JPS6248088A - 金属芯基板及びその製造方法 - Google Patents

金属芯基板及びその製造方法

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JPS6248088A
JPS6248088A JP18907485A JP18907485A JPS6248088A JP S6248088 A JPS6248088 A JP S6248088A JP 18907485 A JP18907485 A JP 18907485A JP 18907485 A JP18907485 A JP 18907485A JP S6248088 A JPS6248088 A JP S6248088A
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広瀬 道夫
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はヒートシンクの如き金属芯と焼付けられた電気
絶縁層を有する混成集積回路用基板などとして有用な金
属芯基板及びその製造方法に関する。
従来の技術及び問題点 従来、電気絶縁性の有機高分子フィルムの片面に回路形
成用の導電性金属箔を接着し、他方の面にアルミニウム
ヒートシンクを接着した構造の混成集積回路基板が提案
されている。しかしながら、このタイプの基板は、一般
VC有機高分子フィルムが、多かれ少かれピンホールを
有しているので耐電圧特性の点で問題がある。
本発明者らは上記の有機高分子フィルムに代って焼付け
られた電気絶縁層を採用すると耐電圧特性の優れた混成
集積回路基板が得られることを見出した。かかる構造の
基板は、アルミニウムヒートシンクの片面にvt完絶縁
フフェを塗布し、次いで焼付けて市電絶縁層を形成し、
かく形成された電気絶縁層の上に回路形成用の導電性金
属箔を接着して上記構造の混成集積回路基板の製造を試
みた。しかしながらアルミニウムヒートシンクの上に直
接ワニスを電着塗装などの方法で塗布しても密着性のよ
い被覆層を形成することは困難である。
一方、アルミニウムの電着の技術分野においては、古く
から密着性の良好な焼付被覆層を形成するために、アル
ミニウムの表面を予めジンケート処理することが知られ
ている。
ところで本発明者の研究によれば、単にジンケート処理
を施したアルミニウム板の上に焼付は絶縁層を形成した
ものでは、その絶縁層の耐剥離性がアルミニウム板の上
に直接絶縁層を形成したものと比べれば改善されている
ものの、混成集積回路基板形成用として使用する場合な
ど実用的観点からは満足できるものでなかった。すなわ
ち、実用途において、特に、電気絶縁層上の導電性金属
層又はアルミニウムヒートシンクを他の部材と半田付け
する際の局部的な加熱により、電電絶縁層がアルミニウ
ムヒートシンクよシ剥離する問題がある。
本発明の[1的は、焼付けられた電気絶縁層を有する混
成集積回路基板などとして有用な金属芯基板を提供する
にある。
本発明の他の目的は、常温度においては勿論のこと高温
度においても耐剥離性の優れた焼付は電電絶縁層を有す
る金属芯基板を提供するにある。
本発明の他の目的は上記金属芯基板を製造するだめの新
規な方法を提案することにある。
問題解決の手段 本発明は、少なくとも一面が難酸化性の金属からなる導
電性金属層と、該難酸化性の全肩面上に焼付けられた絶
縁性有機高分子からなる市電絶縁層と、該WL電気絶縁
層接着された金属芯とからなる金属芯基板及び導電性金
属箔の表面の難酸化性金属層の上に絶縁ワニスを塗布し
、焼付けて電気絶縁層を形成する工程及び1!気絶縁層
と金属芯を接着する工程とからなる金属芯基板の製造方
法を提供する。
ることにより耐電、圧特性の優れたアルミニウム芯基板
が得られる。また、該絶縁層は、難酸化性金属層の上に
形成されるので、優れた耐剥離強度を有する。
第1図〜第5図にもとづき、本発明の金属芯基板を説明
すると、導電性金属M2の片面には市電絶縁層1が焼付
けられてお、b、′N電気絶縁層には接着剤4を用いで
