JPS6243714A - 回路装置 - Google Patents
回路装置Info
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- JPS6243714A JPS6243714A JP61191786A JP19178686A JPS6243714A JP S6243714 A JPS6243714 A JP S6243714A JP 61191786 A JP61191786 A JP 61191786A JP 19178686 A JP19178686 A JP 19178686A JP S6243714 A JPS6243714 A JP S6243714A
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- JP
- Japan
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- voltage
- microcomputer
- semiconductor memory
- time
- operating
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/0703—Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation
- G06F11/0751—Error or fault detection not based on redundancy
- G06F11/0754—Error or fault detection not based on redundancy by exceeding limits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/143—Detection of memory cassette insertion or removal; Continuity checks of supply or ground lines; Detection of supply variations, interruptions or levels ; Switching between alternative supplies
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Sources (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は特許請求の範囲第1項記載の.マイクロコンピ
ユータを有する回路装置と、この回路装置とデータ交換
を行う半導体メモリに関する。
ユータを有する回路装置と、この回路装置とデータ交換
を行う半導体メモリに関する。
従来技術
このような装置では半導体メモリに、コンピュータによ
り生成された膨大なデータセットが記憶され必要に応じ
て呼出される。自動車にこのような装置を用いて特性曲
線を利用した点火等の、寛9制御される伝動装置の機能
を監視するか又は動作特性データを記憶させ診断のため
に用いる。
り生成された膨大なデータセットが記憶され必要に応じ
て呼出される。自動車にこのような装置を用いて特性曲
線を利用した点火等の、寛9制御される伝動装置の機能
を監視するか又は動作特性データを記憶させ診断のため
に用いる。
このような装置における問題点は マイク「コンピュー
タのための動作電圧をオフにするとオフにした時点で所
定の値を有しないデータがコンピュータから半導体メモ
リへ転送されるので再びオンにした際において最後に書
込まれたデータセットに場合に依っては誤りがあること
にある。
タのための動作電圧をオフにするとオフにした時点で所
定の値を有しないデータがコンピュータから半導体メモ
リへ転送されるので再びオンにした際において最後に書
込まれたデータセットに場合に依っては誤りがあること
にある。
この問題を除去するために、データを多数の回数にわた
り繰返し続けて書込むことにより最後−′)、場合に依
っては不完全なまたは誤りのあるデータセットを用いな
いで済むようにすることは周知である。しかし7ながら
こうするためにはメモリの容量を大きくしなければなら
ない。
り繰返し続けて書込むことにより最後−′)、場合に依
