JPH06120657A - 金属ベース基板の製造法 - Google Patents
金属ベース基板の製造法Info
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- JPH06120657A JPH06120657A JP26351192A JP26351192A JPH06120657A JP H06120657 A JPH06120657 A JP H06120657A JP 26351192 A JP26351192 A JP 26351192A JP 26351192 A JP26351192 A JP 26351192A JP H06120657 A JPH06120657 A JP H06120657A
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- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】曲がりや反りが少なく低コストで高性能の金属
ベース基板の製造方法を提供すること。 【構成】銅箔１と絶縁層２と金属板３よりなる金属ベー
ス基板において、銅箔１に少なくともエポキシ樹脂、無
機フィラー、上記エポキシ樹脂の硬化剤と溶剤とよりな
るワニスを塗布し、加熱によりＢステージ状態のと塗膜
にした後、更にこの塗膜表面に上記ワニスを塗布し、Ａ
ステージ状態の塗膜にした絶縁層２を有すること。
ベース基板の製造方法を提供すること。 【構成】銅箔１と絶縁層２と金属板３よりなる金属ベー
ス基板において、銅箔１に少なくともエポキシ樹脂、無
機フィラー、上記エポキシ樹脂の硬化剤と溶剤とよりな
るワニスを塗布し、加熱によりＢステージ状態のと塗膜
にした後、更にこの塗膜表面に上記ワニスを塗布し、Ａ
ステージ状態の塗膜にした絶縁層２を有すること。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線板に用い
られる金属ベース基板に関する。
られる金属ベース基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高電圧で駆動するパワートランジ
スタやハイブリットＩＣを高密度にプリント配線板に実
装する例が増加し、熱処理の問題が重要になってきた。
このため、放射性に優れた金属ベース基板が使用されて
いる。この製造法方としては、特開昭６０−７１９５号
に示されているように、金属板に高熱伝導性フィラーを
分散した高熱伝導性接着剤を塗布・硬化後更に上記接着
剤を塗布し、未硬化の状態に乾燥し、その表面に導体を
積層し、熱プレスで接着する方法がある。
スタやハイブリットＩＣを高密度にプリント配線板に実
装する例が増加し、熱処理の問題が重要になってきた。
このため、放射性に優れた金属ベース基板が使用されて
いる。この製造法方としては、特開昭６０−７１９５号
に示されているように、金属板に高熱伝導性フィラーを
分散した高熱伝導性接着剤を塗布・硬化後更に上記接着
剤を塗布し、未硬化の状態に乾燥し、その表面に導体を
積層し、熱プレスで接着する方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術で
は、工程中で曲がったり、反ったりしない金属板に高熱
伝導性フィラーを分散した高熱伝導性接着剤を形成して
金属板の曲がりや反りによる接着剤層の割れや剥離を防
止している。しかしながら、金属サイズが大きくなり、
且つ板厚が薄くなると作業工程中で曲がりや反りによる
接着剤の割れや剥離が発生しやすいという課題が発生す
る。また、表面に積層する導体（ロール状銅箔、厚さ１
８〜７０μｍ）に接着剤層を設け、連続化、高生産性に
よる低コストに限度がある。
は、工程中で曲がったり、反ったりしない金属板に高熱
伝導性フィラーを分散した高熱伝導性接着剤を形成して
金属板の曲がりや反りによる接着剤層の割れや剥離を防
止している。しかしながら、金属サイズが大きくなり、
且つ板厚が薄くなると作業工程中で曲がりや反りによる
接着剤の割れや剥離が発生しやすいという課題が発生す
る。また、表面に積層する導体（ロール状銅箔、厚さ１
８〜７０μｍ）に接着剤層を設け、連続化、高生産性に
よる低コストに限度がある。
【０００４】本発明は、曲がりや反りが少なく低コスト
で高性能の金属ベース基板の製造方法を提供するもので
ある。
で高性能の金属ベース基板の製造方法を提供するもので
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の金属ベース基板
