を引きつける。例えば、前記プラズマ放電に露出される所定位置に伝導体４２が設けられ、前記伝導体４２にＨＶ発生部４０により正のバイアス電圧が印加されれば、前記伝導体が前記負電荷を引きつけることができる。前記正のバイアス電圧は、１Ｖないし１００，０００Ｖの範囲である。

前記プラズマ放電時、前記伝導体４２に正のバイアス電圧が印加されれば、前記放電空間２０内にある複数の負電荷が前記伝導体４２に引きつけられる。したがって、前記放電空間２０内に複数の正電荷が残っており、正電荷間の反発によりナノ粒子の成長が抑制されて、ナノ粒子の生成と共に、ナノ粒径が制御されうる。したがって、前記正のバイアス電圧が前記プラズマ放電に露出される伝導体４２に印加されることによって、微細かつ均一なナノ粒子が製造され、粒径の分布偏差を小さくすることができる。望ましくは、前記伝導体４２は、その表面に絶縁膜（図示せず）を具備できる。前記絶縁膜（図示せず）は、放電空間２０内でプラズマ放電による前記伝導体４２の表面損傷を防止する。このような絶縁膜は、テフロン、酸化物質、またはその他の絶縁物質などにより形成されうる。

また、前記反応チャンバ１０内に注入される不活性ガス、例えばＡｒガスは、プラズマ放電時、正電荷の衝突を抑制させることができる。すなわち、前記不活性ガスは、正電荷の衝突を抑制させることによって、ナノ粒子の成長を妨害できる。

前記プラズマ放電時、前記反応チャンバ１０内に、前記反応チャンバ１０でそれぞれのステップを経て製造された粒子を前記反応チャンバ１０の外部に移送する移送ガスが供給され、このような移送ガスは、不活性ガス、例えばＡｒまたはＨｅであることが望ましい。前記移送ガスとして不活性ガスが準備される場合、前記移送ガスは、粒子の移送以外に、前述したように、プラズマ放電時、ナノ粒子の成長を抑制させる機能も共に行える。

前述したような製造方法により製造されたナノ粒子は、１ないし２０ｎｍのサイズを有し、かつ均一なサイズ分布を有する。

前記ナノ粒子の製造方法において、前記反応チャンバ１０でそれぞれのステップを経て製造された粒子を熱処理するステップをさらに含むことができる。前記熱処理は、Ｏ_２、Ｏ_３、Ｈ_２Ｏ、ＮＨ_３またはＨ_２雰囲気で行われ、前記熱処理により粒子（図２の８０）の表面に酸化膜、窒化膜または水素膜などが形成される。ここで、熱処理温度は、１０５０℃であることが望ましい。

図２は、本発明の他の実施形態によるレーザーアブレーション装置の概略的な断面図である。図１の実施形態と異なる部分についてのみ説明する。また、同じ部材については、同じ参照番号をそのまま使用する。

図２に示すように、前記レーザーアブレーション装置は、前記反応チャンバ１０に連結されるものとして、前記反応チャンバ１０で製造される粒子を前記反応チャンバ１０の外部、例えば熱処理装置７０に移送する移送ガスを提供する移送ガス供給装置６０をさらに備える。前記移送ガスは、不活性ガス、例えばＡｒまたはＨｅガスであることが望ましい。前記移送ガスが不活性ガスとして準備される場合、前記移送ガスが、プラズマ放電時、前記反応チャンバ内で製造された粒子を移送する機能以外に、前記正電荷間の反応を抑制させる機能も行える。

また、前記レーザーアブレーション装置は、前記反応チャンバ１０に連結されるものとして、前記反応チャンバ１０で製造された粒子８０を熱処理する熱処理装置７０をさらに備える。前記熱処理装置７０には、Ｏ_２、Ｏ_３、Ｈ_２Ｏ、ＮＨ_３またはＨ_２ガスが供給される。したがって、前記熱処理は、Ｏ_２、Ｏ_３、Ｈ_２Ｏ、ＮＨ_３またはＨ_２雰囲気で行われ、前記熱処理により粒子８０の表面に酸化膜、窒化膜または水素膜などが形成される。ここで、熱処理温度は、１０５０℃であることが望ましい。

