DE19811816A1 - Verfahren zur Herstellung eines Elektrodenmaterials für Vakuum-Leistungsschalter - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Elektrodenmaterials für Vakuum-LeistungsschalterInfo
- Publication number
- DE19811816A1 DE19811816A1 DE19811816A DE19811816A DE19811816A1 DE 19811816 A1 DE19811816 A1 DE 19811816A1 DE 19811816 A DE19811816 A DE 19811816A DE 19811816 A DE19811816 A DE 19811816A DE 19811816 A1 DE19811816 A1 DE 19811816A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- powder
- electrode material
- particles
- molten metal
- vacuum circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/0203—Contacts characterised by the material thereof specially adapted for vacuum switches
- H01H1/0206—Contacts characterised by the material thereof specially adapted for vacuum switches containing as major components Cu and Cr
Landscapes
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Elektrodenmate
rials für Vakuum-Leistungsschalter.
Vakuum-Leistungsschalter dienen bekanntermaßen dazu, einen elektrischen Stromkreis unter
Verwendung von beweglichen und festen Elektroden, die in einem abgekapselten Vakuum
enthalten sind, zu schließen bzw. zu unterbrechen. Das Material dieser Elektroden muß insbe
sondere die folgenden Anforderungen erfüllen: (1) der Trenn- oder Abschaltstrom muß groß sein,
(2) der Lichtbogen-Abreißstrom (chopping current) muß klein sein, (3) die dielektrische Durch
bruchspannung zwischen den Polen muß hoch sein, (4) es muß schwierig sein, daß die Elektro
den verschweißen, und (5) es muß während der Stromleitung lediglich eine geringe Wärme
menge erzeugt werden. Eine große Anzahl von Legierungen wurde hinsichtlich ihrer Eignung als
solches Elektrodenmaterial untersucht und entwickelt. Das Schmelzen und Gießen von Legierun
gen wie Cu-Bi (Bismuth) und Cu-Te (Tellur) sowie das Sintern von Legierungen wie Cu-W
(Wolfram) und Cu-Mo (Molybden) hat Eingang in die Praxis gefunden. Gegenwärtig wird eine
Cu-Cr-Legierung mit 20 bis 70 Gewichts-% Cr (Chrom) als Material benutzt, das alle die obigen
Eigenschaften aufweist. Die von Elektrodenmaterial für Vakuum-Leistungsschalter zu fordernden
Eigenschaften werden nicht nur von den Metallkomponenten, sondern auch von enthaltenem
Gas wie Sauerstoff oder Spurenverunreinigungen oder der feinen Gleichförmigkeit des Metallauf
baus bzw. des Metallgefüges beeinflußt, so daß die Bestandteile sehr rein sein müssen und unter
Schutzgas wie Wasserstoff oder Argon geschmolzen oder gesintert werden müssen.
Cr verschmilzt nicht vollständig mit Cu bei Temperaturen nahe dem Schmelzpunkt von Cu
(annähernd 1083°C). Herkömmliche Cu-Cr-Legierungen werden pulvermetallurgisch unter
Verwendung von Cr-Pulver als Hauptmaterial hergestellt. Beispielsweise werden solche Legierun
gen durch ein Sinterverfahren hergestellt, bei dem eine Mischung aus Cu- und Cr-Pulvern
geformt und gesintert wird, oder mittels eines Schmelz-Infiltrationsverfahrens, bei dem eine
Mischung aus Cr-Pulver und einer geringen Menge an Cu-Pulver zum Erhalt eines porösen
Körpers geformt und gesintert wird und der poröse Körper dann mit geschmolzenem Cu impräg
niert wird. In diesen Fällen umfaßt die Cu-Cr-Legierung, die mit diesem Verfahren hergestellt
wird, die Cr-Partikel dispergiert in der Cu-Basis, jedoch sind die meisten dispergierten Cr-Partikel
nahezu so groß wie die des Ausgangspulvers, und man erhält lediglich eine geringe Menge an
Legierung mit feinen Cr-Partikeln, weil Cr beim Erhitzen mit Cu verschmilzt und beim Abkühlen in
Cu ausfällt.