っては不完全なまたは誤りのあるデータセットを用いな
いで済むようにすることは周知である。しかし7ながら
こうするためにはメモリの容量を大きくしなければなら
ない。
また例えば8ビツトの終了毎に1つのコー−をコンピュ
ータにより再生することも周知である。その場合、この
ようなコードが正しく生成さ′!するのはマイクロコン
ピュータに相応に高い動作電圧が加えられている場合に
のみ可能でありまた半導体メモリの中にデータセットが
記憶されるのはデータセットが正しくコード化されてい
る場合にのみ可能であると云うことが前提になっている
。しかしながらこの構成では動作電圧が突然消失すると
、場合によっては重要な最後のデータセットが、誤って
記憶されることはないが全く記憶されないことがある。
ータにより再生することも周知である。その場合、この
ようなコードが正しく生成さ′!するのはマイクロコン
ピュータに相応に高い動作電圧が加えられている場合に
のみ可能でありまた半導体メモリの中にデータセットが
記憶されるのはデータセットが正しくコード化されてい
る場合にのみ可能であると云うことが前提になっている
。しかしながらこの構成では動作電圧が突然消失すると
、場合によっては重要な最後のデータセットが、誤って
記憶されることはないが全く記憶されないことがある。
連続的に変化するデータ列をチェックする方法としては
他に、データ列にゾヤンゾ区間が生じていないかを検査
する方法がある。この場合、そのようなジャンプ区間を
検出するということは、データ値が飛躍的に偏位すると
きとデータに誤りがあることを前提としているっしかし
ながらこのようなチェックは自動車における作動系を監
視するには適さない。何故なC)ばそのような作動系で
は飛躍的に状態が変化することは十分にありうることで
あるからである。
他に、データ列にゾヤンゾ区間が生じていないかを検査
する方法がある。この場合、そのようなジャンプ区間を
検出するということは、データ値が飛躍的に偏位すると
きとデータに誤りがあることを前提としているっしかし
ながらこのようなチェックは自動車における作動系を監
視するには適さない。何故なC)ばそのような作動系で
は飛躍的に状態が変化することは十分にありうることで
あるからである。
Inte1社のNV −RAM及びEEPROMはデー
タ保護回路装置を有しており.マイクロコンピユータと
半導体メモリとの共通の動作電圧あるいは電源電圧が4
vを下回るとこのデータ保護回路はすべての書込み動作
を禁止する( TntelAppliratlon N
ote % A P −165)。(二の解決法も次の
ような場合に用いるには適していない。
タ保護回路装置を有しており.マイクロコンピユータと
半導体メモリとの共通の動作電圧あるいは電源電圧が4
vを下回るとこのデータ保護回路はすべての書込み動作
を禁止する( TntelAppliratlon N
ote % A P −165)。(二の解決法も次の
ような場合に用いるには適していない。
すなわち電圧源をオフにした後に又は故障により電圧が
消失した後になおもその時点での最後のデータセントを
確実に完全に書込まなければならない場合である。
消失した後になおもその時点での最後のデータセントを
確実に完全に書込まなければならない場合である。
発明が解決しようとする問題点
本発明の課題は前述のような回路装置を、できるだけ記
憶容量の小さい半導体メモリを使用することができるよ
うに構成しかつ自動車事故等の予期しない電圧消失の際
にも半導体メモリに電圧消失の直前の状態を再生するデ
ータセットを確実に書込めるように構成することである
。
憶容量の小さい半導体メモリを使用することができるよ
うに構成しかつ自動車事故等の予期しない電圧消失の際
にも半導体メモリに電圧消失の直前の状態を再生するデ
ータセットを確実に書込めるように構成することである
。
問題点を解決するための手段
この問題は本発明の特許請求の範囲第1項記載の特徴部
分に記載の構成により解決された。
分に記載の構成により解決された。
そこに記載されているチツゾセレクト入力側とは通常の
意味では、下限しきい値電圧と上限しきい値電圧との間
にある(正の)電圧が加わっている場合にのみ半導体メ
モリへの書込みを開始する入υ側のことである。
意味では、下限しきい値電圧と上限しきい値電圧との間
にある(正の)電圧が加わっている場合にのみ半導体メ