また、前記レーザーアブレーション装置は、前記熱処理装置７０に連結されるものとして、前記熱処理された粒子８０の特性、例えば粒径または粒子成分を分析する分析装置（図示せず）をさらに備える。このような分析装置（図示せず）は、前記反応チャンバ１０に直接連結されて、前記反応チャンバ１０で製造された粒子の特性を分析することもできる。

図３Ａ及び図３Ｂは、それぞれ比較例及び本発明の一実施形態によって製造されたナノ粒子が蒸着された基板の平面部ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を示す図である。

図３Ａは、それぞれ反応チャンバの内部の圧力が３ｔｏｒｒ、反応チャンバに注入されるＡｒガスの流量が０．５Ｌ／ｍｉｎ、熱処理時、熱処理装置に注入されるＯ_２の流量が０．５Ｌ／ｍｉｎ、レーザービームの密度が２．４Ｊ／ｃｍ^２、熱処理温度が１０５０℃の条件でナノ粒子が製造された。

図３Ｂでは、図３Ａと同じ条件に、ＨＶ発生部によりプラズマ放電時、正のバイアス電圧が２００Ｖに印加されてナノ粒子が製造された。

図３Ａ及び図３Ｂを共に参照すれば、正のバイアス電圧が印加されて製造されたナノ粒径が均一であるということが分かる。図３Ａ及び図３Ｂそれぞれで、Ｇｅｏ．Ｓｔ．ｄｅｖ（Ｇｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｄｅｖｉａｔｉｏｎ）の値が１．５２及び１．３４と得られた。

このような本願発明の理解を助けるために、幾つかの模範的な実施形態が説明されて添付された図面に示されたが、このような実施形態は、単に広い発明を例示し、それを制限しないという点が理解されねばならず、また、本発明は、図示して説明した構造及び配列に限定されないという点が理解されねばならず、これは、多様な他の修正が同業者により行われるためである。

本発明は、ナノ粒子の製造方法に係り、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）のような電気素子の内部電極材料、コンダクタ材料、ナノクリスタルメモリ素子またはナノクリスタルＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子などの製造に適用可能である。

本発明の一実施形態によるレーザーアブレーション装置、及びそれを利用したナノ粒子の製造方法を示す概略的な断面図である。 本発明の他の実施形態によるレーザーアブレーション装置の概略的な断面図である。 比較例によって製造されたナノ粒子が蒸着された基板の平面部ＳＥＭ写真である。 本発明の一実施形態によって製造されたナノ粒子が蒸着された基板の平面部ＳＥＭ写真である。

符号の説明

１０ 反応チャンバ、
１２ サセプタ、
１４ ターゲット、
２０ 放電空間、
３０ レーザー発生部、
４０ ＨＶ発生部、
４２ 伝導体、
５０ 真空ポンプ、
６１ ガス引入口。

Claims (24)