Die herkömmlichen Herstellungsverfahren für Cu-Cr-Legierungen verwenden als Material
Cr-Pulver, d. h. Cr-Massen, die durch das Aluminothermie-Verfahren oder elektrolytische Verfahren
hergestellt und dann mechanisch zerkleinert werden. Es ist bekannt, daß Cr leicht oxidiert, so
daß die Oberfläche des Cr-Pulvers beim Schleifen bzw. der mechanischen Verkleinerung mit
einem starken Oxidfilm versehen wird. Weiterhin wird das Cr-Pulver mit Cu-Pulver unter
Verwendung einer Kugelmühle oder eines V-Mischers vermischt, und das Cr-Pulver wird auch
hierbei oxidiert. Der Oxidfilm ist thermisch stabil und kann bei normalen Sintertemperaturen nicht
zersetzt oder verringert werden. Somit enthält die durch Pulvermetallurgie gewonnene Cu-Cr-Le
gierung nachteiligerweise einen großen Sauerstoffanteil. Beim Sinterverfahren beeinträchtigt
der Oxidfilm das Verschmelzen von Cu und Cr, während er bei dem Schmelz-Infiltrationsverfah
ren verhindert, daß Cu-Partikel in den porösen Körper eindringen, was zu Fehlstellen wie etwa
Leerstellen im Gefüge führt. Diese Fehlstellen können den Abschaltstrom oder die dielektrische
Durchbruchspannung verringern.
Bei dem herkömmlichen Herstellungsverfahren für eine Cu-Cr-Legierung wird die Größe der
Cr-Partikel durch die Größe des Ausgangspulvers bestimmt. Die Verringerung der Größe der
Cr-Pulverteilchen ist jedoch durch die Herstellungstechniken begrenzt, und feine Cr-Pulver haben
eine vergrößerte Oberfläche, was mit einem entsprechend erhöhten Gehalt an darin enthaltenem
Sauerstoff einhergeht. Bei herkömmlichen Cu-Cr-Legierungen besteht demnach kaum die
Chance, daß- feine Cr-Partikel in einer Cu-Basis enthalten sind, vielmehr ist die durchschnittliche
Partikelgröße auf etwa 150 µm beschränkt. Die Größe der Cr-Partikel beeinflußt insbesondere
den Lichtbogen-Abreißstrom, der nachteiligerweise mit einer Zunahme der Größe der dispergier
ten Cr-Partikel zunimmt. Die Gleichförmigkeit der Dispersion des Cr-Pulvers bzw. der Cr-Partikel
beeinflußt ebenfalls den Lichtbogen-Abreißstrom, und bei ungleichförmiger Dispersion ergibt sich
eine hohe Schwankung des Werts des Lichtbogen-Abreißstroms. Wenn jedoch die Zeit zum
Mischen unter Verwendung einer Kugelmühle zur Erzielung einer gleichförmigen Dispersion
ausgedehnt wird, nimmt die Oxidation der Pulverbestandteile entsprechend zu.
Als ein Verfahren zur Lösung dieser Probleme beim Sinter- oder Schmelz-Infiltrationsverfahren
offenbart die JP-4-71970 A1 ein Verfahren, das zum Schmelzen einen Lichtbogen oder Laser
verwendet. Dieses Verfahren vermischt beispielsweise Cr- und Cu-Pulver, komprimiert, formt und
sintert die Mischung zur Herstellung eines säulenartigen Blocks, verwendet diesen Block als eine
Lichtbogenelektrode, um ihn allmählich ausgehend von einem Ende unter Verwendung der
Lichtbogenhitze zu schmelzen, und verfestigt ihn dann nach und nach in einer wassergekühlten
Form. Zusätzlich zum Lichtbogen wird die Verwenden eines Lasers oder eines Hochfrequenz
plasmas beschrieben. Diese Verfahren sind in der Lage, eine Legierung mit feinen, gleichförmig
dispergierten Cr-Partikeln zu schaffen. Aufgrund der Verwendung von Cr-Pulver ist dieses
Verfahren dagegen nicht in der Lage, den Sauerstoffgehalt in erforderlicher Weise zu reduzieren.
