JPH07252639A - 金属薄膜体の製造方法 - Google Patents
金属薄膜体の製造方法Info
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- JPH07252639A JPH07252639A JP4438494A JP4438494A JPH07252639A JP H07252639 A JPH07252639 A JP H07252639A JP 4438494 A JP4438494 A JP 4438494A JP 4438494 A JP4438494 A JP 4438494A JP H07252639 A JPH07252639 A JP H07252639A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 純度が高く、磁気特性に優れた磁気記録媒体
を提供することを目的とする。 【構成】 支持体面上に金属薄膜が設けられた金属薄膜
体の製造方法であって、前記金属薄膜を形成する材料が
浮遊溶解蒸発させられ、この蒸発粒子を支持体面上に堆
積させる金属薄膜体の製造方法。
を提供することを目的とする。 【構成】 支持体面上に金属薄膜が設けられた金属薄膜
体の製造方法であって、前記金属薄膜を形成する材料が
浮遊溶解蒸発させられ、この蒸発粒子を支持体面上に堆
積させる金属薄膜体の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば金属薄膜型の磁
気記録媒体の製造方法に関するものである。
気記録媒体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体には、非磁
性支持体であるフィルム上に磁性粉やバインダを溶剤中
に分散させた磁性塗料を塗布してなる塗布型のものと、
バインダを用いず、金属磁性粒子をフィルム上に堆積さ
せてなる金属薄膜型のものとがある。
性支持体であるフィルム上に磁性粉やバインダを溶剤中
に分散させた磁性塗料を塗布してなる塗布型のものと、
バインダを用いず、金属磁性粒子をフィルム上に堆積さ
せてなる金属薄膜型のものとがある。
【０００３】これらの中、金属薄膜型の磁気記録媒体
は、磁性層にバインダを含まないことから、磁性材料の
充填密度が高く、高密度記録に適したものであると言わ
れている。現在発売又は開発されている金属薄膜型の磁
気記録媒体は、図２のようにして製造されている。図２
中、３１は冷却キャンロール、３２ａはポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）フィルム３３の供給側ロール、
３２ｂはＰＥＴフィルム３３の巻取側ロール、３４は遮
蔽板、３５はルツボ、３６は磁性金属、３７は真空容器
である。そして、真空容器３７内を所定の真空度となる
ように排気した後、電子銃３８を作動させてルツボ３５
内の磁性金属３６を加熱・蒸発させ、ＰＥＴフィルム３
３に対して磁性金属３６を堆積（蒸着）させることによ
って磁気記録媒体が製造されている。
は、磁性層にバインダを含まないことから、磁性材料の
充填密度が高く、高密度記録に適したものであると言わ
れている。現在発売又は開発されている金属薄膜型の磁
気記録媒体は、図２のようにして製造されている。図２
中、３１は冷却キャンロール、３２ａはポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）フィルム３３の供給側ロール、
３２ｂはＰＥＴフィルム３３の巻取側ロール、３４は遮
蔽板、３５はルツボ、３６は磁性金属、３７は真空容器
である。そして、真空容器３７内を所定の真空度となる
ように排気した後、電子銃３８を作動させてルツボ３５
内の磁性金属３６を加熱・蒸発させ、ＰＥＴフィルム３
３に対して磁性金属３６を堆積（蒸着）させることによ
って磁気記録媒体が製造されている。
【０００４】
【発明の開示】ところで、ルツボ３５に充填された磁性
金属３６を溶融させ、蒸発させることによって金属磁性
膜が構成されている訳であるが、この時、ルツボを構成
する材料が不純物として入り込み、磁気特性が低下して
いることが判って来た。本発明はかかる点に鑑みてなさ
れたものであり、純度が高い金属薄膜を作製する技術を
提供することを目的とする。
金属３６を溶融させ、蒸発させることによって金属磁性
膜が構成されている訳であるが、この時、ルツボを構成
する材料が不純物として入り込み、磁気特性が低下して
いることが判って来た。本発明はかかる点に鑑みてなさ
れたものであり、純度が高い金属薄膜を作製する技術を
提供することを目的とする。