あるいは用いずに、金属芯3が!に角されている。導電
性金属層2は、そのすべてが、あるいはその大部分が2
5°Cにおける体積紙Ω・nn以下の導電性金属、たと
えば銅、ニッケル、アルミニウム、銀、金など、にて構
成されている。
ただし、層2の絶縁層が焼付けられる側の表面は難酸化
性金属、たとえば銅、ニッケル、銀、金などにて構成さ
れていることが必要である。なんとなれば、か\る金属
の上に形成された焼付絶縁層は優れた耐剥離性を有する
からである。層2が、難酸化性金属、たとえば銅にて構
成されているときには銅表面の上に再々別の難酸化性金
属の層を設ける必要はない。
の上に設けられ、かつ難酸化性金属からなる層22とか
らなる。第3図の実施例は、更にもう1つの難酸化性金
属N22′を有する。
絶縁ワニスの塗布は、種々の方法で行ってよく、特にX
着によることが好ましい。
アルミニウム又はその他の酸化性金属の表面に直接電着
塗装を行う場合、アルミニウムを一方の電極として電着
ワニス浴中に浸漬して、電場間に一定の電圧をかけるこ
ととなる。一般に、アルミニウムの表面には常に酸化ア
ルミニウムの薄層が存在するために該酸化アルミニウム
の薄層がアルミニウムの溶出を妨げ、この結果水の°電
気分解を促進する。従って、アルミニウムの電着塗装の
場合には水のN’X分解とワニスの電着とが同時に生じ
るので、水の電気分解によって生じたガスが電着塗膜中
に混入し、電着塗装の耐剥離強度や耐電圧強度を低下さ
せる。これに対して髄酸化性金践は、水の[FC分解を
生ぜしめることなく電着塗装することができる。
導電性金属層2の上に形成された電気絶縁層1は上記の
理由からガスを含まず又は含んでいても僅かであるので
耐電圧特性及び導電性金属層2に対する耐剥離性に優れ
ている。更に、電着塗装の場合は、析出した樹脂は一様
に等電性金属層2に付着するので局部的な弱点部を形成
し難い。また絶縁ワニスを機械的に塗布する場合には、
一般に複数回の塗布・焼付をくシ返すので、このくり返
しにより弱点部が消失して均一な1に気絶縁Nl 1が
形成される。このため、本発明で採用する焼付電気絶縁
層は、押出によって成形した有機高分子フィルムと比較
して優れた耐電圧特性を有し、相当に薄層のものであっ
ても要求特性を満足する。
本発明において、電電絶縁層1の導電性金属層2との耐
剥離性を一層良好ならしめるために、電気絶縁N1か弛
される導電性金属層2の表面は、均一に粗面化されてい
ることが望ましい。特に、JIS B 0601に規定
する表面あらさRmaxが0.17Im−10μm程度
であることが特に好ましい。
か\る粗面化は、サンドベーパ、サンドブラスト、グラ
インダーなどの研磨手段で研磨することにより実現する
ことが可能であるし、あるいは電解銀箔の如く粗れだ表
面を有する箔を用いてもよい。
本発明においては、絶縁ワニスは種々の方法によって塗
布してよいが、電着塗装法は上記した理かう 由’y’oに好ましい。絶縁ワニスとしては、マグネッ
トワイヤの製造に用いられているものがいずれも好適に
使用することができる。たとえばポリビニルホルマール
、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド及び各種の電着塗料である。¥J
t着塗着色料ては、例えば水あるいは水と有機溶媒との
混合溶媒を用いた分散型ないし溶液型のアニオン型又は
カチオン型塗料をあげることができる。すなわち、その
列としてはアクリロニトリル、メタクリレートリル、ア
クリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクロレイ
ンなどからなる群の1種又は2種以上と、グリシジルア
クリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシ
ジルエーテル、アクリルアミド、メチロールアクリフレ
アミド、エチロールアクリルアミドなどからなる群の1
種又は2種以上と、アクリル酸、メタクリル酸、エチル
アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマール酸など
からなる群の1種又は2種以上とを適宜に反応でせて共
重合させた重合度が10. OOO〜L 000.00
0はどの樹脂を水に分散させた焼付は処理にょシ橋かけ
構造形成能を有するワニスなどをあげることがでさる。
特に好ましく用いうるwL着塗料としては、下記の(イ
)〜に)成分からなる樹脂を水に分散させたアクリル系
ワニスをあげることができる。すなわち、一般式(I)
二 HR。
  CN (ただし、Roは水素原子又はアルキル基である。) で表わされる(イ)成分の1種又は2種以上と、一般式
(■): HR8 (ただし、R7はグリシジルエーテル基又はグリシジル
エステル基、R8は水素原子、アルキル基、アミド基、
N−アルキルアミド基、アルキロール基、グリシジルエ
ーテル基又はグリシジルエステル基である。) で表わされる(口)成分の1種又は2種以上と、スチレ
ン又はその誘導体からなる(/→酸成分1種又は2種以
上と、前記の(イ)成分、(ロ)成分又は(ハ)成分に
おける二重結合と反応しうる二重結合を少なくとも1つ
有する不飽和有機酸からなるに)成分の1種又は2種以
上とからなるアクリル系樹脂の水分散型ワニスである。
前記のイ)成分におけるR7、(口j成分におけるR、
 、R,及びに))成分はその炭素数が約30以下、好
ましくは20以下、よυ好ましくは15以下であるもの
が、得られるアクリル系樹脂の耐熱性の点で好ましい。
前記(ハ)成分におけるスチレン誘導体の例としてはス
チレンのフェニル基が、ニトリル基、ニトロ基、水酸基
、アミノ基、ビニル基、フェニル基、塩素、臭素等のハ
ロゲンi子、アルキル基、アラルキル基、N−アルキル
アミノ基などで置換されたものなどをあげることができ
、そのアルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基などを、アラルキル基としてはベンジル
基、αもしくはβ−フェニルニー?/’基など’i N
−アルキルアミノ基とじてはN−メチルアミノ基、N−
エチルアミノ基、N−プロピルアミノ基などをあげるこ
とができる。
また、(ハ)成分の不飽和有機酸の例としては、アクリ
ル酸、クロトン酸、ビニル酢酸、メタクリル酸、α−x
 4−117アクリル酸、β−メチルクロトン酸、チグ
リン酸、2−ペンテン酸、2−ヘキセン酸、2−ヘプテ
ン酸、2−オクテン酸、10−ウンデセン酸、9−オク
タデセン酸、桂皮酸、アトロバ酸、α−ベンジルアクリ
ル酸、メチルアトロバ酸、ス4−ペンタジェン酸、R4
−へキサジエン酸、R4−ドデカジエン酸、9.12−
オクタデカジエン酸のよりな一塩基酸、マレイン酸、フ
マール酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、グ
ルタコン酸、ムコン酸、ジヒドロムコン酸のような二塩
基酸、L2,4−ブテントリカルポン酸のような三塩基
酸などをあげることができる。
好ましく用いうる(イ)成分の代表的具体例としては、
アクリロニトリル、メタクリレートリルなどを、(ロ)
成分の代表的具体例としてはグリシジルアクリレート、
グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル
などを、(ハ)成分の代表的具体例トシてはスチレン、
メチルスチレン、エチルスチレン、ジビニルベンゼン、
クロFスチレンなどを、に)成分の代表例としてはアク
リル酸、メタクリル酸、α−エチルアクリル酸、クロト
ン酸、マレイン酸、フマール酸などをあげることができ
る。
上記の(イ)〜に)成分からなるアクリル系樹脂は、例
えば乳化重合方式、溶液重合方式、懸濁重合方式などの
公知の重合方式によシ得ることができる。
前記成分の配合割合としては、(ロ)成分1モル当り(
イ)成分1〜20モル、好ましくは2〜15モル、よシ
好ましくは4〜10モル、(ハ)成分0.1〜40モル
、好ましくは0.5〜30モル、よシ好ましくは1〜2
0モル、に))成分0.01〜3モル、好ましくは0.