Da es sich um ein sequentielles Schmelz- und Verfestigungsverfahren handelt, das einen Block
ausgehend von einem Ende allmählich schmilzt, müssen das Cr-Pulver und das Cu-Pulver so fein
wie möglich sein und innerhalb des gesamten Blocks gleichförmig vermischt sein, damit eine
Cr-Cu-Legierung mit vorbestimmten Bestandteilen über die gesamte Gießmasse erzielt wird. Dieses
Verfahren kann daher nicht die Verwendung von Pulvermaterialien und einen Mischprozeß
vermeiden, durch den der Sauerstoffgehalt erhöht werden kann.
Die Cr-Cu-Legierung kann zusätzlich Te, Bi, Sb oder Zn zur Verbesserung der Widerstandsfähig
keit gegen Verschweißen oder zur Verringerung des Lichtbogen-Abreißstroms enthalten. Da
diese Elemente einen hohen Dampfdruck aufweisen, darf die Temperatur beim Schmelzen nicht
unnötig erhöht werden, damit Verdampfungsverluste vermieden werden. Selbst wenn die
Legierung lediglich aus Cr und Cu besteht, ist es nicht günstig, die Schmelztemperatur unnötig
zu erhöhen, da verdampftes Cu oder Cr den Schmelzofen verunreinigt. Schmelzen mit Lichtbo
gen oder Laser führt notwendigerweise zu einer Temperaturerhöhung auf etliche 1000°C, so
daß die Temperatur nicht leicht gesteuert werden kann.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Elektrodenmaterial aus einer Cu-Cr-Legierung für
Vakuum-Leistungsschalter zu schaffen, das einen geringen Sauerstoffgehalts und wenig Fehler im
kristallografischen Aufbau aufweist, und bei dem feine Cr-Partikel gleichmäßig in einer Cu-Basis
dispergiert sind.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren gemäß Patentanspruch 1 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden ein Cu-Material und ein Cr-Material in einem
vorbestimmten Verhältnis vermischt. Die Mischung wird erhitzt bis sie vollständig geschmolzen
ist, um ein geschmolzenes Metall mit den beiden gleichförmig geschmolzenen Elementen zu
erhalten. Das geschmolzene Metall dann abgeschreckt, um eine geringe Menge von Cr in einer
Cu-Basis auszufällen, und so ein Elektrodenmaterial für eine Vakuum-Leistungsschalter zu
schaffen. Die Erfindung erfordert nicht die Verwendung von Cr-Pulver oder die gleichförmige
Mischung von Cr und Cu vor dem Schmelzen. Gemäß diesem Herstellungsverfahren werden in
einem Heizschritt Cr und Cu verschmolzen, um geschmolzenes Metall gleichförmiger Komponen
ten zu bilden, während dann in einem Kühlschritt das Cr als feine Kugeln oder Zweige bzw.
Nadeln in Cu ausfällt. Da Cr in Cu geschmolzen und dann durch Kühlen ausgefällt wird, hängt
die Größe der Cr-Partikel nicht von der Größe des Cr-Ausgangsmaterials ab und kann durch
Erhöhen der Kühlgeschwindigkeit bis zu einem gewünschten Wert reduziert werden. Darüber
hinaus kann die Erfindung verhindern, daß das Verschmelzen von Cu und Cr infolge von
Oberflächenoxidfilmen beeinträchtigt wird, und ebenfalls verhindern, daß der metallografische
Aufbau infolge eines ungenügenden Ausfällens von Cr in die Cu-Basis fehlerhaft wird.
Im Falle einer Cu-Legierung mit 20 bis 70 Gewichts-% Cr liegt die zum Schmelzen der Cu- und
Cr-Materialien zur Erzielung eines gleichförmigen geschmolzenen Metalls erforderlich Heiztempe
ratur zwischen 1800 und 2000°C. Diese Temperatur kann jedoch bei hohem Cr-Gehalt auf
2500°C erhöht werden. Wenn das Material bei solch einer hohen Temperatur erhitzt wird, tritt
eine merklich Verdampfung von Cu ein, und ein Schmelztiegel kann das geschmolzene Metall
verunreinigen. Um dies zu verhindern, wird das Erhitzen des Materials so schnell wie möglich
abgeschlossen, um die Zeit zur verringern, während derer es den Schmelztiegel kontaktiert. Eine
noch günstigere Alternative ist ein schwebendes Schmelzverfahren (ein Schweb-Schmelzverfah
ren), das dazu verwendet werden kann, das Material zu erhitzen, ohne daß es den Schmelztiegel
berührt.
