JPH10334439A

JPH10334439A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH10334439A
Application number: JP14204097A
Authority: JP
Inventors: Noriyuki Kitaori; 典之北折; Osamu Yoshida; 修吉田; Hirohide Mizunoya; 博英水野谷; Katsumi Endo; 克巳遠藤; Takeshi Miyamura; 猛史宮村
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 1997-05-30
Filing date: 1997-05-30
Publication date: 1998-12-18

Abstract

(57)【要約】【課題】媒体走行方向での出力差が少なく、且つ幅広
い帯域にわたって出力特性の良好な金属薄膜型の磁性層
を有する磁気記録媒体を提供する。【解決手段】支持体３上に、金属薄膜型の複数の磁性
層１、１’を有し、各磁性層の柱状構造２、２’が媒体
走行方向で法線に対して、隣接する磁性層の柱状構造の
成長方向と逆方向に傾斜した成長方向を有しており、且
つ、前記支持体３から最も遠い磁性層１の角形比が、該
磁性層１に隣接する磁性層１’の角形比よりも小さい磁
気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に関す
る。更に詳しくは、出力特性に優れた金属薄膜型の磁気
記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録媒体としては、従来より磁性粉
末を含む磁性塗料をポリエチレンテレフタレート等から
なる基板（フィルム）に塗布して製造される塗布型の磁
気記録媒体が知られているが、塗布型の磁気記録媒体は
磁性粉の充填性に限界があり、磁気記録媒体の高密度
化、薄さの向上が困難である。

【０００３】この高密度化を達成するために、磁性材料
の薄膜を基板上に直接形成するタイプのいわゆる金属薄
膜型の磁気記録媒体が提案されており、このタイプは塗
布型の磁気記録媒体にはない特性がある。金属薄膜型の
磁気記録媒体は、磁性体充填率が高いため、塗布型の磁
気記録媒体等と比べて薄膜で飽和磁化が大きく、高密度
記録に適したものとして種々の応用分野において利用さ
れている。こうした金属薄膜型の磁気記録媒体の製造に
おいては、特に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金等の磁性材料を、基材に
斜めに蒸着する、いわゆる斜め蒸着法が主流となってい
る。更に、磁気特性を調節するために磁性層を多層構造
とする改良もまた種々行われている。

【０００４】例えば特開昭６３−９０１５号公報には、
Ｃｏを主成分とし、厚さの比率が特定の関係にある二層
の金属薄膜層を磁性層として有する磁気記録媒体が開示
されている。この磁気記録媒体は走行性などの耐久性と
電磁変換特性に優れたものであるとされている。また、
特開平６−１３９５４１号公報には、斜め蒸着により形
成された複数の磁性層を有する磁気記録媒体であって、
各磁性層のコラム構造の成長方向が隣接する磁性層のコ
ラム構造の成長方向と逆方向に傾斜しているものが開示
されている。この磁気記録媒体は、テープの走行方向に
関わらず良好な出力と保磁力が得られるとされている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６３−９０１５号公報のように、磁性層の厚さを規定す
るのみでは出力特性を向上させるには限界があり、しか
も今後予想される更なる高周波記録における出力特性の
向上は困難である。また、特開平６−１１１２６７号公
報は、媒体の走行方向による磁気特性の差を抑えること
を意図したものであるが、媒体の走行方向による磁気特
性の差を小さくし、且つ、低域から高域にわたっての広
い範囲での出力特性を向上させるという点では十分では
なかった。更に、テープの剛性の不均一性から、テープ
の走行のムラ（テンションの変化が大きい）が生じると
いう問題があった。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の問
題点に鑑み、低域から高域にわたる広い範囲での出力特
性に優れた磁気記録媒体を提供することを目的として鋭
意研究した結果、本発明を完成するに至った。