02〜2モル、より好ましくは0.03〜1.5モルが
適当である。なお、G/→成分の配合割合が過多である
と得られるアクリル系樹脂が可とう性に劣シ好ましくな
い。また、重合に際しては例えばイ)〜に)の4成分を
一緒に混合して反応させてもよいし、イ)成分、(ロ)
成分及びに)成分を反応させてその反応途中あるいは反
応完了後に(ハ)成分を加え当該生成物と反応させても
よい。上記の4成分からなるアクリル系樹脂の重合度と
しては、10.000〜L 000.000、好ましく
は100,000〜500.000程度が適当である。
重合度が低すぎると得られるアクリル系樹脂が強じん性
に劣り他方、亮すぎると電着作業性に劣るので好ましく
ない。
焼付は電電絶縁層1と金属芯3との接着は、市販の接着
剤によυ容易にかつ良好に接着することができる0ある
いは接着剤を用いなくても電気絶縁層1の形成過程にお
いて塗布された絶縁ワニスをセミキュアーした所謂Bス
テージにも□たらし、Bステージの接着力を利用して金
属芯3を接着すると同時に絶縁ワニス層のキュアーを完
了させてYIL気絶縁層1を形成することも可能である
。か\る接着技術を利用することにより、金属芯3を構
成する金属種を問う必要がなくなるので、本発明におい
ては、金属芯3はアルミニウム、銅、あるいはその他の
熱伝導性の良好な金属からなるヒートシンクであっても
よく、また鉄、けい素鋼など透磁率の良好な金属からな
る磁気遮蔽層であってもよい。
接着剤としては各種のものを使用できるが、特に耐熱性
を有するものが好ましく、例えばエポキシ系(三井石油
化学社E POX−AH−333)、シリコン系(東芝
シリコン社、YR−3286)、エポキシ−ナイロン系
(3M社、AF−42)、イミド系(三菱ガス化学社、
BTレジンをベースとしたもの、電気化学工業社、ラム
ダイトエポキシBN)などを用いることができる。
混成集積回路基板に要求されるもう1つの事項は、熱伝
導性である。この要求は、層2によって形成される電気
回路から発生するジュール熱を効率よく放散する必要に
基づくものである。従来の混成集積回路に用いられてい
た電気絶縁層は、その低絶縁破壊強度の故に絶縁層厚を
大きくする必要があり、また、有機高分子に特有の低熱
伝導性の故に熱放散性が乏しかった。これに対して本発
明において採用する電気絶縁N1はOiJ記した通り優
れた絶縁破壊強度を有するが故に薄くすることが可能と
なシ、また薄くすることによυ熱放散性を良好ならしめ
る大きな長所を有する。本発明の絶縁層1の厚さはたと
えば20〜8071m、好ましくは30〜50μmであ
る。
本発明において電気絶縁層1の熱伝導性を改善する目的
で該絶縁層に熱伝導性充てん剤を含ませてもよい。か−
る組成の絶縁層はたとえばアルミナ、チッ化ホウ素、チ
ッ化ケイ素、チツ化アルミニウム、マグネシア、ベリリ
ア、ホタル石などの熱伝導性にすぐれる充てん剤の粉氷
を@記の如き絶縁フェノ中に分散てせたものを用いて形
成することができる。熱伝導性充てん剤の粉末としては
、電着浴中で分散状態を形成しうるものが用いられるの
であるが、その粒度としては通常0.1〜20km、好
ましくは0.5〜5/im、またその絶縁フェノ中への
添加量としてはフェノ中の樹脂分100重量部当905
〜30重量部、好ましくは1〜10重量部が得られる電
気絶縁層1の熱伝導性、絶縁性、薄層性などの点で適当
