JPS6248089A - 金属芯基板及びその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は混成集積回路用の基板として有用な金属芯基板
並びにその製造方法に関する。

従来の技術及び問題点 最近における電子、電気機器の小型化並びに回路の高密
度化の趨勢によシ、回路から発生するジュール熱を効率
よく放散させることが強く要求されつつある。特に、シ
リコンなどの半導体素子がマウントされている凹所にお
いては、一般にかかる半導体素子は熱に対して敏感であ
って、寿命や誤動作につながるため、上記放熱の要求が
一層切実な問題としてクローズ・アップされている。

ところで、従来、混成集頃回路基板は、そのヒートシン
クに設けたネジ穴を介してケースに螺着する方法で固定
されて来た。この固定方法は主として該基板の着脱を容
易にし、もって回路釜パーツの修理、点検を容易ならし
めるために採用されて来たが、たとえ、強固なネジ止め
を行っても、ヒートシンクとケース間とにミクロン・オ
ーダーの空気層が常に存在し、この空気層が熱伝達を妨
害する。更に、長期間の使用により、あるいは機器の振
動により、ネジがゆるむ場合も屡々あり、かかる場合に
は熱伝導が、換言すると放熱が一層阻害されることとな
る。

と記の放熱問題を解決せんとして、本発明者らは金属基
板の金属芯をケース壁に半田付けするアイデアを悲運す
るに至った。しかしながら、このアイデアも、次に述べ
る理由からその実現が容易ではなかった。即ち、と記の
金属芯は経済性を考慮してアルミニウム、鉄、鋼などの
卑金属にて構成されておシ、これら卑金属は易酸化性の
ために半田付けされ難く、あるいは半田付けのためには
高度の技術や高温度を要する。

本発明の目的は、卑金属からなる金属芯を有する混成集
積回路基板として有用な金属芯基板を提供するにある。

本発明の他の目的は、他部材に容易に半田付けすること
のできる金属芯基板を提供するにある。

本発明の更に他の目的は、上記金属芯基板の製造方法を
提供するにある。

問題解決の手段 而して、本発明は卑金属からなる金属芯の片面に易半田
性の金属のメッキ層を有し、該金属芯の他面にＮ、気絶
縁Ｍを、更にその北に回路形成用の導電性金属層を有す
る金属芯基板を提供する。

′更に本発明は、卑金属のス）　Ｕツブの両面を易半田
性の金属にてメッキし、かく形成されたメッキ層の片面
のみに電気絶縁層を、更にそのとに導電性金属層を形成
することを特徴とする金属芯基板の製造方法を提供する
。

作　　用 卑金属からなる金属芯の片面に易半田性の金属メッキ層
を設けることにより、該金属メッキ層を介して本発明の
金属芯基板を他部材に容易に半田付けすることが可能と
なる。

第１図〜第８図にもとすき本発明の金属芯基板を説明す
ると、金属芯１の片面には易半田性の金属のメッキ層２
を有し、該金属芯の他面に電気絶縁層３、更にそのとに
回路形成用の導電性金属層４を有する。

第２図、第８図に示す実施例においては、メッキ層２が
金属芯１の両面に設けられている。第２図の実施例にお
いては、電気絶縁層３は、その両側の接着剤層５ｔ−介
してそれぞれ、メッキ層２′と導電性金属層４とに接着
している。第３図の実施例においては、電気絶縁層８は
、第２図におけるが如き接着剤層を用いることなくメッ
キ層２′と金属層４とに密着性よくサンドイッチされて
いる。

第１図、第３図の各実施例は、たとえば、金属芯の真）
：（第１図）又はメッキ層２′（第３図）の丘に後記す
る絶縁フェスを電着により施し、次いで電着層を一次焼
付してＢステージにもだうし、最後に導電性金属箔をそ
の土に重ねて加熱・加圧して電着層の二次焼付と接着と
を同時に惹起せしめることによシ製造できる。