【０００７】すなわち本発明は、支持体と、該支持体上
に形成された金属薄膜からなる複数の磁性層を有する磁
気記録媒体において、各磁性層の柱状構造が媒体走行方
向で法線に対して、隣接する磁性層の柱状構造の成長方
向と逆方向に傾斜した成長方向を有しており、且つ、前
記支持体から最も遠い磁性層の角形比（Ｓｑ_A）が、該
磁性層に隣接する磁性層の角形比（Ｓｑ_B）よりも小さ
いことを特徴とする磁気記録媒体を提供するものであ
る。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体の磁性層を
図１により説明する。図１は、本発明の磁気記録媒体を
走行方向と平行な面から見た断面を示す略示図であり、
図１ａは二層の磁性層が形成された例、図１ｂは三層の
磁性層が形成された例である。図１ａの磁気記録媒体で
は二層の磁性層１、１’が形成されており、各層の柱状
構造２、２’は、斜線で模式的に表されている。各磁性
層１、１’の柱状構造２、２’は、互いに隣接する磁性
層の柱状構造の成長方向と、媒体の走行方向で法線Ｐに
対して逆方向に傾斜した成長方向を有する。図１中、３
は支持体である。本発明の磁気記録媒体は、支持体から
最も遠い磁性層（以下、最表層ということもある）の角
形比（Ｓｑ_A）が、該最表層に隣接する磁性層の角形比
（Ｓｑ_B）よりも小さいことを特徴とする。従って、図
１ａの磁気記録媒体では、最表層１の角形比Ｓｑ_Aが下
層の磁性層１’の角形比Ｓｑ_Bよりも小さくなる。すな
わち、Ｓｑ_A＜Ｓｑ_Bとなる。また、図１ｂのように三
層の磁性層１、１’、１''が形成されている場合も、同
様に、最表層１の角形比Ｓｑ_Aがこれに隣接する磁性層
１’の角形比Ｓｑ_Bよりも小さくなる。図１ｂの磁気記
録媒体では、最も支持体に近い磁性層１''の角形比は問
わない。

【０００９】ここで、角形比（Ｓｑ）は、Ｓｑ＝Ｂｒ
（残留磁束密度）／Ｂｓ（飽和磁束密度）により定義さ
れ、Ｂｒ(gauss) 、Ｂｓ(gauss) は磁束密度Ｂと磁界Ｈ
とのヒステリシス曲線から求めることができる。各磁性
層の角形比は、試料振動型磁力計（ＶＳＭ）及び磁気ト
ルクメーターなどを用いて磁性層面内長手方向の角形比
を測定する。また、保磁力Ｈｃについても磁性層面内長
手方向で測定する。

【００１０】本発明においては、各磁性層の角形比が何
れも０．６〜０．９９の範囲にあることが好ましい。ま
た、支持体から最も遠い磁性層の角形比（Ｓｑ_A）と該
磁性層に隣接する磁性層の角形比（Ｓｑ_B）がＳｑ_B−
Ｓｑ_A≧０．１の関係を満たすことがより好ましい。更
に好ましくは、Ｓｑ_B−Ｓｑ_Aが０．１５〜０．３であ
る。この関係を満たすと出力特性が更に良好となる。

【００１１】本発明の磁気記録媒体は、各磁性層の柱状
構造が隣接する磁性層の柱状構造と媒体走行方向で法線
に対して逆方向に傾斜しており、且つ、最表層の角形比
（Ｓｑ_A）が、該最表層に隣接する磁性層の角形比（Ｓ
ｑ_B）よりも小さいことを特徴とし、この構造により、
低域から高域まで広い範囲で安定した出力を得ることが
できる。低域の記録は波長が長いため、テープ厚さの底
部まで記録波長が届く。従って下層部の磁化の方向性が
重要である。一方、高域の記録は、テープの表面記録で
あり、且つその方向性は垂直に近く長手方向の磁性の方
向性は必要ない。これらのことから、低域から高域にわ
たり高出力を得るためには、本発明のように最表層の角
形比（Ｓｑ_A）をこれに隣接する磁性層の角形比（Ｓｑ
_B）よりも小さくし、且つ各磁性層の柱状構造が隣接す
る磁性層の柱状構造と媒体走行方向で法線に対して逆方
向に傾斜しており、これにより媒体の走行方向による磁
気特性の差が小さくなり、且つ低域から高域にわたる高
出力が得られる。また、本発明の磁気記録媒体は、各磁
性層の柱状構造が隣接する磁性層の柱状構造と媒体走行
方向で法線に対して逆方向に傾斜しているため、テープ
の剛性を均一にすることができる。