【０００５】特に、磁気特性に優れた磁気記録媒体を提
供することを目的とする。この本発明の目的は、支持体
面上に金属薄膜が設けられた金属薄膜体の製造方法であ
って、前記金属薄膜を形成する材料が浮遊溶解蒸発させ
られ、この蒸発粒子を支持体面上に堆積させることを特
徴とする金属薄膜体の製造方法によって達成される。
供することを目的とする。この本発明の目的は、支持体
面上に金属薄膜が設けられた金属薄膜体の製造方法であ
って、前記金属薄膜を形成する材料が浮遊溶解蒸発させ
られ、この蒸発粒子を支持体面上に堆積させることを特
徴とする金属薄膜体の製造方法によって達成される。
【０００６】すなわち、本発明にあっては、蒸発源にあ
る物質がルツボに接触しているものではないから、溶融
時に不純物が入り込む恐れはなく、純度が高く、磁気特
性に優れた金属磁性膜を作製できるようになる。以下、
本発明について説明する。本発明の金属薄膜体（特に、
磁気記録媒体）で用いられる支持体は非磁性のものであ
り、この支持体はＰＥＴ等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料が用いられる。
る物質がルツボに接触しているものではないから、溶融
時に不純物が入り込む恐れはなく、純度が高く、磁気特
性に優れた金属磁性膜を作製できるようになる。以下、
本発明について説明する。本発明の金属薄膜体（特に、
磁気記録媒体）で用いられる支持体は非磁性のものであ
り、この支持体はＰＥＴ等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料が用いられる。
【０００７】この支持体の一面側には、蒸着手段によっ
て金属薄膜型の磁性膜が設けられる。金属磁性膜を構成
する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ
等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれ
らにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用いられる。
尚、金属磁性膜の成膜時には酸化性ガスなどが供されて
いて、金属磁性膜の表面層には酸化膜からなる保護層が
形成されることが好ましい。
て金属薄膜型の磁性膜が設けられる。金属磁性膜を構成
する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ
等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれ
らにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用いられる。
尚、金属磁性膜の成膜時には酸化性ガスなどが供されて
いて、金属磁性膜の表面層には酸化膜からなる保護層が
形成されることが好ましい。
【０００８】支持体の他面側には、いわゆるバックコー
ト膜が設けられる。このバックコート膜も、本発明のよ
うな手段で構成され得る。バックコート膜を構成する金
属粒子の材料としては、例えばＡｌ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎ
ｉ，Ａｇ，Ｆｅ，Ｔｉなどの金属が用いられる。又、Ｃ
ｕ−Ａｌ−Ｘ（但し、ＸはＭｎ，Ｆｅ，Ｎｉの群の中か
ら選ばれる一つ、若しくは二つ以上）系合金、Ａｌ−Ｓ
ｉ系合金、Ｔｉ合金等が用いられる。尚、Ｃｕ−Ａｌ−
Ｘ（但し、ＸはＭｎ，Ｆｅ，Ｎｉの群の中から選ばれる
一つ、若しくは二つ以上）系合金におけるＣｕ含有量は
７０〜９０ａｔ％、Ａｌ含有量は８〜２５ａｔ％、Ｍｎ
含有量が０．５〜４ａｔ％で、Ｆｅ含有量が０．４〜５
ａｔ％で、Ｎｉ含有量が０．４〜４ａｔ％であり、Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｎｉの総含有量が１〜６ａｔ％であることが
好ましい。又、Ａｌ−Ｓｉ系合金におけるＡｌ含有量は
１５〜７０ａｔ％、Ｓｉ含有量が１５〜７０ａｔ％であ
ることが好ましい。尚、バックコート膜の成膜時にも酸
化性ガスなどが供されていて、バックコート膜の表面層
には酸化膜からなる保護層が形成されることが好まし
い。
ト膜が設けられる。このバックコート膜も、本発明のよ
うな手段で構成され得る。バックコート膜を構成する金
属粒子の材料としては、例えばＡｌ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎ
ｉ，Ａｇ，Ｆｅ，Ｔｉなどの金属が用いられる。又、Ｃ
ｕ−Ａｌ−Ｘ（但し、ＸはＭｎ，Ｆｅ，Ｎｉの群の中か
ら選ばれる一つ、若しくは二つ以上）系合金、Ａｌ−Ｓ