本発明において、金属芯１は卑金属からなり、卑金属と
してはアルミニウム類、たとえば純アルミニウム、再生
アルミニウム、各種アルミニウム合金など、鉄類、たと
えば純鉄、各種鉄合金など、鋼類たとえばケイ素鋼、ス
テンレス鋼など、あるいはその他易酸化性にして安価な
構造用金属が用いられる。特に好ましいものは、伝熱性
に優れた純度９５重量叫以との純アルミニウム、及び良
好な伝熱性と透磁率とをあわせ有するケイ素鋼であシ、
ケイ素鋼芯を有する基板は磁気遮蔽効果をも有する。金
属芯１の厚さは用途によって異るが、たとえば０．５〜
５１１Ｉ１１である。

メッキ層２は、軟ロウ、即ち融点が３００℃以下の半田
、たとえばコモンソルダー、プヲンバーソμダー、チン
スミスソルダーなどにて容易に半田付は可能な金属、た
とえば銅、銀、金、白金族元素などの貴金属類、ニッケ
ル、錫、鉛、上記軟ロウ類、あるいは、その融点が少な
くとも１００℃で、かつ、酸化され難いその他の金属に
て形成される。

金属芯１のとへのメッキ層２の形成は、金属芯１の表面
の酸化Ｍｔ機械的研磨又は化学的に溶解するなどの方法
で除去し、次いでジンケート処理し、しかるのち上記の
金属１に電解メッキ法、あるいは無電解メッキ法などに
よりメッキすることにより実現せられる。あるいは、塩
化第１銅の如き還元性の金属塩全金属芯１）１．に施し
、加熱して金属芯１）１．の酸化物の除去と該金属塩の
分解とを同時に惹起せしめてメッキ層２を形成すること
によっても可能である。メッキ層２の厚みは０．５〜１
０μｍ程度の薄層であっても充分効果がある。第１図に
示す実施例の製造には片面にのみメッキ層２を有する金
属芯１が用いられるが、かかる金属芯１は、たとえば、
予めポリ塩化ビニ７ｔｚの粘着デーゾにてその片面をマ
スキングし、残る片面企上記の方法でメッキすることに
より製造することができる。しかしながら、一般に片面
メッキは工程かが雑であるのみならず製品のコヌト企ア
ップさせるなどの問題がある。これに対して両面メッキ
金属芯は製造の容易さ、及びコストの点で有利であるの
みならず、次に述べる理由から、耐剥離性の優れた電気
絶縁層８を形成させるうえからも有利であり、而して、
第２図、第３図などに示す実施例は本発明において特に
好ましい。

即ち、前記した通シ、金属芯１０表面には常に酸化層が
存在し、このため金属芯１のとに直接形成された′ｒｉ
Ｌ気絶縁気絶上層３剥離強度の点で劣る傾向にあり、特
に電着によシ施されたものはその傾向が強い。これに対
して前記した金属、特に銅からなるメッキ層２′のとへ
は、を着法によってもあるいはその他の方法によっても
耐剥離強度の優れた絶縁層１−形成することが可能であ
る。

なお、電気絶縁層８がいずれの方法で施されるにせよそ
の耐剥離性を一層向とさせる目的から、該層３と直接に
、又は接着剤Ｍ５を介して接触する金属層、即ち、第１
図の層１、層４、第２図の層グ、！Ｉａ４、第ａ　図ｏ
ｆｍ　２’、Ｗ４ナトｕＪ　Ｉ　５ＢＯ６０１に規定す
る表面あらさＲｍａｘにして０．１〜１０μｍ程度の均
質な表面あれ？有していることが好ましい。

電気絶縁層３は、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミド
イミド、ポリビニルホルマール、ポリウレタン、ポリエ
ステル、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、
などの耐熱性にして！気絶練性の有機高分子を押出成形
、キャスティングなどの方法で製造したフィルムを接着
剤を用いて貼付ける方式、あるいは上記有機高分子のフ
ェスを多数回塗布・焼付ける方式、更には電着処より塗
布し、焼付ける方式などにて形成することができる。特
に、多数回塗布・焼付けをくり返して形成した絶縁層や
Ｎ、着方式で塗布し、次いで焼付けてなる絶縁層はピン
ホールが少なく、従って耐電圧特性が優れているので好
ましい。特に電Ｍ塗付方式が好ましい。特に好まし７く
用いうるＷｃ着塗料とし、では、下記の（イ）〜に）成
分からなる樹脂を水に分散させたアクリル系フェスをあ
げることができる。