【００１２】なお、本発明においては、各柱状構造の成
長方向の傾斜角度の限定はないが、３０°〜７０°程度
が一般的である。ここで、柱状構造の成長方向の傾斜角
度とは、柱状構造の成長方向と支持体平面とがなす角度
をいう。また、各柱状構造の傾斜角度の大小関係も問わ
ない。

【００１３】本発明の磁気記録媒体の製造方法を簡単に
説明する。図２は磁性材料の蒸着に用いられる装置の一
例を示す略図である。この蒸着装置は、真空チャンバ２
１と、支持体２２を搬送する円筒キャン２３と、該円筒
キャン２３の下方に配設され、該円筒キャン２３上を搬
送される支持体２２上に磁性金属を付着する蒸着手段
と、蒸着領域を規制する防着板２４と、蒸着中にガスを
導入するガス導入管２５を有する。ここで、蒸着手段
は、磁性金属２６を収容したルツボ２７と該ルツボ２７
に設置された電子銃２８である。またこの装置のチャン
バ内は図示しない真空手段により真空に保たれている。

【００１４】真空チャンバ２１内には、巻出ロール２９
と巻取ロール３０とが設けられ、巻出ロール２９から巻
出されて巻取ロール３０に巻取られる間で、支持体２２
はキャン２３の下側面に巻掛けられて走行するようにな
っている。キャン２３の下方にはルツボ２７（例えばＭ
ｇＯ製）が置かれ、この中にＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅなどの磁
性金属或いは磁性金属の合金２６が入れられている。磁
性金属２６に電子ビーム銃２８から電子ビームを湾曲さ
せて照射し、これにより磁性金属２６を加熱して蒸発さ
せるようになっている。そして、必要に応じてガス導入
管２５から酸素ガスなどを蒸着領域に導入することによ
り、金属薄膜の柱状構造を酸化することができる。

【００１５】本発明の磁気記録媒体を得るためには、図
２のような装置で下層の磁性層を形成した後、再度巻取
ロール３０から巻出ロール２９にフィルムをセットして
に蒸着することにより、磁性層の柱状構造が逆方向に傾
斜した上層の磁性層を形成することができる。三層以上
の磁性層を形成する場合も同じ要領で蒸着を行えばよ
い。

【００１６】一般に図２のような装置を用いる場合、蒸
着条件（最小入射角θ_minを含む）が同じであれば最大
入射角θ_maxを小さくした方が角形比が小さくなること
がわかっている。従って磁性層となる金属薄膜型の角形
比を調節するには、各磁性層を形成する際の最大入射角
θ_maxをコントロールすればよい。本発明の磁気記録媒
体のように、最表層（上層）の角形比（Ｓｑ_A）を、該
最表層に隣接する磁性層（下層）の角形比（Ｓｑ_B）よ
りも小さくするには、下層の磁性層を形成する際の最大
入射角θ_maxを、上層の磁性層を形成する際の最大入射
角θ_maxよりも大きくすればよい。また、電子銃からの
電子ビ−ムの原反長手方向及び／又は幅方向の振り幅で
角形比をコントロールすることもでき、一般に振り幅が
大きくなると角形比は小さくなる。更に、必要に応じて
酸素ガスの導入量その他の蒸着条件をコントロールし
て、保磁力（Ｈｃ）や飽和磁束密度（Ｂｓ）を調節する
こともできる。