ｉ系合金、Ｔｉ合金等が用いられる。尚、Ｃｕ−Ａｌ−
Ｘ（但し、ＸはＭｎ，Ｆｅ，Ｎｉの群の中から選ばれる
一つ、若しくは二つ以上）系合金におけるＣｕ含有量は
７０〜９０ａｔ％、Ａｌ含有量は８〜２５ａｔ％、Ｍｎ
含有量が０．５〜４ａｔ％で、Ｆｅ含有量が０．４〜５
ａｔ％で、Ｎｉ含有量が０．４〜４ａｔ％であり、Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｎｉの総含有量が１〜６ａｔ％であることが
好ましい。又、Ａｌ−Ｓｉ系合金におけるＡｌ含有量は
１５〜７０ａｔ％、Ｓｉ含有量が１５〜７０ａｔ％であ
ることが好ましい。尚、バックコート膜の成膜時にも酸
化性ガスなどが供されていて、バックコート膜の表面層
には酸化膜からなる保護層が形成されることが好まし
い。
【０００９】支持体面に設けられる金属磁性膜とバック
コート膜との関係は、金属磁性膜によって現れる応力の
方向とバックコート膜によって現れる応力の方向とが同
じであることが好ましい。例えば、金属磁性膜によって
現れる応力が引っ張り応力タイプの場合には、バックコ
ート膜によって現れる応力も引っ張り応力タイプのもの
となるようバックコート膜の種類（金属組成）や形成条
件を選定することが好ましい。かつ、双方の膜が引っ張
り応力タイプのものである場合には、バックコート膜に
よって現れる応力の絶対値が金属磁性膜によって現れる
応力よりも大きくなるよう設計し、これによってカール
率が０〜１５％、特に５〜１０％であるようにすること
が一層好ましい。又、金属磁性膜によって現れる応力が
圧縮応力タイプの場合には、バックコート膜によって現
れる応力も圧縮応力タイプのものとなるようバックコー
ト膜の種類（金属組成）や形成条件を選定することが好
ましい。かつ、双方の膜が圧縮応力タイプのものである
場合には、バックコート膜によって現れる応力の絶対値
が金属磁性膜によって現れる応力よりも小さくなるよう
設計し、これによってカール率が０〜１５％、特に５〜
１０％であるようにすることが一層好ましい。
コート膜との関係は、金属磁性膜によって現れる応力の
方向とバックコート膜によって現れる応力の方向とが同
じであることが好ましい。例えば、金属磁性膜によって
現れる応力が引っ張り応力タイプの場合には、バックコ
ート膜によって現れる応力も引っ張り応力タイプのもの
となるようバックコート膜の種類（金属組成）や形成条
件を選定することが好ましい。かつ、双方の膜が引っ張
り応力タイプのものである場合には、バックコート膜に
よって現れる応力の絶対値が金属磁性膜によって現れる
応力よりも大きくなるよう設計し、これによってカール
率が０〜１５％、特に５〜１０％であるようにすること
が一層好ましい。又、金属磁性膜によって現れる応力が
圧縮応力タイプの場合には、バックコート膜によって現
れる応力も圧縮応力タイプのものとなるようバックコー
ト膜の種類（金属組成）や形成条件を選定することが好
ましい。かつ、双方の膜が圧縮応力タイプのものである
場合には、バックコート膜によって現れる応力の絶対値
が金属磁性膜によって現れる応力よりも小さくなるよう
設計し、これによってカール率が０〜１５％、特に５〜
１０％であるようにすることが一層好ましい。
【００１０】上記金属磁性膜（必要に応じてバックコー
ト膜）は蒸着手段によって設けられる訳であるが、この
時、浮遊溶解の手段が採用される。これは、例えば石英
管の中に金属塊を配置し、石英管の周囲に巻かれたコイ
ルに高周波電源からの電流を流すと、金属塊は表面張力
で浮遊し、溶解しており、これに輸送ガスを供給すれ
ば、輸送ガスに案内されて金属粒子が支持体に付着す
る。従って、極めて純度が高い金属膜を形成できるよう
になる。
ト膜）は蒸着手段によって設けられる訳であるが、この
時、浮遊溶解の手段が採用される。これは、例えば石英
管の中に金属塊を配置し、石英管の周囲に巻かれたコイ
ルに高周波電源からの電流を流すと、金属塊は表面張力
で浮遊し、溶解しており、これに輸送ガスを供給すれ
ば、輸送ガスに案内されて金属粒子が支持体に付着す
る。従って、極めて純度が高い金属膜を形成できるよう
になる。
【００１１】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説
明する。
明する。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明に係る金属薄膜体（磁気記録
媒体）の製造装置の概略図である。同図中、１はＰＥＴ
フィルムからなる支持体であり、この支持体１は供給側
のロール２ａから冷却キャンロール３を経て巻取側のロ
ール２ｂに走行、巻き取られるようになっている。