すなわち、一般式（１）： ％式％（１） （ただし、Ｒ１は水素原子又はアルキル基である。） で表わされる（イ）成分の１種又は２種以とと、一般式
（ＩＩ）　： ＨＲ。

　　　Ｒ３ （ただし、Ｒ２はグリシジルエーテル基又はグリシジル
エステル基、Ｒ３は水素原子、アルキル基、アミド基、
Ｎ−アルキルアミド基、アルキロ−μ基、グリシジルエ
ーテル基又はグリシジルエステル基である。） で表わされる（に）成分の１種又は２種以上と、ヌチレ
ン又はその誘導体からなるｒ／つ成分の１種又は２種以
北と、前記のに）成分、（ロ）成分又は（ハ）成分にお
ける二重結合と反応しうる二重結合を少なくとも１つ有
する不飽和有機酸からなるに）成分の１種又は２種以上
とからなるアクリル系樹脂の水分散型フェスである。前
記の（６）成分におけるＲ１、（ロ）成分におけるＲ２
　、Ｒ３及びに）成分はその炭素数が約３０以下、好ま
しくは２０以下、より好ましくは１５以下であるものが
、得られるアクＩＪ　／ｌ／系樹脂の耐熱性の点で好ま
しい。自ｎ記？今成分におけるスチレン銹導体の例とし
てはスチレンのフェニル基が、ニトリル基、ニトロ基、
水酸基、アミノ基、ビニル基、フェニル基、塩素、臭素
等のハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、Ｎ−ア
ルキルアミノ基などで置換されたものなどをあげること
ができ、そのアルキル基としてはメチル基、エチル基、
プロピμ基、ブチル基などを、アラルキル基としてはベ
ンジル基、αもしくはβ−フエ二μエーテル基などを、
Ｎ−７〜キ〜アミノ基としてはＮ〜メチルアミノ基、Ｎ
−エチルアミノ基、Ｎ−プロピルアミノ基などをあげる
ことができる。

また、ｅ→酸成分不飽和有機酸の例としては、アクリル
酸、クロトン酸、ビニル酢酸、メタクリル酸、α−エチ
ルアクリル酸、β−メチルクロトン酸、チグリン酸、２
−ペンテン酸、２−ヘキセン酸、２−ヘプテン酸、２−
オクテン酸、１０−ウンデセン酸、９−オクタデセン酸
、桂皮酸、アトロバ酸、α−ベンジルアクリル酸、メチ
ルアトロバ酸、２．４−ペンタジェン酸、２．４−へキ
サジエン酸、２．４−ドデカジエン酸、９．１２−オク
タデカジエン酸のよりな一塩基酸、マレイン酸、フマー
ル酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、グルタ
コン酸、ムコン酸、ジヒドロムコン酸のヨウナ二塩基酸
、１，２．４−グテントリカμボン酸のよ５７Ｔｈ三塩
基酸などをあげることができる。

好ましく用いうる（イ）成分の代表的具体例としては、
アクリロニトリル、メタクリレートリルなどを、侠）成
分の代表的具体例としてはグリシジルアクリレート、グ
リシジルメタクリレート、アリルグリシジ〃エーテμな
どを、（ハ）成分の代表的具体例としてｔｉスチレン、
メチルスチレン、メチルスチレン、ジビニルベンゼン、
クロロスチレンなどを、に）成分の代表例としてはアク
リル酸、メタクリル酸、α−エチルアクリル酸、クロト
ン酸、マレイン酸、フマール酸などをあげることができ
る。

上記の（イ）〜に）成分からなるアクＩＪ　／＆系樹脂
は、例えば乳化重合方式、溶液重合方式、懸濁重合方式
などの公知の重合方式によシ得ることができる。

前記成分の配合割合としては、（ロ）成分１モル当り０
）成分１〜２０モμ、好ましくは２〜１５モル、より好
ましくは４〜１０モＨ，（（埼成分０．１〜４０モル、
好ましくは０．５〜３０モル、より好ましくは１〜２０
モｐ１に）成分０．０１〜８モル、好ましくは０．０２
〜２モル、より好ましくは０．０８〜１．５モルが適当
である。なお、（／→成分の配合割合が過多であると得
られるアクリル系樹脂が可と９性に劣り好ましくない。