【００１７】本発明において、金属薄膜型の磁性層を形
成する磁性材料としては、通常の金属薄膜型の磁気記録
媒体の製造に用いられる強磁性金属材料が挙げられ、例
えばＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ等の強磁性金属、また、Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ
−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ａｕ、Ｃｏ−Ｙ、Ｃｏ−Ｌ
ａ、Ｃｏ−Ｐｒ、Ｃｏ−Ｇｄ、Ｃｏ−Ｓｍ、Ｃｏ−Ｐ
ｔ、Ｎｉ−Ｃｕ、Ｍｎ−Ｂｉ、Ｍｎ−Ｓｂ、Ｍｎ−Ａ
ｌ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｃｒ等の強磁性合金が挙げられ
る。また、これら金属もしくは金属合金の窒化物、炭化
物、酸化物も好ましい。

【００１８】高密度記録のためには磁気記録媒体の磁性
層は、斜め蒸着により基材上に形成することが好まし
い。斜め蒸着の方法は特に限定されず、従来公知の方法
に準ずる。蒸着の際の真空度は１０^-4〜１０^-7Ｔｏｒｒ
程度である。特に、酸化性ガスを導入して磁性層表面に
酸化物を形成することにより、耐久性の向上を図ること
ができる。

【００１９】更に、支持体上にバックコート層を形成す
ることができる。バックコート層は、カーボンブラック
やバインダーを主成分とする厚さ０．２〜１．０μｍ程
度の塗布型のバックコート層でもよいし、蒸着法、直流
スパッタ法、交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流
マグネトロンスパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ
法、イオンビームスパッタ法などのメッキ手段により、
真空中で金属又は半金属を支持体に付着させて形成され
た金属薄膜型のバックコート層でもよい。後者の場合、
バックコート層として付着する金属としては、いろいろ
考えられるが、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｇ、
Ｃｏなど及びこれらの合金が用いられ、Ａｌ、ＣｏやＣ
ｕ−Ａｌ合金が好適である。更に蒸着時に酸化反応、炭
化反応等をさせた酸化膜、炭化膜などのようにセラミッ
クス化したものも好適である。また、バックコート層を
形成する半金属としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｃ、Ｓ
ｂなどが用いられ、Ｓｉが好適である。また、更に添加
物をドープし、導電率を向上させることは好ましい。金
属薄膜型のバックコート層の厚さは、０．０５〜１．０
μｍ程度である。

【００２０】また、本発明の磁気記録媒体においては、
磁性層上に厚さが１〜５０ｎｍの保護膜が設けられるの
が好ましい。保護層を構成する材料として、Ａｌ等の金
属の酸化物、窒化物、あるいは炭化物などの他、ＳｉＣ
等、及びそれを含む化合物などが考えられる。また、特
に、炭素膜、中でもダイヤモンドライクカーボンは好ま
しいものである。ダイヤモンドライクカーボンよりなる
保護層はフィジカルベーパーデポジション（ＰＶＤ）法
又はケミカルベーパーデポジション（ＣＶＤ）法により
形成される。特に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置により形
成される。即ち、真空槽内に配設された支持体上の磁性
層に対してＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を作動させ、磁性
層に炭化水素系ガスのプラズマを吹き付ける。これによ
り、磁性層表面に保護層（ダイヤモンドライクカーボン
層）が形成される。