でらる○ 第4図に示す本発明の実施例においては、金属芯3は鉄
芯の胴部に穿設された多数の通風孔3“と多数のフィン
3′とを有する。通風孔3″もフィン3′も芯3の放熱
性を改善するものである0通風孔3〃、フィン3′のい
ずれか一方のみ設けた実施例も優れた放熱性を示す。
第5図に示す本発明の実施例においては、芯3の少なく
とも一方の側面の全部及び底面の一部が図示する通シv
L剣絶縁層1′にて絶縁されており、かつ芯3のエッヂ
が欠削されている。かかる構造とすることによりリード
クリップCのさし込みにて、層2と他部材との電気的結
合が容易に行うことが可能となる。
次に、第6図に基づき本発明の金属芯基板の連続的な製
造方法例につき説明する。
銅箔などの導電性金属箔5(第1図の回路形成用の導電
性金属層2となる)がドフム6から供給され、その片面
に粘着性ポリ塩化ビニルなどのマスキングテープ7が貼
着され、上記金属箔5のマスクされていない面は電着浴
8において絶縁ワニヌが電着塗布される。金属箔5と直
接接触するロール電極9と電着浴8中に設置された対同
電ti 10との間に課電を行うことにより金属箔5の
上)こ電着層が形成される。電着の室温における一般条
件は、電圧1〜60V、電流密度0.5 ” 10 m
A/ cj電着浴中の滞留時間1〜60秒、電着浴の固
形濃度10〜25重量%などである0 金属箔5の電着される面は、無処理のままで電着層れて
もよいが、市1着層の耐剥離強度を一層向上させる目的
でサンドベーパ、サンドブラスト、い。あるいは、金属
箔5として電解銅箔の如き、良好な表面あれを有するも
のを用いることも好ましい。
本発明においては電着ワニスとしては前記した通シ種々
の化学種のものを用いることができるが、熱伝導性のよ
い、換言すれば放熱性の艮い電気絶縁層を形成させるう
えではアニオン系電着ワ=Xが好ましい。その理由は次
の通りでるる。即ち、アニオン系電着ワニスを用いた場
合、被電5着体たる金属箔5中の金属が電界の作用によ
シ市T層中に溶出し、この結果、該市゛着層は適当散の
金属を含むこととなり、該金属の存在が、核電着層の熱
伝導性を増大せしめる。ただし、過大量の金属の含有は
電着層の電電絶縁性を悪化させるので金属含有量が1重
量%を越えないように注意する必要がある。かかる観点
から好ましい電着条件は電圧15へ25V、[液密度0
.9〜5 mA/ dである。
次いで、電着された金属箔5は必要に応じマスキングテ
ープ7をロール11を介して取除いたのち形成された電
着層を親水性溶媒あるいは高温度の水蒸剣などで処理す
るために電着層の処理工程におかれる。この処理は必ず
しも必要ではないが、この処理によシ、電着樹脂粒子の
凝結が促進きれ最終的にピンホールの少ない、ひいては
’It気絶縁性にすぐれるwL剣絶縁層を得ることがで
きる。この処理は、電着てれた金属箔5を処理室12に
導入することにより行われる。この際、用いる溶媒とし
ては例えばエチレングリコール、グリセリンのようなア
ルコ−μ、エチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールジプチルエーテル、エチレングリコー
ルモノフェニルエーテルのようなエチレングリコールエ
ーテル、N、N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−
2−ピロリドン、ジメチルスルホキシドのような含窒X