また、重合に際しては例えば（イ）〜に）の４成分を一
緒に混合して反応させてもよいし、（沿成分、（ロ）成
分及びに）成分を反応させその反応途中あるいは反応完
了後に（ハ）成分を加え当該生成物と反応させてもよい
。と記の４成分からなるアクリル系樹脂の重合度として
は、１０，０００〜１．０００，０００．　　好ましく
は１００，０００〜５００，０００程度が適当である。

重合度が低すぎると得られるアクリル系樹脂が強じん性
に劣シ、他方、高すぎると電着作業性処劣るので好まし
くない。

絶縁フェスの塗布・焼付によって形成した電気絶縁層８
は、一般に耐電圧強度が優れているので、その絶縁層厚
さを薄くすることが可能であり、このことは層８の熱伝
導性に、従って金属芯基板の熱放散性に有利（働く。本
発明において層８の厚みは、たとえば２０〜１００μｍ
、好ましくは３０〜５０μｍである。

本発明において電気絶縁層８の熱伝導性を改善する目的
で、該絶＃層に熱伝導性充てん剤を含ませてもよい。か
かる組成の絶縁層はたとえばアルミナ、チッ化ホウ素、
チッ化ケイ素、チッ化アルミニウム、マグネシア、ベリ
リア、ホタμ石などの熱伝導性にすぐれる充てん剤の粉
末を前記の如き絶縁フェス中に分散させたものを用いて
形成することができる。熱伝導性充てん剤の粉末として
は、電着浴中で分散状態を形成しうるものが用いられる
のであるが、その粒度としては通常０．１〜２０μｍ１
好ましくは０．５〜５μｍ、またその絶縁フェス中への
添加量としてはフェス中の樹脂分１００重量部当９０．
５〜３０重量部、好ましくは１〜１０重量部が得られる
電気絶縁層８の熱伝導性、絶縁性、薄層性などの点で適
当である。

層５に用いる接着剤としては各種のものを使用できるが
、特に耐熱性を有するものが好ましく、例えばエボキＶ
系（三井石油化学−Ｅ　ＰＯＸ　−ＡＨ−８３８）、シ
リコン系（東芝シリコン社、ＹＲ−８２８６）、エポキ
シ−ナイロン系（８Ｍ社、ＡＰ−４２）、イミド系（三
菱ガス化学社、ＢＴレジンをベースとしたもの１電気化
学工業社、ラムダイトエポキシＢＮ）などを用いること
ができる。勿論、これら接着剤中に上記した熱伝導性の
充填剤を混合し、接着剤層５の熱伝導性を向上せしめる
ことも放熱性の優れた金属芯基板を得るうえで好ｌしい
。

層４は、銅、ニッケル、銀、金、あるいはその他常温度
における体積抵抗率が１ｏｘｔｏ−６Ω・０ｍ以下、好
ましくは５Ｘ１０−６Ω・０ｍ以下の高電導性金属箔が
用いられる。

次に本発明の金属芯基板の連続的製造方法につき第４図
に基づき説明する。

ロール１１からテーク・オフサレタヒートシンクなどと
して機能するためのアルミニウム長尺帯１０は装置１２
においてその表面がクリーニングされる。このクリーニ
ングは必ずしも必要ではないが、長尺帯１０の表面に付
着せるゴミ、油脂、更には表面の酸化アルミニウム層を
除去しておくことが望ましい。油脂はトリクロμエチレ
ンなどの有機溶媒にて、一方式化アルミニウム層は苛性
ソーダなどの苛性アルカリの水溶液にて、それぞれ溶解
除去することができる。

表面清浄化され乾燥されたアルミニウム帯は装置１４に
至ってデフィマリングされる。プライマリングはアルミ
ニウム帯１０の上に強く結合した銅メッキ層を形成する
うえで有効である。

