JPS6243928B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6243928B2 JPS6243928B2 JP58088889A JP8888983A JPS6243928B2 JP S6243928 B2 JPS6243928 B2 JP S6243928B2 JP 58088889 A JP58088889 A JP 58088889A JP 8888983 A JP8888983 A JP 8888983A JP S6243928 B2 JPS6243928 B2 JP S6243928B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnesium
- magnesia
- oxygen
- magnesia powder
- oxidation reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 163
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 81
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 61
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 60
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 60
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 30
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 28
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 235000012245 magnesium oxide Nutrition 0.000 description 77
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 8
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 159000000003 magnesium salts Chemical class 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical group 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/03—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite
- C04B35/04—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite based on magnesium oxide
- C04B35/053—Fine ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F5/00—Compounds of magnesium
- C01F5/02—Magnesia
- C01F5/04—Magnesia by oxidation of metallic magnesium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Geology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Description
本発明は、易焼結性高純度マグネシア微粉末の
製造方法に関するものである。 高純度マグネシアは優れた耐熱性、電気絶縁性
および透光性を示すことから、高級磁製品、電気
絶縁素子、耐熱透光性材料および赤外線透過材料
などのマグネシア系ニユーセラミツクス製品とし
て広く利用されている。 マグネシア系ニユーセラミツクス製品は、一般
にマグネシア（MgO）粉末を主原料とし、これ
を焼結することにより製造される。この場合、マ
グネシア粉末原料の粒径が細かいほど焼結体のか
さ密度が高くなり、優れた特性の製品が得られる
ことは周知のとおりであるが、従来このようなマ
グネシア焼結体の製造には、水酸化マグネシウム
あるいは塩基性炭酸マグネシウムなどを仮焼して
得られたマグネシア紛末が使用されている。しか
しながらマグネシアは融点が2800℃と高いことか
ら、かさ密度の高い焼結体を得るためには、通常
1700℃以上の焼成温度が必要であり、またホツト
プレスの様な特殊な焼成方法を利用しなければな
らなかつた。 ところが、上記の様な特殊な焼成方法は生産コ
ストが高いという欠点があるため実際にはLiF、
MgF2、NaFなどの焼結助剤を添加するか、ある
いはベンゼンなどを用いて表面を処理しマグネシ
ア粉末の焼結性を高めることにより、焼結温度を
1400〜1600℃まで下げてマグネシア焼結体を得る
という方法が利用されている。 たとえば、焼結助材としてLiFを用いる方法は
特公昭49−16246号公報に開示されており、また
MgF2を用いる方法は特開昭50−153798号公報に
開示されている。また焼結助材としてNaFを用い
る方法は、M.Banerjee ＆ D.W.Budworth：
Trans.Brit.Ceram.Soc.、71(3)、51−53（1972）
に開示されている。しかし、焼結助剤を添加する
方法では、焼結体の純度が低下するために、高純
度マグネシアの特性が損なわれ、その用途が限定