モリへの書込みを開始する入υ側のことである。
本発明により回路装置のディメンジョンを定めることに
より次のことが達成される。すなわチ一方で.マイクロ
コンピユータの動作状態が所定の状態にない間に誤りの
データが半導体メモリに書込まれることが絶対にないよ
うにすることが達成され他方で、事故に基因する突然の
電圧消失の際にもデータの転送は、当該のデータセット
が半導体メモリに完全に書込まれる壕では少くとも行わ
れる。
より次のことが達成される。すなわチ一方で.マイクロ
コンピユータの動作状態が所定の状態にない間に誤りの
データが半導体メモリに書込まれることが絶対にないよ
うにすることが達成され他方で、事故に基因する突然の
電圧消失の際にもデータの転送は、当該のデータセット
が半導体メモリに完全に書込まれる壕では少くとも行わ
れる。
最も簡単′な場合意図する時間的減衰特性は、特許請求
の範囲第2項記載の、ディメンションを定められた容量
・抵抗回路装置により達成することができる。その際に
具体的にディメンジョンを定めるには、使用コンピュー
タあるいは半導体メモリのデータを考慮しなければなら
ない。
の範囲第2項記載の、ディメンションを定められた容量
・抵抗回路装置により達成することができる。その際に
具体的にディメンジョンを定めるには、使用コンピュー
タあるいは半導体メモリのデータを考慮しなければなら
ない。
有利には.マイクロコンピユータの動作電圧のための電
圧供給装置の中に特許請求の範囲第3項記載の、コンデ
ンサが前置接続されている調整器を設ける。するとマイ
クロコンピュータのための動作電圧の減衰特性の中に調
整器・コンデンサ装置の特性も含ませる。
圧供給装置の中に特許請求の範囲第3項記載の、コンデ
ンサが前置接続されている調整器を設ける。するとマイ
クロコンピュータのための動作電圧の減衰特性の中に調
整器・コンデンサ装置の特性も含ませる。
特許請求の範囲第4項および第5項に半導体メモリのた
めの電源電圧を準備する異なる方法が記載されている。
めの電源電圧を準備する異なる方法が記載されている。
特許請求の範囲第4項にはこのために別個のバッテリー
が設けられている。
が設けられている。
特許請求の範囲第5項にはその電圧をマイクロコンピュ
ータのための電圧源から取出す方法が記載されておりこ
の場合には容量の大きいコンデンサによりこの電圧を、
電圧源の消失後にも十分長い間維持するようにする。
ータのための電圧源から取出す方法が記載されておりこ
の場合には容量の大きいコンデンサによりこの電圧を、
電圧源の消失後にも十分長い間維持するようにする。
実施例
本発明の他の特徴・利点を以下好ましい実施例を用いて
図に基づいて詳細に説明する。
図に基づいて詳細に説明する。
第1図に略示されている回路装置は.マイクロコンピユ
ータと半導体メモリを含む。双方はデータバスを介して
データ交換を行う。マイクロコンピュータとしては、1
μsのマンンサイクル時間を有するモトローラ(Mot
orola ) 68HC11を用いる、二とができる
。半導体メモリとして実施例ではCMOS−RAM 8
0 C52が用いられている。EEPROM 、 N
V −RAM又はEPROMを用いることも可能である
。EPROMは、例えばクラッシュ(Crash )セ
ンサと接続して事故直後の自動車の当該の動作データを
一度だけ書込む場合に用いる。
ータと半導体メモリを含む。双方はデータバスを介して
データ交換を行う。マイクロコンピュータとしては、1
μsのマンンサイクル時間を有するモトローラ(Mot
orola ) 68HC11を用いる、二とができる
。半導体メモリとして実施例ではCMOS−RAM 8
0 C52が用いられている。EEPROM 、 N
V −RAM又はEPROMを用いることも可能である
。EPROMは、例えばクラッシュ(Crash )セ
ンサと接続して事故直後の自動車の当該の動作データを
一度だけ書込む場合に用いる。
マイクロコンピュータと半導体メモリのための動作電圧
としては、自動車に本発明による回路装置を用いた場合
には通常は11Vと15Vとの間にあるバッテリー電圧
UBが用いられる。
としては、自動車に本発明による回路装置を用いた場合
には通常は11Vと15Vとの間にあるバッテリー電圧
UBが用いられる。
自動車のバッチIJ OBの正極に接続されている.