プライマーとしては、たとえば亜鉛、錫などのメッキが
適しておシ、特に亜鉛が好ましい。亜鉛メッキは良く知
られたジンケート処理によシ施すことができる。

ジンケート処理に用いる処理液としては、アルミニウム
表面にＺｎ層を形成しうるものであればよく、たとえば
酸化亜鉛などの亜鉛化合物と苛性ソーダなどの苛性アル
カリを含有する処理液が例示できる。なかんずく好まし
く用いうる処理液は苛性ソーダ２００〜６００　ｆｉ／
ｌ、酸化亜鉛２０〜２０　Ｏｆ！／ｌ、塩化第二鉄０．
５〜２０９／ｌ、酒石酸カリウム１〜１００ｉ／ｌ、ａ
ｎソーダ０．５〜２０　ｊｊ／ｌからなる水溶液である
。

アルミニウム表面へのジンケート処理は、任意の温度で
行ってよいが低温で行った場合にはＺｎ層の形成に長時
間を要し、一方高温ではＺｎ層が７５ｖミニウム表面に
付着し難くなるので、２０〜６５℃、特に２５〜５５℃
の温度域で行うことが望ましい。この温度域で行う場合
の好ましい処理時間は１〜６０秒間、特に８〜３０秒間
である。

プライマーとへの銅メッキは、装置１５において行われ
る。銅メッキは電気メツキ方式、化学メッキ方式のいず
れの方式にて行ってもよくまた、特に厚さの大きい銅メ
ッキ層を形成する必要はなく、前記したように０．５〜
１０μｍ程度の薄込もので充分である。かくして両面に
銅メッキされたアルミニウム長尺体が得られる。

次いで、その片面はポリ塩化ビニル粘着テープなどのマ
スキングテープ１３を貼付けてマスクされ、残る片面に
電気絶縁層が電着及び焼付によシ形成される。この電着
は電着浴１６において行われる。アルミニウム帯１０と
直接接触するロール電極１７とに着浴１６中に設置され
た対向電極１８との間に課電を行うことによシ銅メッキ
層の上に電着層が形成される。電着の室温における一般
条件は電圧１〜６０ｖ１電流密度０．５〜１０ｍＡ／ｄ
、電着浴中の滞留時間１〜６０秒、電着浴の固形濃度１
０〜２５重ｉチである。

前工程で施された銅メッキ層の表面は、無処理のままで
電着を行ってもよいが、電着層の耐剥離強度を一層向上
させる目的で、サンドベーパ、サンドブラスト、研磨ロ
ールあるいはその他の研磨手段にて適当に粗面化処理し
ておくことが好ましい。Ｊ、Ｉ！３３０６０１に規定す
る表面あらさＲｌｎａＸが０．１〜１０μｍ程度のあら
さが特忙好ましい。

本発明においては［着ワニスとしては前記した通り種々
の化学種のものを用いることができるが熱伝導性のよい
、換言すれば放熱性の良い電気絶縁層を形成させるうえ
ではアニオン系ｔＷ！フェスが好ましい。その理由は次
の通りである。即ち、アニオン系電着ワニスを用いた場
合、被１！着体たルアＩＬ’ミニウム帯１０上の銅メッ
キ層は陽極とされ、電着工程の間、該銅メツキ層中の銅
が電解の作用により電着層中に溶出し、この結果、該を
着層は適当量の銅を含むこととなシ、銅の存在が、該電
着層の熱伝導性を増大せしめる。ただし、過大量の銅の
含有は電Ｍ層の電気絶縁性を悪化させるので銅含有量が
１重ｉチを越えな込ように注意する必要がある。かかる
観点から好ましい電着条件は電圧１５〜２５Ｖ、？ｌｆ
ｌ密流０．９〜５　ｍＡ／ｃＩｌである。