の製造方法は、図１に示すように、銅箔１と絶縁層２と
金属板３よりなる金属ベース基板において、銅箔１に少
なくともエポキシ樹脂、無機フィラー、上記エポキシ樹
脂の硬化剤と溶剤とよりなるワニスを塗布し、加熱によ
りＢステージ状態のと塗膜にした後、更にこの塗膜表面
に上記ワニスを塗布し、Ａステージ状態の塗膜にした絶
縁層２を有することを特徴とする。
の製造方法は、図１に示すように、銅箔１と絶縁層２と
金属板３よりなる金属ベース基板において、銅箔１に少
なくともエポキシ樹脂、無機フィラー、上記エポキシ樹
脂の硬化剤と溶剤とよりなるワニスを塗布し、加熱によ
りＢステージ状態のと塗膜にした後、更にこの塗膜表面
に上記ワニスを塗布し、Ａステージ状態の塗膜にした絶
縁層２を有することを特徴とする。
【０００６】絶縁層２の成分であるエポキシ樹脂として
は、ビスフェノールＡ型エポキシのエピコート８１２、
８２８、８３４（油化シェル株式会社製、商品名）、ビ
スフェノールＦ型エポキシのＹＤＦ−１７０（東都化成
株式会社製、商品名）、ノボラック型エポキシのＤＥＮ
−４３１（ダウケミカル社製、商品名）、ＥＳＣＮ−０
０１（住友化学株式会社製、商品名）、ポリエポキシの
ディナコールＥＸ−４１１（ナガセ化成株式会社製、商
品名）等が使用可能である。
は、ビスフェノールＡ型エポキシのエピコート８１２、
８２８、８３４（油化シェル株式会社製、商品名）、ビ
スフェノールＦ型エポキシのＹＤＦ−１７０（東都化成
株式会社製、商品名）、ノボラック型エポキシのＤＥＮ
−４３１（ダウケミカル社製、商品名）、ＥＳＣＮ−０
０１（住友化学株式会社製、商品名）、ポリエポキシの
ディナコールＥＸ−４１１（ナガセ化成株式会社製、商
品名）等が使用可能である。
【０００７】熱伝導性の向上のための無機フィラーとし
ては、Ａｌ2Ｏ3、ＳiＣ、ＢＮ、ＳiＯ2等のセラミック
ス粒子を使用することが可能である。エポキシ樹脂の硬
化剤としては、特に制限するものはないが、ワニスライ
フの長い潜在性の高いものが好ましい。この例として
は、三級アミン、酸無水物、イミダゾール化合物、ポリ
フェノール樹脂、マスクイソシアネート等の一種以上を
使用することができる。また、ワニスに使用す。有機溶
剤としては、上記したエポキシ樹脂と硬化剤が溶解すれ
ば特に制限するものではなく、例えば、アセトン、ＭＥ
Ｋ、トルエン、キシレン、メチルグリムコール、酢酸セ
ロソルブ、ジメチルフォルムアミド等の単独または混合
して使用することが可能である。
ては、Ａｌ2Ｏ3、ＳiＣ、ＢＮ、ＳiＯ2等のセラミック
ス粒子を使用することが可能である。エポキシ樹脂の硬
化剤としては、特に制限するものはないが、ワニスライ
フの長い潜在性の高いものが好ましい。この例として
は、三級アミン、酸無水物、イミダゾール化合物、ポリ
フェノール樹脂、マスクイソシアネート等の一種以上を
使用することができる。また、ワニスに使用す。有機溶
剤としては、上記したエポキシ樹脂と硬化剤が溶解すれ
ば特に制限するものではなく、例えば、アセトン、ＭＥ
Ｋ、トルエン、キシレン、メチルグリムコール、酢酸セ
ロソルブ、ジメチルフォルムアミド等の単独または混合
して使用することが可能である。
【０００８】上記成分を含有す。ワニスの製造法として
は、らいかい器、三本ロール及びビーズミル等を組み合
わせて行うことができる。なお、無機フィラーの分散を
十分に行う混練法ならばどのような方法でも良い。ま
た、ワニスの作製後、真空脱気によりワニス中の空気を
除去することが好ましい。ワニスを銅箔に塗工する方法
としては、バーコータ、ディップコータ等があるが、ク
レーターボイド等の欠陥が少なく塗膜厚をほぼ均一に塗
工できる方法ならば、どのような方法でも良い。ワニス
の塗工、乾燥、硬化条件については、塗膜第１層として
銅箔上にワニスを塗布し、これをＢステージ状態に加熱
硬化した後、この上に塗膜第２層を塗工し、Ａステージ
状態にする方法をとっている。このように塗膜を２層に
分けて塗工する理由は、塗膜中に発生するボイドまた
は、異物等の欠陥により絶縁特性が悪化する割合を１層
のみの塗工を行った場合と比べて大幅に低減することが
できるからである。また塗膜第１層、第２層の硬化状態
については、それぞれ以下の理由で限定される。まず第
１層については、第１層がＡステージの場合、第２層塗
工時に第１層が溶解するため、残溶剤量が増加し、塗膜
中のボイドの発生更には絶縁抵抗低下をもたらす。第１
層がＣステージの場合、第１層、第２層間の密着性が低
