JP4522709B2 - 基板を被覆する方法および装置 - Google Patents

基板を被覆する方法および装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4522709B2
JP4522709B2 JP2003569889A JP2003569889A JP4522709B2 JP 4522709 B2 JP4522709 B2 JP 4522709B2 JP 2003569889 A JP2003569889 A JP 2003569889A JP 2003569889 A JP2003569889 A JP 2003569889A JP 4522709 B2 JP4522709 B2 JP 4522709B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
evaporated
coil
electromagnetic field
substrate
evaporating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003569889A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005523381A (ja
Inventor
シヤデ・バン・ベストルム,ヨハネス・アルフオンスス・フランシスクス
グレリム,ゲラルドウス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tata Steel Nederland Technology BV
Original Assignee
Tata Steel Nederland Technology BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tata Steel Nederland Technology BV filed Critical Tata Steel Nederland Technology BV
Publication of JP2005523381A publication Critical patent/JP2005523381A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4522709B2 publication Critical patent/JP4522709B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678Of metal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Description

本発明は、例えば金属のような材料の層で基板を被覆する方法において、或る量の電気伝導性の材料をバックグラウンド圧力の低い空間の中で蒸発させ、この材料を蒸発させるために蒸発させるべき材料に対しエネルギーを供給する方法に関する。また本発明は基板を被覆する装置、および該方法または装置を用いて得られる基板に関する。
上記方法は、被覆材料の(薄い)層で基板を被覆する公知方法である。この方法は通常物理蒸着法(PVD)と呼ばれている。この方法は電子機器および光学的な産業、ガラス産業およびすべての種類の用途に対する金属被覆プラスティックシートの製造に広く用いられている。PVDは、達成し得る品質が高く、廃棄物が生じないために、魅力的な被覆方法である。
PVDを用いる場合、先ず被覆材料を気相に変えなければならない。これは真空室として知られているバックグラウンド圧力が極めて低い部屋の中で被覆材料を加熱することによって達成される。加熱する結果、蒸気を生成する被覆材料の高温の表面と熱力学的な平衡が達成される圧力まで被覆材料が蒸気に変化する。この平衡の蒸気圧は、蒸気が沈着する基板に被覆材料が移送される速度に対する最も重要なパラメータである。平衡蒸気圧は被覆材料の温度に依存する。基板への被覆材料の適切な移送速度を得るためには、即ち単位時間当たりに基板に沈着する被覆材料の適切な量を得るためには、一般に被覆材料を高温に加熱しなければならない。これらの温度はしばしば大気圧下における沸点の半分程度あるいはそれよりも幾分高い温度である。実際に、金属についてのこれらの温度は、亜鉛の約600℃からニオブおよびレニウムの約2200℃の間である。タンタル、モリブデンおよびタングステンのような金属ではPVDに使用されないような高温を必要とする。チタン、クロム、ニッケル、アルミニウムなどの金属は材料の移送速度が遅いので稀にしか使用されない。
PVDを使用する欠点は、処理温度が高いために、蒸発させなければならない被覆材料が常に液体状態にあるという事実により、移送速度が主として制限されることである。従って、例えばセラミックス材料または銅からつくられた坩堝の中に被覆材料を入れておかなければならない。銅の坩堝を使用する場合には水で強力に冷却し、固化した被覆材料の薄いフィルムが銅を覆い、その結果銅の融解または蒸発が防がれると共に悪影響を受けないようにすることが必要である。銅の坩堝を冷却する場合の一つの不利な結果は、供給される熱の大部分が冷却のために失われることである。セラミックスの坩堝の使用は、高い処理温度で坩堝の材料と化学反応をしないような被覆材料だけに限定される。セラミックスの坩堝を使用する場合も必要な熱エネルギーの供給に問題がある。何故ならば、大部分のセラミック材料は熱伝導性が悪いからである。