i媒などの親水性溶媒をあげることができる。また、高
温(300〜600’C)水に気で処理してもよい。
特に、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチ
ルアセトアミドなどが好ましく用いられる。
蒸気状態のこれらの溶媒による処理が特に好ましい。溶
媒による処理は、溶媒の種類や温度などの条件により適
宜決定されるが通常3〜30秒間で十分である。
次に、溶媒処理された電着層を有する金属箔は、その電
着層をセミキュアー状態とするため、前加熱炉13にて
加熱される。
その加熱処件としては、最終加熱処理としての焼付は温
度の1〜ユの加熱温度、5秒〜2分間の加熱時間で通常
の場合十分である。
セミキュアーされた電着層の上に、片面に接着剤層を金
属芯帯14がその接着剤層を該電着層側として添わされ
る。金属芯帯14が添わされた金属箔5は、おさえロー
/L’15,16を経て、おさえロー/L/17,18
.・・・を内蔵せる後加熱炉19を通過する間にたとえ
ば150〜300℃で20−′l−40分間加熱される
。この加熱によシミ着層は完全キュアーし、また金属芯
帯14と該電着層との接着も達成される。前加熱炉13
及び後加熱炉19における加熱、特に後加熱炉19にお
ける加熱による金属層の変質や電着層の劣化が問題とな
るときは、炉内をN、 、 Arなどの不活性ガスにて
満すとよい。
第6図の実施例の変形として前加熱炉131に−おいて
1jL着層の完全キュアーを行い、次いで接着剤を用い
て金属芯帯を接清し、後加熱炉19での加熱を省略する
ことも可能である。
片面又は両面に銅などの難酸化性金属の層を有するアル
ミニウムからなる金属箔又は金属ストリップは、本発明
においては導++[性金属箔5として好ましい。かかる
箔(又はストリップ)は、たとえばアルミニウム箔の表
面をジンケート処理し、次いで銅などをメッキすること
により製造することができる。
ジンケート処理に用いる処理液としては、アルミニウム
表面にZn層を形成しうるものであればよく、たとえば
酸化亜鉛などの亜鉛化合物と苛性ソーダなどの苛性アル
カリを含有する処理液が例示できる。なかんずく好まし
く用いうる処理液は苛性ソーダ200〜600 g/l
 、酸化亜鉛20〜200y/l、塩化第二鉄0.5〜
20 f//l 、酒石酸カリウム1〜100 Vl、
硝酸ソーダ0.5〜20 f/lからなアルミニウム表
面へのジンケート処理は、任意の温度で行ってもよいが
低温で行った場合にはZn層の形成に長時間を要し、一
方高温ではZn層がアルミニウム表面に付着し難くなる
ので、20〜65℃、特に25〜55℃の温度域で行う
ことが望ましい。この温度域で行う場合の好ましい処理
時間は1〜60秒間、特に3〜30秒間である。
実施例 以下実施例、比較例において本発明を一層詳細に説明す
る。以下において、部、%はすべで重量部、重量%を意
味する。
実施例1 電解メッキ法によシ得た厚さ35)1mの銅箔の片面を
ポリ塩化ビニル粘着テープにてマヌクし、これを陽極と
してエポキシ−アクリル水分散ワニス(V−551−2
0、ワ=y濃度20重量%、菱電化成社製)からなる浴
に浸漬し、ワニス温度30℃、電流密度1.8mA/d
、浴中滞留時間45秒、電極間距離100 ffの条件
にて電着処理を施して電着層を形成させた。
得られた片面に電着層を有する銅箔を30°CのN、N
−ジメチルホルムアミドに10秒間1tして電着層を溶