下し、はんだ耐熱性が低下する。第１層がＢステージの
場合、第２層塗工時に第１層は表面のみ問題のない程度
に溶解するため、第１層、第２層間密着性は良好であ
り、また絶縁特性も良好である。
は、らいかい器、三本ロール及びビーズミル等を組み合
わせて行うことができる。なお、無機フィラーの分散を
十分に行う混練法ならばどのような方法でも良い。ま
た、ワニスの作製後、真空脱気によりワニス中の空気を
除去することが好ましい。ワニスを銅箔に塗工する方法
としては、バーコータ、ディップコータ等があるが、ク
レーターボイド等の欠陥が少なく塗膜厚をほぼ均一に塗
工できる方法ならば、どのような方法でも良い。ワニス
の塗工、乾燥、硬化条件については、塗膜第１層として
銅箔上にワニスを塗布し、これをＢステージ状態に加熱
硬化した後、この上に塗膜第２層を塗工し、Ａステージ
状態にする方法をとっている。このように塗膜を２層に
分けて塗工する理由は、塗膜中に発生するボイドまた
は、異物等の欠陥により絶縁特性が悪化する割合を１層
のみの塗工を行った場合と比べて大幅に低減することが
できるからである。また塗膜第１層、第２層の硬化状態
については、それぞれ以下の理由で限定される。まず第
１層については、第１層がＡステージの場合、第２層塗
工時に第１層が溶解するため、残溶剤量が増加し、塗膜
中のボイドの発生更には絶縁抵抗低下をもたらす。第１
層がＣステージの場合、第１層、第２層間の密着性が低
下し、はんだ耐熱性が低下する。第１層がＢステージの
場合、第２層塗工時に第１層は表面のみ問題のない程度
に溶解するため、第１層、第２層間密着性は良好であ
り、また絶縁特性も良好である。
【０００９】次に第２層については、第２層がＢステー
ジの場合、塗膜可撓性が低下するため、塗膜にクラック
が発生し易く、作業性が悪化するとともに耐電圧特性低
下の原因となる。また塗膜の流動性が低下するため、金
属板と加圧加熱一体化した場合、良好な密着性が得られ
ない。第２層がＡステージの場合、塗膜可撓性、金属板
との密着性共に良好である。次に図１に示したように、
この絶縁層付銅箔と金属板３を重ね合わせ、加圧加熱一
体化することにより金属ベース基板を得ることができ
る。金属板３としては、厚さ０．５〜２．０mm程度のア
ルミ板、銅板、鉄板等を使用することができ、必要に応
じて、その接着面を研磨エッチングカップリング剤処
理、プライマー塗布等を行っても良い。
ジの場合、塗膜可撓性が低下するため、塗膜にクラック
が発生し易く、作業性が悪化するとともに耐電圧特性低
下の原因となる。また塗膜の流動性が低下するため、金
属板と加圧加熱一体化した場合、良好な密着性が得られ
ない。第２層がＡステージの場合、塗膜可撓性、金属板
との密着性共に良好である。次に図１に示したように、
この絶縁層付銅箔と金属板３を重ね合わせ、加圧加熱一
体化することにより金属ベース基板を得ることができ
る。金属板３としては、厚さ０．５〜２．０mm程度のア
ルミ板、銅板、鉄板等を使用することができ、必要に応
じて、その接着面を研磨エッチングカップリング剤処
理、プライマー塗布等を行っても良い。
【００１０】本発明によれば、銅箔１と絶縁層２と金属
板３よりなる金属ベース基板において、銅箔１に少なく
ともエポキシ樹脂、無機フィラー、上記エポキシ樹脂の
硬化剤と溶剤からなるワニスを塗布し、加熱によりＢス
テージ状態の塗膜にした後、更にこの塗膜表面に上記ワ
ニスを塗布し、Ａステージ状態の塗膜を形成することに
より、放熱性、絶縁性、耐電圧特性、はんだ耐熱性等が
良好な金属ベース基板を得ることができる。
板３よりなる金属ベース基板において、銅箔１に少なく
ともエポキシ樹脂、無機フィラー、上記エポキシ樹脂の
硬化剤と溶剤からなるワニスを塗布し、加熱によりＢス
テージ状態の塗膜にした後、更にこの塗膜表面に上記ワ
ニスを塗布し、Ａステージ状態の塗膜を形成することに
より、放熱性、絶縁性、耐電圧特性、はんだ耐熱性等が
良好な金属ベース基板を得ることができる。
【００１１】
【実施例】実施例１、２ （１）下表に示した材料のうち、液状エポキシ樹脂と無
機フィラーと有機溶剤（ＭＥＫ／メチルグリレコール＝
２／１）をらいかい器で混合する。次にその他の材料を
添加したのち、ビーズミルで混練し、更に上記有機溶剤
で粘度１５００±５０cps （２５℃）に調整し、真空脱
気する。
機フィラーと有機溶剤（ＭＥＫ／メチルグリレコール＝
２／１）をらいかい器で混合する。次にその他の材料を
添加したのち、ビーズミルで混練し、更に上記有機溶剤