【００２１】更に、本発明の磁気記録媒体においては、
磁性層又は保護層上に適当な潤滑剤からなる潤滑剤層を
形成することが好ましい。特にパーフルオロポリエーテ
ル等のフッ素系の潤滑剤が好ましく、潤滑剤層の厚さは
０．５〜１０ｎｍ程度である。潤滑剤としては、例えば
-[C(R)F-CF₂-O]_p-（但し、R はF,CF₃, CH₃などの基）、
特にHOOC-CF₂(OC₂F₄)_p(OCF₂)_q-OCF₂COOH，F-(CF₂CF₂CF₂
O)_n-CF₂CF₂COOH等のカルボキシル基変性パーフルオロポ
リエーテル、HOCH₂-CF₂(OC₂F₄)_p(OCF₂)_q-OCF₂-CH₂OH,HO
-(C₂H₄O)_m-CH₂-(OC₂F₄)_p(OCF₂)_q-OCH₂-(OCH₂CH₂)_n-OH,
F-(CF₂CF₂CF₂O)_n-CF₂CF₂CH₂OH等のアルコール変性パー
フルオロポリエーテルが挙げられる。分子量は５００〜
５００００のものが好ましい。具体的には、モンテカチ
ーニ社の商品名「ＦＯＭＢＬＩＮＺＤＩＡＣ」や
「ＦＯＭＢＬＩＮＺＤＯＬ」、ダイキン工業社の商
品名「デムナムＳＡ」等がある。

【００２２】なお、本発明においては、バックコート層
上にも上記のような保護層、潤滑剤層の何れか一つ以
上、望ましくは保護層と該保護層上に潤滑剤層を形成す
ることが走行性の面から好ましい。

【００２３】また、本発明の磁気記録媒体の支持体とな
る材料としては、通常の非磁性支持体が使用でき、ポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフ
タレート（ＰＥＮ）のようなポリエステル；ポリエチレ
ン、ポリプロピレン等のポリオレフィン; セルロースト
リアセテート、セルロースジアセテート等のセルロース
誘導体；ポリカーボネート；ポリ塩化ビニル；ポリイミ
ド；芳香族ポリアミド等のプラスチック等が使用され
る。これらの支持体の厚さは３〜５０μｍ程度である。

【００２４】本発明において、各磁性層の厚さは、２層
の場合、下層の磁性層の厚さが１０〜２００ｎｍ、上層
の磁性層の厚さが５〜１００ｎｍが好ましく、３層の場
合、下層の磁性層の厚さが１０〜２００ｎｍ、中間の磁
性層の厚さが１０〜１００ｎｍ、上層の磁性層の厚さが
５〜１００ｎｍが好ましい。また磁性層の数は高周波記
録型媒体程多い方が良いが、実用的な範囲としては２〜
５層が適当と考えられる。多層の磁性層は、一層ずつ形
成しても、二以上の装置を用いて連続的に成膜してもよ
い。

【００２５】また、本発明の磁気記録媒体の保磁力は、
磁性層全体の保磁力として１３００（Ｏｅ）以上である
のが好ましく、特に１５００（Ｏｅ）以上が好ましい。
なお、最表層とこれに隣接する磁性層の保磁力の関係は
問わない。

【００２６】本発明の磁気記録媒体は、最短記録波長が
０．４μｍ以下のような高周波の磁気記録に適してい
る。

【００２７】

【実施例】以下実施例にて本発明を説明するが、本発明
はこれらの実施例に限定されるものではない。

【００２８】実施例１（１）磁気テープの製造図１の装置を用いて酸素ガスを導入しながら厚さ６．３
μｍのＰＥＴフィルム上にＣｏを蒸着して下層のＣｏ−
Ｏ系磁性層を形成した。この時の蒸着条件は、電子銃パ
ワー１５ｋＷ、電子銃のフィルム長手走行方向の振り幅
１．５ｃｍ、フィルムの走行速度２．１ｍ／分、酸素ガ
ス流量６０ＳＣＣＭ、最大入射角θ_max９０°、最小入
射角θ_min５６°であった。得られた下層磁性層の厚さ
は１２０ｎｍ、角形比（Ｓｑ_B）は０．９４であった。