されるとの欠点がある。 マグネシア粉末の表面をベンゼンで処理して焼
結性を向上させる方法については、特公昭56−
16108号公報に開示されている。 更に、O.Yamaguchi、H.Tonami ＆ K.
Stimizu：Chem.Lett.、８、799−802（1970）に
は、アルコキシド法によつて合成した水酸化マグ
ネシウムを仮焼して製造したマグネシアが優れた
焼結性を有するとの報告もある。しかし、これら
の方法は工程が極めて複雑なため、得られるマグ
ネシア粉末の製造コストが高くなる欠点がある。 また上記の方法では、マグネシア粉末としてい
ずれもマグネシウム塩をか焼して得たものを使用
しているが、このようなマグネシア粉末はか焼の
さいに結晶成長し、粒径が大きくなるとともに二
次凝集体を形成するため、焼結用原料とするには
これを粉砕する工程が必要となる。しかし、この
ようなマグネシウム塩をか焼して得られるマグネ
シア粉末は、機械的粉砕によつてもある限度以下
には粉砕されず、また凝集物も残留する。これら
は、マグネシア粉末の充填密度を低下させ、かさ
密度の高い焼結体の製造を困難にし、その特性を
低下させる原因となる。さらに、機械的な粉砕を
行なうさいには不純物の混入が避けられず、粉砕
工程はマグネシア粉末の純度を低下させる原因と
なり好ましくない。 一方、マグネシウムを酸素存在下で燃焼させる
ことによりマグネシア粉末が製造されることは良
く知られており、この反応を利用した気相反応法
によるマグネシア粉末の製造方法についても既に
報告がある。すなわち、チエコスロバキア特許公
報第139208号には、不活性ガス雰囲気下にマグネ
シウムを加熱してマグネシウム蒸気を生成させ、
このマグネシウム蒸気と酸素とを向流にて互いに
接触させることによりマグネシウムを酸化しマグ
ネシアを生成させることからなる高純度マグネシ
ア粉末の製造方法が開示されている。この方法を
利用して得られるマグネシア粉末は粒径１μｍ以
下と記載されている。しかし、この方法によつて
は、たとえば粒径が0.1μｍ以下といつた微粒子
状のマグネシア粉末を得ることは困難である。 本発明は、粒径が極めて小さく、かつ高純度の
マグネシア微粉末を製造する方法を提供するもの
であり、 (1) マグネシウム蒸発部において、マグネシウム
を不活性ガス雰囲気下700℃以上の温度に加熱
してマグネシウム蒸気を生成させる工程； (2) 酸化反応部において、上記マグネシウム蒸気
と酸素含有気体とを、マグネシウム蒸気分圧
0.09気圧以下、酸素含有気体の酸素分圧がマグ
ネシウム蒸気分圧の1/2以上、そして反応温度
が800〜1600℃の条件で並流にて互いに接触さ
せることによりマグネシウムを酸化してマグネ
シアを生成させる工程；および、 (3) 生成したマグネシア微粉末をマグネシア微粉
末捕集部にて捕集する工程、 を含むことを特徴とする易焼結性高純度マグネシ
ア微粉末の製造方法からなるものである。 本発明によつて製造されるマグネシア微粉末は
二次凝集体を形成していないため、前述のような
塩の熱分解によつて製造したマグネシア粉末とは
異なり、成形体のかさ密度を容易に高めることが
でき、従つて焼結体のかさ密度を容易に高めるこ
とができる。また更に粉砕時における汚染の危険
性がない。また、原料として高純度のマグネシウ
ムを用いることによつて、極めて高純度（純度
99.9％以上）の焼結体が得られる。さらに、その
粒径が極めて小さい（BET径0.03μｍ以下）た
め、特に焼結助剤を添加したり、表面処理を施す
ことなく、比較的低温（たとえば、1300℃程度）
において緻密な焼結体（たとえば、かさ密度3.51
以上）とすることが可能となる。 このため、本発明により製造されるマグネシア
微粉末は、高級磁製品、電気絶縁素子、耐熱透光
性材料、赤外線透過材料などのマグネシア系ニユ
ーセラミツクス製品の主原料となるマグネシア粉
末として有利に使用することができる。 次に本発明の製造法を、添付図面に示した装置
を利用する製造方法を例にしてさらに詳しく説明
する。 第１図に示したマグネシア微粉末製造装置は、
マグネシウムの蒸発部Ａ、酸化反応部Ｂおよび生
成したマグネシア微粉末の捕集部Ｃからなつてい
る。この蒸発部Ａと酸化反応部Ｂは磁製管３，４
を二重に組合せて構成されて、電気炉６で加熱す
る構造となつている。 原料のマグネシウム５は磁製管３の先端付近の
蒸発部Ａに置かれ、その位置で700℃以上の温度
に加熱されてマグネシウム蒸気となる。ここで加
熱温度が700℃より低い場合には、マグネシウム
の蒸発速度が遅いために生産性が悪く実用上好ま
しくない。またマグネシウムの沸点は約1100℃で
あるため、マグネシウムの加熱温度を1100℃以上
としても蒸発速度の増大は望めない。 マグネシウム蒸気は、不活性ガス供給路２から
導入されたアルゴンガス等の不活性ガスにより搬
送され、酸化反応部Ｂに送られる。別に、アルゴ
ンガス等の不活性ガスで分圧を調整した酸素混合
ガス（酸素含有気体）を酸素含有気体供給路１か
ら酸化反応部Ｂに供給することによりマグネシウ
ム蒸気と酸素とが接触し、マグネシウムは酸化さ
れて酸化マグネシウム（MgO：マグネシア）と
なる。 マグネシウム蒸気と酸素含有気体は、それぞれ
並流で接触することが必要である。これらを向流
で接触させた場合には、マグネシウム蒸気の分圧
が高い状態で反応が継続されるため、生成するマ
グネシア粉末の粒径が増大し、本発明の目的にお
いては好ましくない。また、向流接触の場合には
マグネシウム蒸気と酸素含有気体の流線が乱れ、
マグネシア粉末生成物が酸化反応部の管壁に付着
するため、マグネシア粉末の捕集率が低下すると
の欠点もある。 マグネシウム蒸気と酸素含有気体の流速は酸化