で粘度１５００±５０cps （２５℃）に調整し、真空脱
気する。
【００１２】
【表１】
【００１３】（２）厚さ７０μｍの銅箔に、塗膜第１層
として乾燥後の、膜厚が３５μｍになるよう上記ワニス
を塗工後、１００℃／２分、１２０℃／２分、１４５℃
／４分間乾燥し、Ｂステージ状態にする。更にこの上に
第２層として乾燥後の膜厚が１、２層合わせて７０μｍ
になるように上記ワニスを塗工後１００℃／２分、１１
０℃／６分間乾燥し、Ａステージ状態にする。 （３）厚さ０．８mmt ，サイズ５００×５００mmのアル
ミ板を＃６００のベルトサンダーで研磨、洗浄後、上記
した絶縁層付銅箔と重ね合わせ１７０℃／２０kgf ／／
３０分の条件で加圧加熱した。 （４）次に、オーブン中で２１０℃／１０分間加熱し
た。
として乾燥後の、膜厚が３５μｍになるよう上記ワニス
を塗工後、１００℃／２分、１２０℃／２分、１４５℃
／４分間乾燥し、Ｂステージ状態にする。更にこの上に
第２層として乾燥後の膜厚が１、２層合わせて７０μｍ
になるように上記ワニスを塗工後１００℃／２分、１１
０℃／６分間乾燥し、Ａステージ状態にする。 （３）厚さ０．８mmt ，サイズ５００×５００mmのアル
ミ板を＃６００のベルトサンダーで研磨、洗浄後、上記
した絶縁層付銅箔と重ね合わせ１７０℃／２０kgf ／／
３０分の条件で加圧加熱した。 （４）次に、オーブン中で２１０℃／１０分間加熱し
た。
【００１４】比較例１ 塗膜第１層の乾燥条件が１００℃／２分、１１０℃／６
分であり、Ａステージ状態である他は、実施例１と同様
である。
分であり、Ａステージ状態である他は、実施例１と同様
である。
【００１５】比較例２ 塗膜第１層の乾燥条件が１００℃／２分、１６０℃／６
分であり、Ｃステージ状態である他は、実施例１と同様
である。
分であり、Ｃステージ状態である他は、実施例１と同様
である。
【００１６】比較例３ 塗膜第２層の乾燥条件が１００℃／２分、１２０℃／２
分、１４０℃／４分であり、Ｂステージ状態である他
は、実施例１と同様である。以上述べたようにして作製
した金属ベース基板の特性を下表に示した。本発明によ
る金属ベース基板は、比較例に較べて、絶縁破壊電圧、
クラックの発生、はんだ耐熱性及びピール強度の点で優
れている。
分、１４０℃／４分であり、Ｂステージ状態である他
は、実施例１と同様である。以上述べたようにして作製
した金属ベース基板の特性を下表に示した。本発明によ
る金属ベース基板は、比較例に較べて、絶縁破壊電圧、
クラックの発生、はんだ耐熱性及びピール強度の点で優
れている。
【００１７】
【表２】 注１）最小ＢＤＶ：最小絶縁破壊電圧 ２）はんだ耐熱性：３００℃−３０秒 ３）絶縁層、金属板間で剥離発生 ４）塗膜第１層、第２層間で剥離発生
【００１８】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によっ
て、金属ベース基板には次の効果が得られる。 １）塗膜第１層をＢステージ、第２層とＡステージにな
るように乾燥硬化することにより、絶縁層中に気泡やク
ラックが発生せず、絶縁性と放熱性に優れている。 ２）また塗膜１、２層間及び絶縁層、金属板間、密着性
に優れているため、はんだ耐熱性、耐電圧特性に優れて
いる。
て、金属ベース基板には次の効果が得られる。 １）塗膜第１層をＢステージ、第２層とＡステージにな
るように乾燥硬化することにより、絶縁層中に気泡やク
ラックが発生せず、絶縁性と放熱性に優れている。 ２）また塗膜１、２層間及び絶縁層、金属板間、密着性
に優れているため、はんだ耐熱性、耐電圧特性に優れて
いる。
【図１】本発明による金属ベース基板の断面図である。
１．銅箔 ２．絶縁層 ３．金属板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小畑 和仁 茨城県下館市大字五所宮1150番地 日立化 成工業株式会社五所宮工場内
Claims (1)
- 【請求項１】銅箔１と絶縁層２と金属板３よりなる金属
ベース基板において、銅箔１に少なくともエポキシ樹
脂、無機フィラー、上記エポキシ樹脂の硬化剤と溶剤と
よりなるワニスを塗布し、加熱によりＢステージ状態の
塗膜にした後、更にこの塗膜表面に上記ワニスを塗布
し、Ａステージ状態の塗膜にした絶縁層２を有すること