【００２９】次いで、巻取ロール３０からフィルムを再
び巻出２９にセットし、同様に酸素ガスを導入しながら
Ｃｏを蒸着して下層のＣｏ−Ｏ系磁性層上に、磁性層の
柱状構造が、媒体走行方向で法線に対して、隣接する下
層磁性層の柱状構造の成長方向と逆方向に傾斜するよう
な成長方向を有する上層のＣｏ−Ｏ系磁性層を形成し
た。この時の蒸着条件は、電子銃のフィルム長手走行方
向の振り幅５．５ｃｍ、フィルムの走行速度２ｍ／分、
酸素ガス流量５１ＳＣＣＭ、最大入射角θ_max８０°、
最小入射角θ_min５５°とし、その他は下層磁性層と同
様とした。得られた上層磁性層の厚さは９０ｎｍ、角形
比（Ｓｑ_A）は０．８４であった。

【００３０】次いで、公知の方法により、フィルムの磁
性層と反対の面にカーボンブラックとバインダーからな
る厚さ０．５μｍのバックコート層を形成した。

【００３１】次いで、磁性層上にフッ素系潤滑剤〔商品
名：ＡＭ２００１（ダイキン工業社製）〕を厚さが１ｎ
ｍとなるように付着して潤滑剤層を形成した。上記によ
り得られた、磁性層、フッ素系潤滑層及びバックコート
層が形成されたフィルムを８ｍｍ巾に裁断し、８ｍｍＶ
ＴＲ用カセットケースにローディングし、８ｍｍテープ
を得た。

【００３２】（２）性能評価上記で得られた８ｍｍテープについて、市販の８ｍｍＶ
ＴＲを改造した装置にセットし、０．５ＭＨｚ〜２０Ｍ
Ｈｚの周波数で記録したときの出力を測定した。出力の
評価は実施例１を基準とする相対評価とした。また、市
販のＤＬＴ３ドライブで走行させたときのテンションの
ムラを測定した。その際、テンションの変化が１０％以
上のものを「×」、テンションの変化が５％以上１０％
未満のものを「△」、テンションの変化が５％未満のも
のを「○」とした。結果を表１に示す。

【００３３】実施例２実施例１と同様に二層のＣｏ−Ｏ系磁性層を形成し、８
ｍｍテープを製造した。ただし、下層磁性層の蒸着条件
は、電子銃パワー１０ｋＷ、電子銃のフィルム長手走行
方向の振り幅１ｃｍ、フィルムの走行速度０．８ｍ／
分、酸素ガス流量２８ＳＣＣＭ、最大入射角θ_max８６
°、最小入射角θ_min５８°であった。得られた下層磁
性層の厚さは１００ｎｍ、角形比（Ｓｑ_B）は０．９１
であった。また、上層磁性層の蒸着条件は、電子銃パワ
ー１０ｋＷ、電子銃のフィルム長手走行方向の振り幅６
ｃｍ、フィルムの走行速度０．９ｍ／分、酸素ガス流量
３０ＳＣＣＭ、最大入射角θ_max７７°、最小入射角θ
_min５２°とし、その他は実施例１の上層磁性層と同様
とした。得られた上層磁性層の厚さは６０ｎｍ、角形比
（Ｓｑ_A）は０．７７であった。得られた８ｍｍテープ
について、実施例１と同様の評価をした。その結果を表
１に示す。

【００３４】実施例３実施例１、２の方法に準じて、実施例１の上層磁性層
（角形比０．８４）を下層磁性層とし、実施例２の上層
磁性層（角形比０．７７）を上層磁性層とする８ｍｍテ
ープを製造した。磁性層以外は実施例１と同様である。
得られた８ｍｍテープについて、実施例１と同様の評価
をした。その結果を表１に示す。