1. 内部に放電空間を設ける反応チャンバと、
   前記反応チャンバの内部に位置し、ターゲットが装着されるサセプタと、
   レーザービームで前記ターゲットをスパッタリングして、前記放電空間内に正電荷と負電荷とを含むプラズマ放電を起すレーザー発生部と、
   前記放電空間に露出される所定位置に正のバイアス電圧を印加して、前記放電空間から前記所定位置に前記負電荷を引きつける高電圧発生部と、を備えることを特徴とするレーザーアブレーション装置。
2. 前記正のバイアス電圧は、１Ｖないし１０００００Ｖの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のレーザーアブレーション装置。
3. 前記高電圧発生部は、前記放電空間に向けて露出される伝導体を備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザーアブレーション装置。
4. 前記高電圧発生部は、前記伝導体を通じて前記負電荷を引きつけることを特徴とする請求項３に記載のレーザーアブレーション装置。
5. 前記伝導体の表面に絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項３に記載のレーザーアブレーション装置。
6. 前記反応チャンバに連結されるものであって、前記反応チャンバ内を低圧状態に維持させる真空ポンプがさらに備えられることを特徴とする請求項１に記載のレーザーアブレーション装置。
7. 前記反応チャンバに連結されるものであって、前記反応チャンバで製造される粒子を前記反応チャンバの外部に移送する移送ガスを提供する移送ガス供給装置がさらに備えられることを特徴とする請求項１に記載のレーザーアブレーション装置。
8. 前記プラズマ放電時、前記反応チャンバ内に前記正電荷間の衝突反応を抑制させる不活性ガスが供給されることを特徴とする請求項１に記載のレーザーアブレーション装置。
9. 前記反応チャンバに連結されるものであって、前記反応チャンバで製造された粒子を熱処理する熱処理装置がさらに備えられることを特徴とする請求項１に記載のレーザーアブレーション装置。
10. 前記熱処理は、酸素、オゾン、水蒸気、アンモニアまたは水素雰囲気で行われることを特徴とする請求項９に記載のレーザーアブレーション装置。
11. 前記熱処理装置に連結されるものであって、前記熱処理された粒子の特性を分析する分析装置がさらに備えられることを特徴とする請求項９に記載のレーザーアブレーション装置。
12. 前記反応チャンバに連結されるものであって、前記反応チャンバで製造された粒子の特性を分析する分析装置がさらに備えられることを特徴とする請求項１に記載のレーザーアブレーション装置。
13. 前記レーザービームのエネルギー密度は、０．１ないし１０Ｊ／ｃｍ^２であることを特徴とする請求項１に記載のレーザーアブレーション装置。
14. 放電空間を設ける反応チャンバの内部にターゲットを設けるステップと、
    レーザービームで前記ターゲットをスパッタリングして、前記放電空間内に正電荷と負電荷とを含むプラズマ放電を起すステップと、
    前記放電空間に露出される所定位置に正のバイアス電圧を印加して、前記放電空間から前記所定位置に前記負電荷を引きつけるステップと、を含むことを特徴とするナノ粒子の製造方法。
15. 前記正のバイアス電圧は、１Ｖないし１０００００Ｖの範囲にあることを特徴とする請求項１４に記載のナノ粒子の製造方法。
16. 前記放電空間に向けて露出される所定位置に伝導体が設けられ、前記伝導体に正のバイアス電圧が印加されることを特徴とする請求項１４に記載のナノ粒子の製造方法。
17. 前記伝導体が、前記負電荷を引きつけることを特徴とする請求項１６に記載のナノ粒子の製造方法。
18. 前記伝導体の表面に絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１６に記載のナノ粒子の製造方法。
19. 前記プラズマ放電時、前記反応チャンバ内に、前記反応チャンバでそれぞれのステップを経て製造された粒子を前記反応チャンバの外部に移送する移送ガスが供給されることを特徴とする請求項１４に記載のナノ粒子の製造方法。
20. 前記反応チャンバでそれぞれのステップを経て製造された粒子を熱処理するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載のナノ粒子の製造方法。
21. 前記熱処理は、酸素、オゾン、水蒸気、アンモニアまたは水素雰囲気で行われることを特徴とする請求項２０に記載のナノ粒子の製造方法。
22. 前記プラズマ放電時、前記反応チャンバの内部が低圧状態に維持されることを特徴とする請求項１４に記載のナノ粒子の製造方法。
23. 前記レーザービームのエネルギー密度は、０．１ないし１０Ｊ／ｃｍ^２であることを特徴とする請求項１４に記載のナノ粒子の製造方法。
24. 前記プラズマ放電時、前記反応チャンバ内に前記正電荷間の衝突反応を抑制させる不活性ガスが供給されることを特徴とする請求項１４に記載のナノ粒子の製造方法。