媒体）の製造装置の概略図である。同図中、１はＰＥＴ
フィルムからなる支持体であり、この支持体１は供給側
のロール２ａから冷却キャンロール３を経て巻取側のロ
ール２ｂに走行、巻き取られるようになっている。
【００１３】４は石英管、５はコイル、６は出力５ｋＷ
の高周波電源、７は輸送ガスを案内する輸送管、８は遮
蔽板である。上記のように構成させた装置を用い、先
ず、１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下におい
て磁性金属Ｃｏを石英管４内のコイル５の位置に石英製
の治具９を用いて配置し、そしてコイル５に電流を流す
と、治具９を取り除いても、磁性金属は溶解し、浮遊状
態のものとなっている。
の高周波電源、７は輸送ガスを案内する輸送管、８は遮
蔽板である。上記のように構成させた装置を用い、先
ず、１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下におい
て磁性金属Ｃｏを石英管４内のコイル５の位置に石英製
の治具９を用いて配置し、そしてコイル５に電流を流す
と、治具９を取り除いても、磁性金属は溶解し、浮遊状
態のものとなっている。
【００１４】ここで、例えば酸素ガスを輸送管７から供
給し、供給側のロール２ａから巻取側のロール２ｂに走
行する冷却キャンロール３に案内されている支持体１に
案内してＣｏ粒子を堆積させると、Ｃｏ磁性金属膜が形
成されるようになる。ここで、酸素が供給されているこ
とから、Ｃｏの一部が酸化されており、表面酸化膜が形
成されてなる金属薄膜型の磁気記録媒体が得られる。
給し、供給側のロール２ａから巻取側のロール２ｂに走
行する冷却キャンロール３に案内されている支持体１に
案内してＣｏ粒子を堆積させると、Ｃｏ磁性金属膜が形
成されるようになる。ここで、酸素が供給されているこ
とから、Ｃｏの一部が酸化されており、表面酸化膜が形
成されてなる金属薄膜型の磁気記録媒体が得られる。
【００１５】そして、この金属磁性膜の不純物をＡＥＳ
手段により調べた処、ＣｏとＯとの他には不純物は検出
されなかった。因みに、比較例として従来のＡｌ2 Ｏ3
製のルツボを用いた図２のような手段でＣｏ磁性金属膜
を形成した場合には、ルツボを構成するＡｌ2 Ｏ3 分が
不純物として０．４原子％検出された。
手段により調べた処、ＣｏとＯとの他には不純物は検出
されなかった。因みに、比較例として従来のＡｌ2 Ｏ3
製のルツボを用いた図２のような手段でＣｏ磁性金属膜
を形成した場合には、ルツボを構成するＡｌ2 Ｏ3 分が
不純物として０．４原子％検出された。
【００１６】そして、飽和磁束密度を調べると、浮遊溶
解の手段が採用された上記実施例のものでは６０００Ｇ
有るのに対して、比較例のものでは５９００Ｇであり、
本発明によれば磁気特性に優れた磁気記録媒体の得られ
ることが判る。尚、上記実施例では、酸素ガスを流した
場合で説明したが、これは金属に応じて各種のものを用
いることが出来る。例えば、窒素ガス、アンモニアガ
ス、炭化水素ガス、酸化窒素ガスなどが挙げられる。
解の手段が採用された上記実施例のものでは６０００Ｇ
有るのに対して、比較例のものでは５９００Ｇであり、
本発明によれば磁気特性に優れた磁気記録媒体の得られ
ることが判る。尚、上記実施例では、酸素ガスを流した
場合で説明したが、これは金属に応じて各種のものを用
いることが出来る。例えば、窒素ガス、アンモニアガ
ス、炭化水素ガス、酸化窒素ガスなどが挙げられる。
【００１７】
【効果】磁気特性に優れ、再生出力の高い磁気記録媒体
が得られる。
が得られる。
【図１】本発明になる磁気記録媒体の製造装置の概略図
【図２】従来の磁気記録媒体の製造装置の概略図
１ 支持体 ２ａ 供給側ロール ２ｂ 巻取側ロール ３ 冷却キャンロール ４ 石英管 ５ コイル ６ 高周波電源 ７ 輸送管 ８ 遮蔽板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若林 繁美 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 支持体面上に金属薄膜が設けられた金属
薄膜体の製造方法であって、 前記金属薄膜を形成する材料が浮遊溶解蒸発させられ、
この蒸発粒子を支持体面上に堆積させることを特徴とす