本発明の目的は、PVDによって基板を被覆する改善された方法および装置を提供することである。
本発明の他の目的は、被覆材料の移送速度が従来可能であった値よりも高いこの種の方法および装置を提供することである。
本発明のさらに他の目的は、従来可能ではなかった被覆材料としてPVDを使用する材料を実際に使用可能にするような上記の種類の方法および装置を提供することである。
本発明の第1の態様に従えば、上記の一つまたはそれ以上の目的は、金属のような材料の層で基板を被覆する方法において、低いバックグラウンド圧力をもった空間の中で或る量の電気伝導性材料を蒸発させ、この材料を蒸発させるために蒸発させるべき材料にエネルギーを供給し、蒸発させるべき材料を蒸発させる間、該空間の中で該材料を支持物なしで浮遊させ、且つこれを高周波数の交流電流によって発生させられた交流電磁界の中に閉じ込める方法によって達成される。
空間の中で支持物なしに蒸発させるべき材料を浮遊状態に保つことは、銅またはセラミックスの坩堝をもはや使用する必要がないことを意味する。その結果、坩堝がもはや制限因子にはならないので、蒸発させるべき材料に高温を賦与することができる。従って、蒸発した材料が基板へと移送する速度を増加させることができる。もはや坩堝を使用する必要がないから、坩堝の材料と反応し得るという理由で従来使用できなかった材料を蒸発させることもできる。
また、外部の磁界とそれによって電気伝導性の材料の中に誘起される渦電流との相互作用によって発生するローレンツ力の結果、交流電磁界の中に電気伝導性の材料を閉じ込めることができる。
交流電磁界は高周波の交流電流を用いて発生させる。工業的規模で基板を被覆するのに十分な量の電気伝導性材料を、単位時間当り効率的に蒸発させ得るのに十分な大きさの量の電気伝導性材料を浮遊させることができる高周波の交流電流が必要である。
交流電磁界の中で電気伝導性材料を浮遊させ熔融させる方法は「浮遊熔解法」の名で知られている。この目的に対する方法および装置はヨーロッパ特許0751361 B1号明細書に記載されている。この場合、熔融した材料は精密注型に使用される。熔融した材料を接触させてはいけない水冷式の坩堝が依然として常に使用されていることに注目すべきである。交流電磁界における浮遊熔解法は2000年4月3〜6日、名古屋で開催された「3rd International Symposium on Electromagnetic Processing of Materials」の要旨集345〜375頁の中に種々の著者によって記載されている。しかし、浮遊熔解法は従来物理蒸着と組み合わせて使用されてこなかった。本発明方法によるような浮遊熔解の後で蒸発を行なう方法は知られていない。
交流電流の周波数は好ましくは10kHzまたはそれ以上であり、さらに好ましくは50kHz以上、それよりも好ましくは250kHz以上、さらに好ましくは1MHz以上、もっと好ましくは1.5MHz以上である。例えば基板を連続的に被覆する際、周波数のレベルは単位時間当りに蒸発させるべき材料の量に関連している。これには浮遊させる材料の選ばれた温度において或る量の蒸発表面積が必要である。浮遊させる材料の量は浮遊させる材料の表面層における最低の渦電流を必要とし、従って交流電流の最低周波数を必要とする。
好適具体化例に従えば、交流電磁界は電流の強さが200A以上、好ましくは500A以上、さらに好ましくは1kA以上、もっと好ましくは4kA以上でコイルを通る交流電流を用いて発生させる。十分な熱容量を得るためには交流電流の周波数のレベルの関数として交流電流の強さを選ばなければならない。
好ましくは、浮遊材料の中で消費される電力は少なくとも2kW、好ましくは少なくとも5kW、さらに好ましくは少なくとも10kWである。このことは、消費される電力が大きくなるほど浮遊材料の蒸発が増加するために望ましい。
本発明方法の有利な具体化例に従えば、蒸発させるべき材料を電磁誘導加熱法により加熱する。この方法では、蒸発させるべき材料を所望の高温に加熱することができる。
この代わりに、或いはそれに加えて、蒸発させるべき材料をれレーザー・ビームおよび/または電子衝撃および/または誘導結合プラズマおよび/または抵抗加熱の方法を用いて加熱することができる。これらのすべての加熱方法は浮遊材料の加熱に容易に使用することができる。
蒸発した材料を交流電磁場によって取り込み、時間の経過と共に蒸発させるべき材料の量を追加して充満させることが好ましい。材料を取り込む交流電磁界のこの作用によって蒸発させるべき材料の量が容易に充足され、材料は蒸発の結果連続的にまたは段階的に減少してゆく。
有利な一具体化例に従えば、コイルの交流電磁界は、交流電磁界の分離した区域により蒸発させるべき材料が取り込まれるような形をしている。蒸発させるべき材料を交流電磁界の分離した区域で取り込む場合には、材料を蒸発させる交流電磁界の区域は擾乱を受けないか、或いは擾乱を受ける程度が少ない。