マイクロコンピユータの電圧源の給電線1にはまずダイ
オードD4が接続されておりダイオードD4のしきい値
電圧により約0.6■の電圧降下が生ずる。リーs線1
から、負極が接地されているバッテリーに順番にコンデ
ンサ装置。
マイクロコンピユータの電圧源の給電線1にはまずダイ
オードD4が接続されておりダイオードD4のしきい値
電圧により約0.6■の電圧降下が生ずる。リーs線1
から、負極が接地されているバッテリーに順番にコンデ
ンサ装置。
ツェナーダイオードD1及びコンデンサC5が並列に接
続されている。コンデンサC5トツエ犬−ダイオードは
、電圧ピークの障害を除去するために用いられコンデ/
すC1は、電圧をメフにした場合に電圧UBの減衰特性
を決める。
続されている。コンデンサC5トツエ犬−ダイオードは
、電圧ピークの障害を除去するために用いられコンデ/
すC1は、電圧をメフにした場合に電圧UBの減衰特性
を決める。
並列に接続されているコンデンサC5の後にリード線1
に調整器(例えばLM2930)が接続されている。こ
の調整器は、入力側に5.6Vを越える電圧が加わって
いる限り5vの一定出力電圧を保持する。
に調整器(例えばLM2930)が接続されている。こ
の調整器は、入力側に5.6Vを越える電圧が加わって
いる限り5vの一定出力電圧を保持する。
調整器の後段には並列に接続されたコンデンサC2と別
のツェナーダイオードD2とがそれぞれ接続されている
。ツェナーダイオードD2は調整器の障害除去素子とし
て用いられ調整器の過渡振動を補償する。コンデンサC
2は電圧をオフにした時に、調整器の出力側に加わって
いる電圧U、の減衰特性を決める。また電圧U2はマイ
クロコンピュータの正の入力側と接続されている。
のツェナーダイオードD2とがそれぞれ接続されている
。ツェナーダイオードD2は調整器の障害除去素子とし
て用いられ調整器の過渡振動を補償する。コンデンサC
2は電圧をオフにした時に、調整器の出力側に加わって
いる電圧U、の減衰特性を決める。また電圧U2はマイ
クロコンピュータの正の入力側と接続されている。
リード線1が引出されているバッテリ一端子と同一の端
子からリード線2が引出され、半導体メモリのチップセ
レクト入力側C3Aに電圧を加えるために用いられる。
子からリード線2が引出され、半導体メモリのチップセ
レクト入力側C3Aに電圧を加えるために用いられる。
このリード線2には抵抗R1とR2とを含む分圧器が接
続されている。
続されている。
その後段にツェナーダイオードが並列に接続されており
電圧を制限するために用いられる。これに引続いてリー
ド線2は分岐され、一方はマイクロコンピュータの入力
側UBへ導びかれ他方はダイオードD6、コンデンサC
3及び抵抗R5の並列接続を介して接地されており、ダ
イオードD6と、抵抗R5とコンデンサC3の並列接続
体との接続点が半導体メモリの入力側C3Aに接続され
ている。この半導体メモリはシュミットトリガ入力側を
有しているので加わっている正の電圧U3はまず上限の
しきい値U303を越え次に下限のしきい値U3USを
越えるまで通し接続される。すなわち電圧がこの範囲で
加わるとマイクロコンピュータ(μC)から半導体メモ
リ(CMOS−RAM )へデータが書込まれる。
電圧を制限するために用いられる。これに引続いてリー
ド線2は分岐され、一方はマイクロコンピュータの入力
側UBへ導びかれ他方はダイオードD6、コンデンサC
3及び抵抗R5の並列接続を介して接地されており、ダ
イオードD6と、抵抗R5とコンデンサC3の並列接続
体との接続点が半導体メモリの入力側C3Aに接続され
ている。この半導体メモリはシュミットトリガ入力側を
有しているので加わっている正の電圧U3はまず上限の
しきい値U303を越え次に下限のしきい値U3USを
越えるまで通し接続される。すなわち電圧がこの範囲で
加わるとマイクロコンピュータ(μC)から半導体メモ
リ(CMOS−RAM )へデータが書込まれる。
半導体メモリ(CMOS−RAM )に電源電圧U。
を加えるためにバッテリー(図示せず)が用いられこの
バッテリーの正端子(UBRAM )の後段に抵抗R6
が直列にツェナーダイオードD4及びコンデンサC4が
並列に接続されている。ツェナーダイオ−rD、とコン
デンサC4は電圧の安定化に用いられる。
バッテリーの正端子(UBRAM )の後段に抵抗R6
が直列にツェナーダイオードD4及びコンデンサC4が
並列に接続されている。ツェナーダイオ−rD、とコン
デンサC4は電圧の安定化に用いられる。
上記の回路の代りにリード線1から半導体メモリに加え
る電源電圧を取出すこともできる。
る電源電圧を取出すこともできる。
これは、調整器を介してマイクロコンピュータに加える
動作電圧の場合と同様である。しかしながらここではコ
ンデンサC4の回路定数を、半導体、メモリの入力側1
6に加わっている電源電圧U、が、バッテリー電圧が消
失した場合に入力側C8Aに加わっている入力電圧が下
限のしきい値U35t7を下回るまで維持されるように
決めなければならない。半導体メモリとしてこの場合に
EEPROMを用いることも可能である。
動作電圧の場合と同様である。しかしながらここではコ
ンデンサC4の回路定数を、半導体、メモリの入力側1
6に加わっている電源電圧U、が、バッテリー電圧が消
失した場合に入力側C8Aに加わっている入力電圧が下
限のしきい値U35t7を下回るまで維持されるように
決めなければならない。半導体メモリとしてこの場合に
EEPROMを用いることも可能である。
イグニションスイッチをオフにした場合あるいはこの電
圧UBが事故で消失した場合、電圧U2が調整器により
一定して5vに、調整器の入力側に時点T1で5,6■
より小さい電圧U1が加わるまで保持される(第2C図
の電圧U2の経過を参照)。電圧UBをオフにした時点
からの、調整器の入力側における電圧Ulの降下の時間
的経過は実質的にコンデンサC1の容量とマイクロコン
ピュータμCの内部抵抗とにより決められる(第2b図
を参照)。
圧UBが事故で消失した場合、電圧U2が調整器により
一定して5vに、調整器の入力側に時点T1で5,6■
より小さい電圧U1が加わるまで保持される(第2C図
の電圧U2の経過を参照)。電圧UBをオフにした時点
からの、調整器の入力側における電圧Ulの降下の時間
的経過は実質的にコンデンサC1の容量とマイクロコン
ピュータμCの内部抵抗とにより決められる(第2b図
を参照)。
調整器の出力側またはマイクロコンピュータのプラスの
入力側における電圧U2の降下の引続いての時間的経過
はコンデンサC2の容量と、5VK対して例えば50
mAの入力電流のマイクロコンピュータ(μC)の内部
抵抗とにより決められる。電圧降下U2の経過は第2C
図に示されている。時点T2において電圧U2はマイク
ロコンピュータ(μC)の最低動作電圧U2minを下
回る。
入力側における電圧U2の降下の引続いての時間的経過
はコンデンサC2の容量と、5VK対して例えば50
mAの入力電流のマイクロコンピュータ(μC)の内部
抵抗とにより決められる。電圧降下U2の経過は第2C
図に示されている。時点T2において電圧U2はマイク
ロコンピュータ(μC)の最低動作電圧U2minを下
回る。
電圧UBをオフにした後の電圧U3の降下はコンデンサ
C3と並列に接続されている抵抗R5とにより決められ
る。何故ならば四〇S −RAMのシュミットトリガ入
力側は高抵抗であるからである。
C3と並列に接続されている抵抗R5とにより決められ
る。何故ならば四〇S −RAMのシュミットトリガ入
力側は高抵抗であるからである。
主な電気素子の諸元は例えば、コンデンサC1が47μ
F、コンデンサC2が220μF、コンデンサC3が2
2μF、コンデンサC2が47μF。
F、コンデンサC2が220μF、コンデンサC3が2
2μF、コンデンサC2が47μF。
コンピュータの5vで、50mAの入力電流の際抵抗R
5が11にΩ.マイクロコンピユータのマシンサイクル
時間が1μsである。
5が11にΩ.マイクロコンピユータのマシンサイクル
時間が1μsである。
時点T。においてバッテリー電圧UBをオフにするか又