反応部におけるそれぞれの滞留時間が0.2〜3.0秒
となる様に調整にすることが望ましい。この滞留
時間が3.0秒を越える場合には生成するマグネシ
ア粉末の粒径が大きくなりやすく、0.2秒より短
い場合には、亜酸化物が生成しやすくなる。亜酸
化物が含まれるマグネシア粉末を焼結した場合に
は電気絶縁特性等の性質が著しく低下する。 酸化反応部でのマグネシウム蒸気の分圧は0.09
気圧以下にすることが必要であり、また酸素分圧
はマグネシウム蒸気の分圧の1/2以上となる様に
調整することが必要である。それぞれの分圧の調
整は、各気体の流量を制御することにより容易に
行なうことができる。マグネシウム蒸気分圧が
0.09気圧を越える場合、あるいは酸素分圧がマグ
ネシウム蒸気の分圧の1/2より低い場合には、生
成するマグネシア粉末の粒径が大きくなり、好ま
しくない。 酸化反応部の温度、すなわちマグネシウムの酸
化反応温度は800〜1600℃とする必要がある。こ
の温度が1600℃を越える場合には生成するマグネ
シアの粒径が大きくなり、好ましくなく、また
800℃より低い場合には亜酸化物が生成するため
好ましくない。 以上の様な条件下における反応により生成した
マグネシア微粉末は不活性ガスおよび未反応ガス
の流れによつて、捕集部Ｃに運ばれフイルター７
によつて捕集される。 なお、生成するマグネシア微粉末は活性が極め
て高いため、空気に接触すると空気中の二酸化炭
素や水蒸気を吸着する傾向がある。このため捕集
部Ｃにはカバー８を取り付けて空気を遮断するこ
とが望ましい。 また以上の反応は通常、減圧あるいは常圧下で
行なうが、反応器内の圧力は真空ポンプ９などに
より一定に維持することが望ましい。 本発明の製造方法によつて得られるマグネシア
微粉末は、粒径（BET径）が0.03μｍ以下（特に
は、0.015μｍ以下）の非常に微細な粒子からな
るものである。そして、このマグネシア微粉末は
立方体形状を保つたペリクレース結晶として得ら
れ、二次凝集体は殆ど見られない。また、生成す
るマグネシアの純度は、原料として使用したマグ
ネシウムの純度と同程度となる。高純度のマグネ
シウム（純度99.9％以上）を得る技術は現在では
一般的となつており、高純度マグネシウムは市販
品としても容易に入手できるため、そのような高
純度マグネシウムを原料として用いて本発明の製
造方法を実施することにより容易に易焼結性の高
純度マグネシア微粉末を製造することができる。 次に本発明の実施例および比較例を示す。 実施例 １〜３ 添付図面の第１図に示した装置を利用し、純度
99.9％のマグネシウム、純度99.6％の酸素ガスお
よび純度99.99％のアルゴンガスを用いて、マグ
ネシウムの加熱温度900℃、酸化反応部でのマグ
ネシウム蒸気分圧0.04気圧、酸素混合ガスの酸素
分圧0.2気圧、全圧1.0気圧、酸化反応部温度1000
℃の条件下で、酸化反応部における滞留時間を
種々変えてマグネシウムの酸化反応を行なつた。
生成したマグネシア（MgO）微粉末の粒径
（BET径）を第１表に示す。なお、生成マグネシ
ア微粉末は、ペリクレース結晶であり、純度は
99.9％であつた。さらに捕集部におけるマグネシ
ア微粉末の捕集率は90％以上であつた。 いま、得られたマグネシア微粉末を、金型を用
いて先ず100Kg／cm2の圧力で一次成形した後、次
いで1500Kg／cm2の圧力で静水圧成形した。この成
形体を真空中（10-4トール）で1300℃、３時間焼
成して得られたマグネシア焼結体のかさ密度も第
１表に示した。
製造方法に関するものである。 高純度マグネシアは優れた耐熱性、電気絶縁性
および透光性を示すことから、高級磁製品、電気
絶縁素子、耐熱透光性材料および赤外線透過材料
などのマグネシア系ニユーセラミツクス製品とし
て広く利用されている。 マグネシア系ニユーセラミツクス製品は、一般
にマグネシア（MgO）粉末を主原料とし、これ
を焼結することにより製造される。この場合、マ
グネシア粉末原料の粒径が細かいほど焼結体のか
さ密度が高くなり、優れた特性の製品が得られる
ことは周知のとおりであるが、従来このようなマ
グネシア焼結体の製造には、水酸化マグネシウム
あるいは塩基性炭酸マグネシウムなどを仮焼して
得られたマグネシア紛末が使用されている。しか
しながらマグネシアは融点が2800℃と高いことか
ら、かさ密度の高い焼結体を得るためには、通常
1700℃以上の焼成温度が必要であり、またホツト
プレスの様な特殊な焼成方法を利用しなければな
らなかつた。 ところが、上記の様な特殊な焼成方法は生産コ
ストが高いという欠点があるため実際にはLiF、
MgF2、NaFなどの焼結助剤を添加するか、ある
いはベンゼンなどを用いて表面を処理しマグネシ
ア粉末の焼結性を高めることにより、焼結温度を
1400〜1600℃まで下げてマグネシア焼結体を得る
という方法が利用されている。 たとえば、焼結助材としてLiFを用いる方法は
特公昭49−16246号公報に開示されており、また
MgF2を用いる方法は特開昭50−153798号公報に
開示されている。また焼結助材としてNaFを用い
る方法は、M.Banerjee ＆ D.W.Budworth：
Trans.Brit.Ceram.Soc.、71(3)、51−53（1972）
に開示されている。しかし、焼結助剤を添加する
方法では、焼結体の純度が低下するために、高純
度マグネシアの特性が損なわれ、その用途が限定
されるとの欠点がある。 マグネシア粉末の表面をベンゼンで処理して焼
結性を向上させる方法については、特公昭56−
16108号公報に開示されている。 更に、O.Yamaguchi、H.Tonami ＆ K.