この場合、取り込むべき材料はこの空間の中で好ましくは自由に浮遊してはいない。この時、取り込むべき材料を交流電磁界によってそれが取り込まれる該空間の中で或る場所へと動かすことは容易である。
本発明方法の他の有利な具体化例に従えば、交流電磁界の分離した区域は前記のコイルから離された補助コイルによって得られる。その結果、蒸発させるべき材料を取り込む操作は材料の蒸発とは無関係にコントロールし調節することができる。
上記方法は、チタン、マグネシウム、錫、亜鉛、クロム、ニッケル、またはアルミニウム、或いはこれらの金属の1種と、これらのまたは他の金属を含む1種またはそれ以上の他の材料との混合物を蒸発させるのに好適に使用される。何故ならばこれらは工業的に重要な被覆材料だからである。蒸発させた後、若干の材料が反応性のガス、例えば酸素または窒素と反応し、その結果非伝導性の酸化物または窒化物が生じる可能性がある。この反応は蒸気相の間或いは基板上に凝結した直後に起こる。
本発明方法の有利な具体化例に従えば、基板を材料の層で連続的に被覆する。多くの場合、このことは基板を細片の形で真空室に通し、真空室の中に該細片の部分が滞留している間に該細片の部分を被覆するのに十分な材料を蒸発させなければならないことを意味する。従来は移送速度が低いためにこのことは不可能であった。しかし上記方法を用いれば、十分な材料を迅速に蒸発させることができ、従って細片のような基板の上に工業的規模で被覆を行なうことができる。
本発明の第2の態様においては、電気伝導性の材料を蒸発させて例えば金属のような材料の層を基板に被覆するための装置において、該装置は一つの室を具備し、該室はその中に低いバックグラウンド圧力を与える装置、蒸発させるべき材料を受け取る装置、および蒸発させるべき材料を加熱する装置を備え、本発明によれば該装置においては、蒸発させるべき材料を受け取る装置は蒸発させるべき材料を支持物なしで浮遊させ得るための交流電磁界を発生するのに使用できるコイルを具備している装置が提供される。
コイルを備えることにより蒸発させるべき材料を浮遊させ、坩堝を使う必要がなくなるので、その結果としてこの装置を用いて前記の方法を行なうことができる。
コイルは高周波の交流電流により交流電磁界を発生するように設計されていることが好ましい。コイルは高周波の交流電流を使用するので、交流電磁界が生じ、その中においてローレンツ力により蒸発させるべき材料を浮遊状態に保つことができる。
一好適具体化例に従えば、材料を加熱する装置は電磁誘導コイルを具備している。従って、加熱すべき材料と接触させることなく容易に高温に加熱することができる。
本発明の装置にコイルを用いると、上記の高周波交流電流を好適に発生させることができ、また上記の値の交流電流の強さを好適に得ることができる。
その代わりに、或いはそれに加えて、材料を加熱する装置はレーザーおよび/または電子の発生源を具備している。これらの装置も蒸発させるべき材料を加熱するのに使用することができるが、但しその程度は僅かに少ない。
好ましくは該室からコイルを分離する(isolating)装置が存在している。コイルを真空室の蒸発空間から分離すると、蒸発させるべき材料からコイルを容易に分離することができ、蒸発室の中に汚染物質が入ることなく、従って汚染物質が基材に到達することなく、コイルを非常に良好に冷却することができる。また、蒸発室の中で冷却剤が短絡回路をつくることはできない。その結果、コイルは高い電力を生じ、これを蒸発させるべき材料に伝えることができる。分離装置はセラミックス材料でつくられていることが好ましい。何故ならば、セラミックスは高温および冷却剤に対して抵抗性があるからである。分離装置は例えばセラミックス管を含んで成っていることができる。何故ならば、これは容易に製造できまた使用することができるからである。
またコイルの分離装置は、コイルによって発生する渦電流の結果分離材料の上に凝縮した伝導性材料が熔融するか蒸発し、従って熔融した材料として浮遊材料の方へ戻るか、または蒸気として基板を被覆するのに使用することができるという利点を与える。従って分離されたコイルは自浄作用をもっている。
有利な具体化例に従えば、蒸発させるべき材料を使用中に充満させるために、蒸発させるべき材料を針金の形で供給する供給装置が存在している。単位時間毎に材料の一部が蒸発するという事実のために、常に蒸発させるべき材料を充満させていなければならない。この目的に対しては、真空室が真空下に保たれているように供給装置を設計しなければならない。
真空室に測定装置が配置されていることが好ましい。この測定装置は工程を制御するのに使用される。好ましくは測定装置は特に例えば光高温計によって温度を測定するのに適している。
本発明の第3の態様は、上記方法および/または上記装置を用いてつくられた電気伝導性の材料の層を備えた基板に関する。この場合電気伝導性の材料は好ましくは金属、さらに好ましくはチタン、マグネシウム、錫、亜鉛、クロム、ニッケル、またはアルミニウム、或いはこれらの金属の1種とこれらまたは他の金属を含む1種またはそれ以上の他の材料との混合物である。