Hochfrequenzerhitzen wird vorzugsweise ausgeführt, damit die Temperatur durch Einstellen der
Ausgangsleistung gesteuert werden kann und eine elektromagnetische Agitation ermöglicht wird.
Von der elektromagnetischen Agitation erwartet man sich eine Verbesserung der Gleichförmig
keit der Komponenten in dem geschmolzenen Metall und den Ausschluß von Fremdkörpern, wie
etwa Keramiken, die von dem Schmelztiegel in das geschmolzene Metall gelangen könnten.
Bei den zu vermischenden Cu- und Cr-Materialien handelt es sich idealerweise um Pulver oder
Massen. Zur Verringerung des Sauerstoffgehalts weist das Cr-Material vorzugsweise eine relativ
große Partikelgröße und eine relative geringe Oberfläche auf. Die ideale Partikelgröße beträgt 1 mm
oder mehr. Da die Kühlgeschwindigkeit die Größe der ausgefällten Cr-Partikel beeinflußt, ist
ein Abschrecken zum Erhalt eines feinen Gefüges erforderlich, aber die Partikelgröße kann auf
etwa 20 bis 30 µm dadurch verringert werden, daß das geschmolzene Metall in eine wasserge
kühlte Kupferform gegossen wird, wie nachstehend beschrieben.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnungen näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 in einer fotografischen Darstellung das Metallgefüge eines gemäß der vorliegenden
Erfindung hergestellten Elektrodenmaterials,
Fig. 2 in einer fotografischen Darstellung das Metallgefüge eines mit einem herkömmlichen
Sinterverfahren hergestellten Elektrodenmaterials, und
Fig. 3 eine perspektivische vertikale Schnittansicht, die den Aufbau einer Schweb-Schmelz
vorrichtung zeigt, wie sie zu experimentellen Zwecken im Rahmen dieser Erfindung
eingesetzt wurde.
Ein Beispiel, bei dem eine Schweb-Schmelzvorrichtung zur Herstellung eines Elektrodenmaterials
verwendet wurde, wird nachstehend beschrieben. Fig. 3 ist eine perspektivische vertikale
Schnittansicht einer für das Beispiel verwendeten Schweb-Schmelzvorrichtung. In dieser Figur ist
ein Schmelztiegel 1 dadurch aufgebaut, daß Segmente 2 zusammengeschichtet sind, die je aus
einem leitenden Material (reines Kupfer) mit einem zwischen den Segmenten eingeschlossenen
Isoliermaterial 3 bestehen. Jedes Segment wird dadurch gekühlt, daß Kühlwasser von einem
Kühlwassertank (nicht gezeigt durch einen innerhalb des Segments vorgesehenen Kühlwasser
kanal 4 geleitet wird. Ein Abstichloch 5 ist am Boden des Schmelztiegels 1 ausgebildet, und ein
Abstichrohrabschnitt 6 ist unter dem Loch vorgesehen. Eine untere Induktionsspule 7 und eine
obere Induktionsspule 8 sind außerhalb des Schmelztiegels 1 angeordnet.