媒処理し、片面のマスクシートを剥離除去したのち15
0℃で30分間加熱処処理て電着層を1次キュア(Bス
テージ)させた。
ついで、1次キュアした電着層(厚さ40μm)の上に
接着剤(バイララックス、LF−0100、厚さ25声
m、米国デュポン社製)層を有する厚さ1ffのアルミ
ニウムストリップをかさねて200℃、40分間、20
 kg/d  の条件で熱プレス方式により接着してア
ルミニウム芯基板(厚さ1.11fl)を得た。
比較例1 銅箔の代りに厚さ35μmのアルミニウム箔ヲ用いた点
を除いては、実施例1と同じ方法により厚す1. Of
fのアルミニウム芯基板を得た。
比較例2 ポンダルジンケート液を用いて25℃で処理さレタアル
ミニウム箔を用いた点においてのみ比較例2と異る方法
にて厚さ1.10flのアルミニウム芯基板を得た。
実施例2 絶D J’J 40 )i m、全厚1.15鶴のアル
ミニウム芯基板を実施例1と同じ方法にて得た。ただし
、銅箔の代りに、厚さ90μmのアルミニウムー銅複合
箔を用いた。該箔は、厚さ50μmのアルミニウム箔の
両面を苛性ソーダ水溶液にて処理して酸化アルミニウム
層を除云じ、次いで苛性ソーダ400t/l、ffd化
亜鉛亜鉛109/l、塩化第二鉄I Fl/It、酒石
酸カリウム5 fl/l 、硝酸ソータ゛’5f/l 
よりなる温度30℃のジンケート処理水溶液に30秒間
浸漬してアルミニウム板の表面に層を析出させたのちこ
れを水洗し、次いでそのZn層の上に市。
気メッキ方式によりCuメッキ層(厚さ約10μm)を
形成させてこれを水洗し、乾燥させて両面にZn層及び
Cuメッキ層を形成することにより得た。
また、電着に先立って、Cuメッキ層の表面を、200
 番のサンドペーパにて粗面化した。
実施例3〜7 実施例1と同じ方法にてアルミニウム芯基板を得た。た
だし、実施例3においては次に述べるワニス−Aを、実
施例4においてはワニス−Bを、実施例5においてはワ
ニス−Cを、実施例6においてはワニス−Dを、また実
施例7においてはワニス−Eをそれぞれ用いた。
ワニス−A: 5モルのアクリロニトリル、1モルのアクリル酸、0.
3モルのグリシジルメタクリレートとからなるモノマー
混合物と760yの蒸留水、7.51のラウリル硫酸ソ
ーダ、及び0.131の過硫酸ソーダとをN、ガス流中
で室温にてd r 5〜30分攪拌した。次いで、この
混合物を50〜60℃で4時間反応させて水分散したア
クリルワニスを得たO ワニス−B: 5モルのアクロレイン、1モルのメタクリル酸、及び0
.3モルのアクリル酸アミドとからなる化ツマー混合物
を用いた点のみ、ワニス−Aの製造法と異る方法にてア
クリルワニスを得た。
ワニス−C: 5モルのエチルアクリレート、1モルのアクリル酸、0
.3モルのメチロールアクリルアミドとからなるモノマ
ー混合物と1200 fの蒸留水、12yのラウリル硫
酸ソーダ及び0.21の過硫酸ソーダとを用いた点にお
いてのみ、ワニヌーAの製造法と異る方法にてアクリル
ワニスを得た。
ワニス−D= 5モルのアクリロニトリル、1モルのマレイン酸、0.
3モルのグリシジルメタクリレート、84゜fの蒸留水
、8yのラウリル硫酸ソーダ及び0.15gの過硫酸ソ
ーダとを用いた点においてのみ、ワニス−Aの製造法と
異る方法にてアクリルワニスを得た。
ワニス−E 5モルのアクリロニトリル、1モルのアクリル酸、0.