Claims (16)

  1. バックグラウンド圧力の低い空間の中で或る量の電気伝導性の材料を蒸発させ、蒸発させるべき材料に対してエネルギーを供給して該材料を蒸発させることにより金属の層で基板を被覆し、この際蒸発させるべき材料を蒸発させる際、該空間の中で支持物なしで該材料を浮遊状態に保ち、高周波の交流電流をコイルに通すことによって発生させた交流電磁界の中に該材料を閉じ込める方法において、基板を細片の形で該空間の中に通し、基板を材料の層で連続的に被覆し、時間の経過と共に蒸発させるべき材料の追加量で蒸発される材料を充満させ、該コイルから分離された補助コイルによって得られる交流電磁界の分離された区域で蒸発させるべき材料が取り込まれるようにコイルの交流電磁界の形がつくられることを特徴とする方法。
  2. 交流電流の周波数は10kHz以上、好ましくは50kHzx以上、もっと好ましくは250kHz以上、さらにもっと好ましくは1MHz以上、それよりも好ましくは1.5MHz以上である、請求項1に記載の方法。
  3. 交流電磁界は、電流の強さが200A以上、好ましくは500A以上、さらに好ましくは1kA以上、もっと好ましくは4kA以上の交流電流により発生させる、請求項1または2に記載の方法。
  4. 浮遊する材料の中で消費される電力は少なくとも2kW、好ましくは少なくとも5kW、さらに好ましくは少なくとも10kWである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
  5. 蒸発させるべき材料を電磁誘導加熱法を用いて加熱する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
  6. レーザー・ビームおよび/または電子衝撃および/または誘導結合プラズマおよび/または抵抗加熱を用いる方法により蒸発させるべき材料を加熱する、請求項1〜5のいずれか一項に記載された方法。
  7. 取り込まれるべき材料は該空間の中を自由に流れてはいない、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
  8. チタン、マグネシウム、錫、亜鉛、クロム、ニッケル、またはアルミニウム、或いはこれらの金属の1種とこれらまたは他の金属を含む1種またはそれ以上の他の材料との混合物を蒸発させる、請求項1〜7のいずれか一項に記載された方法。
  9. 電気伝導性の材料を蒸発させることにより金属の層で基板を被覆する装置において、該装置は一つの室を具備し、該室はその中に低いバックグラウンド圧力を生じる装置、蒸発させるべき材料を受け取る装置、および蒸発させるべき材料を加熱する装置を備え、蒸発させるべき材料を受け取る装置は、蒸発させるべき材料を支持物なしで浮遊させ得るための交流電磁界を発生するのに使用できるコイルを具備しており、ここで該室の中の蒸発空間からコイルを分離する装置が存在し、該分離装置はセラミックス管を含んで成っており、使用中蒸発される材料を充満させるために、蒸発させるべき材料を針金の形で供給する供給装置が備えられ、該供給装置が該コイルから分離された補助コイルによって得られる交流電磁界の分離された区域を含むことを特徴とする装置。
  10. 該コイルは、高周波の交流電流により交流電磁界を発生させるように設計されていることを特徴とする請求項9に記載の装置。
  11. 材料を加熱する装置は電磁誘導コイルを具備している、請求項9または10に記載の装置。
  12. 材料を加熱する装置はレーザーおよび/または電子の発生源を具備している、請求項9〜11のいずれか一項に記載の装置。
  13. 該分離装置はセラミックス材料からつくられている、請求項9〜12のいずれか一項に記載された装置。
  14. 該室の中に測定装置が配置されている、請求項9〜13のいずれか一項に記載された装置。
  15. 該測定装置は温度を測定するのに適している、請求項14に記載の装置。
  16. 請求項1〜8のいずれか一項に記載された方法を実施するのに適した、請求項9〜15のいずれか一項に記載された装置。
JP2003569889A 2002-02-21 2003-02-21 基板を被覆する方法および装置 Expired - Fee Related JP4522709B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1020059A NL1020059C2 (nl) 2002-02-21 2002-02-21 Werkwijze en inrichting voor het bekleden van een substraat.
PCT/NL2003/000139 WO2003071000A1 (en) 2002-02-21 2003-02-21 Method and device for coating a substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005523381A JP2005523381A (ja) 2005-08-04
JP4522709B2 true JP4522709B2 (ja) 2010-08-11