は事故でバッテリ]電圧UBが消失すると、第2a図に
示されているように電圧UBは降下する。時点T。の後
で最も早くて時点T3からマイクロコンピュータμCは
バッテリー電圧UBの周期的な検出により例えば20
msで、電圧降下が生じたことを検出する。これは例え
ば実施例に示されているようにUB = 5.1 Vの
場合である。この時点T3からは電圧降下の検出により
マイクロコンピュータμCからデータは半導体メモIJ
CMO3−RAMにもはや転送されない。しかしなが
らToとT3の間の期間において電圧検出が行われ引続
いてデータセットの転送が開始することは可能である。
は事故でバッテリ]電圧UBが消失すると、第2a図に
示されているように電圧UBは降下する。時点T。の後
で最も早くて時点T3からマイクロコンピュータμCは
バッテリー電圧UBの周期的な検出により例えば20
msで、電圧降下が生じたことを検出する。これは例え
ば実施例に示されているようにUB = 5.1 Vの
場合である。この時点T3からは電圧降下の検出により
マイクロコンピュータμCからデータは半導体メモIJ
CMO3−RAMにもはや転送されない。しかしなが
らToとT3の間の期間において電圧検出が行われ引続
いてデータセットの転送が開始することは可能である。
1つのデータセットを完全に転送するのに必要な時間は
ΔTである。本発明により、この時間の間圧しい動作条
件が確実に維持されるようにできる。
ΔTである。本発明により、この時間の間圧しい動作条
件が確実に維持されるようにできる。
時点T。の後で調整器(LM293[])の入力側にお
ける電圧が時点T0で5.6vの値を下回ると(第2b
図を参照)マイクロコンピュータμCを作動するための
電圧U2も(第2c図参照)、時点T2で最低動作電圧
U2min (実施例では4V)に到達するまで(第2
c図参照)降下する。
ける電圧が時点T0で5.6vの値を下回ると(第2b
図を参照)マイクロコンピュータμCを作動するための
電圧U2も(第2c図参照)、時点T2で最低動作電圧
U2min (実施例では4V)に到達するまで(第2
c図参照)降下する。
時点T。以後はチップセレクト入力側C3Aにおける電
圧U3も降下し時点T4で、半導体メモ’) CMOS
−RAMの入力側C3Aにおける下限のしきい値U 3
USを下回る(第2d図を参照)。
圧U3も降下し時点T4で、半導体メモ’) CMOS
−RAMの入力側C3Aにおける下限のしきい値U 3
USを下回る(第2d図を参照)。
本発明による回路装置により、一方では入力側C8Aが
遮断される時点T4でいかなる場合でもマイクロコンピ
ュータμCが依然として確実に動作可能であるすなわち
U2が確実にU2mlnより大きいようにすることがで
きる。それゆえマイクロコンピュータμCの動作状態が
所定の状態にない間にデータが半導体メモIJ CMO
3−RAMに絶対に書込まれないようにすることができ
る。
遮断される時点T4でいかなる場合でもマイクロコンピ
ュータμCが依然として確実に動作可能であるすなわち
U2が確実にU2mlnより大きいようにすることがで
きる。それゆえマイクロコンピュータμCの動作状態が
所定の状態にない間にデータが半導体メモIJ CMO
3−RAMに絶対に書込まれないようにすることができ
る。
同時に.マイクロコンピユータμCが!圧UBの降下を
最も早く検出しひいてはデータ転送の続行を禁止できる
時点T3で、前に開始されているデータ転送を正しい条
件下で終了するという条件が満足されている。すなわち
時点T3の後になおも時間ΔT例えば150μsを、下
限のしきい値電圧U3USを時点T4で下回るまでに完
全にデータ転送を終了するように用いることができる。
最も早く検出しひいてはデータ転送の続行を禁止できる
時点T3で、前に開始されているデータ転送を正しい条
件下で終了するという条件が満足されている。すなわち
時点T3の後になおも時間ΔT例えば150μsを、下
限のしきい値電圧U3USを時点T4で下回るまでに完
全にデータ転送を終了するように用いることができる。
発明の効果