Stimizu：Chem.Lett.、８、799−802（1970）に
は、アルコキシド法によつて合成した水酸化マグ
ネシウムを仮焼して製造したマグネシアが優れた
焼結性を有するとの報告もある。しかし、これら
の方法は工程が極めて複雑なため、得られるマグ
ネシア粉末の製造コストが高くなる欠点がある。 また上記の方法では、マグネシア粉末としてい
ずれもマグネシウム塩をか焼して得たものを使用
しているが、このようなマグネシア粉末はか焼の
さいに結晶成長し、粒径が大きくなるとともに二
次凝集体を形成するため、焼結用原料とするには
これを粉砕する工程が必要となる。しかし、この
ようなマグネシウム塩をか焼して得られるマグネ
シア粉末は、機械的粉砕によつてもある限度以下
には粉砕されず、また凝集物も残留する。これら
は、マグネシア粉末の充填密度を低下させ、かさ
密度の高い焼結体の製造を困難にし、その特性を
低下させる原因となる。さらに、機械的な粉砕を
行なうさいには不純物の混入が避けられず、粉砕
工程はマグネシア粉末の純度を低下させる原因と
なり好ましくない。 一方、マグネシウムを酸素存在下で燃焼させる
ことによりマグネシア粉末が製造されることは良
く知られており、この反応を利用した気相反応法
によるマグネシア粉末の製造方法についても既に
報告がある。すなわち、チエコスロバキア特許公
報第139208号には、不活性ガス雰囲気下にマグネ
シウムを加熱してマグネシウム蒸気を生成させ、
このマグネシウム蒸気と酸素とを向流にて互いに
接触させることによりマグネシウムを酸化しマグ
ネシアを生成させることからなる高純度マグネシ
ア粉末の製造方法が開示されている。この方法を
利用して得られるマグネシア粉末は粒径１μｍ以
下と記載されている。しかし、この方法によつて
は、たとえば粒径が0.1μｍ以下といつた微粒子
状のマグネシア粉末を得ることは困難である。 本発明は、粒径が極めて小さく、かつ高純度の
マグネシア微粉末を製造する方法を提供するもの
であり、 (1) マグネシウム蒸発部において、マグネシウム
を不活性ガス雰囲気下700℃以上の温度に加熱
してマグネシウム蒸気を生成させる工程； (2) 酸化反応部において、上記マグネシウム蒸気
と酸素含有気体とを、マグネシウム蒸気分圧
0.09気圧以下、酸素含有気体の酸素分圧がマグ
ネシウム蒸気分圧の1/2以上、そして反応温度
が800〜1600℃の条件で並流にて互いに接触さ
せることによりマグネシウムを酸化してマグネ
シアを生成させる工程；および、 (3) 生成したマグネシア微粉末をマグネシア微粉
末捕集部にて捕集する工程、 を含むことを特徴とする易焼結性高純度マグネシ
ア微粉末の製造方法からなるものである。 本発明によつて製造されるマグネシア微粉末は
二次凝集体を形成していないため、前述のような
塩の熱分解によつて製造したマグネシア粉末とは
異なり、成形体のかさ密度を容易に高めることが
でき、従つて焼結体のかさ密度を容易に高めるこ
とができる。また更に粉砕時における汚染の危険
性がない。また、原料として高純度のマグネシウ
ムを用いることによつて、極めて高純度（純度
99.9％以上）の焼結体が得られる。さらに、その
粒径が極めて小さい（BET径0.03μｍ以下）た
め、特に焼結助剤を添加したり、表面処理を施す
ことなく、比較的低温（たとえば、1300℃程度）
において緻密な焼結体（たとえば、かさ密度3.51
以上）とすることが可能となる。 このため、本発明により製造されるマグネシア
微粉末は、高級磁製品、電気絶縁素子、耐熱透光
性材料、赤外線透過材料などのマグネシア系ニユ
ーセラミツクス製品の主原料となるマグネシア粉
末として有利に使用することができる。 次に本発明の製造法を、添付図面に示した装置
を利用する製造方法を例にしてさらに詳しく説明
する。 第１図に示したマグネシア微粉末製造装置は、
マグネシウムの蒸発部Ａ、酸化反応部Ｂおよび生
成したマグネシア微粉末の捕集部Ｃからなつてい
る。この蒸発部Ａと酸化反応部Ｂは磁製管３，４
を二重に組合せて構成されて、電気炉６で加熱す
る構造となつている。 原料のマグネシウム５は磁製管３の先端付近の
蒸発部Ａに置かれ、その位置で700℃以上の温度
に加熱されてマグネシウム蒸気となる。ここで加
熱温度が700℃より低い場合には、マグネシウム
の蒸発速度が遅いために生産性が悪く実用上好ま
しくない。またマグネシウムの沸点は約1100℃で
あるため、マグネシウムの加熱温度を1100℃以上
としても蒸発速度の増大は望めない。 マグネシウム蒸気は、不活性ガス供給路２から
導入されたアルゴンガス等の不活性ガスにより搬
送され、酸化反応部Ｂに送られる。別に、アルゴ
ンガス等の不活性ガスで分圧を調整した酸素混合
ガス（酸素含有気体）を酸素含有気体供給路１か
ら酸化反応部Ｂに供給することによりマグネシウ
ム蒸気と酸素とが接触し、マグネシウムは酸化さ
れて酸化マグネシウム（MgO：マグネシア）と
なる。 マグネシウム蒸気と酸素含有気体は、それぞれ
並流で接触することが必要である。これらを向流
で接触させた場合には、マグネシウム蒸気の分圧
が高い状態で反応が継続されるため、生成するマ
グネシア粉末の粒径が増大し、本発明の目的にお
いては好ましくない。また、向流接触の場合には
マグネシウム蒸気と酸素含有気体の流線が乱れ、
マグネシア粉末生成物が酸化反応部の管壁に付着
するため、マグネシア粉末の捕集率が低下すると
の欠点もある。 マグネシウム蒸気と酸素含有気体の流速は酸化
反応部におけるそれぞれの滞留時間が0.2〜3.0秒
となる様に調整にすることが望ましい。この滞留
時間が3.0秒を越える場合には生成するマグネシ
ア粉末の粒径が大きくなりやすく、0.2秒より短
い場合には、亜酸化物が生成しやすくなる。亜酸
化物が含まれるマグネシア粉末を焼結した場合に
は電気絶縁特性等の性質が著しく低下する。 酸化反応部でのマグネシウム蒸気の分圧は0.09
気圧以下にすることが必要であり、また酸素分圧
はマグネシウム蒸気の分圧の1/2以上となる様に
調整することが必要である。それぞれの分圧の調
整は、各気体の流量を制御することにより容易に
行なうことができる。マグネシウム蒸気分圧が
0.09気圧を越える場合、あるいは酸素分圧がマグ
ネシウム蒸気の分圧の1/2より低い場合には、生
成するマグネシア粉末の粒径が大きくなり、好ま
しくない。 酸化反応部の温度、すなわちマグネシウムの酸
化反応温度は800〜1600℃とする必要がある。こ
の温度が1600℃を越える場合には生成するマグネ
シアの粒径が大きくなり、好ましくなく、また
800℃より低い場合には亜酸化物が生成するため
好ましくない。 以上の様な条件下における反応により生成した
マグネシア微粉末は不活性ガスおよび未反応ガス
の流れによつて、捕集部Ｃに運ばれフイルター７
によつて捕集される。 なお、生成するマグネシア微粉末は活性が極め
て高いため、空気に接触すると空気中の二酸化炭
素や水蒸気を吸着する傾向がある。このため捕集
部Ｃにはカバー８を取り付けて空気を遮断するこ
とが望ましい。 また以上の反応は通常、減圧あるいは常圧下で
行なうが、反応器内の圧力は真空ポンプ９などに
より一定に維持することが望ましい。 本発明の製造方法によつて得られるマグネシア
微粉末は、粒径（BET径）が0.03μｍ以下（特に
は、0.015μｍ以下）の非常に微細な粒子からな
るものである。そして、このマグネシア微粉末は
立方体形状を保つたペリクレース結晶として得ら
れ、二次凝集体は殆ど見られない。また、生成す
るマグネシアの純度は、原料として使用したマグ
ネシウムの純度と同程度となる。高純度のマグネ
シウム（純度99.9％以上）を得る技術は現在では
一般的となつており、高純度マグネシウムは市販
品としても容易に入手できるため、そのような高
純度マグネシウムを原料として用いて本発明の製
造方法を実施することにより容易に易焼結性の高
純度マグネシア微粉末を製造することができる。 次に本発明の実施例および比較例を示す。 実施例 １〜３ 添付図面の第１図に示した装置を利用し、純度
99.9％のマグネシウム、純度99.6％の酸素ガスお
よび純度99.99％のアルゴンガスを用いて、マグ
ネシウムの加熱温度900℃、酸化反応部でのマグ
ネシウム蒸気分圧0.04気圧、酸素混合ガスの酸素
分圧0.2気圧、全圧1.0気圧、酸化反応部温度1000
℃の条件下で、酸化反応部における滞留時間を
種々変えてマグネシウムの酸化反応を行なつた。
生成したマグネシア（MgO）微粉末の粒径
（BET径）を第１表に示す。なお、生成マグネシ
ア微粉末は、ペリクレース結晶であり、純度は
99.9％であつた。さらに捕集部におけるマグネシ
ア微粉末の捕集率は90％以上であつた。 いま、得られたマグネシア微粉末を、金型を用
いて先ず100Kg／cm2の圧力で一次成形した後、次
いで1500Kg／cm2の圧力で静水圧成形した。この成
形体を真空中（10-4トール）で1300℃、３時間焼
成して得られたマグネシア焼結体のかさ密度も第
１表に示した。
【表】
実施例 ４〜５
酸化反応部の滞留時間を0.7秒とし、酸化反応
部の温度を800℃および1000℃の範囲で変えたほ
かは、実施例１〜３と同じ条件でマグネシウムを
酸化させた。生成したマグネシア微粉末の粒径
（BET径）を第２表に示す。なお、捕集部におけ
るマグネシア微粉末の捕集率は90％以上であつ
た。 また、得られたマグネシア微粉末を実施例１〜
３と同様の方法で成形焼成して製造したマグネシ
ア焼結体のかさ密度も第２表に示した。
部の温度を800℃および1000℃の範囲で変えたほ
かは、実施例１〜３と同じ条件でマグネシウムを
酸化させた。生成したマグネシア微粉末の粒径
（BET径）を第２表に示す。なお、捕集部におけ
るマグネシア微粉末の捕集率は90％以上であつ
た。 また、得られたマグネシア微粉末を実施例１〜
３と同様の方法で成形焼成して製造したマグネシ
ア焼結体のかさ密度も第２表に示した。
【表】
なお、実施例４の方法で調製したマグネシア微
粉末を用いて製造した焼結体は、20℃で体積抵抗
率10-13Ω・cm以上、曲げ強度1600Kg／cm2、また
1.0mmの厚さにおいて全透光率85％を示した。 実施例 ６〜８ 実施例１〜３と同様の装置および原料を用い、
マグネシウム蒸気の酸化反応部滞留時間0.7秒、
酸素含有気体の酸素分圧0.2気圧、全圧1.0気圧、
酸化反応部の温度1300℃の条件下とし、マグネシ
ウムの蒸気分圧を変えて、マグネシウムの酸化反
応を行なつた。なおマグネシウムの蒸気分圧の調
整は、マグネシウムの加熱温度を変えることによ
り行なつた。生成したマグネシア微粉末の粒径
（BET径）を第３表に示す。なお、捕集部におけ
るマグネシア微粉末の捕集率は90％以上であつ
た。 また、得られたマグネシア微粉末を実施例１〜
３と同様の方法で成形焼成して製造したマグネシ
ア焼結体のかさ密度も第３表に示した。
粉末を用いて製造した焼結体は、20℃で体積抵抗
率10-13Ω・cm以上、曲げ強度1600Kg／cm2、また
1.0mmの厚さにおいて全透光率85％を示した。 実施例 ６〜８ 実施例１〜３と同様の装置および原料を用い、
マグネシウム蒸気の酸化反応部滞留時間0.7秒、
酸素含有気体の酸素分圧0.2気圧、全圧1.0気圧、
酸化反応部の温度1300℃の条件下とし、マグネシ
ウムの蒸気分圧を変えて、マグネシウムの酸化反
応を行なつた。なおマグネシウムの蒸気分圧の調
整は、マグネシウムの加熱温度を変えることによ
り行なつた。生成したマグネシア微粉末の粒径
（BET径）を第３表に示す。なお、捕集部におけ
るマグネシア微粉末の捕集率は90％以上であつ
た。 また、得られたマグネシア微粉末を実施例１〜
３と同様の方法で成形焼成して製造したマグネシ
ア焼結体のかさ密度も第３表に示した。
【表】
実施例 ９〜12
実施例１〜３と同様の装置および原料を用い、
マグネシウムの加熱温度900℃、酸化反応部での
マグネシウム蒸気分圧0.04気圧、全圧1.0気圧、
マグネシウム蒸気の酸化反応部滞留時間0.7秒お
よび酸化反応部温度1000℃の条件下で、酸素混合
ガスの酸素分圧を種々変えてマグネシウムの酸化
反応を行なつた。生成したマグネシア微粉末の粒
径（BET径）を第４表に示す。なお、捕集部に
おけるマグネシア微粉末の捕集率は90％以上であ
つた。 また、得られたマグネシア微粉末を実施例１〜
３と同様の方法で成形焼成して製造したマグネシ
ア焼結体のかさ密度も第４表に示した。
マグネシウムの加熱温度900℃、酸化反応部での
マグネシウム蒸気分圧0.04気圧、全圧1.0気圧、
マグネシウム蒸気の酸化反応部滞留時間0.7秒お
よび酸化反応部温度1000℃の条件下で、酸素混合
ガスの酸素分圧を種々変えてマグネシウムの酸化
反応を行なつた。生成したマグネシア微粉末の粒
径（BET径）を第４表に示す。なお、捕集部に
おけるマグネシア微粉末の捕集率は90％以上であ
つた。 また、得られたマグネシア微粉末を実施例１〜
３と同様の方法で成形焼成して製造したマグネシ
ア焼結体のかさ密度も第４表に示した。
【表】
比較例 １
第１図に示した並流式マグネシア微粉末製造装
置の酸素含有気体供給路１と捕集部Ｃのそれぞれ
の位置を相互に入れ換えた構成からなる向流式マ
グネシア粉末製造装置を利用し、純度99.9％のマ
グネシウム、純度99.6％の酸素ガスおよび純度
99.99％のアルゴンガスを用いて、マグネシウム
の加熱蒸発温度900℃、マグネシウム蒸気および
酸素含有気体の酸素部滞留時間0.5秒、酸化反応
部でのマグネシウム蒸気分圧0.02気圧、酸素含有
気体の酸素分圧0.2気圧、全圧1.0気圧、酸化反応
部の温度900℃の条件でマグネシウムの酸化反応
を行なつたところ、捕集部において捕集率15％で
粒径（BET径）0.070μｍのマグネシア粉末が得
られた。また、捕集部で捕集されなかつたマグネ
シア粉末の大部分は酸化反応部壁に付着し、その
平均粒径（BET径）は0.150μｍであつた。 捕集部で捕集されたマグネシア粉末を実施例１
〜３と同じ条件で成形焼成して得られた焼結体
は、かさ密度3.41ｇ／cm2であつた。また、その焼
結体の20℃の体積抵抗率は10-13Ω・cm以上、曲
げ強度は1350Kg／cm2であり、1.0mmの厚さにおい
て全く透光性を示さなかつた。
置の酸素含有気体供給路１と捕集部Ｃのそれぞれ
の位置を相互に入れ換えた構成からなる向流式マ
グネシア粉末製造装置を利用し、純度99.9％のマ
グネシウム、純度99.6％の酸素ガスおよび純度
99.99％のアルゴンガスを用いて、マグネシウム
の加熱蒸発温度900℃、マグネシウム蒸気および
酸素含有気体の酸素部滞留時間0.5秒、酸化反応
部でのマグネシウム蒸気分圧0.02気圧、酸素含有
気体の酸素分圧0.2気圧、全圧1.0気圧、酸化反応
部の温度900℃の条件でマグネシウムの酸化反応
を行なつたところ、捕集部において捕集率15％で
粒径（BET径）0.070μｍのマグネシア粉末が得
られた。また、捕集部で捕集されなかつたマグネ
シア粉末の大部分は酸化反応部壁に付着し、その
平均粒径（BET径）は0.150μｍであつた。 捕集部で捕集されたマグネシア粉末を実施例１
〜３と同じ条件で成形焼成して得られた焼結体
は、かさ密度3.41ｇ／cm2であつた。また、その焼
結体の20℃の体積抵抗率は10-13Ω・cm以上、曲
げ強度は1350Kg／cm2であり、1.0mmの厚さにおい
て全く透光性を示さなかつた。
第１図は、本発明の実施に利用することのでき
る高純度マグネシア微粉末製造装置の例を示して
いる。 Ａ：マグネシウムの蒸発部、Ｂ：酸化反応部、
Ｃ：生成したマグネシア微粉末の捕集部、１：酸
素含有気体供給路、２：不活性ガス供給路、３：
磁製管、４：磁製管、５：マグネシウム、６：電
気炉、７：フイルター、８：カバー、９：真空ポ
ンプ。
る高純度マグネシア微粉末製造装置の例を示して
いる。 Ａ：マグネシウムの蒸発部、Ｂ：酸化反応部、
Ｃ：生成したマグネシア微粉末の捕集部、１：酸
素含有気体供給路、２：不活性ガス供給路、３：
磁製管、４：磁製管、５：マグネシウム、６：電
気炉、７：フイルター、８：カバー、９：真空ポ
ンプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (1) マグネシウム蒸発部において、マグネシ
ウムを不活性ガス雰囲気下700℃以上の温度に
加熱してマグネシウム蒸発を生成させる工程； (2) 酸化反応部において、上記マグネシウム蒸気
と酸素含有気体とを、マグネシウム蒸気分圧
0.09気圧以下、酸素含有気体の酸素分圧がマグ
ネシウム蒸気分圧の1/2以上、そして反応温度
が800〜1600℃の条件で並流にて互いに接触さ
せることによりマグネシウムを酸化してマグネ
シアを生成させる工程：および、 (3) 生成したマグネシア微粉末をマグネシア微粉
末捕集部にて捕集する工程、 を含むことを特徴とする易焼結性の高純度マグネ
シア微粉末の製造方法。 ２ 酸化反応部におけるマグネシウム蒸気の滞留
時間が0.2〜3.0秒であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の易焼結性高純度マグネシア
微粉末の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58088889A JPS59213619A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 高純度マグネシア微粉末の製造方法 |
| GB08411917A GB2141701B (en) | 1983-05-20 | 1984-05-10 | Process and apparatus for producing a high purity magnesia fine powder |
| US06/610,650 US4545975A (en) | 1983-05-20 | 1984-05-16 | Process and apparatus for producing a high purity magnesia fine powder |
| DE19843418424 DE3418424A1 (de) | 1983-05-20 | 1984-05-18 | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von feinem hochreinem magnesiumoxidpulver |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58088889A JPS59213619A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 高純度マグネシア微粉末の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59213619A JPS59213619A (ja) | 1984-12-03 |
| JPS6243928B2 true JPS6243928B2 (ja) | 1987-09-17 |
Family
ID=13955535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58088889A Granted JPS59213619A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 高純度マグネシア微粉末の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4545975A (ja) |
| JP (1) | JPS59213619A (ja) |
| DE (1) | DE3418424A1 (ja) |
| GB (1) | GB2141701B (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61122106A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-10 | Ube Ind Ltd | 微粉末状マグネシウム酸化物の製造方法 |
| US4604225A (en) * | 1985-07-03 | 1986-08-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Department Of Energy | Refractory oxide hosts for a high power, broadly tunable laser with high quantum efficiency and method of making same |
| US4677026A (en) * | 1985-07-17 | 1987-06-30 | Ube Industries, Ltd. | Resin composition for sealing electronic parts, and hydration-resistant magnesia powder and process for preparation thereof |
| JPS6227318A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-05 | Kawasaki Steel Corp | Ｓｉｏ微粉末の製造方法およびその装置 |
| JPH068170B2 (ja) * | 1985-10-29 | 1994-02-02 | 宇部興産株式会社 | 高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法 |
| JPH0776126B2 (ja) * | 1986-06-03 | 1995-08-16 | 神島化学工業株式会社 | マグネシア焼結体の製造方法 |
| JPH01188459A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Ube Ind Ltd | 高純度マグネシア焼結体及びその製造法 |
| JPH02245239A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-01 | Ube Ind Ltd | 高活性ニッケル系触媒およびその調製方法 |
| DK160490A (da) * | 1990-03-26 | 1991-09-27 | Intevep Sa | Fremgangsmaade til fremstilling af metaloxidaerosol |
| WO1994011539A1 (en) * | 1992-11-16 | 1994-05-26 | Mineral Development International A/S | A method of producing metallic magnesium, magnesium oxide or a refractory material |
| AT403906B (de) * | 1997-01-21 | 1998-06-25 | Knoezinger Erich Dr | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von hochreaktiven und hochreinen nanokristallinen erdalkalimetallmischoxiden |
| US6179897B1 (en) | 1999-03-18 | 2001-01-30 | Brookhaven Science Associates | Method for the generation of variable density metal vapors which bypasses the liquidus phase |
| US7143806B2 (en) * | 2002-03-13 | 2006-12-05 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Fine particle generating apparatus casting apparatus and casting method |
| JP4195278B2 (ja) * | 2002-12-02 | 2008-12-10 | 宇部マテリアルズ株式会社 | 金属マグネシウム溶融蒸発装置、及びこれを用いた高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法 |
| JP4876708B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2012-02-15 | Ｔｄｋ株式会社 | トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び磁気メモリの製造方法 |
| KR100918375B1 (ko) * | 2007-09-21 | 2009-09-21 | 대주전자재료 주식회사 | 기상합성법을 이용한 불소 함유 산화마그네슘 분말 및 그제조방법 |
| US20110014469A1 (en) * | 2009-07-14 | 2011-01-20 | Sakai Chemical Industry Co., Ltd. | Magnesium oxide particle, method for producing it, exoergic filler, resin composition, exoergic grease and exoergic coating composition |
| WO2014126273A1 (ko) * | 2013-02-13 | 2014-08-21 | 한국에너지기술연구원 | 고순도 ＭＯｘ 나노 구조체 제조 장치 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2273707A (en) * | 1939-10-30 | 1942-02-17 | Dow Chemical Co | Method of making pure magnesium oxide |
| US2454733A (en) * | 1947-03-13 | 1948-11-23 | Dow Chemical Co | Method of making dense magnesium oxide |
| AT263613B (de) * | 1965-03-06 | 1968-07-25 | Dynamit Nobel Ag | Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Isolierfähigkeit von im elektrischen Lichtbogen geschmolzener Magnesia |
| US3848068A (en) * | 1971-04-21 | 1974-11-12 | Corning Glass Works | Method for producing metal compounds |
| US3899573A (en) * | 1971-10-18 | 1975-08-12 | Exxon Research Engineering Co | Production of fine powders |
-
1983
- 1983-05-20 JP JP58088889A patent/JPS59213619A/ja active Granted
-
1984
- 1984-05-10 GB GB08411917A patent/GB2141701B/en not_active Expired
- 1984-05-16 US US06/610,650 patent/US4545975A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-05-18 DE DE19843418424 patent/DE3418424A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2141701A (en) | 1985-01-03 |
| GB2141701B (en) | 1986-09-17 |
| JPS59213619A (ja) | 1984-12-03 |
| DE3418424C2 (ja) | 1989-04-13 |
| DE3418424A1 (de) | 1984-11-22 |
| US4545975A (en) | 1985-10-08 |
| GB8411917D0 (en) | 1984-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6243928B2 (ja) | ||
| CN110845237B (zh) | 高熵陶瓷粉体及其制备方法和高熵陶瓷块体 | |
| EP0335875B1 (en) | Vitreous silica | |
| CN109851367B (zh) | 一种棒状(Zr,Hf,Ta,Nb)B2高熵纳米粉体及其制备方法 | |
| Ko et al. | Synthesis of SiC nano-powder from organic precursors using RF inductively coupled thermal plasma | |
| CN105777162A (zh) | 一种掺杂Y2O3的BaZrO3耐火材料 | |
| JP3285620B2 (ja) | 透光性イットリウム−アルミニウム−ガーネット焼結体の製造方法 | |
| JPH0256309B2 (ja) | ||
| US20150064094A1 (en) | Method of preparing titanium carbide powder | |
| CN109650896B (zh) | LiAlON透明陶瓷粉体的合成方法 | |
| JPH0158131B2 (ja) | ||
| TWI607968B (zh) | 一種碳化物原料合成之製備方法 | |
| CN104016316A (zh) | 一种氮化铝粉连续制备方法及其设备 | |
| JPS60161329A (ja) | 高純度カルシア微粉末の製造方法 | |
| JPH08268751A (ja) | イットリウム−アルミニウム−ガーネット仮焼粉末及びこれを用いたイットリウム−アルミニウム−ガーネット焼結体の製造方法 | |
| JP6524012B2 (ja) | セラミックスの脱脂成型体を製造する方法 | |
| JPH0535102B2 (ja) | ||
| KR102445158B1 (ko) | 제어된 크기, 모양, 및 다공도를 갖는 탄화 지르코늄의 제조 방법 | |
| US3989794A (en) | Process of manufacturing ferrite bodies of low porosity | |
| KR102638196B1 (ko) | Ⅳ족 전이금속 산화물로부터 저산소 전이금속 분말을 제조하기 위한 열환원 반응 혼합물과 이를 이용한 저산소 전이금속 분말 제조방법 | |
| JPS62123018A (ja) | 高誘電体粉末の製造方法 | |
| JP5660947B2 (ja) | ＢａＴｉ２Ｏ５系複合酸化物の製造方法 | |
| CN116874292A (zh) | 一种高强度的高纯二氧化硅陶瓷及其制造方法 | |
| JPH0236545B2 (ja) | ||
| JPH02133387A (ja) | 帯溶融精製用黒鉛ボートの製造方法 |