Family

ID=27752086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003569889A Expired - Fee Related JP4522709B2 (ja) 2002-02-21 2003-02-21 基板を被覆する方法および装置

Country Status (15)

Country Link
US (1) US7323229B2 (ja)
EP (1) EP1483425B1 (ja)
JP (1) JP4522709B2 (ja)
KR (1) KR100956491B1 (ja)
CN (1) CN100545299C (ja)
AT (1) ATE399889T1 (ja)
AU (1) AU2003221458A1 (ja)
BR (1) BR0307800B1 (ja)
CA (1) CA2476855C (ja)
DE (1) DE60321893D1 (ja)
ES (1) ES2309305T3 (ja)
HK (1) HK1078616A1 (ja)
NL (1) NL1020059C2 (ja)
RU (1) RU2316611C2 (ja)
WO (1) WO2003071000A1 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004080640A1 (en) * 2003-03-14 2004-09-23 Hille & Müller GMBH Aluminium layered brazing product and method of its manufacture
ZA200701534B (en) 2004-08-23 2008-10-29 Corus Technology Bv Apparatus and method for levitation of an amount of conductive material
EP1785010B1 (en) * 2004-08-23 2009-04-08 Corus Technology BV Apparatus and method for levitation of an amount of conductive material
JP5394061B2 (ja) * 2005-05-31 2014-01-22 タタ、スティール、ネダーランド、テクノロジー、ベスローテン、フェンノートシャップ 基材を被覆する装置および方法
US7524385B2 (en) * 2006-10-03 2009-04-28 Elemetric, Llc Controlled phase transition of metals
KR100961371B1 (ko) 2007-12-28 2010-06-07 주식회사 포스코 실러 접착성 및 내식성이 우수한 아연계 합금도금강판과 그제조방법
KR101639813B1 (ko) * 2009-10-08 2016-07-15 주식회사 포스코 연속 코팅 장치
US9267203B2 (en) * 2010-12-13 2016-02-23 Posco Continuous coating apparatus
KR101207719B1 (ko) * 2010-12-27 2012-12-03 주식회사 포스코 건식 코팅 장치
RU2522666C2 (ru) * 2012-06-27 2014-07-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ) Устройство для левитации некоторого количества материала
KR101355817B1 (ko) * 2012-07-09 2014-02-05 한국표준과학연구원 전자기 부양 금속 박막 증착 장치
RU2693852C2 (ru) * 2017-11-07 2019-07-05 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования " Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ) Устройство для левитации некоторого количества материала
KR102098455B1 (ko) * 2017-12-26 2020-04-07 주식회사 포스코 연속 증착 장치 및 연속 증착 방법
CN109518133A (zh) * 2018-10-23 2019-03-26 集美大学 一种电磁加热的pvd设备及其生产工艺
CN112760608A (zh) * 2020-12-14 2021-05-07 兰州空间技术物理研究所 碳纤维复合材料表面薄膜沉积过程防止层间放气的方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2664852A (en) * 1950-04-27 1954-01-05 Nat Res Corp Vapor coating apparatus
US2957064A (en) * 1958-09-30 1960-10-18 Westinghouse Electric Corp Stabilizing of levitation melting
GB1206586A (en) * 1966-09-07 1970-09-23 Mini Of Technology Vacuum deposition process of forming alloys
BE713308A (ja) * 1968-04-05 1968-10-07
DE2934011A1 (de) * 1979-08-22 1981-03-26 André Etienne de Dr. Lausanne Rudnay Vorrichtung zum aufdampfen von elektrisch leitenden stoffen (metallen) im hochvakuum
JPS621863A (ja) * 1985-06-28 1987-01-07 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 金属蒸発装置
JP3563083B2 (ja) * 1992-09-11 2004-09-08 真空冶金株式会社 超微粒子のガスデポジション方法及び装置
JPH07252639A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Kao Corp 金属薄膜体の製造方法
US5534314A (en) * 1994-08-31 1996-07-09 University Of Virginia Patent Foundation Directed vapor deposition of electron beam evaporant
JPH08104981A (ja) * 1994-10-05 1996-04-23 Sumitomo Electric Ind Ltd Pvd装置
JP2783193B2 (ja) 1995-06-26 1998-08-06 大同特殊鋼株式会社 レビテーション溶解法及びレビテーション溶解・鋳造装置
US5736073A (en) * 1996-07-08 1998-04-07 University Of Virginia Patent Foundation Production of nanometer particles by directed vapor deposition of electron beam evaporant
DE19811816A1 (de) * 1997-03-24 1998-10-01 Fuji Electric Co Ltd Verfahren zur Herstellung eines Elektrodenmaterials für Vakuum-Leistungsschalter
CA2269632C (en) * 1997-08-27 2003-09-02 Josuke Nakata Spherical semiconductor device and method of manufacturing same
JPH1171605A (ja) * 1997-08-29 1999-03-16 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 微粒子製造方法及び装置
EP1321545A1 (en) * 2001-12-20 2003-06-25 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Method for producing particles with diamond structure