を特徴とした金属ベース基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26351192A JPH06120657A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 金属ベース基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26351192A JPH06120657A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 金属ベース基板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120657A true JPH06120657A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17390549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26351192A Pending JPH06120657A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 金属ベース基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120657A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000353772A (ja) * | 1999-06-11 | 2000-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱伝導樹脂組成物構造体及びその製造方法、並びに、それを用いた熱伝導基板及びその製造方法 |
| KR20010002974A (ko) * | 1999-06-18 | 2001-01-15 | 김영 | 철근의 부식방지 및 접착력 향상을 위한 피막 도포방법 |
| US6365790B2 (en) | 1999-12-23 | 2002-04-02 | Basf Aktiengesellschaft | Preparation of C10-C30-alkenes by partial hydrogenation of alkynes over fixed-bed supported palladium catalysts |
| JP2010036356A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 積層体及びその製造方法並びに回路基板用部材 |
| JP2013094987A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 積層体 |
| JP2013094988A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 積層体 |
-
1992
- 1992-10-01 JP JP26351192A patent/JPH06120657A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000353772A (ja) * | 1999-06-11 | 2000-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱伝導樹脂組成物構造体及びその製造方法、並びに、それを用いた熱伝導基板及びその製造方法 |
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| US6365790B2 (en) | 1999-12-23 | 2002-04-02 | Basf Aktiengesellschaft | Preparation of C10-C30-alkenes by partial hydrogenation of alkynes over fixed-bed supported palladium catalysts |
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| JP2013094987A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 積層体 |
| JP2013094988A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 積層体 |
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