次いで電着されたアルミニウム帯１０は必要に応じマス
キングテープ１８をロー１′ｖ１９を介して取除いたの
ち、形成された電着層を親水性溶媒あるいは高温度の水
蒸気などで処理するために電着層の処理工程におかれる
。この溶媒処理は必ずしも必要ではないが、この処理に
よシ、電着樹脂粒子の凝結が促進され最終的にピンホー
ルの少ない、ひいては電気絶縁性にすぐれる電気絶縁Ｉ
Ｗｊを渇ることができる。この処理は、電着されたアル
ミニウム帯１０を処理室２０に導入することによシ行わ
れる。この際、用いる溶媒としては例えばエチレングリ
コール、グリセリンのようなアルコール１エチレングリ
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールジブチ
ルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル
のようなエチレングリコ−ρエーテル、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−
メチ／ｖ−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシトのよ
うな含窒素溶媒などの親水性溶媒をあげることができる
。

また、高温（３００〜６００℃）水蒸気で処理してもよ
い。特に、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジ
メチルアセトアミドなどが好ましく周込られる。蒸気状
態のこれらの溶媒による処理が特に好ましい。溶媒によ
る処理は、溶媒の種類や温度などの条件により適宜決定
されるが通常８〜８０秒間で充分である。

次に、溶媒処理された電着層を有するアルミニウム帯１
０はその電着［−セミキュアー状態とするため、前加熱
炉２１にて加熱される。

その加熱条件としては、最終加熱処理としての焼付は温
度の１／３〜３１５の加熱温度、５秒〜２分間の加熱時
間で通常の場合充分である。

セミキュアーされた！着層の上に片面に接着層を右手る
銅テープなどの導電性金属テープ２２がその接着剤層を
該電着層側として添わされる。アルミニウム帯１０はお
さえロー／Ｌ’２Ｂ、２４を経て、おさえロー／ｌ’２
５．２５、・・・を内蔵せる後加熱炉２７を通過する間
にたとえば１５０〜８００℃で２０〜４０分間加熱され
る。この加熱により電着層は完全キュアーし、ま九導電
性金属テープ２２と該電着層との接着も達成される。前
加熱炉２１及び後加熱炉２７における加熱、特に後加熱
炉２７における加熱による金属層の変質や、電着層の劣
化が問題となるときは、炉内をＮ２．Ａｒなどの不活性
ガスにて満すとよい。

第４図の実施例の変形として前加熱炉２１において￥ｌ
Ｌ着層の完全キュアーを行い、次いで接着剤を用いて導
電性金属テープを接着し、後加熱炉２７での加熱を省略
することも可能である。またアルミニウム長尺体１０に
代えて、ケイ素鋼、あるいはその他の卑金属の長尺体を
用い、また銅メッキに代えてその他の易半田付は金属を
用いて上記と同様にして本発明の金属芯基板を製造する
ことができる。

実施例 以下実施例、比較例において本発明を一層詳細に説明す
る。以下において、部、俤はすべて重量部、重量％を意
味する。

実施例１ １２０９／ｌ苛性ソーダ水溶液による処理にて表面の酸
化アルミニウム層が除去された厚さ１ｆｆ１１１のアル
ミニウム板を、苛性ソーダ４０　Ｑ　ｊｊ／ｌ。

酸化亜鉛１０（１／ｌ、塩化第二鉄１　ｇ／ｌ、酒石酸
カリウム５１１／１．硝酸ソーダ５ｇ１ｌよシなる温度
８０℃のジンケート処理水溶液に８０秒間浸漬してアル
ミニウム板の表面にＺｎＮｊｊを析出させたのちこれを
水洗し、次いでそのＺｎ層の上に電電メッキ方式によ、
９Ｃｕ　メッキ層（厚さ２０μｍ）を形成させてこれを
水洗し、乾燥させて両面ＫＺｎＭ及びＣｕメッキ層を有
するアルミニウム芯板を得た。

次に、このアルミニウム芯板（４５０ｍｍＸ４５０ｍｍ
）の片面にポリ塩化ビニρ粘着シート？貼着してマスク
処理し、残る片面を＃２００番のサンドベーパてあらく
したのち、これを陽極としてエポキシ−アクリル水分散
フェス（ｖ−５５１−２０、ワニヌ濃度２０重量慢、菱
電化成社製）からなる浴に浸漬し、フェス温度３０℃、
課電処件１．８ｍＡ／ｃｄ、４５秒間、電極間距離１０
０ｍｍの条件にて電着処理を施して電着層を形成させた
。