【００３５】実施例４実施例２の方法に準じて、下層磁性層（角形比０．９
１）を形成し、図３の装置を用いて下層磁性層の上にＦ
ｅ−Ｃ−Ｏ系の上層磁性層（角形比０．５５、厚さ６５
ｎｍ）を形成した。ここで、図３は上層磁性層の形成に
用いたイオンアシスト蒸着装置の要部であり、図３中、
３１はキャンロール、３２はベースフィルム、３３はイ
オンガン、３４は遮蔽板、３５は電子銃、３６はルツボ
であり、金属鉄を収容している。本例では、ＰＥＴフィ
ルムの走行速度を０．８ｍ／分、電子銃３５のパワーを
８ｋＷ、イオンガン２３の加速電圧を９００Ｖ、酸素ガ
ス流量を５ＳＣＣＭとした。その他は実施例１と同様に
して８ｍｍテープを製造した。得られた８ｍｍテープに
ついて、実施例１と同様の評価をした。その結果を表１
に示す。

【００３６】比較例１実施例１と同様に二層のＣｏ−Ｏ系磁性層を形成し、８
ｍｍテープを製造した。ただし、上下の磁性層を共に実
施例１の上層の条件で形成し、上下の磁性層の角形比が
共に０．９６となるようにした。得られた８ｍｍテープ
について、実施例１と同様の評価をした。その結果を表
１に示す。

【００３７】比較例２実施例１の上層の磁性層の成膜条件でＣｏ−Ｏ系磁性層
を二層形成して８ｍｍテープを製造した。このとき、下
層の磁性層を成膜した後、原反の巻き直しを行って、同
じ条件で上層の磁性層を成膜した。得られた８ｍｍテー
プの角形比は上下の磁性層とも０．９６であり、磁性層
の柱状構造の成長方向は媒体走行方向で法線に対して、
隣接する磁性層の柱状構造の成長方向と同じ方向に傾斜
している。得られた８ｍｍテープについて、実施例１と
同様の評価をした。その結果を表１に示す。

【００３８】

【表１】

【００３９】表１の結果からもわかるように、本発明の
磁気記録媒体は、媒体の走行方向による出力の差が少な
く、且つ、広帯域で高出力である故、システムにおいて
正逆両方向で使用するオーディオテープ、切手サイズＤ
ＡＴ、ＤＬＴテープなどとして特に有利である。また、
先にも述べたように、本発明の磁気記録媒体は、各磁性
層の柱状構造が隣接する磁性層の柱状構造と媒体走行方
向で法線に対して逆方向に傾斜しているため、テープ全
体の剛性が長手方向で均一になり、テンションの変化が
少なく、実際のドライブ中の走行で安定である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の磁性層を示す断面略図

【図２】本発明の磁気記録媒体の磁性層を形成するため
の装置の例を示す略図

【図３】実施例４で用いたイオンアシスト蒸着装置の要
部を示す略図

【符号の説明】

１ …最上磁性層１’…最上磁性層に隣接する磁性層１''…最下磁性層２，２’，２''…磁性層の柱状構造２１…真空容器２２…フィルム２３…冷却キャン２５…酸素ガス導入管２７…ルツボ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者遠藤克巳栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会社研究所内 (72)発明者宮村猛史栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会社研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体と、該支持体上に形成された金属
薄膜からなる複数の磁性層を有する磁気記録媒体におい
て、各磁性層の柱状構造が媒体走行方向で法線に対し
て、隣接する磁性層の柱状構造の成長方向と逆方向に傾
斜した成長方向を有しており、且つ、前記支持体から最
も遠い磁性層の角形比（Ｓｑ_A）が、該磁性層に隣接す
る磁性層の角形比（Ｓｑ_B）よりも小さいことを特徴と
する磁気記録媒体。
【請求項２】各磁性層の角形比が何れも０．６〜０．
９９の範囲にある請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】支持体から最も遠い磁性層の角形比（Ｓ
ｑ_A）と該磁性層に隣接する磁性層の角形比（Ｓｑ_B）
がＳｑ_B−Ｓｑ_A≧０．１の関係を満たす請求項１又は
２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】最短記録波長が０．４μｍ以下の磁気記
録に用いられる請求項１〜３の何れか１項記載の磁気記
録媒体。
【請求項５】保磁力が１３００（Ｏｅ）以上である請
求項１〜４の何れか１項記載の磁気記録媒体。