Wenn ein Material 9 in dem Schmelztiegel 1 angeordnet und die beiden Induktionsspulen 7 und
8 mit hochfrequenten Strömen gespeist werden, treten in dem Material 9 Wirbelströme auf,
wodurch das Material durch Joulsche Wärme erhitzt und geschmolzen wird. Gleichzeitig
entstehen elektromagnetische Abstoßkräfte zwischen des Speiseströmen und den Wirbelströ
men. Wirbelströme treten auch in den Segmenten 2, und elektromagnetische Abstoßkräfte
ergeben sich zwischen diesen Wirbelströmen und denen im Material 9. Dadurch wird das
Material 9 (das geschmolzene Metall) vom Boden angehoben, und zwar aufgrund der Wirkung
der unteren Induktionsspule 7, während es durch die Wirkung der oberen Induktionsspule 8 zur
Mitte des Schmelztiegels gedrückt und dadurch schwebend im Abstand von der Wandfläche
gehalten wird. Durch Abschalten des Stroms in den Induktionsspulen 7 und 8 läuft das Material
9 (das geschmolzene Metall) im Schmelztiegel 1 aus dem Abstichloch 5 über den Abstichrohrab
schnitt 6 infolge der Schwerkraft aus. Die Schweb-Schmelzvorrichtung ist vollständig in einem
mit Schutzgas gefüllten, geschlossenen Behälter (nicht gezeigt) angeordnet.
Bei einem Experiment wurden Cr-Körner mit einer durchschnittlichen Korngröße zwischen 1 und
5 mm ∅ und Cu-Teilchen, die durch Schneiden einer runden Stange aus sauerstofffreiem Kupfer
mit einem Durchmesser von 5 mm grob in 5 mm Stücke erhalten wurde, im Gewichtsverhältnis 3
zu 7 gemischt. Die Mischung wurde dann in den Schmelztiegel 1 gebracht und unter einer
Argonatmosphäre schwebend geschmolzen. Nachdem das Cr und das Cu vollständig geschmol
zen waren, wurde die Stromversorgung zu den Induktionsspulen 7 und 8 abgeschaltet, und das
geschmolzene Metall 9 wurde in eine (nicht gezeigte) wassergekühlte Kupferform gegossen, die
sich unterhalb des Abstichrohrabschnitts befand.
Die Fotografie in Fig. 1 zeigt den metallografischen Aufbau, d. h. das Metallgefüge, einer 70%
Cu-30% Cr-Legierung, die auf diese Weise hergestellt wurde. Als Vergleichsbeispiel zeigt die
Fotografie in Fig. 2 das Metallgefüge einer 70% Cu-30% Cr-Legierung, die durch Sintern bei
1000°C unter Einsatz von Cr-Pulver mit einer durchschnittlichen Partikelgröße von 150 µm und
elektromagnetischem Kupferpulver mit einer Partikelgröße von 200 µm hergestellt wurde. Die
Vergrößerung beträgt sowohl bei Fig. 1 als auch bei Fig. 2 70. Wie aus den beiden Fig. 1 und 2
ersichtlich, sind die Cr-Partikel bei dem gemäß der Erfindung hergestellten Elektrodenmaterial (als
dispergierte Partikel in Fig. 1 gezeigt) deutlich feiner (bei dem Beispiel ist die Partikelgröße etwa
20 bis 30 µm) als diejenige des Vergleichsbeispiels (als dispergierte Partikel in Fig. 2 gezeigt),
und außerdem ist die Verteilung gleichförmig. Der Sauerstoffgehalt in der Legierung wurde unter
Verwendung eines Schmelzgasanalyseverfahrens gemessen und ergab sich zu 900 bis 1100 ppm
beim Vergleichsbeispiel, und sehr viel geringer, nämlich nur 150 zu 250 ppm für das erfindungs
gemäße Beispiel.
Obwohl bei dem Beispiel das geschmolzene Metall 9 in eine wassergekühlte Kupferform
gegossen wird, können, da der Schmelztiegel 1 wassergekühlt ist, feine Cr-Partikel auch dadurch
ausgefällt werden, daß die Stromversorgung zu den beiden Induktionsspulen 7 und 8 abgeschal
tet wird, während das Abstichloch 5 verschlossen bleibt, um das geschmolzene Metall innerhalb
des Schmelztiegels 1 abzukühlen. Obwohl die Schweb-Schmelzvorrichtung ideal für das Erhitzen
ist, kann Hochfrequenzerhitzen auch innerhalb eines gewöhnlichen Graphit- oder
Keramik-Schmelztiegels eingesetzt werden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird Cr in Cu geschmolzen, wonach abgeschreckt wird und
Cr ausfällt, so daß, verglichen mit dem Sinterverfahren oder dem Schmelz-Infiltrationsverfahren,
ultrafeine Cr-Partikel dispergiert werden können und verhindert werden kann, daß das Metallge
füge infolge von Oxidfilmen auf Ausgangspulvern fehlerhaft wird. Da ferner die Größe der
ausgefällten Cr-Partikel nicht von der Partikelgröße des Cr-Materials vor dem Schmelzen
beeinflußt wird, kann die Partikelgröße des Cr-Materials solange vergrößert werden, solange das
Schmelzen des Materials nicht beeinträchtigt wird, so daß die Gesamtoberfläche des Cr-Materials
verringert werden kann und dadurch der Sauerstoffgehalt minimiert werden kann, der infolge der
Oxidfilme auf der Materialoberfläche in der Legierung enthalten ist.