得られた片面に電着層を有するアルミニウム芯板金８０
℃のＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミドに１０秒間浸漬して
電着層を溶媒処理し、片面のマスクシートラ剥離除去し
たのち１５０℃で３０分間加熱処理して電着層ｔ−１次
キュアさせた。

ついで、１次キュアした電Ｆｌｆ（厚さ４０μｍ）のと
に接着剤フィルム（パイラックス、ＬＦ−０１００、厚
さ２５μｍ、米国デュポン社製）ヲかさね、その土に厚
さ３５μｍの銅箔を２００℃、４０分間、２０１に９／
３Ｉの条件で熱プレス方式により接着して裏面に銅メッ
キ層を有するアルミニウム芯基板（厚さ１．１１Ｍ）を
得た。

比較例 ｙｖミ＝ｅｙム板の片面を予めポリ塩化ビニル粘着テー
プ貼着てマスクした点においてのみ異る実施例１に準じ
た方法によシアルミニウム芯ｏｉｉに銅メッキ層を有し
ないアルミニウム芯基板’ｋｌた。

実施例１の基板は半田付けにより、一方、比較例１０基
板ｌｉ２本のネジにょシ、それぞれ別途用意した厚さ２
Ｍの銅板に取付けて、それぞれの基板と銅板との間の接
触熱抵抗を測定したところ、実施例１の場合は０．００
６℃／Ｗ、比較例１の場合は０．６℃／Ｗであった。

実施例２〜６ 実施例１と同じ方法にてアルミニウム芯基板を得た。た
だし、実施例２ＹＣおいては、次に述べるワニ７．−Ａ
ｆ　、実施例３においてはワニヌーＢを、実施例４にお
いてはワニス−ｃ２、実施例５におイテハワニスーＤを
、また実施例６においてはワニス−Ｅをそれぞれ用いた
。

ワニス−Ａ： ５モルのアクリロニトリ／Ｌ／、　　１モルのアクリル
酸、０．３モルのグリシジルメタクリレートとからなる
化ツマー混合物と、７６０．９の蒸溜水、７，５Ｉのラ
ウリル硫酸ソーダ、及びｏ、　ｔ　ａ　ｙの過硫酸ソー
ダと’Ｔｈｌ’ｈ　　がへ流中で室温にて１５〜３０分
間攪拌混合した。次いでこの混合物を５０〜６０℃で４
時間反応させて水分散型アクリルフェスを得た。

ワニス−Ｂ＝ ５モルの７クロレイン、１モルのメタクリル酸、及び０
．３モルのアクリル酸アミドとからなる化ツマー混合物
を用いた点のみ、ワニス−Ａ　（Ｄ　Ｗ　ａ　法と異る
方法にてアクリルヮニ７　’ｒ：　ｍ　タ。

ワニス−Ｃ： ５モルのエチルアクリレート、１モルのアクリルａ、Ｏ
，ａ七μのメチロールアクリルアミドトカらなる化ツマ
ー混合物と、１２００．＠の蒸溜水、１２．９のラウリ
ル硫酸ソーダ及び０．２ｇの過硫酸ソーダとを用いた点
くおいてのみ、ワニス−Ａの製造法と異る方法にてアク
リルフェスを得た。

ワニス−Ｄ＝ ５モルの７クリロニトリル、１モルのマレイン酸、０．
３七μのグリシジルメタクリレート、８４０９の蒸溜水
、８ｇのラウリル硫酸ソーダ、及び０．１５ｇの過硫酸
ソーダとを用いた点においてのみ、ワニヌーＡの製造法
と異る方法にてアクリルワニスを得た。

ワニス−Ｅ： ５モルのアクリロニトリル、１モルのアクリル酸、０．
３七〃のグリシジルメタクリレート、２モルのスチレン
、１２００ｇの蒸溜水、１２ｇのラウリル硫酸ソーダ、
及び０．２　ｇの過硫酸ソーダとを用いた点においての
みワニス−Ａの製造法と異ル方法にてアクリレート）ｌ
　ｔ　４　ｋ。