3モルのグリシジルメタクリレート、2モルのスチレン
、12009の蒸留水、12gのラウリル硫酸ソーダ及
び0.2yの過硫酸ソーダとを用いた点においてのみワ
ニス−Aの製造法と異る方法にてアクリルワニスを得た
〔評価:耐剥離性試験〕
上記の実施例及び比較例で得た基板における初期及び2
00℃、60分間の加熱処理後の導電性箔より電着層を
常温で90度剥離させる際の強度を測定した。
結果を第1表に示す。
以下余白 第  1  表 比較例3 厚さ90)1mのガラス布を1o部のエピコート828
 .20.部のジアミノシ゛フェニルメタン及ヒ1部の
BF−400とからなるエポキシ樹脂にて含浸し、この
エポキシ樹脂をBステージにキュアした。
該ガラス布を厚さ1. Offのアルミニウム板ト厚さ
35.Ilmの銅箔との間にサンドイッチしてヒートプ
レスし、厚さ100.Amのガラス−エポキシ絶縁層を
有するアルミニウム芯基板を得た。
比較例4 厚さ50声mのポリイミドの両表面に接着剤(エポキシ
AH−333、三井石油化学社製)を有するフィルムを
アルミニウム板と銅箔との間にサンドイッチした点にお
いてのみ比較例3と異る方法にてポリイミド絶縁(絶縁
層厚さ60μm)のアルミニウム芯基板を得た。
実施例8 実施例1で用いたフェノ100部と粒径的1μmのアル
ミニウム粉末20部とからなるワニスを用いた以外は、
実施例1と同じ方法にて厚さ40メmの絶縁層を有する
アルミニウム芯基板を得た。
実施例1,7.8及び比較例3.4につき次の2種類の
試験を行った。結果を第2表に示した。
絶縁破壊電圧:JIS  C2110による。
過渡熱抵抗ニアルミニウム芯の裏面にパワートランジス
タTo−220を半田付けして測定。
以下余白 第  2  表 発明の効果 本発明の金属芯基板の電電絶縁層は、耐電圧特性に優れ
ているので、従来品と比較して絶縁層厚を薄くすること
が可能であシ、かくすることにより良好な放熱性を有す
る基板が得られる。また、該絶縁層は耐剥離性にも優れ
ているので導電性金属層に半田付けが行われても半田付
けの熱による絶縁層の剥離の問題がない。
従って、本発明の基板は混成集積回路用基板として有用
である。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第5図(FIG 1〜5)はいずれも本発明の
実施例の断面図でおる。 第6図(FIG6)は本発明の金属芯基板を連続的に製
造する方法の実施例の説明図である。 1:電気絶縁層    6:ロール 2 :導電性金属層    7 :マスキングテープ3
:金属芯      8:[着浴 4:接着剤層     12:溶媒処理室3′二 フィ
ン      13:前加熱炉3“:通風孔     
 14:金属芯帯C: リードクリップ   19二後
加黙炉5:導電性金属箔

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、少なくとも一面が難酸化性の金属からなる導電性金
    属層と、該難酸化性の金属面上に焼付けられた絶縁性有
    機高分子からなる電気絶縁層と、該電気絶縁層と接着さ
    れた金属芯とからなる金属芯基板。 2、難酸化性金属が銅、ニッケル、銀、金、錫からなる
    群から選ばれた1種で特許請求の範囲第1項記載の基板
    。 3、導電性金属層が少なくとも片面に難酸化性金属の層
    を有する酸化性金属層から特許請求の範囲第1〜第2項
    記載の基板。 4、電気絶縁層が下記の(イ)〜(ニ)成分からなるア
    クリル系樹脂の水分散型ワニスを塗布・焼付けて形成し
    たポリアクリル樹脂から特許請求の範囲第1項記載の基
    板。 (イ)成分 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
    ( I ) (ただし、R_1は水素原子又はアルキル基である。) で表わされる化合物の少なくとも1種。 (ロ)成分 一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
    (II) (ただし、R_2はグリシジルエーテル基又はグリシジ
    ルエステル基、R_2は水素原子、アルキル基、アミド
    基、N−アルキルアミド基、アルキロール基、グリシジ
    ルエーテル基又はグリシジルエステル基である。) で表わされる化合物の少なくとも1種。 (ハ)成分 スチレン又はその誘導体の少なくとも1種。 (ニ)成分 前記(イ)、(ロ)又は(ハ)の各成分における二重結
    合と反応しうる二重結合を少なくとも1つ有する不飽和
    有機酸の少なくとも1種。 5、導電性金属箔の表面の難酸化性金属層の上に絶縁ワ
    ニスを塗布し、焼付けて電気絶縁層を形成する工程及び
    電気絶縁層と金属芯を接着する工程とからなる金属芯基
    板の製造方法。 6、絶縁ワニスが電着により施される請求の範囲第5項
    記載の方法。
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