る金属薄膜体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4438494A JPH07252639A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 金属薄膜体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4438494A JPH07252639A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 金属薄膜体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07252639A true JPH07252639A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=12690020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4438494A Pending JPH07252639A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 金属薄膜体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07252639A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005523381A (ja) * | 2002-02-21 | 2005-08-04 | コラス・テクノロジー・ベー・ブイ | 基板を被覆する方法および装置 |
| JP2008515133A (ja) * | 2004-08-23 | 2008-05-08 | コラス、テクノロジー、ベスローテン、フェンノートシャップ | ある量の導電性材料を浮揚させる装置および方法 |
| JP2008542537A (ja) * | 2005-05-31 | 2008-11-27 | コラス、テクノロジー、ベスローテン、フェンノートシャップ | 基材を被覆する装置および方法 |
| KR101355817B1 (ko) * | 2012-07-09 | 2014-02-05 | 한국표준과학연구원 | 전자기 부양 금속 박막 증착 장치 |
| KR101365467B1 (ko) * | 2012-04-24 | 2014-02-24 | 한국표준과학연구원 | 박막 증착 장치 |
-
1994
- 1994-03-15 JP JP4438494A patent/JPH07252639A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005523381A (ja) * | 2002-02-21 | 2005-08-04 | コラス・テクノロジー・ベー・ブイ | 基板を被覆する方法および装置 |
| US7323229B2 (en) * | 2002-02-21 | 2008-01-29 | Corus Technology Bv | Method and device for coating a substrate |
| JP2008515133A (ja) * | 2004-08-23 | 2008-05-08 | コラス、テクノロジー、ベスローテン、フェンノートシャップ | ある量の導電性材料を浮揚させる装置および方法 |
| KR101143067B1 (ko) * | 2004-08-23 | 2012-05-08 | 타타 스틸 네덜란드 테크날러지 베.뷔. | 전도성 재료의 공중부양 방법 및 장치 |
| JP2008542537A (ja) * | 2005-05-31 | 2008-11-27 | コラス、テクノロジー、ベスローテン、フェンノートシャップ | 基材を被覆する装置および方法 |
| EP1902152B1 (en) * | 2005-05-31 | 2010-06-23 | Corus Technology BV | Apparatus and method for coating a substrate |
| AU2006254452B2 (en) * | 2005-05-31 | 2010-11-18 | Tata Steel Nederland Technology B.V. | Apparatus and method for coating a substrate |
| KR101365467B1 (ko) * | 2012-04-24 | 2014-02-24 | 한국표준과학연구원 | 박막 증착 장치 |
| KR101355817B1 (ko) * | 2012-07-09 | 2014-02-05 | 한국표준과학연구원 | 전자기 부양 금속 박막 증착 장치 |
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