Da die vorliegende Erfindung zum Heizen ein temperaturgesteuertes Heizverfahren, etwa
Hochfrequenzheizen, verwenden kann, kann das Schmelzen bei Temperaturen ausgeführt, die für
Komponenten entsprechend dem prozentualen Cu-Gehalt oder Zusätzen wie Bi und Te geeignet
sind, womit ein Elektrodenmaterial industrieller Stabilität geschaffen werden kann.
Wenn das erfindungsgemäß hergestellte Elektrodenmaterial für einen Vakuum-Leistungsschalter
verwendet wird, können der Abschaltstrom und die dielektrische Durchbruchspannung erhöht
werden, während der Lichtbogen-Abreißstrom verringert werden kann, so daß die Herstellung eines kleinen
und zuverlässigen Vakuum-Leistungsschalters ermöglicht wird.
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung eines Elektrodenmaterials für einen Vakuum-Leistungs
schalter, umfassend
Erhitzen einer ein Cu-Material und ein Cr-Material in einem vorbestimmten Verhältnis enthaltenden Mischung, bis die Mischung zum Erhalt eines geschmolzenen Metalls mit beiden Elementen in gleichförmig geschmolzenen Zustand geschmolzen ist, und
Abschrecken des geschmolzenen Metalls zum Ausfällen von Cr in einer Cu-Basis.
Erhitzen einer ein Cu-Material und ein Cr-Material in einem vorbestimmten Verhältnis enthaltenden Mischung, bis die Mischung zum Erhalt eines geschmolzenen Metalls mit beiden Elementen in gleichförmig geschmolzenen Zustand geschmolzen ist, und
Abschrecken des geschmolzenen Metalls zum Ausfällen von Cr in einer Cu-Basis.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Mischung unter
Verwendung eines Schweb-Schmelzverfahrens geschmolzen wird.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das
Cr-Material Pulver oder Massen einer Partikelgröße von 1 mm umfaßt.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
das geschmolzene Metall dadurch abgeschreckt wird, daß es in eine wassergekühlte Kupferform
gegossen wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8881797 | 1997-03-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19811816A1 true DE19811816A1 (de) | 1998-10-01 |
Family
ID=13953478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19811816A Ceased DE19811816A1 (de) | 1997-03-24 | 1998-03-18 | Verfahren zur Herstellung eines Elektrodenmaterials für Vakuum-Leistungsschalter |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5985000A (de) |
CN (1) | CN1086247C (de) |
DE (1) | DE19811816A1 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL1020059C2 (nl) * | 2002-02-21 | 2003-08-25 | Corus Technology B V | Werkwijze en inrichting voor het bekleden van een substraat. |
CN114540729A (zh) * | 2022-02-23 | 2022-05-27 | 陕西斯瑞新材料股份有限公司 | 采用悬浮熔炼下引工艺制备铜铬触头用合金铸锭的方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3303170A1 (de) * | 1983-01-31 | 1984-08-02 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von kupfer-chrom-schmelzlegierungen als kontaktwerkstoff fuer vakuum-leistungsschalter |
JP2705998B2 (ja) * | 1990-08-02 | 1998-01-28 | 株式会社明電舎 | 電気接点材料の製造方法 |
JP2967092B2 (ja) * | 1991-12-20 | 1999-10-25 | 科学技術庁金属材料技術研究所長 | 浮上溶解装置 |
JP2725640B2 (ja) * | 1995-05-19 | 1998-03-11 | 大同特殊鋼株式会社 | レビテーション溶解用ルツボ |
-
1998
- 1998-03-18 DE DE19811816A patent/DE19811816A1/de not_active Ceased
- 1998-03-20 US US09/044,948 patent/US5985000A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-24 CN CN98105131A patent/CN1086247C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1086247C (zh) | 2002-06-12 |