本発明により、故障で突然に電圧が消失してもその時点
でマイクロコンピュータから半導体メモリへのデータの
転送はデータセットが完全に半導体メモリに転送され終
るまで書込まれまたマイクロコンピュータの動作状態が
所定の状態にないのに誤ってデータが半導体に書込まれ
ることがない。
でマイクロコンピュータから半導体メモリへのデータの
転送はデータセットが完全に半導体メモリに転送され終
るまで書込まれまたマイクロコンピュータの動作状態が
所定の状態にないのに誤ってデータが半導体に書込まれ
ることがない。
第1図は、本発明による回路装置の回路略図、第2a図
〜第2d図は、電圧uBI Ul+ U2及びU3
の減衰特性の時間的経過を示す線図である。
〜第2d図は、電圧uBI Ul+ U2及びU3
の減衰特性の時間的経過を示す線図である。
Claims (5)
- 1.マイクロコンピユータと、CMOS−RAM,NV
−RAM,EEPROM等の、該コンピユータとデータ
交換を行う半導体メモリと、マイクロコンピユータの動
作電圧(U_2)のためと、半導体の少くとも1つのチ
ツプセレクト入力側等に電圧U_3を加えるためとに、
それぞれ後置接続された電圧供給装置を有する電圧源(
U_B)と、半導体メモリの電源電圧(U_4)のため
の、電圧供給装置が後置接続された電圧源とを有し、電
圧電源(U_B)の電圧がマイクロコンピユータにより
周期的に検出される回路装置において、マイクロコンピ
ユータ(μC)の動作電圧および半導体メモリ(CMO
S−RAM)のチツプセレクト入力側(CSA)の電圧
のための電圧供給装置を次のように構成する、すなわち
マイクロコンピユータ(μC)の動作電圧(U_2)を
取出す電圧源が時点(T_0)で故障するかまたは遮断
された場合にマイクロコンピユータ(μC)の動作電圧
(U_2)と半導体メモリの少くとも1つのチツプセレ
クト入力側 (CSA)における電圧(U_3)との相対的かつ時間
的電圧降下の経過を調整し、マイクロコンピユータ(μ
C)と半導体メモリCMOS−RAMとの間のデータ転
送が完全に終了するための時間(ΔT)を、時点(T_
0)からマイクロコンピユータの周期的検出により電圧
U_Bの電圧降下を可能な限り早期に検出するまでの時
間(T_3−T_0)に加算した時間が、電圧(U_B
)の降下時点(T_0)と半導体メモリ(CMOS−R
AM)のチツプセレクト入力側(CSA)の下限のしき
い値電圧を下回る時点(T_4)との間の時間(T_4
−T_0)に等しいか又は(T_4−T_0)より小さ
いようにし、この時点(T_4)が、マイクロコンピユ
ータ(μC)が正しく動作できる最低動作電圧(U_2
min)を下回る時点(T_2)より早期にあるように
したことを特徴とする回路装置。 - 2. マイクロコンピユータ(μC)の動作電圧(U_
2)のための電圧供給装置と半導体メモリ(CMOS−
RAM)のチツプセレクト入力側における電圧U_3の
ための電圧供給装置とが、減衰動作の時間的経過を決め
るコンデンサ・抵抗装置(C_3,R_5又はC_1,
C_2,μC)を含む特許請求の範囲第1項記載の回路
装置。 - 3. マイクロコンピユータ(μC)の動作電圧(U_
2)のための電圧供給装置、コンデンサ(C_1)が前
置に接続されている調整器(LM2930)を含む特許
請求の範囲第2項記載の回路装置。 - 4. 半導体メモリ(CMOS−RAM)のための動作
電圧(U_4)が、マイクロコンピユータ(μC)の動
作電圧(U_2)のための電圧源と無関係な電圧源(U
_B_R_A_M)から供給される特許請求の範囲第1
項ないし第3項のいずれか1項に記載の回路装置。 - 5. 半導体の動作電圧のための電圧源がマイクロコン
ピユータの動作電圧のための電圧源と同一であり、半導
体メモリの動作電圧のための電圧供給装置がコンデンサ
を含む特許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれか1
項に記載の回路装置。
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