〔評価：耐剥離性試験〕

上記の実施例で得た基板における初期及び２００℃、６
０分間の加熱処理後のアルミニウム芯よシミ着層を常温
で９０度剥離させる際の強度を測定した。結果を第１表
に示す。

実施例７ 厚さ９０μｍのガラス布を１０部のエピコート８２８Ｒ
，２０部のジアミノジフェニルメタン、及び１部のＢＦ
−４０ＯＲとからなるエポキシ樹ＱＩＩＣて含浸し、こ
のエポキシ樹脂ｔＢステージにキュアした。

該ガラス布を厚さ１．０１の７μミニクム板（両面ＫＪ
ｌ１２０μｍｏコモンソルダ一層を有する）と厚さ３５
μｍの銅箔との間にサンドイッチし・でヒートプレスし
、厚さ１００μｍのガラス−エポキシ絶縁層を有するア
ルミニウム芯基板を得た。

実施例８ 厚さ５０μｍのポリイミドの両表面に接着剤（エポキシ
　ＡＨ−８８８Ｒ１三井石油化学社製）全盲スルフィμ
ムをアルミニウム板と銅箔との間にサンドイッチした点
においてのみ実施例７と異る方法にてポリイミド絶縁（
絶縁層厚さ６０μｍ）のアルミニウム芯基板を得た。

実施例９ 実施例１で用いたワニス１００部と粒径的１μｍのアル
ミニウム粉末２０部とからなるワニスを用いた以外は実
施例１と同じ方法にて厚さ４０μｍの絶縁層を有するア
ルミニウム芯基板を得た。

実施例１．６〜９につき次の２種類の試験を行い、結果
を第２表に示した。

絶縁破壊電圧：ＪＩＳ　　０　２１１０による。

過渡熱抵抗ニアルミニウム芯の裏面にパワートフンリス
タＴＯ−２２０を半田付けして測定。

第　　２　　表 発明の効果 本発明の金属芯基板は、基板の裏面に設けた易半田性の
金属メッキ層を有するので融点が３００℃以下の所謂軟
ロウを用いて容易に他の部材に半田付けすることが可能
である。基板を半田付けにより他部材に結合させること
により、電気回路で発生する熱を効果的に逃すことがで
き、しかも長時間、加振下において使用するも従来の螺
着の場合にみられた結合界面のゆるみが生じない。従っ
て本発明の基板は長期間にわたり安定した充分な放熱が
要求される場合や、振動状態にある物品などの混成集積
回路用基板として有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第８図（ＦＩＧＩ〜８）はいずれも本発明の実
施例の断面図である。 第４図（ＦＩＧ４）は本発明の金属芯基板の製造方法の
実施例の説明図である。 １：金属芯、２：易半田性金属のメッキ層、３：ａ気絶
線層、４：導電性金属層、５：接着剤層、１０ニアルミ
ニウム長尺帯、１１：ロール１１２°クリーニング、１
８：マスキングテープ、１４：プライマリング装置、１
５：銅メツキ装置、１６：［着浴、２０：溶媒処理室、
２１：自Ｍ加熱炉、２２：導電性金属テープ、２７：後
加熱炉。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、卑金属からなる金属芯の片面に易半田性の金属のメ
   ッキ層を有し、該金属芯の他面に電気絶縁層を、更にそ
   の上に回路形成用の導電性金属層を有する金属芯基板。 ２、卑金属がアルミニウム、鉄、鋼からなる群から選ば
   れた少なくとも１種で特許請求の範囲第１項記載の基板
   。 ３、易半田性の金属が融点３００℃以下の軟ロウで特許
   請求の範囲第１〜２項記載の基板。 ４、卑金属のストリップの両面を易半田性の金属にてメ
   ッキし、かく形成されたメッキ層の片面のみに電気絶縁
   層を、更にその上に導電性金属層を形成することを特徴
   とする金属芯基板の製造方法。 ５、電気絶縁層を易半田性金属のメッキ層上に絶縁性ワ
   ニスを塗布、焼付けすることにより形成する請求の範囲
   第４項記載の製造方法。