CN1194449A (zh) | 1998-09-30 |
US5985000A (en) | 1999-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69433453T2 (de) | Vakuumschalter und in diesem verwendeter elektrischer Kontakt | |
EP0115292B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Kupfer-Chrom-Schmelzlegierungen als Kontaktwerkstoff für Vakuum-Leistungsschalter | |
DE102005000727B4 (de) | Elektrisches Kontaktelement und Verfahren zu dessen Herstellung sowie Vakuum-Unterbrecher, Vakuum-Leistungsschutzschalter und Lastschalter unter Verwendung desselben | |
DE602004008854T2 (de) | Elektrischer Kontakt und Verfahren zu seiner Herstellung, Elektrode für Vakuumschalter und Vakuumschalter. | |
DE19513790B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Vakuumschaltkammer | |
DE19650752C1 (de) | Kupfer-Chrom-Kontaktwerkstoff mit feinkörnig umgewandelter Oberfläche für elektrische Schaltkontakte und Verfahren zu dessen Herstellung | |
EP0172411B1 (de) | Vakuumschütz mit Kontaktstücken aus CuCr und Verfahren zur Herstellung dieser Kontaktstücke | |
EP0800879B1 (de) | Wassergekühlte Kokille zum Herstellen von Blöcken oder Strängen, Verfahren zum Stranggiessen sowie Verfahren zum Elektroschlacke-Umschmelzen | |
DE69825227T2 (de) | Vakuumschalter | |
DE3406535A1 (de) | Pulvermetallurgisches verfahren zum herstellen von elektrischen kontaktstuecken aus einem kupfer-chrom-verbundwerkstoff fuer vakuumschalter | |
DE69831386T2 (de) | Kontaktanordnung für Vakuumschalter mit Magnetelement für die longitudinale Magnetisierung | |
DE10010723B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Kontaktwerkstoff-Halbzeuges für Kontaktstücke für Vakuumschaltgeräte sowie Kontaktwerkstoff-Halbzeuge und Kontaktstücke für Vakuumschaltgeräte | |
DE112017001814B4 (de) | Kontaktelement, verfahren zur herstellung desselben und vakuum-schaltungsunterbrecher | |
DE102015216754A1 (de) | Kontaktelement für elektrischen Schalter und Herstellungsverfahren | |
DE3150846C2 (de) | ||
DE19811816A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Elektrodenmaterials für Vakuum-Leistungsschalter | |
EP1006205B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von homogenen Legierungen durch Einchmelzen und Umschmelzen | |
DE643567C (de) | Verfahren zur Herstellung von Zwei- oder Mehrstoffkoerpern | |
DE102013226257A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Kontaktmaterialstücken für Vakuumschaltröhren | |
AT406239B (de) | Wassergekühlte kokille für das stranggiessen oder elektroschlacke-umschmelzen | |
DE4110600C2 (de) | Elektrode für einen Vakuum-Leistungsschalter | |
DE2324317C2 (de) | Elektrode für einen Vakuum-Leistungsschalter oder eine Vakuum-Funkenstrecke | |
EP0525385B1 (de) | Stabilisierter, keramischer Hochtemperatur-Supraleiter sowie Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3915155C2 (de) | ||
EP1848019B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kontaktstückes, sowie Kontaktstück für Nieder-, Mittel,- Hochspannungs- und Generatorschaltgeräte |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01H 11/04 AFI20051017BHDE |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: FUJI ELECTRIC FA COMPONENTS & SYSTEMS CO., LTD, JP |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: FUJI ELECTRIC FA COMPONENTS & SYSTEMS CO., LTD, JP |
|
R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
R003 | Refusal decision now final |
Effective date: 20110404 |