Also Published As

Publication number Publication date
RU2004128083A (ru) 2005-06-10
US7323229B2 (en) 2008-01-29
EP1483425B1 (en) 2008-07-02
US20050064110A1 (en) 2005-03-24
KR100956491B1 (ko) 2010-05-07
KR20040085192A (ko) 2004-10-07
BR0307800B1 (pt) 2012-09-04
BR0307800A (pt) 2004-12-14
ATE399889T1 (de) 2008-07-15
ES2309305T3 (es) 2008-12-16
NL1020059C2 (nl) 2003-08-25
RU2316611C2 (ru) 2008-02-10
WO2003071000A1 (en) 2003-08-28
JP2005523381A (ja) 2005-08-04
CN1636077A (zh) 2005-07-06
HK1078616A1 (en) 2006-03-17
AU2003221458A1 (en) 2003-09-09
EP1483425A1 (en) 2004-12-08
CN100545299C (zh) 2009-09-30
DE60321893D1 (de) 2008-08-14
CA2476855A1 (en) 2003-08-28
CA2476855C (en) 2009-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4522709B2 (ja) 基板を被覆する方法および装置
RU2703751C2 (ru) Устройство для формирования покрытий на поверхностях элемента, ленточного материала или инструмента
US4609564A (en) Method of and apparatus for the coating of a substrate with material electrically transformed into a vapor phase
KR100599428B1 (ko) 승화 정제 방법 및 장치
US4351855A (en) Noncrucible method of and apparatus for the vapor deposition of material upon a substrate using voltaic arc in vacuum
JP3929397B2 (ja) 有機el素子の製造方法及び装置
US4548670A (en) Silicon melting and evaporation method for high purity applications
US4438153A (en) Method of and apparatus for the vapor deposition of material upon a substrate
US4385080A (en) Method for evaporating large quantities of metals and semiconductors by electromagnetic levitation
Kuzmichev et al. Evaporators with induction heating and their applications
Bunshah Vacuum evaporation-history, recent developments and applications
JP2005307354A (ja) 有機el素子の製造方法及び装置
US4569307A (en) Silicon melting and evaporation apparatus for high purity applications
RU2676719C1 (ru) Способ низкотемпературного нанесения нанокристаллического покрытия из альфа-оксида алюминия
Pelleg et al. Fabrication
US3647524A (en) Vapor phase metal plating process
JPH04301071A (ja) 真空蒸着法
White A survey of techniques for the vacuum deposition of thin metallic films
JPS62235466A (ja) 蒸着物質発生装置
JP3418795B2 (ja) 溶融蒸発用金属組成物および金属の溶融蒸発方法
Reichelt Vapour deposition of gold alloys: Developments in radio-frequency sputtering of electrical contact surfaces
JP2001262320A (ja) 表面加熱蒸発方法
PL184978B1 (pl) Sposób otrzymywania powłok
JPH06172975A (ja) ドライプロセス用蒸発るつぼ
JPH11269635A (ja) 真空成膜装置における基板の冷却方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20050422

A529 Written submission of copy of amendment under article 34 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A529

Effective date: 20040819

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20050601

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090508

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090807

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20091009

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100209

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20100217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100319

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100324

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100427

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100526

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4522709

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130604

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees