JPH0656573B2 - 回路装置 - Google Patents

回路装置

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JPH0656573B2
JPH0656573B2 JP61191786A JP19178686A JPH0656573B2 JP H0656573 B2 JPH0656573 B2 JP H0656573B2 JP 61191786 A JP61191786 A JP 61191786A JP 19178686 A JP19178686 A JP 19178686A JP H0656573 B2 JPH0656573 B2 JP H0656573B2
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voltage
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cmos
ram
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    • G06F11/0703—Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation
    • G06F11/0751—Error or fault detection not based on redundancy
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    • G—PHYSICS
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    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、マイクロコンピュータと、該マイクロコンピ
ュータとデータ交換を行うたとえばＣＭＯＳ−ＲＡＭ、
ＮＶ−ＲＡＭ、ＥＥＰＲＯＭ等の半導体メモリと、前記
マイクロコンピュータの動作電圧のための電圧供給装
置、ならびに前記半導体メモリの少なくとも１つのチッ
プセレクト入力側等に対する電圧を発生させるための電
圧供給装置がそれぞれ後置接続されている電圧源と、前
記半導体メモリの給電電圧用の電圧供給装置が後置接続
されている電圧源とが設けられており、前記電圧源の電
圧がマイクロコンピュータにより周期的に走査検出され
る回路装置に関する。
このような形式の装置の場合、コンピュータにより生成
される場合によっては膨大なデータセットを記憶させる
ために半導体メモリが用いられており、これにより必要
に応じてそれらのデータセットを再び呼び出すことがで
きる。そしてこの形式の装置は自動車においてはたとえ
ば、電子制御変速機の動作、特性曲線を利用した点火動
作等を監視し、ないしは診断の目的で動作特性データを
格納するために用いられる。
このような装置における問題点は、マイクロコンピユー
タのための動作電圧をオフにするとオフにした時点で所
定の値を有しないデータがコンピユータから半導体メモ
リへ転送されるので再びオンにした際において最後に書
込まれたデータセツトに場合に依つては誤りがあること
にある。
この問題を除去するために、データを多数の回数にわた
り繰返し続けて書込むことにより最後の、場合に依つて
は不完全なまたは誤りのあるデーカセツトを用いないで
済むようにすることは周知である。しかしながらこうす
るためにはメモリの容量を大きくしなければならない。
また例えば８ビツトの終了毎に１つのコードをコンピユ
ータにより再生することも周知である。その場合、この
ようなコードが正しく生成されるのはマイクロコンピユ
ータに相応に高い動作電圧が加えられている場合にのみ
可能でありまた半導体メモリの中にデータセツトが記憶
されるのはデータセツトが正しくコード化されている場
合にのみ可能であると云うことが前提になつている。し
かしながらこの構成では動作電圧が突然消失すると、場
合によつては重要な最後のデータセツトが、誤つて記憶
されることはないが全く記憶されないことがある。
連続的に変化するデータ列をチエツクする方法としては
他に、データ列にジヤンプ区間が生じていないかを検査
する方法がある。この場合、そのようなジヤンプ区間を
検出するということは、データ値が飛躍的に偏位すると
きとデータに誤りがあることを前提としている。しかし
ながらこのようなチエツクは自動車における作動系を監
視するには適さない。何故ならばそのような作動系では
飛躍的に状態が変化することは十分にありうることであ
るからである。
Intel社のNV−RAM及びEEPROMはデータ保護回路装置を有
しており、マイクロコンピユータと半導体メモリとの共
通の動作電圧あるいは電源電圧が４Ｖを下回るとこのデ
ータ保護回路はすべての書込み動作を禁止する（Intel
Application Note ＡＰ−１６５）。この解決法も次の
ような場合に用いるには適していない。すなわち電圧源
をオフにした後に又は故障により電圧が消失した後にな
おもその時点での最後のデータセツトを確実に完全に書
き込まなければならない場合である。
発明が解決しようとする問題点 本発明の課題は前述のような回路装置を、できるだけ記
憶容量の小さい半導体メモリを使用することができるよ
うに構成しかつ自動車事故等の予期しない電圧消失の際
にも半導体メモリに電圧消失の直前の状態を再生するデ
ータセツトを確実に書込めるように構成することであ
る。
問題点を解決するための手段 この問題は本発明の特許請求の範囲第１項記載の特徴部
分に記載の構成により解決された。そこに記載されてい
るチップセレクト入力側とは通常の意味では、下限しき
い値電圧と上限しきい値電圧との間にある（正の）電圧
が加わつている場合にのみ半導体メモリへの書込みを開
始する入力側のことである。
本発明により回路装置のデイメンジヨンを定めることに
より次のことが達成される。すなわち一方で、マイクロ
コンピユータの動作状態が所定の状態にない間に誤りの
データが半導体メモリに書込まれることが絶対にないよ
うにすることが達成され他方で、事故に基因する突然の
電圧消失の際にもデータの転送は、当該のデータセツト
が半導体メモリに完全に書込まれるまでは少くとも行わ
れる。
最も簡単な場合意図する時間的減衰特性は、特許請求の
範囲第２項記載の、デイメンジヨンを定められた容量・
抵抗回路装置により達成することができる。その際に具
体的にデイメンジヨンを定めるには、使用コンピユータ
あるいは半導体メモリのデータを考慮しなければならな
い。
有利には、マイクロコンピユータの動作電圧のための電
圧供給装置の中に特許請求の範囲第３項記載の、コンデ
ンサが前置接続されている調整器を設ける。するとマイ
クロコンピユータのための動作電圧の減衰特性の中に調
整器・コンデンサ装置の特性を含ませる。
特許請求の範囲第４項および第５項に半導体メモリのた
めの電源電圧を準備する異なる方法が記載されている。
特許請求の範囲第４項にはこのために別個のバツテリー
が設けられている。特許請求の範囲第５項にはその電圧
をマイクロコンピユータのための電圧源から取出す方法
が記載されておりこの場合には容量の大きいコンデンサ
によりこの電圧を、電圧源の消失後にも十分長い間維持
するようにする。
実施例 本発明の他の特徴・利点を以下好ましい実施例を用いて
図に基づいて詳細に説明する。
第１図に略示されている回路装置は、マイクロコンピユ
ータと半導体メモリを含む。双方はデータバスを介して
データ交換を行う。マイクロコンピユータとしては、１
μＳのマシンサイクル時間を有するモトローラ（Motoro
la）６８ＨＣ１１を用いることができる。半導体メモリ
として実施例ではCMOS−RAM８０Ｃ５２が用いられてい
る。EEPROM，NV−RAM又はEPROMを用いることも可能であ
る。EPROMは、例えばクラツシユ（Crash）センサと接続
して事故直後の自動車の当該の動作データを一度だけ書
込む場合に用いる。
マイクロコンピユータと半導体メモリのための動作電圧
としては、自動車に本発明による回路装置を用いた場合
には通常は１１Ｖと１５Ｖとの間にあるバツテリー電圧
UBが用いられる。
自動車のバツテリーＵＢの正極に接続されている、マイ
クロコンピユータの電圧源の給電線１にはまずダイオー
ドD4が接続されておりダイオードD4のしきい値電圧によ
り約０．６Ｖの電圧降下が生ずる。リード線１から、負
極が接地されているバツテリー順番にコンデンサC1，ツ
エナーダイオードD1及びコンデンサC5が並列に接続され
ている。コンデンサC5とツエナーダイオードは、電圧ピ
ークの障害を除去するために用いられコンデンサC1は、
電圧をオフにした場合に電圧UBの減衰特性を決める。
並列に接続されているコンデンサC5の後にリード線１に
調整器（例えばＬＭ２９３０）が接続されている。この
調整器は、入力側に５．６Ｖを越える電圧が加わつてい
る限り５Ｖの一定出力電圧を保持する。
調整器の後段には並列に接続されたコンデンサC2と別の
ツエナーダイオードD2とがそれぞれ接続されている。ツ
エナーダイオードD2は調整器の障害除去素子として用い
られ調整器の過渡振動を補償する。コンデンサC2は電圧
をオフにした時に、調整器の出力側に加わつている電圧
U2の減衰特性を決める。また電圧U2はマイクロコンピユ
ータの正の入力側と接続されている。
リード線１が引出されているバツテリー端子と同一の端
子からリード線２が引出され、半導体メモリのチップセ
レクト入力側CSAに電圧を加えるために用いられる。こ
のリード線２には抵抗R1とR2とを含む分圧器が接続され
ている。その後段にツエナーダイオードが並列に接続さ
れており電圧を制限するために用いられる。これに引続
いてリード線２は分岐され、一方はマイクロコンピユー
タの入力側UBへ導びかれ他方はダイオードD6、コンデン
サC3及び抵抗R5の並列接続を介して接地されており、ダ
イオードD6と、抵抗R5とコンデンサC3の並列接続体との
接続点が半導体メモリの入力側CSAに接続されている。
この半導体メモリはシユミツトトリガ入力側を有してい
るので加わつている正の電圧U3はまず上限のしきい値U
3OSを越え次に下限のしきい値U3USを越えるまで通し接
続される。すなわち電圧がこの範囲で加わるとマイクロ
コンピユータ（μＣ）から半導体メモリ（CMOS−RAM）
へデータが書き込まれる。
半導体メモリ（CMOS−RAM）に電源電圧U4を加えるため
にバツテリー（図示せず）が用いられたこのバツテリー
の正端子（UBRAM）の後段に抵抗R6が直列にツエナーダ
イオードD4及びコンデンサC4が並列に接続されている。
ツエナーダイオードD4とコンデンサC4は電圧の安定化に
用いられる。
上記の回路の代りにリード線１から半導体メモリに加え
る電源電圧を取出すこともできる。これは、調整器を介
してマイクロコンピユータに加える動作電圧の場合と同
様である。しかしながらここではコンデンサC4の回路定
数を、半導体メモリの入力側１６に加わつている電源電
圧U4が、バツテリー電圧が消失した場合に入力側CSAに
加わつている入力電圧が下限のしきい値U3SUを下回るま
で維持されるように決めなければならない。半導体メモ
リとしてこの場合にEEPROMを用いることも可能である。
イグニシヨンスイツチをオフにした場合あるいはこの電
圧UBが事故で消失した場合、電圧U2が調整器により一定
して５Ｖに、調整器の入力側に時点T1で５．６Ｖより小
さい電圧U1が加わるまで保持される（第２ｃ図の電圧U2
の経過を参照）。電圧UBをオフにした時点からの、調整
器の入力側における電圧U1の降下の時間的経過は実質的
にコンデンサC1の容量とマイクロコンピユータμＣの内
部抵抗とにより決められる（第２ｂ図参照）。
調整器の出力側またはマイクロコンピユータのプラスの
入力側における電圧U2の降下の引続いての時間的経過は
コンデンサC2の容量と、５Ｖに対して例えば５０mAの入
力電流のマイクロコンピユータ（μＣ）の内部抵抗とに
より決められる。電圧降下U2の経過は第２ｃ図に示され
ている。時点T2において電圧U2はマイクロコンピユータ
（μＣ）の最低動作電圧U2minを下回る。
電圧UBをオフにした後の電圧U3の降下はコンデンサC3と
並列に接続されている抵抗R5とにより決められる。何故
ならばCMOS−RAMのシユミツトトリガ入力側は高抵抗で
あるからである。
主な電気素子の諸元は例えば、コンデンサC1が４７μ
Ｆ，コンデンサC2が２２０μＦ，コンデンサC3が２２μ
Ｆ，コンデンサC4が４７μＦ，コンピユータの５Ｖで、
５０mAの入力電流の際抵抗R5が１１ｋΩ、マイクロコン
ピユータのマシンサイクル時間が１μＳである 時点T0においてバツテリー電圧UBをオフにするか又は事
故でバツテリー電圧UBが消失すると、第２図ａに示され
ているように電圧UBは降下する。時点T0の後で最も早く
て時点T3からマイクロコンピユータμＣはバツテリー電
圧UBの周期的な検出により例えば２０msで、電圧降下が
生じたことを検出する。これは例えば実施例で示されて
いるようにUB＝５．１Ｖの場合である。この時点T3から
は電圧降下の検出によりマイクロコンピユータμＣから
データは半導体メモリCMOS−RAMにもはや転送されな
い。しかしながらT0とT3の間の期間において電圧検出が
行われ引続いてデータセツトの転送が開始することは可
能である。１つのデータセツトを完全に転送するのに必
要な時間はΔＴである。本発明により、この時間の間正
しい動作条件が確実に維持されるようにできる。
時点T0の後で調整器（ＬＭ２９３０）の入力側における
電圧が時点T1で５．６Ｖの値を下回ると（第２ｂ図を参
照）マイクロコンピユータμＣを作動するための電圧U2
も（第２ｃ図参照）、時点T2で最低動作電圧U2min（実
施例では４Ｖ）に到達するまで（第２ｃ図参照）降下す
る。
時点T0以後はチツプセレクト入力側CSAにおける電圧U3
も降下し時点T4で、半導体メモリCMOS−RAMの入力側CSA
における下限のしきい値U3USを下回る（第２ｄ図を参
照）。
本発明による回路装置により、一方では入力側CSAが遮
断される時点T4でいかなる場合でもマイクロコンピユー
タμＣが依然として確実に動作可能であるすなわちU2が
確実にU2minより大きいようにすることができる。それ
ゆえマイクロコンピユータμＣの動作状態が所定の状態
にない間にデータが半導体メモリCMOS−RAMに絶対に書
込まれないようにすることができる。
同時に、マイクロコンピユータμＣが電圧UBの降下を最
も早く検出しひいてはデータ転送の続行を禁止できる時
点T3で、前に開始されているデータ転送を正しい条件下
で終了するという条件が満足されている。すなわち時点
T3の後になおも時間ΔＴ例えば１５０μＳを、下限のし
きい値電圧U3USを時点T4で下回るまでに完全にデータ転
送を終了するように用いることができる。
発明の効果 本発明により、故障で突然に電圧が消失してもその時点
でマイクロコンピユータから半導体メモリへのデータの
転送はデータセツトが完全に半導体メモリに転送され終
るまで書込まれまたマイクロコンピユータの動作状態が
所定の状態にないのに誤つてデータが半導体に書込まれ
ることがない。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明による回路装置の回路略図、第２ａ図
〜第２ｄ図は、電圧UB，U1，U2及びU3の減衰特性の時間
的経過を示す線図である。 １…給電線、２…リード線

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】マイクロコンピュータと、 該マイクロコンピュータとデータ交換を行う半導体メモ
    リ（ＣＭＯＳ−ＲＡＭ）と、 前記マイクロコンピュータの動作電圧（Ｕ２）のための
    電圧供給装置、ならびに前記半導体メモリ（ＣＭＯＳ−
    ＲＡＭ）の少なくとも１つのチップセレクト入力側（Ｃ
    ＳＡ）等に対する電圧（Ｕ３）を発生させるための電圧
    供給装置がそれぞれ後置接続されている電圧源（ＵＢ）
    と、 前記半導体メモリ（ＣＭＯＳ−ＲＡＭ）の給電電圧（Ｕ
    ４）のための電圧供給装置が後置接続されている電圧源
    （ＵBRAM）とが設けられており、 前記電圧源（ＵＢ）の電圧がマイクロコンピュータによ
    り周期的に走査検出される回路装置において、 前記のマイクロコンピュータの動作電圧（Ｕ２）のため
    の電圧供給装置と、前記の半導体メモリ（ＣＭＯＳ−Ｒ
    ＡＭ）のチップセレクト入力側（ＣＡＳ）に対する電圧
    （Ｕ３）のための電圧供給装置は、 マイクロコンピュータの動作電圧（Ｕ２）を取り出す前
    記電圧源（ＵＢ）が時点（Ｔ０）で故障ないし遮断した
    ときに、マイクロコンピュータの動作電圧（Ｕ２）と、
    半導体メモリ（ＣＭＯＳ−ＲＡＭ）の少なくとも１つの
    チップセレクト入力側（ＣＳＡ）における電圧（Ｕ３）
    との間の、電圧降下の相対的時間経過を調整し、 故障ないし遮断の生じた前記の時点（Ｔ０）から、マイ
    クロコンピュータによる周期的な走査検出に基づき当該
    電圧（ＵＢ）の降下が可能なかぎり最も早く検出される
    時点（Ｔ３）に至るまでの期間（Ｔ３−Ｔ０）に、マイ
    クロコンピュータと半導体メモリ（ＣＭＯＳ−ＲＡＭ）
    間のデータ伝送の完全な終了に要する時間（ΔＴ）を加
    算した期間が、当該電圧（ＵＢ）の降下開始時点
    （Ｔ０）から、半導体メモリ（ＣＭＯＳ−ＲＡＭ）のチ
    ップセレクト入力側（ＣＳＡ）の電圧が下限の閾値電圧
    よりも低くなる時点（Ｔ４）に至るまでの期間（Ｔ４−
    Ｔ０）と等しくなるように、またはこの期間（Ｔ４−Ｔ
    ０）よりも短くなるように、当該電圧降下の相対的時間
    経過を調整し、 下限の閾値電圧よりも低くなる前記の時点（Ｔ４）を、
    マイクロコンピュータの適正な動作を保証する最低動作
    電圧（Ｕ2min）を下回る時点（Ｔ２）よりも早期に位置
    させる、 ことを特徴とする回路装置。
  2. 【請求項２】マイクロコンピュータ（μＣ）の動作電圧
    （Ｕ２）のための前記電圧供給装置と、半導体メモリ
    （ＣＭＯＳ−ＲＡＭ）のチップセレクト入力側（ＣＳ
    Ａ）における電圧（Ｕ３）のための前記電圧供給装置
    は、減衰特性の時間的経過を定めるコンデンサ・抵抗装
    置（Ｃ３，Ｒ５またはＣ１，Ｃ２，μＣ）を有してお
    り、抵抗として前記マイクロコンピュータ（μＣ）の内
    部抵抗も含み得る、特許請求の範囲第１項記載の回路装
    置。
  3. 【請求項３】マイクロコンピュータ（μＣ）の動作電圧
    （Ｕ２）のための電圧供給装置が、コンデンサ（Ｃ１）
    の前置接続された調整器（ＬＭ２６３０）を含む、特許
    請求の範囲第２項記載の回路装置。
  4. 【請求項４】半導体メモリ（ＣＭＯＳ−ＲＡＭ）のため
    の動作電圧（Ｕ４）が、マイクロコンピュータ（μＣ）
    の動作電圧（Ｕ２）のための電圧源と無関係な電圧源
    （ＵBRAM）から供給される、特許請求の範囲第１項〜第
    ３項のいずれか１項記載の回路装置。
  5. 【請求項５】半導体メモリ（ＣＭＯＳ−ＲＡＭ）の動作
    電圧のための電圧源がマイクロコンピュータの動作電圧
    のための電圧源と同一であり、半導体メモリの動作電圧
    のための電圧供給装置がコンデンサを含む、特許請求の
    範囲第１項〜第３項のいずれか１項記載の回路装置。
JP61191786A 1985-08-17 1986-08-18 回路装置 Expired - Lifetime JPH0656573B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3529494.9 1985-08-17
DE19853529494 DE3529494A1 (de) 1985-08-17 1985-08-17 Schaltungsanordnung umfassend einen mikrocomputer und einen mit diesem im datenaustausch stehenden halbleiter-speicher

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6243714A JPS6243714A (ja) 1987-02-25
JPH0656573B2 true JPH0656573B2 (ja) 1994-07-27

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ID=6278739

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61191786A Expired - Lifetime JPH0656573B2 (ja) 1985-08-17 1986-08-18 回路装置

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US (1) US5070481A (ja)
JP (1) JPH0656573B2 (ja)
DE (1) DE3529494A1 (ja)
FR (1) FR2586311B1 (ja)

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